JP2006332653A - 薄層金属−有機材料混合層を有する反射率が低減された表示デバイス - Google Patents

薄層金属−有機材料混合層を有する反射率が低減された表示デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】金属(含有材料)および有機材料を含み、175nm未満の厚さを有する薄い金属−有機材料混合層(MOML)を備えた表示デバイスを提供すること。
【解決手段】薄い金属−有機材料混合層は、単層または多層配置であってよい。デバイスの反射率(%)は、MOMLの厚さ、およびMOMLにおける金属成分およびそれらの濃度を変化させることにより制御することができる。

Description

本開示は、さまざまな例示的実施形態において、薄い(薄層)金属−有機材料混合層(MOML)を備えた表示デバイスに関する。薄い金属−有機材料混合層は、有機マトリックス材料中に金属粒子を含む。薄い金属−有機材料混合層は、特に有機発光デバイス(OLED)に関連して記載されているが、薄い金属−有機材料混合層は、他の同様の用途および表示デバイスに適用できることが理解されるはずである。
有機発光デバイス(OLED)は、表示用途で有望な技術である。典型的な有機発光デバイスは、第1電極;1種または複数種の有機エレクトロルミネセンス材料を含むルミネセンス領域;第2電極を含み;第1電極および第2電極の一方は、正孔注入陽極として機能し、他方の電極は電子注入陰極として機能し、第1電極および第2電極の一方は、前面電極であり、他方の電極は背面電極である。前面電極は透明(または少なくとも部分的に透明)であり、背面電極は、通常、光を高度に反射する。第1電極と第2電極の間に電圧が印加されると、光はルミネセンス領域から、透明な前面電極を通り抜けて発光される。環境照明の大きい条件下で観測すると、反射性の背面電極は、環境照明のかなりの量を観測者に向かって反射するので、デバイス自体の発光と比較して反射される照明がより大きな割合となり、その結果、表示された像は「ウォッシュアウト(washout)」される。
一般に電界発光表示のコントラストを改善するために、例えば、米国特許第4287449号に記載されているような光反射低減層、または例えば、米国特許第5049780号に記載されているような光干渉部材が環境照明反射を低減するのに使用されてきた。
公知の有機発光デバイスの別の問題は、仕事関数の低い、したがって陰極における反応性の高い、金属を使用することから生じる。これらの反応性が高いために、そのような陰極材料は、環境条件下で不安定であり、空気中のOおよび水と反応し、非発光性の暗黒点を形成する。例えば、Burrowsら、「Reliability and Degradation of Organic Light Emitting Devices」、Appl.Phys.Lett.65巻、2922〜2924頁(1994年)を参照のこと。そのような環境の影響を低減するために、有機発光デバイスは、製造された直後に、例えば、水分が10ppm未満の雰囲気などの厳格な条件下で、通常、気密封止される。
表示デバイスにおける環境光の反射を低減するためのその他の最近の開発は、例えば、米国特許出願公開2002/0180349として公表され、現在は米国特許第6841932号となっている米国特許出願10/117812、および米国特許出願公開2003/0234609として公表された米国特許出願10/401238に記載されているような、金属−有機材料混合層を対象としてきた。光反射を低減するその他の方法は、米国特許第6750609号において扱われている。これらの出願および特許は、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
本出願に関係しうるその他の文書には、以下が含まれる:米国特許第4652794号;米国特許第6023073号;Liang−Sun Hungら、「Reduction of Ambient Light Reflection in Organic Light−Emitting Diodes」、Advanced Materials 13巻、1787〜1790頁(2001年);Liang−Sun Hungら、米国特許出願09/577092(2000年5月24日出願);EP1160890A2(前記米国特許出願09/577092に基づいて優先権を主張);日本で公開された特開平8−222374(1996年8月30日公開);O.Renaultら、「A low reflectivity multilayer cathode for organic light−emitting diodes」、Thin Solid Films、379巻、195〜198頁(2000年);WO 01/08240 A1;WO 01/06816 A1;David Johnsonら、Technical Paper 33.3、「Contrast Enhancement of OLED Displays」、http://www.luxell.com/pdfs/OLED tech ppr.pdf、1〜3頁(2001年4月);Junji Kidoら、「Bright organic electroluminescent devices having a metal−doped electron−injecting layer」、Applied Physics Letters 73巻、2866〜2868頁(1998年);Jae−Gyoung Leeら、「Mixing effect of chelate complex and metal in organic light−emitting diodes」、Aplied Physics Letters 72巻、1757〜1759頁(1998年);Jingsong Hungら、「Low−voltage organic electroluminescent devices using pin structures」、Applied Physics Letters 80巻、139〜141頁(2002年);L.S.Huangら、「Sputter deposition of cathodes in organic light emitting diodes」、Applied Physics Letters、86巻、4607〜4612頁(1999年);EP0977287A2;EP0977288A2;Hany Azizら、「Reduced reflectance cathode for organic light−emitting devices using metal organic mixtures」、Applied Physics Letters 83巻、186〜188頁(2003年);およびH.Michelle Grandinら、「Light−Absorption Phenomena in Novel Low−Reflectance Cathodes for Organic Light−Emitting Devices Utilizing Metal−Organic Mixtures」、Advanced Matereials、15巻、No.23、2021〜2024頁(2003年)。
前述の特許、出願、および論文の開示のすべては、参照により全体がそれぞれ本明細書に組み込まれる。
本出願に関係しうるその他の文書は、現在は放棄した米国特許出願09/800716(2001年3月8日出願)において提出されており、そのようなその他の書類には、米国特許第4885211号;米国特許第5247190号;米国特許第4539507号;米国特許第5151629号;米国特許第5150006号;米国特許第5141671号;米国特許第5846666号;米国特許第5516577号;米国特許第6057048号;米国特許第5227252号;米国特許第5276381号;米国特許第5593788号;米国特許第3172862号;米国特許第4356429号;米国特許第5601903号;米国特許第5935720号;米国特許第5728801号;米国特許第5942340号;米国特許第5952115号;米国特許第4720432号;米国特許第4769292号;米国特許第6130001号;Bemiusら、「developmental progress of electroluminescent polymeric materials and devices」、SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III、コロラド州、デンバー、1999年7月、SPIE、3797巻、129〜137頁;Baldoら、「Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices」、Nature 395巻、151〜154頁(1998年);およびKidoら「white light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes」、Jpn.J.Appl.Phys.35巻、L394〜L396頁(1996年)。
上記特許、出願、および論文のすべては、参照により全体が本明細書に取り込まれる。
