JP2007035702A - 半導体基板及び半導体装置、並びにこれらの製造方法、半導体基板の設計方法 - Google Patents
半導体基板及び半導体装置、並びにこれらの製造方法、半導体基板の設計方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007035702A JP2007035702A JP2005212748A JP2005212748A JP2007035702A JP 2007035702 A JP2007035702 A JP 2007035702A JP 2005212748 A JP2005212748 A JP 2005212748A JP 2005212748 A JP2005212748 A JP 2005212748A JP 2007035702 A JP2007035702 A JP 2007035702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- forming
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 330
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 65
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020328 SiSn Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/66772—Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/78654—Monocrystalline silicon transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
【解決手段】 素子形成領域のSi基材1上に設けられ、十分に厚く(例えば100[nm]以上の厚さ)且つSi基板1よりも不純物濃度が低い容量調整用のSi層5と、このSi層5上に設けられた埋め込み酸化膜5と、埋め込み酸化膜5上に設けられたSiからなるボディ層10と、を有する。ボディ層10からSi基板1側へ空乏層を大きく伸ばすことができ、その結果、ボディ層10とSi基板1との間の接合容量を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
その一方で、SOI基板は、SIMOX法、貼り合わせ法等、特殊な製造装置により作製されるため、基板コストは非常に高くなっている(バルク基板と比べて、通常、5〜10倍程度である。)。また、SOIを用いたデバイスではその特殊な構造のため、ドレイン耐圧が低下したり、静電破壊レベルが低下したりするなど、デメリットとなる部分もあった。そこで、これらの問題を解決するため、バルク基板上に部分的なSOI構造を作製する方法が提案されている。
T,Sakai et al."Separation by Bonding Si Islands(SBSI) for LSI Applications",Second International SiGe Technology and Device Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
ここで、臨界膜厚とは、結晶欠陥が発生しない最大膜厚のことである。SiGeはSiよりも結晶格子の大きさが大きいため、Siの上に成膜されたSiGeはSiと格子を揃えるために圧縮応力がかかった状態になっており、ある厚さ(即ち、臨界膜厚)を超えると結晶欠陥を発生させることで応力を緩和させる。
ここで、「半導体基材」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「所定領域」は例えばトランジスタ等の素子を形成する領域(即ち、素子形成領域)のことである。また、「容量調整用の半導体層」と「ボディ層」は、例えばエピタキシャル成長によって得られるSi層である。
また、発明2の半導体基板によれば、容量調整用の半導体層を第1、第2の絶縁膜で上下から挟んだ構造となっているので、発明1と比べて、その接合容量を同じ値まで低くする場合に、容量調整用の半導体層を薄くすることができる。
このような構成であれば、ボディ層から半導体基材側への空乏層の伸びが十分に大きくなる。
このような構成であれば、半導体基材よりも容量調整用の半導体層の方が空乏層が広がり易いので、ボディ層から半導体基材側へ空乏層を大きく伸ばすことができる。従って、空乏層の伸びが大きくなるので、絶縁膜が厚く形成されていなくても接合容量を低減することができる。
これにより、トランジスタのソース拡散層又はドレイン拡散層(ソース/ドレイン)とSi基板との間の接合容量を十分に低減することができるので、トランジスタの動作速度の向上に寄与することができる。
このような構成であれば、半導体基材よりも容量調整用の半導体層の方が空乏層が広がり易いので、ボディ層から半導体基材側へ空乏層を大きく伸ばすことができる。従って、空乏層の伸びが大きくなるので、絶縁膜を厚く形成しなくても接合容量を低減することができる。
また、発明6の半導体基板の製造方法によれば、容量調整用の半導体層を第1、第2の絶縁膜で上下から挟んだ構造を形成するので、発明5と比べて、その接合容量を同じ値まで低くする場合に、容量調整用の半導体層を薄くすることができる。
また、発明8の半導体基板の製造方法によれば、容量調整用の半導体層を第1、第2の絶縁膜で上下から挟んだ構造を形成するので、発明7と比べて、その接合容量を同じ値まで低くする場合に、容量調整用の半導体層を薄くすることができる。
このような構成であれば、支持体下からボディ層が露出するので、ボディ層にトランジスタ等の素子を形成することが可能である。
このような構成であれば、半導体基材よりも容量調整用の半導体層の方が空乏層が広がり易いので、ボディ層から半導体基材側へ空乏層を大きく伸ばすことができる。従って、空乏層の伸びが大きくなるので、絶縁膜を厚く形成しなくても接合容量を低減することができる。
これにより、ソース/ドレインとSi基板との間の接合容量を十分に低減することができるので、トランジスタの動作速度の向上に寄与することができる。
本発明は、バルクの半導体基板の所望とする領域のみSOI構造を形成する、いわゆるSBSI技術に適用して極めて好適である。
