JP2006338370A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリシステムは、強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリ14と、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nと、上記強誘電体メモリとフラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路15と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、強誘電体メモリにはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。このメモリシステムは、ホスト機器(Host)11と接続する配線12と、大容量のデータを記憶するNAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nと、システム情報等やデータ等を記憶する強誘電メモリ14を内蔵し、ホスト機器11との通信とNAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nを制御するコントローラ(Controller)15から構成されている。
図2は、本発明の第2の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。このメモリシステムは、NAND型フラッシュEEPROMメモリ(NAND flash memory)13−1,…,13−nと、強誘電体メモリ(FeRAM)14と、コントローラ(NAND flash memory controller)15から構成される。上記コントローラ15の内部には、ホスト機器11とのインターフェース回路(Host-Interface)21、NAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nとのインターフェース回路(Flash Memory-Interface)22、強誘電体メモリ14とのインターフェース回路(FeRAM-Interface)23、コントローラ15全体、NAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−n及び強誘電体メモリ14を制御するMCU(Micro Control Unit)24、このMCU24の命令コード(Micro Code)等を格納するマイクロコードメモリ(Micro Code Memory)25、マルチプレクサ(Multiplexer)/デマルチプレクサ(Demultiplexer)(MUX/DMUX)26、及びページバッファ(Page Buffer)27を有している。
図3は、本発明の第3の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構造と効果は図2とほぼ同様であり、異なる点は、ページバッファ(Page Buffer)27’を強誘電体メモリ化した点と、マイクロコードメモリ25’を強誘電体メモリ化した点である。
図4は、本発明の第4の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構造と効果は図2とほぼ同様であり、異なる点は、全ての強誘電体メモリ14(14−1,14−2)をコントローラ15側に全て搭載したものである。
図5は、本発明の第5の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構造と効果は図2とほぼ同様であり、異なる点は、コントローラ15側にシステム情報を一次記憶するSRAM28を搭載したものである。
図6は、本発明の第6の実施形態に係るメモリシステムにおける書き込み動作のアリゴリズムを示している。このアルゴリズムは、図1から図5に示した全ての回路に適用でき、その他の構成でも適用できる。
図7は、本発明の第7の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構成は、図4と類似しており、図4と同じ効果を発揮する。構成として、NAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nと、強誘電体メモリを搭載したコントローラ15から構成され、コントローラ15内部には、ホスト機器11とのインターフェース回路21、NAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nとのインターフェース回路22、コントローラ15全体と、NAND型フラッシュEEPROMメモリ13−1,…,13−nを制御するMCU24と、このMCU24の命令コード等を格納するマイクロコードメモリ25と、各種データや、システム情報を記憶する強誘電体メモリ14と、強誘電体メモリ14のデータをフラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nに書き込む際や、ページバッファ27から、フラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nに書き込む際に使う強誘電体メモリで構成されたライトバックバッファ(Write-Back Buffer)29とから構成される。
第1に、MCU24の制御により、データを実際にフラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nに記憶する際、一旦強誘電体メモリ14に対して書き込みを行い、書き込み開始フラグBin、書き込み終了フラグBeを強誘電体メモリ14に書き込んでしまえば、メモリシステムの外から見ると書き込みは終了となり、見かけ上の書き込み性能は向上する。そのあと、または並列動作で、書き込み情報をフラッシュ型EEPROMメモリ13−1,…,13−nに記憶すれば、図1に示した回路と同様に瞬時停電対策が可能となる。
図8は、本発明の第8の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構成は、図7とほぼ同じで、効果も図7と同じである。異なる点は、比較的容量が大きいキャッシュのデータ領域を外付けの強誘電体メモリ30で構成した場合を示し、大きなキャッシュが必要な場合、強誘電体メモリ14混載だけよりコストが下がる。図7と同じ性能を保つには、コントローラ15と外付けの強誘電体メモリ30間を比較的高バンド幅のバス(BUS)31で接続する必要はある。強誘電体メモリは、ビット当りのリード/ライトエネルギーは小さく、一度に多くのビットのリード/ライトが可能なため問題はない。
図9は、本発明の第9の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構成は、図7とほぼ同じで、効果も図7と同じである。異なる点は、全ての強誘電体メモリで構成されるメモリ14をコントローラ15外に外付けした点である。また、ページバッファをSRAM32で構成している。
図10は、本発明の第10の実施形態に係るメモリシステムにおける書き込み動作のアリゴリズムを示している。このアルゴリズムは、図7から図9に示した全ての回路に適用でき、その他の構成でも適用できる。
図11は、本発明の第11の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。構成は、図1乃至図10とほぼ同じで、効果もほぼ同じである。異なる点は、メモリシステムの構成内に、コントローラ15’と強誘電体メモリ14とフラッシュ型EEPROM13に加えてハードディスク装置(Hard-Disk)33と、ハードディスク装置22とのインターフェース回路(Hard-Disk Interface)34が有る点である。