米国特許第4287449号 米国特許第5049780号 Burrowsら、「Reliability and Degradation of Organic Light Emitting Devices」、Appl.Phys.Lett.65巻、2922〜2924頁(1994年) 米国特許出願公開2002/0180349 米国特許第6841932号 米国特許出願10/117812 米国特許出願公開2003/0234609 米国特許出願10/401238 米国特許第6750609号 米国特許第4652794号 米国特許第6023073号 Liang−Sun Hungら、「Reduction of Ambient Light Reflection in Organic Light−Emitting Diodes」、Advanced Materials 13巻、1787〜1790頁(2001年) 米国特許出願09/577092 EP1160890A2 特開平8−222374 O.Renaultら、「A low reflectivity multilayer cathode for organic light−emitting diodes」、Thin Solid Films、379巻、195〜198頁(2000年) WO 01/08240 A1 WO 01/06816 A1 David Johnsonら、Technical Paper 33.3、「Contrast Enhancement of OLED Displays」、http://www.luxell.com/pdfs/OLED tech ppr.pdf、1〜3頁(2001年4月) Junji Kidoら、「Bright organic electroluminescent devices having a metal−doped electron−injecting layer」、Applied Physics Letters 73巻、2866〜2868頁(1998年) Jae−Gyoung Leeら、「Mixing effect of chelate complex and metal in organic light−emitting diodes」、Aplied Physics Letters 72巻、1757〜1759頁(1998年) Jingsong Hungら、「Low−voltage organic electroluminescent devices using pin structures」、Applied Physics Letters 80巻、139〜141頁(2002年) L.S.Huangら、「Sputter deposition of cathodes in organic light emitting diodes」、Applied Physics Letters、86巻、4607〜4612頁(1999年) EP0977287A2 EP0977288A2 Hany Azizら、「Reduced reflectance cathode for organic light−emitting devices using metal organic mixtures」、Applied Physics Letters 83巻、186〜188頁(2003年) H.Michelle Grandinら、「Light−Absorption Phenomena in Novel Low−Reflectance Cathodes for Organic Light−Emitting Devices Utilizing Metal−Organic Mixtures」、Advanced Matereials、15巻、No.23、2021〜2024頁(2003年) 米国特許出願09/800716 米国特許第4885211号 米国特許第5247190号 米国特許第4539507号 米国特許第5151629号 米国特許第5150006号 米国特許第5141671号 米国特許第5846666号 米国特許第5516577号 米国特許第6057048号 米国特許第5227252号 米国特許第5276381号 米国特許第5593788号 米国特許第3172862号 米国特許第4356429号 米国特許第5601903号 米国特許第5935720号 米国特許第5728801号 米国特許第5942340号 米国特許第5952115号 米国特許第4720432号 米国特許第4769292号 米国特許第6130001号 Bemiusら、「developmental progress of electroluminescent polymeric materials and devices」、SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III、コロラド州、デンバー、1999年7月、SPIE、3797巻、129〜137頁 Baldoら、「Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices」、Nature 395巻、151〜154頁(1998年) Kidoら「white light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes」、Jpn.J.Appl.Phys.35巻、L394〜L396頁(1996年) 20031599−US−NP 米国特許第5703436号 米国特許第5429884号 米国特許第6614175号 米国特許第5457565号 米国特許第5608287号 米国特許第5739635号 米国特許第6765348号 米国特許第5059861号 米国特許出願09/208172 EP1009044A2 米国特許第5972247号 米国特許第5935721号 米国特許出願09/771311 米国特許出願08/829398 米国特許出願09/489144 米国特許第6130001号 米国特許第6392339号 米国特許第6392250号
表示デバイス用の光反射低減層において使用するのに適した組成物を提供する必要性は依然として存在している。加えて、より迅速に、より容易にまたはより安価に製造できる表示デバイスにおいて使用するのに適した光反射低減層の新たな配置を提供する必要性も存在している。
本開示の一態様によれば、表示デバイスは、陽極;陰極;前記陽極と前記陰極との間に配設されているルミネセンス領域;ならびにi)金属含有材料およびii)有機材料を含む金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記金属−有機材料混合層は約5nmから約175nmの厚さを有する。
本開示の別の態様によれば、表示デバイスは、第1電極;第2電極;前記第1電極と第2電極との間に配設されたルミネセンス領域;および複数の金属−有機材料混合層を含む光反射低減層を備えており、それぞれの金属−有機材料混合層は金属および有機材料を含み、前記光反射低減領域は約10nmから約175nmの厚さである。
本開示の別の態様によれば、表示デバイスは、第1電極;第2電極;前記第1電極と第2電極との間に配設されたルミネセンス領域;および複数の金属−有機材料混合層を含む光反射低減層を備えており、それぞれの金属−有機材料混合層は金属および有機材料を含み、前記光反射低減領域は約10nmから約100nmの厚さである。
本開示の別の態様によれば、表示デバイスは、第1電極;第2電極;前記第1電極と第2電極との間に配設されたルミネセンス領域;および複数の金属−有機材料混合層を含む光反射低減層を備えており、それぞれの金属−有機材料混合層は金属および有機材料を含み、前記光反射低減領域は約30nmから約50nmの厚さである。
本開示のさらに別の態様によれば、表示デバイスは、陽極;陰極;前記陽極および前記陰極の間に配設されたルミネセンス領域;ならびに銀(Ag)および有機材料を含む単層の金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記MOMLは、銀(Ag)をMOMLの約5から約30体積%の量で含み、前記MOMLは、i)約10nmから約60nm、およびii)約100nmから約160nmの一方の厚さを有する。
本開示のさらに別の態様によれば、表示デバイスは、陽極;陰極;前記陽極と前記陰極との間に配設されたルミネセンス領域;ならびに銀(Ag)および有機材料を含む単層の金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記MOMLは、銀(Ag)をMOMLの約22体積%以上の量で含み、前記MOMLは、約10nmから約60nmの厚さを有する。
本開示のさらに別の態様によれば、表示デバイスは、第1電極;第2電極;前記第1および第2電極の間に配設されたルミネセンス領域;ならびに銀(Ag)および有機材料を含む単層の金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記MOMLは、銀(Ag)をMOMLの約15体積%以上の量で含み、前記MOMLは、約100nmから約160nmの厚さを有する。
この開発のこれらのおよびその他の非限定的な態様および/または目的を、以下により具体的に開示する。
図面の簡単な説明にあっては、本明細書において開示された例示的実施形態を説明する目的で提示したものであり、それらを限定する目的で提示したものではない。
本開示は、薄い金属−有機材料混合層を備えた表示デバイスに関する。薄い金属−有機材料混合層は、光反射低減特性を示し、光反射低減層としての機能を果たすことが可能である。本開示による表示デバイスは、一般に第1電極;第2電極;前記第1電極と第2電極との間に配設されたルミネセンス領域;および薄い金属−有機材料混合層を備えている。薄い金属−有機材料混合層は、金属材料および有機材料を含み、175nm未満の全層厚さを有し、実施形態では、約5nmから約175nmの全層厚さを有することができる。薄い金属−有機材料混合層は、表示デバイス内のどの場所にも設置または配置することができる。例えば、薄い金属−有機材料混合層は、第1電極とルミネセンス領域との間に;第2電極とルミネセンス領域との間に;第1電極の一部として;第2電極の一部として;ルミネセンス領域の一部として配設することができ、または第1電極または第2電極の一方の外側に設置することができる。