(1)第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図1に示すように、この半導体装置は、シリコン(Si)基板1と、このSi基板1の素子分離領域に設けられた素子分離層3と、Si基板1の素子領域に設けられた容量調整用のSi層5と、このSi層上に設けられた埋め込み酸化膜7と、埋め込み酸化膜7上に設けられたボディ層10と、このボディ層10に設けられたトランジスタ50と、を含んだ構成となっている。
次に、図1に示した半導体装置の製造方法について説明する。
図2(A)及び図3(A)は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。また、図2(B)は図2(A)のX1−X1′矢視断面図であり、図2(C)は2(A)のY1−Y1 ′矢視断面図である。さらに、図3(B)は図3(A)のX2−X2′矢視断面図であり、図3(C)は図3(A)のY2−Y2 ′矢視断面図である。また、図4(A)〜(C)は、X2−X2′断面において、図3(B)以降の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
次に、支持体用の穴hを形成する。即ち、図2(A)〜(C)に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ボディ層10及びSiGe層37、容量調整用のSi層5を順次パターニングして、Si基板1の表面の一部を露出させる。この露出した部分が支持体用の穴hである。この穴hはトランジスタ50等の素子を形成する領域の外側(即ち、素子分離領域)の一部に形成する。なお、Si基板1の一部を露出させる場合、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしても良いし、Si基板1をオーバーエッチングしてSi基板1に凹部を形成するようにしても良い。
このパターニングによって、ボディ層10及びSiGe層37、Si層はトランジスタ50等の素子を形成する領域(即ち、素子形成領域)のSi基板1上にだけ残され、素子分離領域のSi基板1上からは完全に取り除かれる。なお、図3(A)〜(C)に示すように、SiGe層37の側面の一部を露出させる開口面は、素子形成領域の周縁に沿って形成する。支持体3´の開口面を形成しない部分では、開口面の形成後もボディ層10及びSiGe層37、Si層5の各側面と支持体3´とがそれぞれ接している。そして、支持体3´はこの接している部分でボディ層10を支持し続けている。
次に、Si基板1を熱酸化する。このとき、O2等の酸化種は、支持体3´から露出したSi基板1の表面や、ボディ層10及びSi層5のそれぞれの側面だけでなく、開口面を通って空洞部47内にも到達する。従って、図4(B)に示すように、この空洞部内にもSiO2膜(即ち、埋め込み酸化膜)7が形成される。なお、埋め込み酸化膜7による空洞部内の埋め込みが十分でない場合には、熱酸化の後のCVDなどにより空洞部内にSiO2膜等を堆積させるようにしても良い。また、空洞部内に埋め込み酸化膜7を形成した後で、1000℃以上の高温アニールを行うようにしても良い。これにより、埋め込み酸化膜7をリフローさせることが可能となる。
その後、例えばボディ層10の表面の熱酸化を行うことにより、ボディ層10の表面にゲート絶縁膜23(図1参照。)を形成する。次に、ゲート絶縁膜23が形成されたボディ層10上に、リン等の不純物を含むポリシリコン膜を形成する。そして、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィー技術及ぶエッチング技術を用いてパターニングし、ゲート電極25(図1参照。)を形成する。また、このゲート電極25等をマスクとして、As、P、Bなどの不純物をボディ層10内にイオン注入することにより、ソース/ドレイン21a,21b(図1参照。)を形成し、トランジスタ50を完成させる。
さらに、本発明の実施の形態に係る半導体基板の設計方法は、素子形成領域のSi基板1上に設けられた埋め込み酸化膜7と、この埋め込み酸化膜7上に設けられたボディ層10とを有する半導体基板の設計方法であって、埋め込み酸化膜7とSi基板1との間に容量調整用のSi層5を介在させ、このSi層5の厚さと、ボディ層10とSi基板1との間の接合容量との関係を調査しておき、当該調査の結果に基づいてSi層5を所定の厚さに設計して、接合容量を所定の値に合わせ込むことを特徴とするものである。容量調整用のSi層5の不純物濃度はSi基板1よりも低くする。
この第1実施形態では、素子形成領域が本発明の「所定領域」に対応し、Si基板1が本発明の「半導体基材」に対応している。また、Si層5が本発明の「容量調整用の半導体層」に対応し、埋め込み酸化膜7が本発明の「絶縁膜」に対応している。さらに、SiGe層37が本発明の「犠牲半導体層」に対応している。
図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図6において、図1と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
次に、図6に示した半導体装置の製造方法について説明する。
次に、支持体3´用の穴hを形成する。即ち、図7(A)〜(C)に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、ボディ層10と、第2のSiGe層37と、容量調整用のSi層5と、第1のSiGe層36と、バッファ用のSi層4とを順次パターニングして、Si基板1の表面の一部を露出させる。この露出した部分が支持体3´用の穴hである。この穴hはトランジスタ50等の素子を形成する領域の外側(即ち、素子分離領域)の一部に形成する。
次に、図8(A)〜(C)に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、支持体3´と、ボディ層10と、第2のSiGe層37と、容量調整用のSi層5と、第1のSiGe層36と、バッファ用のSi層4とを順次パターニングすることにより、ボディ層10と、SiGe層37と、Si層5と、SiGe層37と、Si層4のそれぞれの側面(端部)の一部を露出させる開口面を支持体3´に形成する。
その後、例えばボディ層10の表面の熱酸化を行うことにより、ボディ層10の表面にゲート絶縁膜23(図6参照。)を形成し、ゲート電極25(図6参照。)を形成する。また、このゲート電極25等をマスクとして、As、P、Bなどの不純物をボディ層10内にイオン注入することにより、ソース/ドレイン21a,21b(図6参照。)を形成し、トランジスタ50を完成させる。
