JP2005092678A - 半導体メモリカード及び不揮発性メモリのデータ消去処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体メモリカードにおいて、カード内のデータを消去する場合に物理的に消去しており、大容量化に伴い消去時間が長くかかるという欠点がある。
【解決手段】不揮発性メモリ20内のデータとは異なる物理ブロックにアドレス管理テーブルLPTおよび物理ブロック管理テーブルETを保持する。外部ホスト機器から消去コマンドを受け付けた場合に、該当論理アドレスを未アロケート登録すると共に、物理ブロック管理テーブルの前記論理アドレスに割り当てられていた物理ブロックを未使用登録し、不揮発性メモリ20に書き戻す。こうすれば物理的な消去が不要で高速にデータを消去できる。
【選択図】図1
【解決手段】不揮発性メモリ20内のデータとは異なる物理ブロックにアドレス管理テーブルLPTおよび物理ブロック管理テーブルETを保持する。外部ホスト機器から消去コマンドを受け付けた場合に、該当論理アドレスを未アロケート登録すると共に、物理ブロック管理テーブルの前記論理アドレスに割り当てられていた物理ブロックを未使用登録し、不揮発性メモリ20に書き戻す。こうすれば物理的な消去が不要で高速にデータを消去できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、書き換え可能な不揮発性メモリを有する半導体メモリカード及び不揮発性メモリの情報を消去する消去処置方法に関する。
書き換え可能な不揮発性メモリを有する半導体メモリカードは、不揮発性メモリにアクセスするために与えられる論理アドレスを物理アドレスに変換することで、内部データへのアクセスが行われる。従来の半導体メモリカードは、物理ブロックの冗長領域に論理アドレスをデータと共に書き込むことで不揮発性メモリの物理ブロックと論理アドレスを関連付けている。外部から内部データへのアクセスが発生する前に、半導体メモリカード内全物理ブロックの冗長領域をサーチし、論理アドレスを物理アドレスに変換するためのアドレス管理テーブルを内部の揮発性メモリに作成していた。
半導体メモリカード内のデータを消去する場合には、アドレス管理テーブルを基に該当論理アドレスが割り当てられた物理ブロックをサーチして、物理的に消去していた。
又物理的に消去する際には時間がかかるため、例えば特許文献1では複数のブロック消去動作を同時に行うことによって消去を高速化するようにしたフラッシュメモリカードが提案されている。
特開平8−263361号公報
しかしながら、上記従来の半導体メモリカードにおいては、複数のブロックを同時に消去する場合であっても、大容量化に伴い物理ブロック数が増加すると、FATによる初期化時に全領域を物理的に消去する場合に、処理時間が増大する可能性があった。
本発明は不揮発性メモリにおいて、データの消去期間を大幅に短縮できるようにすることを目的とする。
本願の請求項1の発明は、揮発性メモリと、不揮発性メモリと、前記揮発性メモリ及び不揮発性メモリにデータを書き込むと共に外部からの信号に応じてデータを消去する制御部と、を具備する半導体メモリカードであって、前記不揮発性メモリは、前記不揮発性メモリにアクセスするために外部から与えられる論理アドレスを物理アドレスに変換する複数のアドレス管理テーブルと、前記不揮発性メモリの物理ブロック使用状況を管理する複数の物理ブロック管理テーブルと、前記複数のアドレス管理テーブルおよび物理ブロック管理テーブルの不揮発性メモリ上の位置を示すアドレス変換テーブルインデックス情報群を保持するものであり、前記制御部は、外部からのデータ消去指令に基づきデータを消去する場合に、前記アドレス管理テーブルの該当論理アドレスを未使用とすると共に、前記物理ブロック管理情報を未使用として前記不揮発性メモリに書き込むことを特徴とする。
本願の請求項2の発明は、揮発性メモリと、不揮発性メモリと、前記揮発性メモリ及び不揮発性メモリにデータを書き込むと共に外部からの信号に応じてデータを消去する制御部と、を具備する機器におけるデータ消去処理方法であって、前記不揮発性メモリは、前記不揮発性メモリにアクセスするために外部から与えられる論理アドレスを物理アドレスに変換する複数のアドレス管理テーブルと、前記不揮発性メモリの物理ブロック使用状況を管理する複数の物理ブロック管理テーブルと、前記複数のアドレス管理テーブルおよび物理ブロック管理テーブルの不揮発性メモリ上の位置を示すアドレス変換テーブルインデックス情報群を保持するものであり、外部からのデータ消去指令に基づきデータを消去する場合に、前記アドレス管理テーブルの該当論理アドレスを未使用とし、前記物理ブロック管理情報を未使用として前記不揮発性メモリに書き込むことを特徴とする。
