JP2008097107A - データ記録装置及びその制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】リングバッファを用いて、大容量のデータを容易に情報検索可能な形式で記憶できるデータ記録装置を提供すること。
【解決手段】第1の不揮発記憶部10と、第1の不揮発記憶部10より記憶容量の小さな第2の不揮発記憶部20と、受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部10に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第1の書き込み制御部と、受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部20の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第2の書き込み制御部と、を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、データ記録装置及びその制御方法に関する。
温度や、振動、明るさ、音、画像などのデータを連続的に取得して記録するデータ記録装置(データログ装置)が知られており、例えば食品の温度管理や、ドライブレコーダやフライトレコーダ、ボイスレコーダ、地震計などに利用されている。
故障や事故などの突発的なイベントが発生した際に、そうしたイベントが発生するまでのデータログを残すためには、常時、一定期間前からのデータを蓄積していなくてはならない。イベントが発生する直前の一定期間のデータのみ蓄積しておけばよく、過去の古いデータは順次上書きすることができるので、このような用途に使用される記憶装置はリングバッファとして構成することができる。
特開2005−259041号公報
単純なデータログ装置では記憶する情報量が少ないので問題ないが、電話の通信履歴を残す等のデータ量が多い場合はその取扱いが難しい。全データをリングバッファに入れようとすると大容量のメモリーを使用しなければならない。また、ログデータの中から必要なデータを抽出する際も大容量のデータを扱う必要があり効率的でないという問題点があった。
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リングバッファを用いて、大容量のデータを容易に情報検索可能な形式で記憶できるデータ記録装置を提供することにある。
(1)本発明は、
データ記録装置であって、
第1の不揮発記憶部と、
第1の不揮発記憶部より記憶容量の小さな第2の不揮発記憶部と、
受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第1の書き込み制御部と、
受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第2の書き込み制御部と、
を含むことを特徴とする。
インデックス情報は、第1の不揮発記憶部に格納されたデータ本体(受け取ったデータ)を検索するための情報であればよく、データ本体から抽出された情報でもよいし、データ本体には含まれていないがデータ本体を検索するために生成した情報でもよい。
本発明によれば比較的容量の小さい第2の不揮発性記憶部を検索することで、大容量の第1の不揮発性記憶部に格納されているデータの抽出を行うことが可能となる。従って、リングバッファを用いて、大容量のデータを容易に情報検索可能な形式で記憶できるデータ記録装置を提供することができる。
(2)本発明のデータ記録装置は、
インデックス位置情報に基づき、受け取ったデータからインデックス情報となる所与の情報を抽出するインデックス情報抽出部をさらに含み、
前記第2の書き込み制御部は、
受け取ったデータから抽出された所与の情報をインデックス情報として書き込み制御を行うことを特徴とする。
(3)本発明のデータ記録装置は、
第2の不揮発記憶部は、強誘電体メモリで構成されていることを特徴とする。
(4)本発明は、
第1の不揮発記憶部と、第1の不揮発記憶部より記憶容量の小さな第2の不揮発記憶部とを備えたデータ記録装置の制御方法であって、
受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行うステップと、
受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行うステップと、
を含むことを特徴とする。
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
図1〜図5は、本発明を適用した実施の形態に係るデータ記録装置(データログ装置)について説明するための図である。
図1は本実施の形態のデータ記録装置の機能ブロック図である。
本実施の形態に係るデータ記録装置1は、第1の不揮発記憶部10を含む。
不揮発性メモリとは、電源を切っても記憶した情報が消失しない記憶装置、すなわち、情報を保持するためのエネルギーを外部から供給する必要のない記憶装置である。不揮発性メモリを利用すれば、電源の供給がストップした場合でも、取得した情報を保持することができる。不揮発性メモリは、例えば、電気ヒステリシスを応用したキャパシタを利用して実現することができる。
第1の不揮発記憶部10は、例えばフラッシュEEPROM等の低コストで大容量の不揮発メモリーで実現することが可能である。これらの不揮発メモリーは非破壊読み出しのため、読出し回数に制約がない一方、書換え回数は1E5回程度しかなく、また書換え速度が遅いので、読出し動作で使用するのに適した不揮発メモリーと言える。
本実施の形態に係るデータ記録装置1は、第2の不揮発記憶部20を含む。