図12は、本発明の第12の実施形態に係るメモリシステムにおける書き込み動作のアリゴリズムを示している。このアルゴリズムは、図12に示した回路に適用できるし、その他の構成でも適用できる。
図13は、本発明の第13の実施形態に係るメモリシステムを示すブロック図である。強誘電体メモリ14、フラッシュ型EEPROMメモリ13、ハードディスク装置33の3種類のメモリを有し、更に強誘電体メモリ14にはキャッシュの機能が追加されている。効果は図7等と同じであり、更にハードディスク装置33を加えた点でより細かく最適にシステム情報、システムデータ、ユーザデータ等に区分けることができる
[第14の実施形態]
図14は、本発明の第14の実施形態に係るメモリシステムにおける書き込み動作のアリゴリズムを示している。このアルゴリズムは、図12に示した回路に適用できるし、その他の構成でも適用できる。
図15は、本発明の効果を示す具体的例を示している。横軸にはリード/ライトを行うときのファイルサイズ単位を示し、縦軸には実効リード及びライトのバンド幅を示す。
即ち、本発明の各実施形態においては、次のような構成を採用している。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、Root情報或いは、Directory情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するFile Allocation Table情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリに記憶したBlock位置、Page位置の物理Addressと、実際の論理Addressの関係を示す論理−物理変換Addressを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、論理Address空間の中で、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリへの記録を開始したことを示すFlag情報或いは、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリへの記録を終了したことを示すFlag情報を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記フラッシュ型EEPROMメモリの各Page、各Blockの使用の有無のFlag、使用不可の有無のFlagを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み開始Flagと、書き込みデータと、書き込みAddressと、書き込み終了Flagを、前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへデータの書き込み及び、前記フラッシュ型EEPROMメモリへデータの書き込みにおける、書き込み開始Flagと、書き込みデータと、書き込みAddressと、書き込み終了Flagを、前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリには、同じ論理Addressのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示すFlag1と、同じ論理Addressでデータの内容が、フラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリで同じか異なるかを示すFlag2情報と、前記論理Address情報と、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する物理Addressを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
第8形態記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からメモリシステムに対してRead命令が来た場合、前記Flag1が許可を示し、前記Flag2が同じことを示した場合、前記強誘電体メモリのデータをメモリシステム外部に読み出すことを特徴とするメモリシステムである。
第8形態記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からメモリシステムに対してWrite命令が来た場合、前記Flag2が同じであることを示し、前記Flag2が異なることを示すように変更しつつ、前記強誘電体メモリにデータ書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
第8形態記載のメモリシステムにおいて、前記強誘電体メモリのメモリ空間が一定以上の空きがない場合で、前記Flag2情報が異なること示すデータの前記論理Addressのデータを前記強誘電体メモリから前記フラッシュ型EEPROMメモリにデータを移動しつつ、前記Flag1の情報を非許可にしつつ、前記強誘電体メモリの未使用空間を空けることを特徴とするメモリシステムである。
第1乃至8形態いずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、前記強誘電体メモリは、前記強誘電体キャパシタの一端を前記セルトランジスタのソース端に接続し、前記強誘電体キャパシタの他端を前記セルトランジスタのドレイン端に接続して、1個のメモリセルを構成し、これを複数個直列接続した構成を持ち、前記フラッシュ型EEPROMメモリは、前記フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数個直列接続した構成を持つことを特徴とするメモリシステムである。
第1乃至8形態いずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、前記強誘電体メモリは、前記強誘電体キャパシタの一端を前記セルトランジスタのソース端に接続し、前記強誘電体キャパシタの他端をプレート線に接続し、前記セルトランジスタのドレインをビット線に接続した構成を持ち、前記フラッシュ型EEPROMメモリは、前記フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数個直列接続した構成を持つことを特徴とするメモリシステムである。
第1乃至8形態いずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、前記強誘電体メモリは、前記強誘電体キャパシタの一端を前記セルトランジスタのソース端に接続し、これを複数個並列接続してセルブロックを構成し、前記セルブロックに並列にリセットトランジスタを接続し、前記セルブロックの一端はプレート線に接続し、他端はブロック選択トランジスタを介してビット線に接続する構成を持ち、前記フラッシュ型EEPROMメモリは、前記フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数個直列接続した構成を持つことを特徴とするメモリシステムである。
第1乃至8形態いずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、コントロール回路の中に、MCU、MCUを制御するMROM或いは強誘電体メモリで構成されたMicro Codeメモリ、メモリシステム外部とのInterface部分には、データのやり取りを行うSRAM或いは強誘電体メモリで構成したバッファメモリ、前記フラッシュ型EEPROMメモリからのデータのErrorを補正するECC回路、前記強誘電体メモリ回路からのデータのエラーを補正するECC回路を少なくとも一つ以上保持することを特徴とするメモリシステムである。