また、第2実施形態では、容量調整用のSi層5を埋め込み酸化膜6,7で上下から挟んだ構造を形成するので、第1実施形態と比べて、その接合容量を同じ値まで低くする場合に、容量調整用のSi層5を薄くすることができる。これにより、半導体基板を薄くすることができ、Si層5のエピタキシャル成膜時間を短くすることができる。
この第2実施形態では、埋め込み酸化膜6が本発明の「第1の絶縁膜」に対応し、埋め込み酸化膜7が本発明の「第2の絶縁膜」に対応している。また、SiGe層36が本発明の「第1の犠牲半導体層」に対応し、SiGe層37が本発明の「第2の犠牲半導体層」に対応している。その他の対応関係は、第1実施形態と同じである。
Claims (11)
- 所定領域の半導体基材上に設けられ、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層と、
前記容量調整用の半導体層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた半導体からなるボディ層と、を有することを特徴とする半導体基板。 - 所定領域の半導体基材上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層と、
前記容量調整用の半導体層上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた半導体からなるボディ層と、を有することを特徴とする半導体基板。 - 前記容量調整用の半導体層は、ノンドープの半導体層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板。
- 請求項1から請求項3の何れか一項に記載の半導体基板と、
前記半導体基板の前記ボディ層に設けられたトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。 - 所定領域の半導体基材上に、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層を形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層上に犠牲半導体層を形成する工程と、
前記犠牲半導体層上に半導体からなるボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を前記半導体基材上で支持する支持体を当該ボディ層が覆われるようにして該半導体基材上に形成する工程と、
前記犠牲半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記支持体に形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層及び前記ボディ層よりも前記犠牲半導体層の方がエッチングの選択比が大きい処理条件で、前記開口面を介して前記犠牲半導体層をエッチングすることにより、前記ボディ層と前記容量調整用の半導体層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 所定領域の半導体基材上に第1の犠牲半導体層を形成する工程と、
前記第1の犠牲半導体層上に、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層を形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層上に第2の犠牲半導体層を形成する工程と、
前記第2の犠牲半導体層上に半導体からなるボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を前記半導体基材上で支持する支持体を当該ボディ層が覆われるようにして該半導体基材上に形成する工程と、
前記第1の犠牲半導体層の端部の一部と、前記第2の犠牲半導体層の端部の一部とを露出させる開口面を前記支持体に形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層及び前記ボディ層よりも前記第1の犠牲半導体層及び前記第2の犠牲半導体層の方がエッチングの選択比が大きい処理条件で、前記開口面を介して前記第1の犠牲半導体層及び前記第2の犠牲半導体層をエッチングすることにより、前記容量調整用の半導体層と前記半導体基材との間及び、前記ボディ層と前記容量調整用の半導体層との間にそれぞれ空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 半導体基材上に、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層を形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層上に犠牲半導体層を形成する工程と、
前記犠牲半導体層上に半導体からなるボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層と前記犠牲半導体層及び前記容量調整用の半導体層とに前記半導体基材を露出させる穴を形成する工程と、
前記ボディ層を前記半導体基材上で支持する支持体を、前記穴が埋め込まれ且つ当該ボディ層が覆われるようにして該半導体基材上に形成する工程と、
前記犠牲半導体層の端部の一部を露出させる開口面を前記支持体に形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層及び前記ボディ層よりも前記犠牲半導体層の方がエッチングの選択比が大きい処理条件で、前記開口面を介して前記犠牲半導体層をエッチングすることにより、前記ボディ層と前記容量調整用の半導体層との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 半導体基材上に第1の犠牲半導体層を形成する工程と、
前記第1の犠牲半導体層上に、十分に厚く且つ前記半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層を形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層上に第2の犠牲半導体層を形成する工程と、
前記第2の犠牲半導体層上に半導体からなるボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層と、前記第2の犠牲半導体層と、前記容量調整用の半導体層及び前記第1の犠牲半導体層とに前記半導体基材を露出させる穴を形成する工程と、
前記ボディ層を前記半導体基材上で支持する支持体を、前記穴が埋め込まれ且つ当該ボディ層が覆われるようにして該半導体基材上に形成する工程と、
前記第1の犠牲半導体層の端部の一部と、前記第2の犠牲半導体層の端部の一部とを露出させる開口面を前記支持体に形成する工程と、