第2の不揮発記憶部20は、第1の不揮発記憶部より記憶容量の小さな不揮発記憶部であり、強誘電体メモリで構成することができる。ここで、強誘電体メモリとは、記憶素子に強誘電体物質を含んだメモリであり、例えばFeRAM等でもよい。強誘電体メモリは、強誘電体物質を有するキャパシタ(強誘電体キャパシタ)を含む構造をなしていてもよい。なお、強誘電体キャパシタは、対向電極と、当該対向電極の間に設けられた強誘電体物質とを含む構造をなしていてもよい。本発明に適用可能な強誘電体物質は特に限定されるものではないが、例えばPb、Zr、Tiを構成元素として含む酸化物からなるPZT系強誘電体材料であってもよい。あるいは、強誘電体物質として、SBT系、BST系、BIT系、BLT系などのいずれかの材料を適用してもよい。
なお、強誘電体メモリも、その特性から、不揮発性メモリの一種ととらえることができる。
強誘電体メモリの1つであるFeRAMは破壊読出しであることから読出し回数に制限があるものの、書換え回数>1E10回以上かつ高速書換えが可能であり、書換え動作の多い用途に適した不揮発メモリーである。また、FeRAMはフラッシュEEPROMに比べ高集積化が困難かつコスト的にもフラッシュEEPROMより高くなる。
そのため、本実施の形態ではデータサイズが小さいインデックス情報を記憶させる第2の不揮発記憶部にFeRAMを使用し、大容量のデータ本体を記憶させる第1の不揮発記憶部を大容量のフラッシュEEPROMで実現するようにしてもよい。この場合、フラッシュEEPROMはFRAMに比べはるかに大容量とすることで書換え回数の上限を気にしないで済むデータ記録装置を実現することができる。
本実施の形態に係るデータ記録装置1は、第1の書き込み制御部30を含む。第1の書き込み制御部30は、受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う。かかる制御を行う事により第1の不揮発記憶部をリングバッファとして機能させることができる。
また本実施の形態に係るデータ記録装置1は、第2の書き込み制御部40を含む。第2の書き込み制御部40は、受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報52と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う。かかる制御を行う事により第2の不揮発記憶部をリングバッファとして機能させることができる。
インデックス情報52は、第1の不揮発記憶部10に格納されたデータ本体(受け取ったデータ)を検索するための情報であればよく、データ本体から抽出された情報でもよいし、データ本体には含まれていないがデータ本体を検索するために生成した情報でもよい。
本実施の形態に係るデータ記録装置1は、インデックス情報抽出部50を含む。インデックス情報抽出部50は、インデックス位置情報に基づき、受け取ったデータからインデックス情報となる所与の情報を抽出する処理を行う。
データの中の、その重要性や継続保管の要否を判断するための情報をインデックス情報とする事ができる。そしてデータの中のインデックス情報の位置をインデックス位置情報として設定しておきくことで、当該インデックス位置情報にデータの中からインデックス情報を抽出するようにしてもよい。
第2の書き込み制御部40は、受け取ったデータから抽出された所与の情報をインデックス情報として書き込み制御を行う。
本実施の形態のように、インデックス情報のメモリーエリアをリングバッファとして使用するFeRAMと組み合わせた場合には、読み込んでから時間が経ち一時保管の必要がなくなったインデックス情報は次々に上書きされていくので、書換え回数は増えるものの、比較的小さなメモリーエリアで足りるため、容易に情報検索を実施することが出来るデータ記録装置を実現することができる。
なお第1の書き込み制御部30、第2の書き込み制御部40、インデックス情報抽出部50の機能は例えばCPUに所定の制御プログラムを実行させることによりソフトウエア的に実現する構成でもよいし、第1の書き込み制御部30、第2の書き込み制御部40、インデックス情報抽出部50の機能を実現するための専用の回路を用いて実現してもよい。
図2は本実施の形態の第1の不揮発性記憶部と第2の不揮発性記憶部の構成について説明するための図である。また図3(A)(B)は、データ本体とインデックス情報について説明するための図である。
図2に示すように、第1の不揮発性記憶部10及び第2の不揮発性記憶部20はリングバッファとして構成されている。
第1の不揮発性記憶部10の1次元的に配列されたデータ本体用のデータエリア12−1、12−2、12−3、・・・には、受け取ったデータがデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込まれる。そして末尾に達したら再び先頭に戻って順時に上書きされることになる。ここでデータエリアの先頭位置は論理アドレスにもとづいて適宜設定することができ、物理的な先頭位置に限られない。
第2の不揮発性記憶部20の1次元的に配列されたインデックス用のデータエリア22−1、22−2、22−3、・・・には、受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報24として、図3(B)に示すようにインデックス情報24と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報26とがセットで記憶される。
すなわち、第2の不揮発性記憶部20のデータエリア22−1、22−2、22−3には、第1の不揮発性記憶部10のデータエリア12−1、12−2、12−3、・・・に対応するインデックス情報が格納されている。