第1乃至6形態いずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型EEPROMメモリと前記Hard-Diskを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリと前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、Root情報或いは、Directory情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するFile Allocation table情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリと、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリに記憶したBlock位置、Page位置の物理Addressと、前記Hard-DiskのSector,Track等の物理Addressと、実際の論理Addressの関係を示す論理−物理変換Addressを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、論理Address空間の中で、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する領域と、前記Hard-Diskに格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリと前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリや前記Hard-Diskへの記録を開始したことを示すFlag情報或いは、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリや前記Hard-Diskへの記録を終了したことを示すFlag情報を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記フラッシュ型EEPROMメモリの各Page、各Blockの使用の有無のFlag、使用不可の有無のFlagを記憶し、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記Hard-Diskの各Track、Sector情報の使用の有無のFlag、使用不可の有無のFlagを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリや、前記Hard-Diskへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記Hard-Disk装置と、前記強誘電体メモリ間には、同じ論理Addressのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示すFlag1と、同じ論理Addressでデータの内容が、フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記Hard-Disk装置と、前記強誘電体メモリ間で同じか異なるかを示すFlag2情報と、前記論理Address情報と、前記フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記Hard-Diskを格納する物理Addressを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリと前記Hard-Diskを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、Root情報或いは、Directory情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するFile Allocation Table情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記Hard-Diskのメモリに記憶したSector位置、Track位置の物理Addressと、実際の論理Addressの関係を示す論理−物理変換Addressを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、論理Address空間の中で、前記Hard-Diskに格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記Hard-Diskへの記録を開始したことを示すFlag情報或いは、前記データを実際に前記Hard-Diskへの記録を終了したことを示すFlag情報を記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記Hard-Diskにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記Hard-Diskの各Track、Sector情報の使用の有無のFlag、使用不可の有無のFlagを記憶することを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記Hard-Diskへの書き込み終了Flagを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステムである。
強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するHard-Disk装置と、前記強誘電体メモリとフラッシュ型メモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路を有するメモリシステムにおいて、前記Hard-Disk装置と、前記強誘電体メモリ間には、同じ論理Addressのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示すFlag1と、同じ論理Addressでデータの内容が、前記Hard-Disk装置と、前記強誘電体メモリ間で同じか異なるかを示すFlag2情報と、前記論理Address情報と、前記Hard-Diskを格納する物理Addressを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステムである。
本発明の一つの側面によれば、大きなメモリ領域を必要とするデータ格納メモリとして、大容量だが、読み出し頭出し時間、プログラム(Program)時間、イレーズ(Erase)時間が必要なフラッシュ型EEPROMメモリに記憶させ、少容量のメモリ領域しか必要としないが、データ書き込みに伴って、小さい容量だが多数場所の書き込みが必要な、上記データを格納するための、ルート(Root)情報或いは、ディレクトリ(Directory)情報或いは、上記データのファイル名称或いは、上記データのファイルサイズ或いは、上記データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル(File Allocation Table)情報或いは、上記データの書き込み終了時間の記憶や、上記データを実際に上記フラッシュ型EEPROMメモリに記憶したブロック(Block)位置、ページ(Page)位置の物理アドレス(Address)と、実際の論理アドレス(Address)の関係を示すアサインテーブル(Assign Table)などのシステム情報を、小容量だが、高速リード(Read)/ライト(Write)ができる強誘電体メモリに格納することにより、実質的にシステム情報を書き込む時間を大幅に削減でき、OSシステム全体、メモリシステム全体の性能を大幅に向上させることができる。特に、リード/ライトされるデータファイルサイズが小さい場合、システム情報の記憶量が相対的に大きくなるため、本発明の効果は向上する。
Claims (27)