前記容量調整用の半導体層及び前記ボディ層よりも前記第1の犠牲半導体層及び前記第2の犠牲半導体層の方がエッチングの選択比が大きい処理条件で、前記開口面を介して前記第1の犠牲半導体層及び前記第2の犠牲半導体層をエッチングすることにより、前記容量調整用の半導体層と前記半導体基材との間及び、前記ボディ層と前記容量調整用の半導体層との間にそれぞれ空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内にそれぞれ絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記空洞部内に前記絶縁膜を形成した後で、前記半導体基材の上方全面に平坦化処理を施して前記第ボディ層上から前記支持体を取り除く工程、を含むことを特徴とする請求項5から請求項8の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法。
- 請求項9に記載の半導体基板の製造方法を行って前記第ボディ層上から前記支持体を取り除いた後で、
前記ボディ層にトランジスタを形成する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 所定領域の半導体基材上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた半導体からなるボディ層とを有する半導体基板の設計方法であって、
前記絶縁膜と前記半導体基材との間に当該半導体基材よりも不純物濃度が低い容量調整用の半導体層を介在させ、前記容量調整用の半導体層の厚さと、前記ボディ層と前記半導体基材との間の容量との関係を調査しておき、
当該調査の結果に基づいて前記容量調整用の半導体層を所定の厚さに設計して、前記容量を所定の値に合わせ込むことを特徴とする半導体基板の設計方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212748A JP2007035702A (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体基板及び半導体装置、並びにこれらの製造方法、半導体基板の設計方法 |
KR1020060067924A KR100798826B1 (ko) | 2005-07-22 | 2006-07-20 | 반도체 기판과 반도체 장치, 및 이들의 제조 방법, 반도체기판의 설계 방법 |
TW095126769A TW200741819A (en) | 2005-07-22 | 2006-07-21 | Semiconductor substrate, semiconductor device manufacturing method thereof, and method for designing semiconductor substrate |
CNA2006101077839A CN1901207A (zh) | 2005-07-22 | 2006-07-21 | 半导体基板及半导体装置、它们的制造方法、半导体基板的设计方法 |
US11/492,607 US20070045657A1 (en) | 2005-07-22 | 2006-07-24 | Semiconductor substrate, semiconductor device, manufacturing method thereof, and method for designing semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005212748A JP2007035702A (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体基板及び半導体装置、並びにこれらの製造方法、半導体基板の設計方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035702A true JP2007035702A (ja) | 2007-02-08 |
Family
ID=37657016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005212748A Withdrawn JP2007035702A (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | 半導体基板及び半導体装置、並びにこれらの製造方法、半導体基板の設計方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070045657A1 (ja) |
JP (1) | JP2007035702A (ja) |
KR (1) | KR100798826B1 (ja) |
CN (1) | CN1901207A (ja) |
TW (1) | TW200741819A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9029949B2 (en) | 2013-09-25 | 2015-05-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator (SOI) structures with local heat dissipater(s) and methods |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299437A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Soi型mosfetとその製造方法 |
JPH08130315A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-05-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH1070280A (ja) * | 1996-06-29 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216376A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 電界効果型半導体装置 |
EP0993053A1 (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Infrared detector integrated with a waveguide and method of manufacturing |