図3(A)(B)に示すようにインデックス位置情報(a、b)に基づき、受け取ったデータ14からインデックス情報となる所与の情報16を抽出して、インデックス情報24を生成する構成にしてもよい。インデックス位置情報(a、b)は、受け取ったデータ1中における所与の情報(インデックス情報として抽出する情報)を特定するための位置情報である。なおインデックス位置情報は(先頭位置、終了位置)の組み合わせで与えてもよいし、(先頭位置、データサイズ)の組み合わせで与えても良い。
本実施の形態では受け取ったデータの中から、その重要性や継続保管の要否を判断するためのインデックス情報を抽出して第2の不揮発性記憶部(リングバッファ)20に記憶し、データ本体はより容量の大きな第1の不揮発性記憶部(リングバッファ)10に記憶させる。すなわち第2の不揮発性記憶部(リングバッファ)20にはインデックス情報と対応するデータ本体のアドレス情報のみ記憶する。
この第2の不揮発性記憶部(リングバッファ)20に書換え寿命に優れたFeRAMを使用するようにしてもよい。
本実施の形態では、第1の不揮発性記憶部10に記憶されているログデータから必要なデータを抽出する場合には、第2の不揮発性記憶部(リングバッファ)20に記憶されたインデックス情報よりデータの要否を判断し、必要と判断されたデータのみ不揮発データメモリーから読み出す。
例えば抽出条件をインデックス情報に関連して設定し、当該抽出条件に基づき第2の不揮発性記憶部20のインデックス情報を検索して、抽出条件を満たすインデックス情報を抽出する。そして、当該インデックス情報24に関連づけて記憶されている(当該インデックス情報とセットで記憶されている)アドレス情報26に基づき第1の不揮発性記憶部10から対応するデータを読み出すようにしてもよい(この場合にはランダムアクセス読み出しを行う)。
従って一般にデータ本体のサイズが大きい場合には大容量の記憶部が必要であるが、本実施の形態によれば比較的容量の小さい第2の不揮発性記憶部20を検索することで、大容量の第1の不揮発性記憶部10に格納されているデータの抽出を行うことが可能となる。
データ記録装置(データログ装置等)にデータを取込む場合、多くのデータはそれを取込んだ時点ではそのデータの重要性、継続保管の要否は決まっていない。一定期間保管して外部状況が確定して初めてそうした判断が可能となるのである。電話の通話記録を例にとると、通話時の記憶に従って行動してみて初めて記憶していた情報のあいまいな点や情報不足が分かり通話記録を再生する、すなわち保管の必要な情報であったことが確定するのである。データ保管の要否が確定するまでの間、暫定的に記憶しておくという用途は、今後、デジタルデータが増大するのに伴い、益々拡大していくものと予想される。さらに、暫定記憶しておいたデータの要否判定も重要な問題である。大容量のデータを端から端まで見直してその必要性を判定していたのでは処理が間に合わない。要否判定を効率的に進めるには、データからその重要性を判断できるインデックスを抽出し、それにより判断する必要がある。具体的には、電話の通話記録を例にとれば、通話相手、時刻、通話時間等をインデックスと考えることが出来る。こうしたインデックスを使い、「後から」恒常的に保管し続ける必要のある通話記録を選別し、必要に応じ暫定記憶(ここでは第1の不揮発性記憶部10)から恒常記憶用媒体にデータ転送するようにしてもよい。
次に、本実施の形態に係るデータ記録装置1の具体的な装置構成について説明する。図4は、データ記録装置1の具体的な装置構成の一例を示すブロック図である。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、フラッシュEEPROM120を含む。フラッシュEEPROM120は第1の不揮発性記憶部として機能し、例えば1回のデータ量が多くその量も決まっていない電話の受信記録のようなデータや、データ自体が大容量で不規則に取り込まれる計測データ等に基づき生成されるデータ本体が記憶されている。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、FeRAM110を含む。FeRAM110は第2の不揮発性記憶部として機能し、データ本体に対応するインデックス情報とデータ本体アドレス情報が記憶されている。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、RAM140を含む。RAM140は、例えば、計測パラメータを保存するために使用される。RAM140は、EEPROMやFeRAMで構成してもよい。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、例えば1回のデータ量が多くその量も決まっていない電話の受信記録のようなデータや、データ自体が大容量で不規則に取り込まれる計測データ等を計測する計測機器160はからのデータを受け取るI/Oインターフェース150を含む。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、ROM130を含む。ROM130には、計測を制御するプログラムが格納される。
本実施の形態に係るデータ記録装置200は、CPU100を含む。CPU100は、ROM130に格納された制御プログラムに従い、キー180により入力される計測パラメータを使用し、計測機器160が不定期に出力する計測データを入出力インターフェース150を介して受け取り、フラッシュEEPROM120で構成されるリングバッファ領域にデータを格納する制御や、計測データからインデックス情報を抽出して、インデックス情報と当該計測データの書き込みアドレスを含むインデックスデータをFeRAM110で構成されるリングバッファ領域にデータを格納する制御等を行う。また、CPU140はタイマー170やディスプレー190の制御を行う。
すなわち、CPU100は、第1の書き込み制御部30、第2の書き込み制御部40、インデックス情報抽出部50として機能する。