- 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、ルート情報或いは、ディレクトリ情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリに記憶したブロック位置、ページ位置の物理アドレスと、実際の論理アドレスの関係を示す論理−物理変換アドレスを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
論理アドレス空間の中で、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、前記コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリへの記録を開始したことを示すフラグ情報或いは、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリへの記録を終了したことを示すフラグ情報を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記フラッシュ型EEPROMメモリの各ページ、各ブロックの使用の有無のフラグ、使用不可の有無のフラグを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み開始フラグと、書き込みデータと、書き込みアドレスと、書き込み終了フラグを、前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへデータの書き込み及び、前記フラッシュ型EEPROMメモリへデータの書き込みにおける、書き込み開始フラグと、書き込みデータと、書き込みアドレスと、書き込み終了フラグを、前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリには、同じ論理アドレスのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示す第1フラグと、同じ論理アドレスでデータの内容が、フラッシュ型EEPROMメモリと、前記強誘電体メモリで同じか異なるかを示す第2フラグ情報と、前記論理アドレス情報と、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する物理アドレスを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 請求項8記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からメモリシステムに対してリード命令が来た場合、前記第1フラグが許可を示し、前記第2フラグが同じことを示した場合、前記強誘電体メモリのデータをメモリシステム外部に読み出すことを特徴とするメモリシステム。
- 請求項8記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からメモリシステムに対してライト命令が来た場合、前記第2フラグが同じであることを示し、前記第2フラグが異なることを示すように変更しつつ、前記強誘電体メモリにデータ書き込むことを特徴とするメモリシステム。
- 請求項8記載のメモリシステムにおいて、前記強誘電体メモリのメモリ空間が一定以上の空きがない場合で、前記第2フラグ情報が異なること示すデータの前記論理アドレスのデータを前記強誘電体メモリから前記フラッシュ型EEPROMメモリにデータを移動しつつ、前記第1フラグの情報を非許可にしつつ、前記強誘電体メモリの未使用空間を空けることを特徴とするメモリシステム。
- 請求項1乃至8いずれか1項記載のメモリシステムにおいて、前記コントロール回路の中に、MCU、MCUを制御するMROM或いは強誘電体メモリで構成されたマイクロコードメモリ、メモリシステム外部とのインターフェース部分には、データのやり取りを行うSRAM或いは強誘電体メモリで構成したバッファメモリ、前記フラッシュ型EEPROMメモリからのデータのエラーを補正するECC回路、前記強誘電体メモリ回路からのデータのエラーを補正するECC回路を少なくとも一つ以上保持することを特徴とするメモリシステム。
- 請求項1乃至6いずれか1項記載のメモリシステムにおいて、メモリシステム外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステム。
- 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリと前記ハードディスク装置を制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリと前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、ルート情報或いは、ディレクトリ情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリと、前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリに記憶したブロック位置、ページ位置の物理アドレスと、前記ハードディスク装置の物理アドレスと、実際の論理アドレスの関係を示す論理−物理変換アドレスを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
論理アドレス空間の中で、前記フラッシュ型EEPROMメモリに格納する領域と、前記ハードディスク装置に格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、前記コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリと前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリや前記ハードディスク装置への記録を開始したことを示すフラグ情報或いは、前記データを実際に前記フラッシュ型EEPROMメモリや前記ハードディスク装置への記録を終了したことを示すフラグ情報を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリにはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記フラッシュ型EEPROMメモリの各ページ、各ブロックの使用の有無のフラグ、使用不可の有無のフラグを記憶し、前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記ハードディスク装置の各トラック、セクター情報の使用の有無のフラグ、使用不可の有無のフラグを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記フラッシュ型EEPROMメモリや、前記ハードディスク装置への書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、フローティングゲートを有する電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型EEPROMメモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記ハードディスク装置と、前記強誘電体メモリ間には、同じ論理アドレスのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示す第1フラグと、同じ論理アドレスでデータの内容が、フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記ハードディスク装置と、前記強誘電体メモリ間で同じか異なるかを示す第2フラグ情報と、前記論理アドレス情報と、前記フラッシュ型EEPROMメモリ或いは前記ハードディスク装置を格納する物理アドレスを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記ハードディスク装置を制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを記憶するための、ルート情報或いは、ディレクトリ情報或いは、前記データのファイル名称或いは、前記データのファイルサイズ或いは、前記データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報或いは、前記データの書き込み終了時間を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記ハードディスク装置のメモリに記憶したセクター位置、トラック位置の物理アドレスと、実際の論理アドレスの関係を示す論理−物理変換アドレスを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