表示デバイスは、単一の金属−有機材料混合層、または複数の金属−有機材料混合層を含む薄い金属−有機材料混合層を備えることができる。単層配置においては、MOMLの厚さは、一般に175nm未満である。単層MOMLの厚さは、金属の濃度に応じて、約10nmから約60nm、または約100nmから約160nmの範囲であってよい。複数の金属−有機材料混合層を備えた表示デバイスにおいては、金属−有機材料混合層は、表示デバイスに適した1つまたは複数のその他の層によって分離することができる。あるいは、複数の金属−有機材料混合層は、複数の金属−有機材料混合層が互いに接触している、すなわち積層配置しているか、または複数の金属−有機材料混合層が1つまたは複数の層により分離されている領域または区域を形成すると考えられる。薄い金属−有機材料混合層が多層配置している実施形態では、薄いMOMLの全厚さは175nm未満である。実施形態では、複数のMOMLを備えた薄い金属−有機材料混合層は、約10nmから約175nmの厚さを有することができる。実施形態において、複数のMOMLを備えた薄い金属−有機材料混合層は、約10nmから約100nmの厚さを有することができる。実施形態では、複数のMOMLを備えた薄い金属−有機材料混合層は、約30nmから約50nmの厚さを有することができる。
本開示のさらに別の態様によれば、表示デバイスは、陽極;陰極;前記陽極と前記陰極との間に配設されたルミネセンス領域;ならびに銀(Ag)および有機材料を含む単層の金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記MOMLは、銀(Ag)をMOMLの約22体積%以上の量で含み、前記MOMLは、約10nmから約60nmの厚さを有する。
本開示のさらに別の態様によれば、表示デバイスは、陽極;陰極;前記陽極と前記陰極との間に配設されたルミネセンス領域;ならびに銀(Ag)および有機材料を含む単層の金属−有機材料混合層(MOML)を備えており、前記MOMLは、銀(Ag)をMOMLの約15体積%以上の量で含み、前記MOMLは、約100nmから約160nmの厚さを有する。
本開示のために、以下の定義が適用される。一般に、別段の指示がない限り、「層」という用語は、i)成分の濃度および/またはii)それぞれの組成物を形成する成分の少なくとも1つに関して隣接層の組成とは異なる組成を一般に有する単一のコーティングを指す。例えば、隣接層が同一成分を異なる濃度で含有する組成物から形成されている場合は、これらの隣接層は分離していると考えることになる。本明細書において使用される「金属−有機材料混合層」という用語は、特定の光反射低減領域または区域を画定する単一金属−有機材料混合層または複数の金属−有機材料混合層を含むことに注意されたい。「領域」という用語は、単層、2、3、4、5またはそれ以上の層などの複数の層、および/または1つまたは複数の「区域」を指す。例えば、電荷輸送区域(すなわち、正孔輸送区域および電子輸送区域)に関して、発光区域、および光反射低減区域などと、本明細書において使用される「区域」という用語は、単層、複数層、単一機能部分、または複数機能部分を指す。「発光領域」および「ルミネセンス領域」は、交換可能であるとして使用される。
本明細書において開示された工程および装置は、添付の図面を参照することにより、より完全に理解することができる。これらの図面は、便利さおよび本開発を説明することの容易さに基づく単なる概略図であり、したがって、表示デバイスまたはそれらの構成要素の相対的な寸法および大きさを示すこと、および/または例示的実施形態の範囲を画定または限定することを意図するものではない。
明瞭さのために、以下の説明において特定の用語を使用するが、これらの用語は、図面を説明するために選択された実施形態の特別な構造のみを指すように意図されており、本開示の範囲を規定または限定するようには意図されていない。図面および以下の説明においては、同一数字の指定は、同一機能の構成要素を指すことを理解すべきである。
図1〜5は、本開示による光反射低減層を備えた表示デバイスの、いくつかの例示的実施形態を描写している。図1を参照すると、有機発光デバイス110は、第1電極120、ルミネセンス領域130、第2電極150および第2電極150とルミネセンス領域130との間に配設された薄い金属−有機材料混合層140を備えている。
図2を参照すると、有機発光デバイス210は、陽極220、ルミネセンス領域230、および陰極240を備えている。陽極220は、陽極材料を備えた層221、および薄いMOML222を備えている。
図3を参照すると、有機発光デバイス310は、陽極320、ルミネセンス領域330、および陰極340を備えている。陰極340は、本開示による薄い金属−有機材料混合層341および追加層342を備えている。図4に示されているデバイスなどの表示デバイスは、層342などの1つまたは複数の追加層を備えうることを、理解するはずである。層342などの追加層は、例えば、キャッピング層または領域であってよい。1つまたは複数の追加層を備えた陰極の実施形態では、光反射低減層は電子注入接点の機能を果たす。光反射低減層は、ルミネセンス層330と接触するように形成される。
図4を参照すると、薄い金属−有機材料混合層がルミネセンス領域の一部として描写されている。図4では、有機発光デバイス410は、第1電極420、ルミネセンス領域430、および第2電極440を備えている。ルミネセンス領域430は、第1電荷輸送区域431、発光区域432、および第2電荷輸送区域433を備えている。図4に示されているように、第2電荷輸送区域433は、薄い金属−有機材料混合層433A、および電荷輸送層433Bを備えている。第1電極は、陰極または陽極のいずれかとすることができ、第2電極は陰極または陽極のいずれかとすることができる。さらに、第1電荷輸送区域431は、正孔輸送区域(第2電荷輸送区域を電子輸送区域として)または電子輸送区域(第2電荷輸送区域を正孔輸送区域として)のいずれかとすることができる。
薄い金属−有機材料混合層は、ルミネセンス領域内のどこにでも設置することができることが、理解されるはずである。例えば、MOMLは、電子輸送区域または正孔輸送区域内に設置することができ(したがって、電子輸送区域または正孔輸送区域の一部と見なすることができる)、(電子輸送区域および正孔輸送区域は、同一層の機能部分またはルミネセンス領域を含む2、3、またはそれ以上の層に対応する)。また、薄い金属−有機材料混合層は、電子輸送区域と発光区域との間、または正孔輸送区域と発光区域との間に設置することができる。
図5を参照すると、表示デバイスが示され、薄い金属−有機材料混合層は、電極の外側に設置または配置されている。図5で、有機発光デバイス510は、第1電極520、ルミネセンス領域530、第2電極540、および第2電極540の外側に設置された薄い金属−有機材料混合層550を備えている。第1電極は陽極または陰極のいずれかとすることができ、第2電極は陰極または陽極のいずれかとすることができる。
図6を参照すると、多層の薄い金属−有機材料混合層を備えた表示デバイスが示されている。図6では、有機発光デバイス610は、第1電極620、ルミネセンス領域630、および第2電極640を備えている。第1電極は、陰極または陽極のいずれかとすることができ、第2電極は陰極または陽極のいずれかとすることができる。第2電極640は、薄い金属−有機材料混合層641および追加層642を備えている。薄い金属−有機材料混合層641は、3つの分離した薄い金属−有機材料混合層641A、641B、および641Cを備えている。本明細書において使用される隣接した薄い金属−有機材料混合層は、隣接層の組成が、薄い金属−有機材料混合層の成分または層における成分の濃度もしくは割合のいずれかの点で、互いに異なっている場合は、分離していると見なされる。すなわち、同一成分、つまり、同一の金属材料および有機材料を有する隣接した薄い金属−有機材料混合層は、成分が異なった濃度水準でそれぞれの層に存在している場合は、分離した層であると見なされることになる。本開示の目的のためには、正確に同一組成を有する、隣接した薄い金属−有機材料混合層は、単一の金属−有機材料混合層と見なされることになる。例えば、陰極などの第2電極の一部として示されているが、複数のMOMLを備えた薄いMOMLは、例えば陽極、第1電極および第2電極の1つとルミネセンス領域との間に配設されたルミネセンス領域の一部を含む第1電極の一部であってよいか、または第1電極および第2電極の一方の外側に配置することができることが理解されるはずである。
図には示されていないが、図1〜8のOLEDなどの表示デバイスは、第1または第2電極の1つに隣接した、すなわち、陽極または陰極の一方に隣接した基板を含むことができる。実質的に透明な基板は、例えば、ポリマー成分、ガラス、石英などを含む種々の適切な材料を含むことができる。適切なポリマー成分には、これに限らないが、MYLAR(登録商標)などのポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスルホンなどが含まれる。その他の基板材料も、例えば、材料が他の層を効果的に支持することができ、デバイスの機能的性能を妨害しないという条件で、選択することができる。