データ記録装置1では、CPU100、FeRAM110、フラッシュEEPROM120、ROM130、RAM140及びI/F150は、1つの集積回路装置(例えば半導体チップ)として構成されていてもよい。そして、データ記録装置1は、当該集積回路装置で、計測機器を制御し、ディスプレーに画像を表示させるための表示画像データを生成する制御を行ってもよい。
図5は、データ記録装置の動作の一例を説明するためのフローチャート図である。
まず受け取ったデータの第1の不揮発記憶部への書き込みアドレスを生成して、第1の不揮発記憶部に受け取ったデータを書き込む(ステップS10)。
例えば前回の測定データのデータ格納先のアドレス+測定データのデータサイズ(必要であれば+αしてもよい)で、今回の測定データの格納先のアドレスデータを生成するようにしてもよい。ここで生成したアドレスデータはCPU内(例えばレジスタ等)に記憶させておくようにして、次回の測定データの格納先アドレスデータを生成する際に、前回の測定データのデータ格納先のアドレスとしてもちいるようにしてもよい。
次にインデックス位置情報に基づき、受け取ったデータからインデックス情報となる所与の情報を抽出する(ステップS20)。インデックス位置情報は外部から変更可能に設定できるようにしてもよい。
次に受け取ったデータのインデックス情報及び第1の不揮発記憶部への書き込みアドレスを含むインデックスデータの第2の不揮発記憶部への書き込みアドレスを生成して、第2の不揮発記憶部にインデックスデータを書き込む(ステップS30)。
本実施の形態によれば、リングバッファを用いて、大容量のデータを容易に情報検索可能な形式で記憶できるデータ記録装置を提供することができる。
また、本発明では、第2の不揮発記憶部を強誘電体メモリで構成することにより、書き込んでから時間が経ち一時保管の必要がなくなったインデックス情報は次々に上書きされていくので、書換え回数は増えるものの、比較的小さなメモリーエリアで足りるため、容易に情報検索を実施することが出来る。
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
本実施の形態のデータ記録装置の機能ブロック図。 本実施の形態の第1の不揮発性記憶部と第2の不揮発性記憶部の構成について説明するための図。 図3(A)(B)は、データ本体とインデックス情報について説明するための図。 データ記録装置の具体的な装置構成の一例を示すブロック図。 データ記録装置の動作の一例を説明するためのフローチャート図。
符号の説明
1 データ記録装置、10 第1の不揮発記憶部記憶部、20 第2の不揮発記憶部記憶部、30 第1の書き込み制御部、32 データアドレス、40 第2の書き込み制御部、50 インデックス情報抽出部、60 データ、第2の記憶領域(ランダムアクセス領域)、40 巡回書き込み制御部、50 最終書き込みアドレス記録処理部、52 インデックス情報、60 測定データ、100 CPU、110 FeRAM、120 フラッシュEEPROM、130 ROM、140 RAM

Claims (4)

  1. データ記録装置であって、
    第1の不揮発記憶部と、
    第1の不揮発記憶部より記憶容量の小さな第2の不揮発記憶部と、
    受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第1の書き込み制御部と、
    受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行う第2の書き込み制御部と、
    を含むことを特徴とするデータ記録装置。
  2. 請求項1において、
    インデックス位置情報に基づき、受け取ったデータからインデックス情報となる所与の情報を抽出するインデックス情報抽出部をさらに含み、
    前記第2の書き込み制御部は、
    受け取ったデータから抽出された所与の情報をインデックス情報として書き込み制御を行うことを特徴とするデータ記録装置。
  3. 請求項1乃至2のいずれかにおいて、
    第2の不揮発記憶部は、強誘電体メモリで構成されていることを特徴とするデータ記録装置。
  4. 第1の不揮発記憶部と、第1の不揮発記憶部より記憶容量の小さな第2の不揮発記憶部とを備えたデータ記録装置の制御方法であって、
    受け取ったデータを前記第1の不揮発記憶部に1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行うステップと、
    受け取ったデータに関連して取得した所与の情報をインデックス情報として、インデックス情報と受け取ったデータの書き込み先のアドレス情報と関連させて、第2の不揮発記憶部の1次元的に配列されたデータエリアの先頭から末尾にむかって順次書き込み、末尾に達したら再び先頭から末尾にむかって順次書き込む巡回書き込み制御を行うステップと、
    を含むことを特徴とするデータ記録装置の制御方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009289155A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Panasonic Corp 半導体記憶装置
US8379819B2 (en) * 2008-12-24 2013-02-19 Avaya Inc Indexing recordings of telephony sessions
CN102565851A (zh) * 2011-12-16 2012-07-11 中国石油集团川庆钻探工程有限公司地球物理勘探公司 地震资料数据的存储方法