論理アドレス空間の中で、前記ハードディスク装置に格納する領域と、前記強誘電体メモリに格納する領域を定義する情報を、前記コントロール回路或いは、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記データを実際に前記ハードディスク装置への記録を開始したことを示すフラグ情報或いは、前記データを実際に前記ハードディスク装置への記録を終了したことを示すフラグ情報を記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記ハードディスク装置にはデータを記憶し、前記強誘電体メモリには、前記ハードディスク装置の各トラック、セクター情報の使用の有無のフラグ、使用不可の有無のフラグを記憶することを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
外部からの書き込みに対して、前記強誘電体メモリへの書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込んだ後、前記ハードディスク装置への書き込み終了フラグを前記強誘電体メモリに書き込むことを特徴とするメモリシステム。 - 強誘電体キャパシタとセルトランジスタからなるメモリセルを、複数配設してなる強誘電体メモリと、磁気でデータを記憶するハードディスク装置と、前記強誘電体メモリと前記フラッシュ型EEPROMメモリを制御するコントロール回路と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有し、
前記ハードディスク装置と、前記強誘電体メモリ間には、同じ論理アドレスのデータを格納する事を許し、格納を許したことを示す第1フラグと、同じ論理アドレスでデータの内容が、前記ハードディスク装置と、前記強誘電体メモリ間で同じか異なるかを示す第2フラグ情報と、前記論理アドレス情報と、前記ハードディスク装置を格納する物理アドレスを、前記強誘電体メモリに記憶することを特徴とするメモリシステム。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010277298A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Giga-Byte Technology Co Ltd | フラッシュメモリ制御装置 |
JP2010287203A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Sean Eilert | 階層メモリ・アーキテクチャのためのメモリ・デバイス |
JP2012038245A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Univ Of Tokyo | 制御装置およびデータ記憶装置 |
JP2014048679A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Buffalo Memory Co Ltd | Ssd(ソリッドステートドライブ)装置 |
JP2015026379A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | アバランチ テクノロジー, インコーポレイテッド | 磁気ランダムアクセスメモリ(mram)を使用する記憶デバイスのメモリアレイのコントローラ管理 |
US9003261B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1850347A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Method and device for writing to a flash memory |
US7613876B2 (en) * | 2006-06-08 | 2009-11-03 | Bitmicro Networks, Inc. | Hybrid multi-tiered caching storage system |
US9052826B2 (en) * | 2006-07-28 | 2015-06-09 | Condusiv Technologies Corporation | Selecting storage locations for storing data based on storage location attributes and data usage statistics |
US7870128B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-01-11 | Diskeeper Corporation | Assigning data for storage based on speed with which data may be retrieved |
US7761623B2 (en) * | 2006-09-28 | 2010-07-20 | Virident Systems, Inc. | Main memory in a system with a memory controller configured to control access to non-volatile memory, and related technologies |
US9984012B2 (en) | 2006-09-28 | 2018-05-29 | Virident Systems, Llc | Read writeable randomly accessible non-volatile memory modules |
US8943245B2 (en) * | 2006-09-28 | 2015-01-27 | Virident Systems, Inc. | Non-volatile type memory modules for main memory |
JP2008097107A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | データ記録装置及びその制御方法 |
US9153337B2 (en) | 2006-12-11 | 2015-10-06 | Marvell World Trade Ltd. | Fatigue management system and method for hybrid nonvolatile solid state memory system |
US20080140918A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-12 | Pantas Sutardja | Hybrid non-volatile solid state memory system |
JP2008181380A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | メモリシステムおよびその制御方法 |