不透明な基板は、カーボンブラックなどの着色剤または染料を含有する、例えば、MYLAR(登録商標)などのポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスルホンなどのポリマー成分を含む種々の適切な材料を含むことができる。また、基板は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどのシリコンからなることもできる。基板で使用することができる別の種類の材料は、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属水酸化物、金属硫化物などの金属化合物などのセラミックがある。
実施形態では、基板は、例えば、約10μmから約5000μmまでの厚さを有することができる。他の実施形態では、基板は、約25μmから約1000μmまでの厚さを有することができる。
薄い金属−有機材料混合層は、i)金属含有材料およびii)有機材料を含み、175nm未満の厚さを有する。実施形態では、薄い金属−有機材料混合層は、約10nmから約70nmの間の厚さを有する。他の実施形態では、薄い金属−有機材料混合層は、約30nmから約50nmの間の厚さを有する。複数のMOMLを含む薄いMOMLにおいては、個々のMOMLは、実施形態において、約1nmから約95nmの間の、および他の実施形態では、約1nmから約45nmの間の厚さを有することができる。
薄い金属−有機材料混合層で使用するのに適切な金属には、例えば、金属および光吸収特性を有する金属化合物が含まれる。金属には、これに限らないが、例えば、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Nm、Tc、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Se、Te、Ce、Nd、SmおよびEuが含まれる。実施形態では、「金属」という用語は、Sb、Se、およびTeを含む。さらなる実施形態では、MOMLを形成するために合金を使用することができる。合金の中の1種の金属は、金属含有材料であると考えられ、合金の他の金属または金属類は、MOMLの追加成分または成分類であると考えられる。例えば、有機材料と組み合わせた二元合金は、三元系のMOMLであると考えられることになる。
薄いMOML用の金属化合物は、金属ハロゲン化物(例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物)、金属酸化物、金属水酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化物、および金属ホウ化物であってよい。金属ハロゲン化物は、これに限らないが、例えば、LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、CsF、CsCl、MgF、CaF、SrF、AlF、AgCl、AgF、およびCuClであってよい。金属酸化物は、これに限らないが、LiO、CaO、CsO、In、SnO、ZnO、ITO、CuO、CuO、AgO、NiO、TiO、Y、ZrO、Crであってよい。金属水酸化物は、これに限らないが、例えば、AgOHであってよい。金属窒化物は、これに限らないが、LaN、YN、およびGaNであってよい。金属硫化物は、これに限らないが、ZnS、Sb、Sb、およびCdSであってよい。金属炭化物は、これに限らないが、LiC、FeCおよびNiCであってよい。金属ホウ化物は、これに限らないが、CaBであってよい。
また、金属材料は、本明細書と同時に出願され、参照により本明細書に組み込まれる同時係属米国特許出願[20031599−US−NP]に記載の金属ナノ粒子を含むこともできる。
本明細書に記載されているように、導電性および光吸収性を有することが知られている金属化合物がある。したがって、実施形態における有機化合物とこれらの金属化合物との混合物は、本開示による薄いMOMLを備えたデバイスの望ましい特徴を実現しうるものである。実施形態では、MOMLにおいて使用するための金属含有材料は、金属化合物であることができ、特に、例えば、AgO、CuO、CuO、FeO、Fe、Fe、NiO、V、ZnS、ZnO、InおよびSnOなどの、導電性および光吸収性を有する金属化合物であってよい。
本開示による金属−有機材料混合層は、光反射低減特性を示す。したがって、金属−有機材料混合層を、複数の金属−有機材料混合層を備えた金属−有機材料混合層を含めて、光反射低減層、光反射低減領域、および/または光反射低減区域と呼ぶことができる。
MOMLに適した有機材料は、例えば、本明細書に記載されているエレクトロルミネセンス材料などの、表示装置のルミネセンス領域を製造する際に使用されるエレクトロルミネセンス材料であってよい。例えば、MOMLに適した有機材料には、金属オキシノイド、金属キレート、第三級芳香族アミン、インドロカルバゾール、ポルフィリン、フタロシアニン、トリアジン、アントラセン、およびオキサジアゾールなどの分子(小分子)有機化合物;およびポリチオフェニン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリアニレン、およびポリフェニレンビニレンなどのポリマー化合物を含むことができる。また、薄いMOMLにおいて使用することができるその他の有機化合物には、ポリポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、有機染料および顔料(例えば、ペリノン、クマロン、およびその他の縮合芳香環化合物)が含まれる。適切な有機材料のその他の例には、これに限らないが、トリス(8−ヒドロキシキノレート)アルミニウム(AlQ)またはその他の適切な8−ヒドロキシキノリン錯体が含まれる。
陽極は、インジウムスズ酸化物(ITO)、ケイ素、酸化スズ、ならびに金、白金、およびパラジウムなどの約4eVから約6eVの範囲の仕事関数を有する金属などの適切な正電荷注入材料を含むことができる。陽極に適したその他の材料には、これに限らないが、例えば、約4eVに等しいかまたはそれを超える、実施形態では約4eVから約6eVの範囲の仕事関数を有する導電性炭素、例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどのπ−共役ポリマーなどが含まれる。実質的に透明な陽極には、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)、および例えば金、パラジウムなどの約4eVから約6eVの範囲の仕事関数を有する金属を含み、例えば、約10Åから約200Åの、実施形態では、約30Åから約100Åの厚さを有する、非常に薄い実質的に透明な金属層を含むことができる。陽極の追加された適切な形状は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4885211号および第5703436号に開示されている。また、陽極は、参照により全体が本明細書に組み込まれる、同時係属の米国特許出願10/117812に開示された金属−有機材料混合層(MOML)を備えることもできる。加えて、陽極は、本開示による薄いMOMLを備えることができる。陽極の厚さは、約10Åから約50000Åにわたることができ、望ましい範囲は、陽極材料の電気的および光学的性質によって決まる。陽極の厚さの1つの例示的範囲は、約300Åから約3000Åである。勿論、この範囲外の厚さも使用することができる。
陰極は、金属などの、適切な電子注入材料を含むことができ、前記金属には、例えば、約4eVから約6eVの仕事関数を有する金属などの高仕事関数の成分、または例えば、約2eVから約4eVの仕事関数を有する金属などの低仕事関数の成分が含まれる。陰極は、1種の低仕事関数(約4eV未満)金属と少なくとも1種のその他の金属との組み合わせを含むことができる。低仕事関数金属の第2のまたは他の金属に対する効果的な比率は、約0.1重量%未満から約99.9重量%の間である。低仕事関数金属の例示的な例には、これに限らないが、リチウムまたはナトリウムなどのアルカリ金属;ベリリウム、マグネシウム、カルシウムまたはバリウムなどの2A族またはアルカリ土類金属;およびスカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、ユウロピウム、テルビウム、またはアクチニウムなどの希土類金属およびアクチニド族金属を含むIII族金属が含まれる。リチウム、マグネシウムおよびカルシウムは好ましい低仕事関数金属である。陰極を形成するのに適した材料には、これに限らないが、その開示のすべてが参照により本明細書に組み込まれる米国特許第4885211号、第4720432号、および第5703436号に記載のMg−Ag合金陰極が含まれる。その他の適切な陰極は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願10/117812、およびその開示のすべてが参照により本明細書に組み込まれる米国特許第5429884号に記載の金属−有機材料混合層(MOML)を備えている。また、陰極は、本明細書と同時に出願され、参照によりその開示のすべてが本明細書に組み込まれる同時係属米国特許出願[20031599−US−NP]に記載の光反射低減層を含むこともできる。陰極は、アルミニウムおよびインジウムなどの他の高仕事関数金属を含有するリチウム合金から形成することができる。