US9554110B1 (en) * 2013-03-15 2017-01-24 Western Digital Technologies, Inc. Methods and controllers for controlling a data storage device and data storage device comprising the same
US10318175B2 (en) * 2017-03-07 2019-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. SSD with heterogeneous NVM types

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63177244A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Hitachi Ltd バツフア管理方式
JPH07219720A (ja) * 1993-10-01 1995-08-18 Hitachi Maxell Ltd 半導体メモリ装置ならびにその制御方法
JPH0991172A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Fujitsu Ltd メモリ制御状態監視装置
JPH1049551A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Aichi Corp データ選択収集装置
JPH1115727A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Nippon Denki Ido Tsushin Kk バッファ監視方式
JPH11272444A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Sony Corp 不揮発性メモリへのデータ書き込み装置及び方法
JPH11282758A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Sony Corp 不揮発性メモリへのデータ書き込み装置及び方法
JP2002073408A (ja) * 2000-09-01 2002-03-12 Sharp Corp フラッシュメモリ装置、フラッシュメモリ書き換え方法および情報処理装置
JP2002541579A (ja) * 1999-04-08 2002-12-03 サンマイクロシステムズ インコーポレーテッド 循環バッファを提供する装置と方法
JP2006190036A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリ制御方法
JP2006236304A (ja) * 2004-10-27 2006-09-07 Sony Corp 記憶装置および情報処理システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7088387B1 (en) * 1997-08-05 2006-08-08 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Video recording device responsive to triggering event
JP2006338370A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Toshiba Corp メモリシステム

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63177244A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Hitachi Ltd バツフア管理方式
JPH07219720A (ja) * 1993-10-01 1995-08-18 Hitachi Maxell Ltd 半導体メモリ装置ならびにその制御方法
JPH0991172A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Fujitsu Ltd メモリ制御状態監視装置
JPH1049551A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Aichi Corp データ選択収集装置
JPH1115727A (ja) * 1997-06-24 1999-01-22 Nippon Denki Ido Tsushin Kk バッファ監視方式
JPH11272444A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Sony Corp 不揮発性メモリへのデータ書き込み装置及び方法
JPH11282758A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Sony Corp 不揮発性メモリへのデータ書き込み装置及び方法
JP2002541579A (ja) * 1999-04-08 2002-12-03 サンマイクロシステムズ インコーポレーテッド 循環バッファを提供する装置と方法
JP2002073408A (ja) * 2000-09-01 2002-03-12 Sharp Corp フラッシュメモリ装置、フラッシュメモリ書き換え方法および情報処理装置
JP2006236304A (ja) * 2004-10-27 2006-09-07 Sony Corp 記憶装置および情報処理システム
JP2006190036A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリ制御方法

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