KR100896181B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2009-05-12 | 삼성전자주식회사 | 임베디드 낸드 플래시 메모리 제어 장치 및 방법 |
JP2008227896A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | データ処理装置及び電子機器 |
JP2008251138A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ、不揮発性半導体メモリの制御方法、不揮発性半導体メモリシステム、及びメモリカード |
JP2009289155A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置 |
US8140739B2 (en) * | 2008-08-08 | 2012-03-20 | Imation Corp. | Flash memory based storage devices utilizing magnetoresistive random access memory (MRAM) to store files having logical block addresses stored in a write frequency file buffer table |
KR101515525B1 (ko) | 2008-10-02 | 2015-04-28 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법 |
US8134868B2 (en) | 2008-11-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Memory device biasing method and apparatus |
US8050092B2 (en) * | 2009-05-29 | 2011-11-01 | Seagate Technology Llc | NAND flash memory with integrated bit line capacitance |
KR101395086B1 (ko) * | 2010-06-08 | 2014-05-19 | 한국전자통신연구원 | 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치 |
US8284608B2 (en) * | 2010-10-05 | 2012-10-09 | Nxp B.V. | Combined EEPROM/flash non-volatile memory circuit |
US8456917B1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-04 | Elpida Memory, Inc. | Logic circuit for a semiconductor memory device, and method of managing an operation in the semiconductor memory device |
US9082494B2 (en) * | 2012-01-13 | 2015-07-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells having a common gate terminal |
US9892798B2 (en) | 2012-09-11 | 2018-02-13 | Seagate Technology Llc | Data protection for unexpected power loss |
US20140219021A1 (en) * | 2013-02-07 | 2014-08-07 | Seagate Technology Llc | Data protection for unexpected power loss |
US9177638B2 (en) * | 2012-11-13 | 2015-11-03 | Western Digital Technologies, Inc. | Methods and devices for avoiding lower page corruption in data storage devices |
US9842660B1 (en) | 2012-12-28 | 2017-12-12 | Virident Systems, Llc | System and method to improve enterprise reliability through tracking I/O performance metrics in non-volatile random access memory |
US9286002B1 (en) | 2012-12-28 | 2016-03-15 | Virident Systems Inc. | Dynamic restriping in nonvolatile memory systems |
US20140245021A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage system in which fictitious information is prevented |
US9021188B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-28 | Virident Systems Inc. | Small block write operations in non-volatile memory systems |
US9135164B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-15 | Virident Systems Inc. | Synchronous mirroring in non-volatile memory systems |
US10073626B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-09-11 | Virident Systems, Llc | Managing the write performance of an asymmetric memory system |
CN104679592A (zh) * | 2013-12-02 | 2015-06-03 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种微控制单元mcu中资源动态分配的方法和*** |
KR102272228B1 (ko) * | 2014-05-13 | 2021-07-06 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US9208863B1 (en) * | 2014-05-19 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method of controlling memory system |
US20160188414A1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Intel Corporation | Fault tolerant automatic dual in-line memory module refresh |
CN104679609B (zh) * | 2015-02-11 | 2017-12-15 | 北京配天技术有限公司 | 数控*** |
