JP2014044995A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 101
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】分割予定ラインで区画され、デバイス(D)の形成されたウェーハ(W)の表面(W1)側に保護テープ(T)を貼着する保護テープ貼着工程と、分割予定ラインに沿ってウェーハの裏面(W2)側にレーザー光線を照射し、分割の起点となる分割起点領域(A)を形成するレーザー光線照射工程と、ウェーハ全体を埋没させるようにウェーハの裏面側から樹脂(R)を塗布して硬化させ、ウェーハの裏面全面及び外周(W3)全周を樹脂で被覆する樹脂被覆工程と、ウェーハの裏面側から分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウェーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、分割されたウェーハから樹脂を剥離して除去する樹脂除去工程と、を備える構成とした。
【選択図】図3
Description
2 樹脂塗布装置
3 紫外光照射装置
4 ブレーキング装置
11 保持テーブル(保持手段)
12 加工ヘッド
21 ノズル
31 保持テーブル
32 紫外光源
41,41a,41b 支持刃
42 押圧刃(押圧手段)
43 カメラ
A 改質層(分割起点領域)
F フレーム
C チップ
D デバイス
R 樹脂
T 保護テープ
UV 紫外光
W ウェーハ
W1 表面
W2 裏面
W3 外周
Claims (1)
- 表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの分割方法であって、
該表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該保護テープ貼着工程を実施した後に、該保護テープを保持手段に保持しウェーハの裏面から該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し分割する起点となる分割起点領域を形成するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程を実施した後に、ウェーハの露呈する裏面側から、外部刺激を与えることにより硬化する液状樹脂を供給しウェーハの外周全周に渡って該樹脂が該保護テープに至りウェーハ全体が該樹脂に埋没するまで樹脂を塗布し、該樹脂に外部刺激を与えて硬化させウェーハを樹脂で被覆する樹脂被覆工程と、
樹脂被覆工程の後に、押圧手段により該樹脂側から押圧することにより該分割予定ラインに沿って外力を付与しウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後に、ウェーハから該樹脂を剥離する樹脂除去工程と、
を備えるウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012185126A JP5992256B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012185126A JP5992256B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014044995A true JP2014044995A (ja) | 2014-03-13 |
JP5992256B2 JP5992256B2 (ja) | 2016-09-14 |
Family
ID=50396085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012185126A Active JP5992256B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5992256B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017112268A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01228143A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエーハの分割方法 |
JP2003334675A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2007266557A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-08-24 JP JP2012185126A patent/JP5992256B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01228143A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエーハの分割方法 |
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JP2007266557A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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