実質的に透明な陰極は、Mg、Ag、Al、Ca、In、Liなどの、約2eVから約4eVの範囲の仕事関数を有する金属、およびそれらの合金、例えば、約80から95体積%のMgと約20から約5体積%のAgとからなるMg:Ag合金、および、例えば、約90から99体積%のAlと約10から約1体積%のLiとからなるLi:Al合金などの合金を含み、例えば、約10Åから約200Åの、実施形態では、約30Åから約100Åの厚さを有する、非常に薄い実質的に透明な金属層を備えることができる。勿論、この範囲外の厚さも使用することができる。
実施形態では、陰極は、1つまたは複数の追加層を備えることができる。陰極の1つまたは複数の追加層は、少なくとも1種の金属および/または少なくとも1種の無機材料を含むことができる。追加層において使用することができる適切な、例示的金属には、これに限らないが、Mg、Ag、Al、In、Ca、Sr、Au、Li、Crおよびこれらの組み合わせが含まれる。追加層において使用することができる適切な、例示的無機材料には、これに限らないが、SiO、SiO、LiF、MgFおよびこれらの組み合わせが含まれる。
1つまたは複数の追加層は、互いに同一または異なる機能を持つことができる。例えば、陰極の1つまたは複数の追加層は、低いシート抵抗(例えば、<10Ω/□)を有する伝導性の層を形成する金属を含むこと、または前記金属から本質的になることができる。さらに、陰極の1つまたは複数の追加層は、環境水分がMOML、ルミネセンス領域および陽極に浸透することを防止するまたは少なくとも低減する(例えば、水分障壁などの)不動態層を形成することによって、金属−有機材料混合層を環境から保護することができる。また、陰極の1つまたは複数の追加層は、高温でデバイスが短絡することを防護する熱的保護層の役割を果たすこともできる。例えば、そのような防護は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第6614175号において、より詳細に考察されている約60℃から約110℃の温度で実現することができる。
陰極の厚さは、例えば、約10nmから約1000nmまで変動しうる。この範囲外の厚さもまた使用することができる。
本OLEDにおいて使用される陽極および陰極は、それぞれ、単層であってよいかあるいは2、3またはそれ以上の数の層を備えることができる。例えば、電極は、電荷注入層(すなわち、電子注入層または正孔注入層)およびキャッピング層から構成することができる。しかし、実施形態では、電荷注入層は、電極とは明確に異なっていると考えることができる。
電子注入層は、Mg、Ag、Al、Ca、In、Liなどの、約2eVから約4eVの範囲の仕事関数を有する金属、およびそれらの合金、例えば、約80から95体積%のMgと約20から約5体積%のAgとから構成されるMg:Ag合金、および、例えば、約90から99体積%のAlと約10から約1体積%のLiとから構成されるLi:Al合金などの合金から構成され、例えば、約10Åから約200Åの、実施形態では、約30Åから約100Åの厚さを有する、非常に薄い実質的に透明な金属層を含むことができる。勿論、この範囲外の厚さも使用することができる。また、電子注入層は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5457565号、第5608287号および第5739635号に記載されているような酸化物材料またはアルカリ金属化合物などの非常に薄い絶縁材料を含むこともできる。
正孔注入層は、インジウムスズ酸化物(ITO)、ケイ素、酸化スズ、および約4eVから約6eVの範囲の仕事関数を有する、金、白金、およびパラジウムなどの金属、などの適切な正電荷注入材料からなることができる。正孔注入層に適したその他の材料には、これに限らないが、導電性炭素、例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどのπ−共役ポリマー、および、例えば、約4eVに等しいかまたはそれを超える、具体的には、約4eVから約6eVの範囲の、仕事関数を有する同様の材料が含まれる。実質的に透明な正孔注入材料は、金、パラジウムなどの約4eVから約6eVの範囲の仕事関数を有する金属を含み、例えば、約10Åから約200Åの、実施形態では、約30Åから約100Åの厚さを有する、非常に薄い実質的に透明な金属層から構成されることができる。勿論、これらの範囲外の厚さも使用することができる。正孔注入層の追加された適切な形状は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4885211号および第5703436号に開示されている。
陽極および/または陰極上のキャッピング層は、熱安定性を向上させるために、環境安定性を向上させるために、および/または何か他の方法で有機発光デバイスの性能を改善するために、組み込まれうる。有機発光の熱安定性を向上させるために使用することができるキャッピング層の例は、SiO、SiO、またはこれらの混合物から構成される層である。その他の例は、その開示が参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第6765348号および第6614175号において開示されている。有機発光デバイスの環境安定性を向上させるために使用することができるキャッピング層の例は、Ag、Al、In、またはAuなどの安定した金属からなる層である。有機発光デバイスの環境安定性を向上させるために使用することができるキャッピング層の別の例は、例えば、米国特許第5059861号に記載されているような低仕事関数金属からなる層である。キャッピング層の厚さは、例えば、約20nmから約5000nmまで変動しうる。実施形態では、厚さは約50nmから約500nmである。
表示デバイスは、陽極と正孔輸送層との間に緩衝層を、任意選択で備えることができる。緩衝層は、陽極からの正孔の望ましい電荷注入を達成し、また陽極と正孔輸送層との間の結合を改善し、それによりデバイスの操作安定性を改善するために、主として機能する。緩衝層において使用することができる適切な材料には、例えば、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4356429号に開示されている、1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)などのポルフィリン誘導体;銅フタロシアニン;銅テトラメチルフタロシアニン;亜鉛フタロシアニン;酸化チタンフタロシアニン;マグネシウムフタロシアニンなどの半導性有機材料が含まれる。これら材料とその他の適切な材料との混合物も使用することができる。緩衝層において使用することができるその他の適切な材料には、例えば、MgO、Al、BeO、BaO、AgO、SrO、SiO、SiO、ZrO、CaO、CsO、RbO、LiO、KOおよびNaOなどの金属酸化物;およびLiF、KCl、NaCl、CsCl、CsFおよびKFなどの金属ハロゲン化物などの半導性および絶縁性金属化合物が含まれる。緩衝層は、約1nmから約100nmにわたる厚さを有することができる。緩衝層の例示的厚さは、約5nmから約25nmである。緩衝層の別の例示的厚さは、約1nmから約5nmである。
本表示デバイスのルミネセンス領域は、実施形態では、少なくとも1種の有機ルミネセンス材料を備えている。エレクトロルミネセンス材料は、決定的に重要なわけではなく、表示デバイスにおいてエレクトロルミネセンス材料として使用するのに適したいずれの材料であってもよい。適切な有機ルミネセンス材料には、例えば、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5247190号に開示されているポリ(p−フェニレンビニレン)PPV、ポリ(2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)1,4−フェニレンビニレン)(MEHPPV)およびポリ(2,5−ジアルコキシフェニレンビニレン)(PDMeOPV)、およびその他の材料などのポリフェニレンビニレン;ポリ(p−フェニレン)(PPP)、ラダー−ポリ−パラ−フェニレン(LPPP)、およびポリ(テトラヒドロピレン)(PTHP)などのポリフェニレン;ポリ(9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジイル)、ポリ(2,8−(6,7,12,12−テトラアルキルインデノフルオレン)およびフルオレン−アミノ共重合体(例えば、Bemiusら、「Developmental Progress of Electroluminescent Polymeric Materials and Devices」、Proceedings of SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III、コロラド州、デンバー、1999年7月、3797巻、129頁、を参照のこと)などのフルオレン含有共重合体などのポリフルオレンが含まれる。