CN105630406B (zh) * | 2015-05-29 | 2019-02-01 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 利用mram作为编辑缓存区的存储***及编辑缓存方法 |
US10275160B2 (en) | 2015-12-21 | 2019-04-30 | Intel Corporation | Method and apparatus to enable individual non volatile memory express (NVME) input/output (IO) Queues on differing network addresses of an NVME controller |
US10200376B2 (en) | 2016-08-24 | 2019-02-05 | Intel Corporation | Computer product, method, and system to dynamically provide discovery services for host nodes of target systems and storage resources in a network |
US10176116B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-01-08 | Intel Corporation | Computer product, method, and system to provide discovery services to discover target storage resources and register a configuration of virtual target storage resources mapping to the target storage resources and an access control list of host nodes allowed to access the virtual target storage resources |
US10671531B2 (en) * | 2018-07-13 | 2020-06-02 | Seagate Technology Llc | Secondary memory configuration for data backup |
US10878912B1 (en) * | 2019-08-02 | 2020-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-cell modulation for flash memory |
CN113312207B (zh) * | 2021-05-07 | 2023-12-05 | 埃森智能科技(深圳)有限公司 | 一种采用铁电存储器的数据存储方法及其可编程逻辑控制器 |
CN113380807A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-09-10 | 无锡拍字节科技有限公司 | 3d闪存存储器及其控制器结构 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528039A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Melco:Kk | 記憶装置 |
JPH06131266A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-05-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ランダム・アクセス可能かつ書換え可能メモリを用いる外部記憶装置におけるプログラム直接実行の制御方法および装置 |
JPH07295866A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-11-10 | Casio Comput Co Ltd | データ処理装置 |
JPH0997199A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Canon Inc | フラッシュrom管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置 |
JPH11259360A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 半導体集積装置及び不揮発性メモリ書き込み方式 |
JP2003228513A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Access:Kk | メモリ制御方法および装置 |
JP2004038237A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 情報処理装置およびプログラム |
JP2004259265A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカード、コンピュータ読取可能なプログラム |
JP2005092678A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカード及び不揮発性メモリのデータ消去処理方法 |
JP2005108304A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3766181B2 (ja) | 1996-06-10 | 2006-04-12 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置とそれを搭載したシステム |
JP3961651B2 (ja) | 1997-12-16 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP3961680B2 (ja) | 1998-06-30 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4146006B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2008-09-03 | 富士通株式会社 | フラッシュメモリを有する電子機器 |
JP2002197415A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Fujitsu Ltd | データ記憶装置 |
US7103718B2 (en) * | 2002-09-03 | 2006-09-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Non-volatile memory module for use in a computer system |
US20050041453A1 (en) * | 2003-08-22 | 2005-02-24 | Brazis Paul W. | Method and apparatus for reading and writing to solid-state memory |
US20050050261A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Thomas Roehr | High density flash memory with high speed cache data interface |
JP4074279B2 (ja) | 2003-09-22 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、コンピュータシステム、携帯コンピュータシステム、論理可変lsi装置、icカード、ナビゲーションシステム、ロボット、画像表示装置、光ディスク記憶装置 |
