JP2007067762A - 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SPDTスイッチ2において、アンテナ用端子2aと基準電位VSSとの間にリークパス用抵抗27が接続されている。このリークパス用抵抗27によって、送信信号端子2b,2c、ならびに受信信号端子2d〜2gにそれぞれ接続されているDCカット容量として設けられている静電容量素子8〜13,28に蓄積した電荷容量を放電し、アンテナ端子2aの電位を速やかに低下させることができる。
【選択図】 図2
Description
2 SPDTスイッチ(アンテナ接続切り替え回路)
2a アンテナ用端子
2b,2c 送信信号端子
2d〜2g 受信信号端子
2h〜2n 制御端子
3 制御部
4,5 高周波電力増幅器
6.7 ローパスフィルタ
8〜13 静電容量素子
14〜17 SAW
18〜21 LNA
22 送信回路
23 送信回路
24,25 送信信号切り替え部
26 受信信号切り替え部
27 リークパス用抵抗
28 静電容量素子
ANT 送受信用アンテナ
Qtx1,Qtx2 トランジスタ(切り替え用トランジスタ)
Qtx3,Qtx4 トランジスタ(切り替え用トランジスタ)
Qrx1〜Qrx5 トランジスタ(切り替えトランジスタ)
Rgg1〜Rgg18 抵抗
Rd1〜Rd15 抵抗
C1〜C6 静電容量素子
SC1,SC2 昇圧回路
50 SPDTスイッチ
51,52 送信信号切り替え部
53 受信信号切り替え部
Qtx50〜Qtx53 トランジスタ
Qrx50〜Qrx54 トランジスタ
Rgg50〜Rgg64 抵抗
Rd50〜Rd64 抵抗
C50〜C55 静電容量素子
SC50,SC51 昇圧回路
Claims (16)
- アンテナに結合される第1端子と、
信号処理回路に結合される第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子の間に設置され、前記第1端子と前記第2端子の接続切り替えを行う切り替えトランジスタと、
前記切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1端子と基準電位との間に接続され、前記第1〜第3端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - アンテナに結合される第1端子と、
第1送信回路に結合される第1送信端子と、
第2送信回路に結合される第2送信端子と、
受信回路に結合される受信端子と、
前記第1端子と前記第1送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第1送信端子の接続切り替えを行う第1の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記第2送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第2送信端子の接続切り替えを行う第2の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記受信端子との間に設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う第3の切り替えトランジスタと、
前記第1、および前記第2の切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第2送信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記第3端子、前記第1送信端子、前記第2送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記第1送信端子は、前記第1送信回路に入力されるGSMの送信信号が入力され、
前記第2送信端子は、前記第2送信回路に入力されるPCSの送信信号が入力されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - アンテナに結合される第1端子と、
送信回路に結合される送信端子と、
受信回路に結合される複数の受信端子と、
前記第1端子と前記送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記送信端子の接続切り替えを行う送信切り替えトランジスタと、
前記第1端子と複数の前記受信端子との間にそれぞれ設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う受信切り替えトランジスタと、
前記送信切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記送信切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記送信切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記複数の受信端子のうち、いずれか1つの受信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - アンテナに結合される第1端子と、
第1送信回路に結合される第1送信端子と、
第2送信回路に結合される第2送信端子と、
受信回路に結合される受信端子と、
前記第1端子と前記第1送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第1送信端子の接続切り替えを行う第1の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記第2送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第2送信端子の接続切り替えを行う第2の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記受信端子との間に設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う第3の切り替えトランジスタと、
前記第1、および前記第2の切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1送信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記第3端子、前記第1送信端子、前記第2送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項5記載の半導体集積回路装置において、
前記第1送信端子は、前記第1送信回路に入力されるGSMの送信信号が入力され、
前記第2送信端子は、前記第2送信回路に入力されるPCSの送信信号が入力されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - アンテナに結合される第1端子と、
送信回路に結合される送信端子と、
受信回路に結合される複数の受信端子と、
前記第1端子と前記送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記送信端子の接続切り替えを行う送信切り替えトランジスタと、
前記第1端子に接続され、前記第1端子の接続切り替えを行う第1受信切り替えトランジスタと、
前記第1受信切り替えトランジスタと複数の前記受信端子との間にそれぞれ接続され、複数の前記受信端子の接続切り替えを行う複数の第2受信切り替えトランジスタと、
前記送信切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記送信切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記送信切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1受信切り替えトランジスタ、および複数の前記第2受信切り替えトランジスタの接続部と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記送信端子、および複数の前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体集積回路装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記リークパス用抵抗の抵抗値は、100KΩ以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - アンテナ接続切り替え回路と、
送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1端子と、
高周波電力増幅器に結合される送信端子と、
受信回路に結合される受信端子と、
前記第1端子と前記送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記送信端子の接続切り替えを行う切り替えトランジスタと、
前記切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1の切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1端子と基準電位との間に接続され、前記第1〜第3端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - アンテナ接続切り替え回路と、
第1、および第2の送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1端子と、
前記高周波電力増幅器に結合される第1、および第2の送信端子と、
受信回路に結合される受信端子と、
前記第1端子と前記第1送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第1送信端子の接続切り替えを行う第1の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記第2送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第2送信端子の接続切り替えを行う第2の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記受信端子との間に設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う第3の切り替えトランジスタと、
前記第1、および前記第2の切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第2送信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記第3端子、前記第1送信端子、前記第2送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項10記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1送信端子に接続された高周波電力増幅器は、GSMの送信信号を出力し、
前記第2送信端子に接続された高周波電力増幅器は、PCSの送信信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - アンテナ接続切り替え回路と、
第1、および第2の送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1端子と、
前記高周波電力増幅器に結合される送信端子と、
受信回路に結合される複数の受信端子と、
前記第1端子と前記送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記送信端子の接続切り替えを行う送信切り替えトランジスタと、
前記第1端子と複数の前記受信端子との間にそれぞれ設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う受信切り替えトランジスタと、
前記送信切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記送信切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記送信切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記複数の受信端子のうち、いずれか1つの受信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - アンテナ接続切り替え回路と、
第1、および第2の送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1端子と、
前記高周波電力増幅器に結合される第1、および第2送信端子と、