ルミネセンス領域において使用することができる、別の種類の有機エレクトロルミネセンス材料は、これに限らないが、それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4539507号、第5151629号、第5150006号、第5141671号および第5846666号において開示されている金属オキシノイド化合物である。例示的な例には、トリス(8−ヒドロキシキノリネート)アルミニウム(AlQ)、およびビス(8−ヒドロキシキノラト)−(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(BAlq)が含まれる。この種類の材料の他の例には、トリス(8−ヒドロキシキノリネート)ガリウム、ビス(8−ヒドロキシキノリネート)マグネシウム、ビス(8−ヒドロキシキノリネート)亜鉛、トリス(5−メチル−8−ヒドロキシキノリネート)アルミニウム、トリス(7−プロピル−8−キノリノラト)アルミニウム、ビス[ベンゾ{f}−8−キノリネート]亜鉛、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリネート)ベリリウムなど、およびビス(8−キノリンチオラト)亜鉛、ビス(8−キノリンチオラト)カドミウム、トリス(8−キノリンチオラト)ガリウム、トリス(8−キノリンチオラト)インジウム、ビス(5−メチルキノリンチオラト)亜鉛、トリス(5−メチルキノリンチオラト)ガリウム、トリス(5−メチルキノリンチオラト)インジウム、ビス(5−メチルキノリンチオラト)カドミウム、ビス(3−メチルキノリンチオラト)カドミウム、ビス(5−メチルキノリンチオラト)亜鉛、ビス[ベンゾ{f}−8−キノリンチオラト]亜鉛、ビス[3−メチルベンゾ{f}−8−キノリンチオラト]亜鉛、ビス[3,7−ジメチルベンゾ{f}−8−キノリンチオラト]亜鉛などの金属チオキシノイド化合物などの(参照により全体が本明細書に組み込まれる)米国特許第5846666号において開示されている金属チオキシノイド化合物が含まれる。
より具体的には、ルミネセンス領域において使用することができる有機エレクトロルミネセンス材料の種類は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5516577号において開示されているものなどの、スチルベン誘導体を含む。適切なスチルベン誘導体の非限定的な例は、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニルである。
混合領域において使用することができる二極性の輸送材料の種類は、例えば、2−t−ブチル−9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ−フェニルアントラセン、9,9−ビス[4−(9−アントリル)フェニル]フローリン(9,9−bis[4−(9−anthryl)phenyl]fluorine)、および9,9−ビス[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]フローリン(9,9−bis[4−(10−phenyl−9−anthryl)phenyl]fluorine)を含む。その他の適切なアントラセンは、米国特許出願09/208172(EP1009044A2に対応する)において開示されており、米国特許第5972247号、米国特許第5935721号において開示されたもの、および米国特許出願09/771311において開示されたものであり、前記開示は、すべて参照により全体が本明細書に組み込まれる。
ルミネセンス領域において使用するのに適した、適切な有機ルミネセンス材料の別の種類は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願08/829398において開示されたオキサジアゾール金属キレートである。これらの材料には、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[5−ビフェニル−2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[5−ビフェニル−2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス(2−ヒドロキシフェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾラト]リチウム;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−p−トリル−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−p−トリル−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(3−フルオロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(4−フルオロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(4−フルオロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[5−(4−クロロフェニル)−2−(2−ヒドロキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(4−メトキシフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシ−4−メチルフェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−u,−(2−ヒドロキシナフチル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−p−ピリジル−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−p−ピリジル−1,3,4−オキサジアゾラト]ベリリウム;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(2−チオフェニル)−1,3,4−オキサジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−フェニル−1,3,4−チアジアゾラト]亜鉛;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−フェニル−1,3,4−チアジアゾラト]ベリリウム;ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾラト]亜鉛;およびビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−5−(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾラト]ベリリウムなど;およびそれぞれ全体が本明細書に組み込まれる、2000年1月21日に出願された米国特許出願09/489144、および米国特許第6057048号において開示されたものを含むトリアジンが含まれる。ルミネセンス領域は、ルミネセンス材料をドーパントとして約0.01重量%から約25重量%さらに含むことができる。ルミネセンス領域において使用することができるドーパント材料の例には、例えば、クマリン、ジシアノメチレンピラン、ポリメチン、オキサベンズアントラセン、キサンテン、ピリリウム、カルボスチル、ペリレンなどの蛍光材料がある。蛍光材料の別の適切な種類は、キナクリドン染料である。キナクリドン染料の例示的な例には、それぞれ全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5227252号、第5276381号、および第5593788号において開示されているキナクリドン、2−メチルキナクリドン、2,9−ジメチルキナクリドン、2−クロロキナクリドン、2−フルオロキナクリドン、1,2−ベンゾキナクリドン、N,N’−ジメチルキナクリドン、N,N’−ジメチル−2−メチルキナクリドン、N,N’−ジメチル−2,9−ジメチルキナクリドン、N,N’−ジメチル−2−クロロキナクリドン、N,N’−ジメチル−2−フルオロキナクリドン、N,N’−ジメチル−1,2−ベンゾキナクリドンがある。使用することができる蛍光材料の別の種類は、縮合環蛍光染料である。例示的な適切な縮合環蛍光染料には、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第3172862号において開示された、ペリレン、ルブレン、アントラセン、コロネン、フェナントラセン、ピレンなどが含まれる。また、蛍光材料には、それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4356429号および第5516577号において開示された、1,4−ジフェニルブタジエンおよびテトラフェニルブタジエンなどのブタジエン、およびスチルベンなどが含まれる。使用することができる蛍光材料のその他の例には、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5601903号において開示されたものがある。
加えて、光ルミネセンス領域において使用することができるルミネセントドーパントは、例えば、4−(ジシアノメチレン)−2−1−プロピル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB)などの(参照により全体が本明細書に組み込まれる)米国特許第5935720号において開示された蛍光染料;例えば、トリス(アセチルラセトナト)(フェナントロリン)テルビウム、トリス(アセチルアセトナト)(フェナントロリン)ユウロピウム、およびトリス(テノイルトリスフルオロアセトナト)(フェナントロリン)ユウロピウム、ならびに参照により全体が本明細書に組み込まれるKidoら、「White light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes」、Jpn.J.Appl.Phys.、35巻、L394〜L396頁(1996年)において開示されたものなどの希土類金属キレート錯体;ならびに参照により全体が本明細書に組み込まれるBaldoら、「Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices」、Letters to Nature、395巻、151〜154頁(1998年)において開示されたものなどの、強力なスピン−軌道結合を引き起こす、重金属原子を含有した有機金属化合物などの燐光材料である。好ましい例には、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H23H−正孔ピン白金(II)(PtOEP)およびファクトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy))が含まれる。