以上のように本発明によれば、半導体メモリカード等の不揮発性メモリのデータ消去を、アドレス管理テーブル及び物理ブロック管理テーブルを不揮発性メモリへ更新するだけで実現できるため、従来データ消去時間の大半を占めていた物理ブロック消去時間を削減できる。よって、今後の半導体メモリカードの大容量化により物理ブロック数が増大した場合にも、物理ブロック消去時間に依存することなく消去処理を実現することができる。FATによる初期化時に全記録データの消去処理を実行しても、全体の処理時間の増加を最低限に抑えることができる。
図1は、本発明の実施の形態による半導体メモリカード及び管理情報更新方法におけるアドレス管理テーブル(LPT)と物理ブロック管理テーブル(ET)、及びアドレス変換テーブルインデックス情報(ATI)の構成を示す概念図である。ここで、LPTとETを1つのペアとして以降ATと呼ぶ。図2は、本実施の形態による半導体メモリカードの構成、及び半導体メモリカード内の不揮発性メモリのアドレスマップを示す概念図である。また、図3は、本実施の形態によるデータ消去処理方法を示すフローチャートである。
また、図2において、半導体メモリカードは、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ20、ホストインターフェース回路(ホストI/F)21、制御部22、RAM(ランダム・アクセス・メモリ)23により構成される。ホストインターフェース回路21は半導体メモリカードとホスト機器との間でデータやコマンドなどの信号を送受信するものである。制御ブロック21はCPU(中央演算装置)を含み、ホスト機器からのコマンドなどにより不揮発性メモリ20や半導体メモリカードの動作を制御するものである。RAM23はデータやアドレス管理情報などを一時蓄える揮発性メモリである。
不揮発性メモリ20は、ATI群領域4とデータ領域5からなる。ATI群領域4はATI群を記憶する領域であり、データ領域5はデータを記憶する領域である。データ領域5は、複数の領域(図中#0〜#3)で構成され、各々の領域にAT群6と現ATが管理するデータエントリ7が存在する。本実施の形態で説明する不揮発性メモリ20は、4バンク構成(Bank0〜Bank3)からなる。また、データ領域5の1つの領域は、1024ブロック/バンクとする。各物理ブロックはデータ容量が2KBのページが2ページで構成されるメモリに制限している。
図1において、ATI群1は不揮発性メモリ20のAT群領域4に固定的に保持される。図1において、2及び3はLPT/ETを1つのペア(AT)とするAT群であり、便宜上AT群2、AT群3とする。AT群は図示した以外にも存在するものである。また10はブロック(物理ブロック)であり、本実施の形態によるATI群1、AT群2、AT群3、・・・は、それぞれバンクあたり1ブロック、合計4つのブロック10の構成にしている。
ATI群領域4は、データ領域5の4つのデータ領域のAT群を管理するためのATI群を格納する領域である。ATIは、各AT群の物理ブロック番号(各データ領域の先頭物理ブロックを0とし、バンク毎に管理。最大1023)を持つ。図1では説明を簡単にするため、1つのAT群を4ブロック構成としデータ領域を4つとしたが、AT群を32ブロック構成(8ブロック/バンク)とし8個のデータ領域を管理する場合、1ワード(1024の物理ブロックを決定するために2B)×32(AT群)×8(データ領域数)=512Bとなる。従って図1に示すように1ブロック当たり8個のATIを記録することができる。先頭ATIは、例えば、図2に示すように不揮発性メモリ20の先頭物理ブロックに格納され、先頭ATIの格納されるページの冗長領域には、バンク当たり1ブロックへのリンク情報が書き込まれ、ATI群を形成する。よって、最大32個のATIを格納することができる。ATIの更新は、ATIの不揮発性メモリ20への書き込みが現ATIと同一ブロックに行われないように、書き込みの順番が予め決められる。
データ領域5は、外部のホスト機器から読み書きされるデータ(音楽データや画像データなどのいわゆるコンテンツ情報)を格納すると共に、AT群を格納する領域でもある。また、データ領域5は、1024ブロック/バンク毎に4つの領域(データ領域#0〜データ領域#3)に分割され、AT群はそれぞれのデータ領域を管理するため、それぞれのデータ領域に格納される。