受信回路に結合される受信端子と、
前記第1端子と前記第1送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第1送信端子の接続切り替えを行う第1の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記第2送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記第2送信端子の接続切り替えを行う第2の切り替えトランジスタと、
前記第1端子と前記受信端子との間に設置され、前記第1端子と前記受信端子の接続切り替えを行う第3の切り替えトランジスタと、
前記第1、および前記第2の切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記第1、または前記第2の切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1送信端子と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記第3端子、前記第1送信端子、前記第2送信端子、および前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項13記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記第1送信端子に接続された高周波電力増幅器は、GSMの送信信号を出力し、
前記第2送信端子に接続された高周波電力増幅器は、PCSの送信信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - アンテナ接続切り替え回路と、
第1、および第2の送信回路から送信信号を受取り、増幅された送信信号を前記アンテナ接続切り替え回路に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記アンテナ接続切り替え回路は、
アンテナに結合される第1端子と、
前記高周波電力増幅器に結合される送信端子と、
受信回路に結合される複数の受信端子と、
前記第1端子と前記送信端子との間に設置され、前記第1端子と前記送信端子の接続切り替えを行う送信切り替えトランジスタと、
前記第1端子に接続され、前記第1端子の接続切り替えを行う第1受信切り替えトランジスタと、
前記第1受信切り替えトランジスタと複数の前記受信端子との間にそれぞれ接続され、複数の前記受信端子の接続切り替えを行う複数の第2受信切り替えトランジスタと、
前記送信切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第3端子と、
前記第3端子を介して制御信号が入力された際に前記送信切り替えトランジスタを介して出力される送信信号を取り込み、制御信号の電圧レベルよりも高い昇圧電圧を発生し、前記送信切り替えトランジスタの制御端子に印加する昇圧回路と、
前記第1受信切り替えトランジスタ、および複数の前記第2受信切り替えトランジスタの接続部と基準電位との間に接続され、前記第1端子、前記送信端子、および複数の前記受信端子にそれぞれ接続されたDCカット容量である静電容量素子に蓄積した電荷容量を放電するリークパス用抵抗とを備えたことを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項9〜15のいずれか1項に記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記リークパス用抵抗の抵抗値は、100KΩ以上であることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013094535A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US8824974B2 (en) | 2006-06-29 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and radio frequency module |
US10707909B2 (en) | 2017-09-12 | 2020-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency circuit, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4724498B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-07-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
JP2008205794A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
KR100980112B1 (ko) * | 2008-03-27 | 2010-09-03 | 광주과학기술원 | Rf 스위칭 장치 및 방법 |
JP2010233207A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-10-14 | Panasonic Corp | 高周波スイッチ回路及び半導体装置 |
US9627883B2 (en) * | 2011-04-13 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Multiple port RF switch ESD protection using single protection structure |
US9728532B2 (en) | 2011-04-13 | 2017-08-08 | Qorvo Us, Inc. | Clamp based ESD protection circuits |
CN102332929B (zh) * | 2011-09-23 | 2016-08-03 | 中兴通讯股份有限公司 | 双模射频模块、双模射频发送、接收方法以及用户终端 |
US9723560B2 (en) * | 2014-05-22 | 2017-08-01 | Qualcomm Incorporated | Multi-stage amplifier with RC network |
US10910714B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-02-02 | Qualcomm Incorporated | Configurable power combiner and splitter |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09200021A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路 |
JP2002135095A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Nec Kansai Ltd | Icスイッチ |
JP2004048411A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Nec Corp | 高周波スイッチ |
JP2004048692A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Nec Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2004320439A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路 |
JP2007005970A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2607733B2 (ja) * | 1990-05-31 | 1997-05-07 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置の昇圧回路 |
JP3169775B2 (ja) | 1994-08-29 | 2001-05-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体回路、スイッチ及びそれを用いた通信機 |
JP4050096B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2008-02-20 | 松下電器産業株式会社 | 高周波スイッチ回路および移動体通信端末装置 |
JP2004353715A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Autoliv Kk | n角断面角型ベローズアクチュエータ |
JP4202852B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2008-12-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置 |
JP2005136948A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | アンテナスイッチ回路 |
JP4433784B2 (ja) | 2003-12-19 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶パネル駆動装置 |
-
2005
- 2005-08-31 JP JP2005250497A patent/JP4712492B2/ja active Active
-
2006
- 2006-08-30 US US11/512,189 patent/US7650134B2/en active Active
- 2006-08-31 CN CN2006101288505A patent/CN1925326B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09200021A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路 |
JP2002135095A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Nec Kansai Ltd | Icスイッチ |
JP2004048692A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Nec Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2004048411A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Nec Corp | 高周波スイッチ |
JP2004320439A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路 |
JP2007005970A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8824974B2 (en) | 2006-06-29 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and radio frequency module |
WO2013094535A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP5652558B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-01-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US9413415B2 (en) | 2011-12-20 | 2016-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency module |
US10009059B2 (en) | 2011-12-20 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency module |
US10707909B2 (en) | 2017-09-12 | 2020-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency circuit, radio-frequency front-end circuit, and communication device |
Also Published As
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