ルミネセンス領域は、正孔輸送特性を有する1種または複数種の材料を含むこともできる。ルミネセンス領域において使用することができる正孔輸送材料の例には、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5728801号において開示されたポリピロール、ポリアニリン、ポリ(フェニレンビニレン)、ポリチオフェン、ポリアリールアミン、およびこれらの誘導体、および公知の半導性有機材料;参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4356429号において開示された1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)などのポルフィリン誘導体;銅フタロシアニン;銅テトラメチルフタロシアニン;亜鉛フタロシアニン;酸化チタンフタロシアニン;マグネシウムフタロシアニンなどが含まれる。
ルミネセンス領域において使用することができる正孔輸送材料の具体的な種類は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第4539507号に開示されたものなどの芳香族第三級アミンである。適切な例示的芳香族第三級アミンには、これに限らないが、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ジ−1−ナフチル−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(“NPB”);これらの混合物などが含まれる。芳香族第三級アミンの別の種類は、多核芳香族アミンである。これらの多核芳香族アミンの例には、これに限らないが、N,N−ビス−(4’−(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]アニリン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−m−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−p−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−p−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]アニリン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−p−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−m−トルイジン;N,N−ビス−(4’−(N−フェニル−N−p−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−p−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−p−クロロフェニルアミノ)−4−ビフェニリル]−m−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−クロロフェニルアミノ)−4−ビフェニリル]−m−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−クロロフェニルアミノ)−4−ビフェニリル]−p−トルイジン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−p−クロロアニリン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−p−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−m−クロロアニリン;N,N−ビス−[4’−(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)−4−ビフェニリル]−1−アミノナフタレン、これらの混合物など;例えば、4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニルおよび4,4’−ビス(3−メチル−9−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニルなどの4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル化合物が含まれる。
ルミネセンス領域において使用することができる正孔輸送材料の具体的な種類は、それぞれ参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第5942340号および第5952115号において開示されたものなどのインドロカルバゾールであり、例えば、5,11−ジ−ナフチル−5,11−ジヒドロインドロ[3,2−b]カルバゾールおよび2,8−ジメチル−5,11−ジ−ナフチル−5,11−ジヒドロインドロ[3,2−b]カルバゾール;アリールがフェニル、m−トリル、p−トリル、m−メトキシフェニル、p−メトキシフェニル、1−ナフチル、2−ナフチルなどから選択することができる、N,N,N’N’−テトラアリールベンジジンなどである。N,N,N’N’−テトラアリールベンジジンの例示的な例は、N,N−ジ−1−ナフチル−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン;N,N’−ビス(3−メトキシフェニル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどである。ルミネセンス領域において使用することができる適切な正孔輸送材料は、ナフチル置換されたベンジジン誘導体である。
ルミネセンス領域は、また、電子輸送特性を有する1種または複数種の材料を含むことができる。ルミネセンス領域において使用することができる電子輸送材料の例は、組み込まれている、Bemiusら、Proceedings of SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III、コロラド州、デンバー、1999年7月、3797巻、129頁、において開示された、ポリ(9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジイル)、ポリ(2,8−(6,7,12,12−テトラアルキルインデノフルオレン))などのポリフルオレンおよびフルオレン−アミン共重合体などのフルオレンを含有する共重合体である。
ルミネセンス領域において使用することができる電子輸送材料の他の例は、金属オキシノイド化合物、オキサジアゾール金属キレート化合物、トリアジン化合物およびスチルベン化合物から選択されることができ、これらの例は、上で詳細に記述されている。
ルミネセンス領域が、有機エレクトロルミネセンス材料の他に1種または複数種の正孔輸送材料および/または1種または複数種の電子輸送材料を含んでいる実施形態では、有機エレクトロルミネセンス材料、正孔輸送材料および/または電子輸送材料は、例えば、米国特許第4539507号、第4720432号、および第4769292号において開示されたOLEDなどのように、別々の層において形成することができるか;または同一の層において、したがって、例えば、米国特許第6130001号、第6392339号、第6392250号および第6614175号において開示されたOLEDなどの、2種またはそれ以上の種類の材料の混合区域を形成する。これらの特許および特許出願の開示は、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
ルミネセンス領域の厚さは、例えば、約1nmから約1000nmまで変化しうる。実施形態では、ルミネセンス領域の厚さは約20nmから約200nmであり、他の実施形態では、約50nmから約150nmである。
本明細書において記述された、本開示による薄い金属−有機材料混合層は、単層MOML配置または多層配置であってよい。MOMLが単層配置の場合は、薄いMOMLは、一般に約5nmから約165nmの範囲の厚さを有する。Agを金属として含む単層MOMLにおいては、MOMLの厚さは、通常、i)Agコーン(cone)が約20から約30%の場合は、約10nmから約60nmであり、ii)Agコーンが約10から約18%の場合は、約100nmから約160nmである。実施形態では、薄層MOMLまたは領域は、2、3、4、5またはそれ以上の数のMOMLを備えた多層配置を有することができる。多層MOMLの厚さは、個々のMOMLの合計であり、一般に約5nmから約170nmの範囲にある。実施形態では、多層MOMLの厚さは、約15nmから約75nmの範囲にある。他の実施形態では、多層MOMLの厚さは、約110nmから約170nmの範囲にある。多層薄層MOML配置においては、MOMLのそれぞれの個別の層は、約5nmから約95nmの厚さを有することができる。