ATの内LPTが管理するデータエントリ7は、1ブロック/バンク、計4ブロックを1つのエントリとして管理され、論理アドレスの順に配置される。LPTの管理するエントリそれぞれの先頭ブロック(例えば、バンク0)下位ページの冗長領域には、バンク当たり1ブロックへのリンク情報が書き込まれる。そのためバンク0のアドレスのみを指定すれば足りる。それぞれのデータ領域において、基本的には論理アドレス(0〜1023[ブロック×ブロックサイズ×バンク数])を物理アドレス(0〜1023[ブロック×ブロックサイズ×バンク数])に変換するために、各論理アドレスに相当する論理ブロック番号毎(1ワード毎)に物理ブロック番号(例えば、バンク0の物理アドレス10ビットに相当)とアロケーションフラグ(1ビット)を持つ。アロケーションフラグはその物理ブロックが論理的に割り当てられているかどうかを示すフラグである。よって、1つのLPTのデータ容量は、1ワード(物理ブロック番号+アロケーションフラグ)×1024(ブロック)=2048Bとなり、1つのLPTが1ページに保持される。
また、ATの内ETは各バンクの物理ブロック番号(物理アドレス)の使用状況を識別するための管理情報であり、ブロック毎にエントリーフラグとして4ビット(使用・未使用・消去済み・使用不可)を割り当てる。よって1つのETのデータ容量は、4(ビット)×1024(ブロック/バンク)×4(バンク)=2048Bとなり、1つのETが1ページに保持される。LPTとETは、LPT#iとET#iとが1組でデータ領域のデータを管理しており、データが更新されたときには同時に更新されてLPT#i+1,ET#i+1となり、図1に示す同一のAT群の中で移動する。ここで、ATの更新は、次のATの不揮発性メモリ20への書き込みが現ATと同一ブロックに行われないように、書き込みの順番が予め決められる。また、現在のAT群が図1中ATI群1のATI#4で管理するAT群2の場合でATの更新によりAT群2内の更新ができなくなれば、同一データ領域内で新たにAT群(図1中AT群3)を確保し(イレーズ)、新たに確保されたAT群3の先頭にATを更新すると共に、AT群3を登録した新たなATIを作成しATI群のATI#5に書き込む。
次に、図1及び図3を用いて本実施の形態によるデータ消去動作について説明する。ATI群の中から最新のATIを検出する処理(図3のステップS1)は、例えば、初期化時に実施され、外部(ホスト)からメモリカードに対するデータ書き込み指令毎には実施されない。また、図3に示す一連の制御は、図2に示した制御部22によって実行される。
1つのATIが管理するAT群内でのデータ消去処理について、図3のフローチャートを参照しつつ説明する。外部(ホスト)から与えられる論理アドレスに従い、データ消去先の領域を決定する。例えば、外部のホスト装置から論理アドレス0が指定されると、ステップS1において、不揮発性メモリ20の中のデータ領域#0に対応するAT群の物理ブロック番号を現ATIから求める。なお、現ATを検出する場合は、現在のATを含むAT群は事前にイレーズ処理されるため、図1に示す予め決められたATの書き込み順(#0〜#3)に従い、正常に読み出された最終書き込み済みのATを現ATとする。現時点の有効LPTとETとを不揮発性メモリ20から読出して、揮発性メモリ(RAM23)に移す(ステップS2)。そしてポインタとして用いられる消去データエントリカウントBCを0とする(ステップS3)。次いで読み出された現AT群内で、現LPT(例えば、LPT#1)を検出して論理ブロック番号に対応する1ワード中の物理ブロック番号をチェックする(ステップS4)。その物理ブロックがアロケート済みでなければステップS6に進み、アロケート済みであればステップS5においてブロックリング情報を読み出す。論理ブロック番号に対応する1ワード中に物理ブロック番号が登録されている場合は、登録されている物理ブロック番号の冗長領域から各バンクに割り当てられた物理ブロック番号を読み出す(ステップS5)。そしてステップS6に進んで消去データエントリカウントBCをインクリメントし、現データ領域内のデータエントリアドレスLBAをインクリメントする。次いでステップS7に進んで読み出されたブロック番号を揮発性メモリ(RAM23)内ET上で未使用として登録する。また、外部ホストから与えられた論理アドレスに従い、揮発性メモリ(RAM23)内LPTのブロック番号に対応するブロック番号を消去するか、または、アロケーションフラグを未アロケートに登録する。そしてステップS8においてポスト機器からの指定量の消去処理が完了したかどうかをチェックし、完了していなければステップS4に戻る。ステップS4からS8までの処理は、データエントリ単位で実施される。なお、S03でLPTの論理ブロック番号に対応する1ワード中に物理ブロック番号が登録されていない場合は、ステップS5及びS7の処理は省略する。外部ホストから指定されたデータ量の処理が完了したら、揮発性メモリ(RAM23)内のLPT及びETを不揮発性メモリ20内の予め決められていた書き込み領域(例えば、LPT#2、ET#2)に書き込む(ステップS9)。
