JP2008181380A - メモリシステムおよびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のメモリシステムおよびその制御方法は、リードディスターブによりデータが読み出される回数に制限があるフラッシュメモリ11と、フラッシュメモリ11からデータが読み出されるたびに更新され、リードディスターブを判定する基準値との比較結果に基づいてフラッシュメモリ11をリフレッシュするための読み出し回数を保持する不揮発性メモリ12と、ホストPC15からのアクセスコマンドに基づいて、フラッシュメモリ11からデータ読み出し、および不揮発性メモリ12の読み出し回数の更新を制御する制御手段を有する。
【選択図】図1
Description
フラッシュメモリの書き込み-消去では、基板に対してゲートに高電圧がかけられ、フローティングゲートに電子が注入される。このため、書き込み-消去が何回も実行されるとフローティングゲート周りの酸化膜が劣化し、データが破壊されてしまう。フラッシュメモリの書き込み回数はおよそ105回程度であり、他の不揮発性メモリに比べて非常に少なく、ハードディスクとして用いた場合、書き込み-消去回数の制限からデータが破壊し、システムに支障をきたすおそれがあると考えられる。この対策としては、ブロックごとに消去回数をカウントし、あるしきい値を設けて消去回数の多いブロックと少ないブロックとの物理アドレスの変換を行うことで、書き込み-消去回数の平均化をはかるウェアレベリングが実施されている。
NAND型フラッシュメモリは、1セルで2ビット以上の情報を記憶する多値化が進んでおり、しきい値の制御が厳しくなっていく方向にある。このため、今後、リードディスターブの影響がますます深刻な問題になっていくものと推察される。
図2は、本発明の実施例1に係わるメモリシステムの制御方法を示すフロー図である。ここでは、主に、ホストPC15からアクセスコマンドを受信した場合のリードディスターブ対策に関わる部分を示した。
本発明の実施例1に係わるメモリシステムの制御方法におけるリフレッシュ動作は、ブロック判定ステップ(ST31)、コピーステップ(ST32)、アドレス変換ステップ(ST33)、読み出しステップ(ST34)、消去ステップ(ST35)、再書き込みステップ(ST36)、およびリセットステップ(ST37)を備えている。
図6は、本発明の実施例3に係わるメモリシステムの制御方法を示すフロー図である。ここでは、主に、読み出し回数が基準値を超えた場合のリフレッシュ動作にかかわる部分を示した。
12 FeRAM
13 コントローラ
14 読み出し回数テーブル
15 ホストPC
31 リードディスターブ対策用領域
41 リフレッシュ回数テーブル
51 消去回数テーブル
Claims (5)
- リードディスターブによりデータが読み出される回数に制限があるフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリからデータが読み出されるたびに更新され、リードディスターブを判定する基準値との比較結果に基づいて前記フラッシュメモリをリフレッシュするための読み出し回数を保持する不揮発性メモリと、
ホストコンピュータからのアクセスコマンドに基づいて、前記フラッシュメモリからのデータ読み出し、および前記不揮発性メモリの前記読み出し回数の更新を制御する制御手段を有することを特徴とするメモリシステム。 - 前記フラッシュメモリにおける前記リフレッシュは、消去ブロックごとに一括して行われ、
前記読み出し回数は、前記消去ブロックごとに保持されていることを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記不揮発性メモリは、前記リフレッシュの実行に際して当該リフレッシュの対象である前記消去ブロックのデータが退避される退避領域をさらに有することを特徴とする請求項2に記載のメモリシステム。
- 前記不揮発性メモリは、前記リフレッシュを実行するたびに更新され、当該リフレッシュの対象である前記消去ブロックから前記退避領域へのデータ転送が制御されるリフレッシュ回数をさらに保持していることを特徴とする請求項3に記載のメモリシステム。
- 格納されたデータの読み出し回数に制限があるフラッシュメモリと、不揮発性メモリとを有するメモリシステムの制御方法であって、
ホストコンピュータからのアクセスコマンドに基づいて前記フラッシュメモリからデータが読み出されるたびに前記不揮発性メモリに保持された読み出し回数が更新される第1のステップと、
前記第1のステップで更新された前記読み出し回数が基準値と比較され、前記フラッシュメモリのリードディスターブが判定される第2のステップと、
前記第2のステップでの判定結果に基づいて、前記フラッシュメモリのリフレッシュが実行される第3のステップを有することを特徴とするメモリシステムの制御方法。
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