US6596570B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | SOI device with reduced junction capacitance |
EP1435664A1 (en) * | 2002-01-21 | 2004-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20070090456A1 (en) * | 2005-08-29 | 2007-04-26 | Jin-Yuan Lee | Soi device and method for fabricating the same |
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005212748A patent/JP2007035702A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-20 KR KR1020060067924A patent/KR100798826B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-21 CN CNA2006101077839A patent/CN1901207A/zh active Pending
- 2006-07-21 TW TW095126769A patent/TW200741819A/zh unknown
- 2006-07-24 US US11/492,607 patent/US20070045657A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299437A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Soi型mosfetとその製造方法 |
JPH08130315A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-05-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH1070280A (ja) * | 1996-06-29 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200741819A (en) | 2007-11-01 |
KR100798826B1 (ko) | 2008-01-28 |
US20070045657A1 (en) | 2007-03-01 |
CN1901207A (zh) | 2007-01-24 |
KR20070012231A (ko) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4029885B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4029884B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007027232A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007027231A (ja) | 半導体装置の製造方法及び、半導体装置 | |
KR100838637B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4867216B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2007227601A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10680065B2 (en) | Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel | |
KR100798826B1 (ko) | 반도체 기판과 반도체 장치, 및 이들의 제조 방법, 반도체기판의 설계 방법 | |
JP4696640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4894245B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7847352B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4670490B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006344769A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006278632A (ja) | 半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2005286141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20090039061A (ko) | 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 | |
JP4806939B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007123689A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007207825A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007042915A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007042877A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4649282B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2009176856A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007035675A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100825 |