以上のように、半導体メモリカード内のデータの消去は、不揮発性メモリ内のLPT及びETを更新するだけで実現できるため、従来データ消去時間の大半を占めていた物理ブロックの消去時間を削減できる。よって、今後の半導体メモリカードの大容量化により物理ブロック数が増大した場合にも、物理ブロック消去時間に依存することなく消去処理を実現することができる。従ってFATによる初期化時に全記録データの消去処理を実行しても、全体の処理時間の増加を最低限に抑えることができる。
なお、本実施の形態においては、メモリカード内に1つの不揮発性メモリで構成する場合について述べたが、複数の不揮発性メモリで構成する場合についても1つのデータエントリを8ブロック(1ブロック/バンク)とし、ETの管理を8ブロック管理するように変更することで、2つの不揮発性メモリを1つのATで管理するよう構成すれば、本実施の形態と同様の処理が可能である。
また、本実施の形態においては、図2に示すようにメモリカードを例に説明したが、メモリカードに限ることなく、例えば、不揮発性メモリが内蔵された機器に本発明のデータ消去処理方法を用いてもよい。この場合、ホストI/F21や制御部22は、同様の機能を有する機器内の資源を用いて構成すればよい。
本発明は半導体メモリカード等の不揮発性メモリの消去を高速にすることができる。従ってこのような記憶媒体は大容量化が進む半導体メモリカード、例えばオーディオビデオ機器、カメラ、携帯電話を含む通信機器やビデオ機器やその他の不揮発性メモリを有する機器等の幅広い用途に使用することができる。
1 ATI群
2、3 AT群
4 ATI群領域
5 データ領域
6 AT領域
7 1データエントリ範囲
20 不揮発性メモリ
21 ホストI/F
22 制御部
23 RAM
2、3 AT群
4 ATI群領域
5 データ領域
6 AT領域
7 1データエントリ範囲
20 不揮発性メモリ
21 ホストI/F
22 制御部
23 RAM
Claims (2)
- 揮発性メモリと、不揮発性メモリと、前記揮発性メモリ及び不揮発性メモリにデータを書込むと共に外部からの信号に応じてデータを消去する制御部と、を具備する半導体メモリカードであって、
前記不揮発性メモリは、
前記不揮発性メモリにアクセスするために外部から与えられる論理アドレスを物理アドレスに変換する複数のアドレス管理テーブルと、
前記不揮発性メモリの物理ブロック使用状況を管理する複数の物理ブロック管理テーブルと、
前記複数のアドレス管理テーブルおよび物理ブロック管理テーブルの不揮発性メモリ上の位置を示すアドレス変換テーブルインデックス情報群とを保持するものであり、
前記制御部は、
外部からのデータ消去指令に基づきデータを消去する場合に、前記アドレス管理テーブルの該当論理アドレスを未使用とすると共に、前記物理ブロック管理情報を未使用として前記不揮発性メモリに書き込むことを特徴とする半導体メモリカード。 - 揮発性メモリと、不揮発性メモリと、前記揮発性メモリ及び不揮発性メモリにデータを書込むと共に外部からの信号に応じてデータを消去する制御部と、を具備する機器におけるデータ消去処理方法であって、
前記不揮発性メモリは、
前記不揮発性メモリにアクセスするために外部から与えられる論理アドレスを物理アドレスに変換する複数のアドレス管理テーブルと、
前記不揮発性メモリの物理ブロック使用状況を管理する複数の物理ブロック管理テーブルと、
前記複数のアドレス管理テーブルおよび物理ブロック管理テーブルの不揮発性メモリ上の位置を示すアドレス変換テーブルインデックス情報群とを保持するものであり、
外部からのデータ消去指令に基づきデータを消去する場合に、前記アドレス管理テーブルの該当論理アドレスを未使用とし、
前記物理ブロック管理情報を未使用として前記不揮発性メモリに書き込むことを特徴とするデータ消去処理方法。
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