JP2005301591A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリを備えた装置及びメモリコントロ−ラ |
JP5007485B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2012-08-22 | ソニー株式会社 | 半導体記憶装置およびそのアクセス方法、並びにメモリ制御システム |
JP4956922B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2012-06-20 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
JP2006338371A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | メモリシステム |
KR20070074134A (ko) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 메모리 카드의 저장용량을 확장시키는 장치 및 그를 이용한메모리 카드의 동작 방법 |
-
2005
- 2005-06-02 JP JP2005162795A patent/JP2006338370A/ja active Pending
-
2006
- 2006-05-31 US US11/443,388 patent/US7397686B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528039A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Melco:Kk | 記憶装置 |
JPH06131266A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-05-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ランダム・アクセス可能かつ書換え可能メモリを用いる外部記憶装置におけるプログラム直接実行の制御方法および装置 |
JPH07295866A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-11-10 | Casio Comput Co Ltd | データ処理装置 |
JPH0997199A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Canon Inc | フラッシュrom管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置 |
JPH11259360A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 半導体集積装置及び不揮発性メモリ書き込み方式 |
JP2003228513A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-08-15 | Access:Kk | メモリ制御方法および装置 |
JP2004038237A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Seiko Epson Corp | 情報処理装置およびプログラム |
JP2004259265A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカード、コンピュータ読取可能なプログラム |
JP2005092678A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリカード及び不揮発性メモリのデータ消去処理方法 |
JP2005108304A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010277298A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Giga-Byte Technology Co Ltd | フラッシュメモリ制御装置 |
JP2010287203A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Sean Eilert | 階層メモリ・アーキテクチャのためのメモリ・デバイス |
US9123409B2 (en) | 2009-06-11 | 2015-09-01 | Micron Technology, Inc. | Memory device for a hierarchical memory architecture |
US9626327B2 (en) | 2009-06-11 | 2017-04-18 | Micron Technology, Inc. | Memory device for a hierarchical memory architecture |
US10031879B2 (en) | 2009-06-11 | 2018-07-24 | Micron Technology, Inc. | Memory device for a hierarchical memory architecture |
US10725956B2 (en) | 2009-06-11 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Memory device for a hierarchical memory architecture |
JP2012038245A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Univ Of Tokyo | 制御装置およびデータ記憶装置 |
US9015524B2 (en) | 2010-08-11 | 2015-04-21 | The University Of Tokyo | Control device and data storage device having a plurality of memories and error correction where a data length and a code length are set to tend to be longer as a number of writes and erases increases |
JP2014048679A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Buffalo Memory Co Ltd | Ssd(ソリッドステートドライブ)装置 |
US9632714B2 (en) | 2012-08-29 | 2017-04-25 | Buffalo Memory Co., Ltd. | Solid-state drive device |
US9003261B2 (en) | 2012-11-05 | 2015-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP2015026379A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | アバランチ テクノロジー, インコーポレイテッド | 磁気ランダムアクセスメモリ(mram)を使用する記憶デバイスのメモリアレイのコントローラ管理 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060274566A1 (en) | 2006-12-07 |
US7397686B2 (en) | 2008-07-08 |
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