JP4511903B2 - ウエーハの分割装置 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
- B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/10—Methods
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/10—Methods
- Y10T225/12—With preliminary weakening
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/30—Breaking or tearing apparatus
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/30—Breaking or tearing apparatus
- Y10T225/307—Combined with preliminary weakener or with nonbreaking cutter
- Y10T225/321—Preliminary weakener
- Y10T225/325—With means to apply moment of force to weakened work
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
ウエーハの一方の面に貼着した保護テープを保持するテープ保持手段と、
該テープ保持手段に該保護テープを介して保持されたウエーハを分割予定ラインの両側において保護テープを介して吸引保持する第1の吸引保持部材および第2の吸引保持部材と、該第1の吸引保持部材と該第2の吸引保持部材を離反する方向に移動せしめる移動手段とからなる張力付与手段を複数個備えたウエーハ破断手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
この変質層形成加工は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル11上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル11は、図示しない移動機構によって撮像手段13の直下に位置付けられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
図8には本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図が示されており、図9には図8に示す分割装置の要部を分解して示す斜視図が示されている。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置2は、基台3と、該基台3上に配設され上記図7に示す環状のフレーム15を保持するフレーム保持手段4と、該フレーム保持手段4によって保持された環状のフレーム15に保護テープ16を介して支持された半導体ウエーハ10を分割予定ライン101に沿って破断するウエーハ破断手段5を具備している。
図示の実施形態におけるウエーハ破断手段5は、上記フレーム保持手段4の一対の支持部材41、41間において基台3に配設され矢印Y方向に延びる一対の案内レール50、50と、該一対の案内レール50、50上に直列に配設された第1の張力付与手段5aと第2の張力付与手段5bとからなっている。一対の案内レール50、50は、互いに所定の間隔を置いて平行に配設されている。第1の張力付与手段5aと第2の張力付与手段5bは、一対の案内レール50、50上に互いに対向して配設され、一対の案内レール50、50に沿って移動可能に構成されている。なお、第1の張力付与手段5aと第2の張力付与手段5bは、実質的に同一の構成であり、従って同一部材には同一符号を付して説明する。
第2の吸引保持部材52はL字状に形成され、矩形状の第2の支持部521と該第2の支持部521の一端から上方に延びる第2の保持部522とからなっている。第2の吸引保持部材52を構成する第2の支持部521は、その下面に上記第1の吸引保持部材51を構成する第1の支持部511に設けられた一対の案内レール514、514と対応する一対の被案内溝523、523が形成されており、この一対の被案内溝523、523を一対の案内レール514、514に嵌合することにより、一対の案内レール514、514に沿って移動可能に支持される。第2の吸引保持部材52を構成する第2の保持部522は、上記保持テーブル42の開口421内に配置され、その上端にそれぞれ上記矢印Y方向に対して垂直な方向に延びる細長い長方形の第2の保持面525を備えている。この第2の保持面525は、上記第1の保持面515と同じ長さ即ち上記半導体ウエーハの直径と略同じ長さを有しており、上記保持テーブル42の上面と略同一の高さに位置付けられている。第2の保持部522の第2の保持面525には、複数の吸引孔526が形成されている。この複数の吸引孔526は、図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段を作動すると複数の吸引孔526に負圧が作用し、第2の保持面525上に上記保護テープ16を介して半導体ウエーハ10を吸引保持することができる。
上記図7に示すように分割予定ライン101に沿って強度が低下せしめられた半導体ウエーハ10を保護テープ16を介して支持した環状のフレーム15を、図10に示すようにフレーム保持手段4を構成する保持テーブル42の上面に載置し、クランプ44によって保持テーブル42に固定する。
11:レーザー加工装置のチャックテーブル
12:レーザー光線照射手段
13:撮像手段
2:ウエーハの分割装置
3:基台
4: フレーム保持手段
41、41:一対の支持部材
42:保持テーブル
43:ボールベアリング
44:クランプ
45:回動手段
5:ウエーハ破断手段
5a:第1の張力付与手段
5b:第2の張力付与手段
51:第1の吸引保持部材
52:第2の吸引保持部材
53:移動手段
54:インデックス手段
6:検出手段
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
15:環状のフレーム
16:保護テープ
Claims (6)
- 複数の分割予定ラインに沿って強度が低下せしめられているウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割装置において、
ウエーハの一方の面に貼着した保護テープを保持するテープ保持手段と、
該テープ保持手段に該保護テープを介して保持されたウエーハを分割予定ラインの両側において保護テープを介して吸引保持する第1の吸引保持部材および第2の吸引保持部材と、該第1の吸引保持部材と該第2の吸引保持部材を離反する方向に移動せしめる移動手段とからなる張力付与手段を複数個備えたウエーハ破断手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置。 - 該複数個の該張力付与手段は該移動手段による移動方向に沿って直列に配設されており、該複数個の該張力付与手段を該移動方向にそれぞれ移動せしめるインデックス手段を備えている、請求項1記載のウエーハの分割装置。
- 該第2の吸引保持部材は該第1の吸引保持部材に移動可能に配設されており、該移動手段は該第2の吸引保持部材を移動せしめ、該インデックス手段は該第1の吸引保持部材を移動せしめる、請求項2記載のウエーハの分割装置。
- 2個の該張力付与手段を該第1の吸引保持手段が互いに対向するように配設され、該第2の吸引保持部材がそれぞれ外側に離反せしめられるように構成されている、請求項3記載のウエーハの分割装置。
- 該テープ保持手段に該保護テープを介して保持されたウエーハの分割予定ラインを検出する検出手段を備えている、請求項1から4のいずれかに記載のウエーハの分割装置。
- 該保護テープは環状のフレームに装着されており、該テープ保持手段は該環状のフレームを支持するフレーム保持手段からなっている、請求項1から5のいずれかに記載のウエーハの分割装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306041A JP4511903B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | ウエーハの分割装置 |
US11/249,494 US7497213B2 (en) | 2004-10-20 | 2005-10-14 | Wafer dividing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306041A JP4511903B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | ウエーハの分割装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006120797A JP2006120797A (ja) | 2006-05-11 |
JP4511903B2 true JP4511903B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=36179639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004306041A Active JP4511903B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | ウエーハの分割装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7497213B2 (ja) |
JP (1) | JP4511903B2 (ja) |
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JPS59117235A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | ウエハブレ−キング方法および装置 |
JPH11163097A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体チップのピックアップ装置およびその方法 |
JP3408805B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP2002334852A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
JP2004145337A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示パネルの切断装置 |
JP2005129607A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2006040988A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006120797A (ja) | 2006-05-11 |
US20060081574A1 (en) | 2006-04-20 |
US7497213B2 (en) | 2009-03-03 |
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