実施形態では、金属含有材料は、MOMLの約5から約50体積%の量で薄いMOML内に存在し、有機材料は、MOMLの約50から約5体積%の量で存在する。他の実施形態では、金属含有材料は、MOMLの約5から約30体積%の量で存在し、有機材料は、MOMLの約90から約70体積%の量で存在する。さらに別の実施形態では、金属含有材料は、MOMLの約5から約40体積%の量で存在する。
一実施形態では、薄いMOMLは、Agおよび1種または複数種の有機材料を含む単層配置であり、前記薄いMOMLは、MOMLの約5から約30体積%の量のAgを含み、約10nmから約60nmまたは約100nmから約160nmの厚さを有する。別の実施形態では、薄いMOMLは、MOMLの約20から約30体積%の量のAgを含み、約10nmから約60nmの厚さを有する。さらに別の実施形態では、薄いMOMLは、約10から約18体積%の量のAgを含み、約100nmから約160nmの厚さを有する。
適切などの技術でも、本開示による薄いMOMLおよび表示デバイスを形成するために使用することができる。適切な技術には、これに限らないが、物理蒸着法(PVD)、スピンコーティング、スパッタリング、電子ビーム、電子アーク、化学蒸着法などが含まれる。PVDでは、例えば、光反射低減層は、真空中で加熱された蒸着源から金属およびマトリックス材料を共蒸発させ、マスクを通して所望の基板/表面上に蒸気を凝縮/堆積させることにより形成される。個々の材料の蒸発速度を制御して、所望の金属粒子の寸法ならびに所望の金属およびマトリックス材料の比率を得るようにする。
本明細書に記載された薄い金属−有機材料混合層は、デバイスにおける環境光の反射を低減させる目的で、表示デバイスにおいて使用するのに適している。反射の低減は、例えば、太陽/肉眼−積分反射率(%)(SEIR%)によって定量化することができる。SEIRは、表示デバイス、例えばOLEDの前面で反射され、可視スペクトルの全可視域(入射光について400〜700nmの範囲内で)にわたり積分され、その範囲における肉眼の視感度に応じて重み付けされた入射光の全割合(%)である。本明細書に記載された薄いMOMLを備えた表示デバイスは、MOMLを全く含んでいない表示デバイスと比較して、光反射を少なくとも約30%、実施形態では少なくとも約50%低減する。実施形態では、本開示による薄い金属−有機材料混合層を使用している表示デバイスは、約50%未満の反射(%)を有することができる。他の実施形態では、反射(%)は約20%未満であってよい。さらに他の実施形態では、反射(%)は約10%未満であってよい。
本開示による金属−有機材料混合層の使用を、OLEDに関して記述したが、そのような金属−有機材料混合層は、いかなる種類のOLEDまたはその他の表示デバイスに対しても適用できることが理解されるはずである。例えば、本開示による薄い金属−有機材料混合層は、分子(小分子)ベースのOLED、デンドリマーベースのOLED、ポリマーベースのOLED、発光領域内に分子およびポリマー材料を備えたハイブリッドOLED、発光領域内に有機および無機材料を備えたハイブリッドOLED、無機ルミネセンスまたは蛍光体デバイス、液晶表示装置(LCD)、プラズマ表示装置などにおいて使用するのに適している。
本開示による金属−有機材料混合層を備えた表示デバイスを、以下の実施例を参照して、さらに記述し、理解する。実施例は、説明のためだけのものであり、いかなる方法によっても限定的であることは意図されていない。
(実施例I)
下の表1の実施例1〜24は、実行に移された薄層光反射低減層を備えたOLEDデバイスの概要を示す。実施例1は、いかなるMOMLも含んでいない対照デバイスである。実施例2〜10は、単層薄層MOMLを備えている。実施例11〜24は、2または3層の多層薄層MOMLを備えている。
実施例2〜24の実行に移された例の全般的な構造を図示する概略図を、図7および8に示す。図7を参照すると、単層薄層MOMLを備えた有機発光デバイスが示されている。図7では、有機発光デバイス710は、陽極720、発光領域730、および陰極740を備えている。陰極740は、任意選択の電子注入層742、薄層MOML744、およびキャッピング層746を備えている。図8を参照すると、多層薄層MOMLを備えた有機発光デバイスが示されている。有機発光デバイス810は、陽極820、発光領域830、および陰極840を備えている。陰極840は、任意選択の電子注入層842、キャッピング層846、分離した金属−有機材料混合層844A、844Bおよび場合により844Cを備えた多層薄層MOML844を備えている。
すべてのデバイスを、UV−オゾン洗浄を用いて予め洗浄したITOをコーティングしたガラス基板上に、真空(5×10−6トール)中で物理蒸着法を使用して作製した。実施例1〜24においては、発光領域は、2つの層:i)正孔輸送区域として機能する60nmのNPB層、およびii)発光および電子輸送をもたらすために機能する75nmのAlQ層、を備えている。NPBおよびAlQ層は、引き続きITOをコーティングした基板上に堆積され、ITOは正孔注入陽極として機能した。実施例2〜24のデバイスにおいては、陰極は、薄いMOML、キャッピング層、および任意選択で、電子注入層(表1に説明されている)を含んでいた。括弧内の数字はnm(nm)で表した層の厚さを指す。表1は、太陽/肉眼−積分反射率(%)(SEIR%)で表された反射率測定値からの結果を要約している。
Figure 2006332653
Figure 2006332653
(実施例II)
単層の薄いMOMLを陰極の一部として具備しているデバイスを、実施例Iにおけるデバイスについて記述した通りに調製した。この実施例の単層MOMLは、AgおよびAlQを含んでいた。それぞれ、Agを体積%で15%、17%、20%および22%含むMOMLを、0(すなわち、MOMLなし)から300nmの範囲の異なる厚さで、いくつかのデバイスにおいて評価した。デバイスの反射(%)を、555nmの波長において評価した。図9は、異なるAg濃度を有する単層MOMLの、MOMLの厚さに対して反射(%)をプロットしたグラフである。図9に示すように、MOMLの金属の濃度および/または厚さを変化させることにより、反射率水準を制御または最適化することができる。
特定の実施形態を記述してきたが、出願人またはその他の当業者は、今のところ予見されてないまたは予見されえない代替、変更形態、変形形態、改善、および実質的な均等を思いつくであろう。したがって、出願された、修正することができる添付の特許請求の範囲は、そのような代替、変更形態、変形形態、改善、および実質的な均等のすべてを含むように意図されている。
第2電極とルミネセンス領域との間に配設された薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 陽極の一部として薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 陰極の一部として薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 ルミネセンス領域の一部として薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 表示デバイスの電極の外側に、薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 多層の薄いMOMLを備えた表示デバイスの概略の横断面図である。 陰極内に単層の薄いMOMLを備え、実施例1に従って調製された、表示デバイスの概略の横断面図である。 陰極内に多層の薄いMOMLを備え、実施例1に従って調製された、表示デバイスの概略の横断面図である。 さまざまな濃度のAgを含む単一の薄いMOMLについてプロットした、反射率(%)対MOMLの厚さのグラフである。

Claims (37)

  1. 陽極;
    陰極;
    前記陽極と前記陰極との間に配設された、有機エレクトロルミネセンス材料を任意選択で含むルミネセンス領域;ならびに
    i)金属含有材料、および
    ii)有機材料
    を含む光反射低減金属−有機材料混合層(MOML)
    を備えた表示デバイスであって、
    前記金属−有機材料混合層は、約5nmから約170nmの厚さを有する表示デバイス。
  2. 前記金属−有機材料混合層は、約10nmから約60nmの厚さを有する請求項1に記載の表示デバイス。
  3. 前記金属−有機材料混合層は、約100nmから約160nmの厚さを有する請求項1に記載の表示デバイス。
  4. 前記金属−有機材料混合層は、前記金属含有材料をMOMLの約5から約50体積%の量で、および前記有機材料をMOMLの約50から約5体積%の量で含む請求項1に記載の表示デバイス。
  5. 前記金属は、前記MOMLの約5から約30体積%の量で存在する請求項1に記載の表示デバイス。
  6. 前記金属はAgである請求項5に記載の表示デバイス。
  7. 前記金属はAgであり、および前記有機混合層は、前記金属を前記MOMLの約5から約30体積%の量で含む請求項2に記載の表示デバイス。
  8. 前記金属はAgであり、および前記有機混合層は、前記金属を前記MOMLの約20から約30体積%の量で含む請求項2に記載の表示デバイス。
  9. 前記金属はAgであり、および前記有機混合層は、前記金属を前記MOMLの約5から約30体積%の量で含む請求項3に記載の表示デバイス。
  10. 前記金属はAgであり、および前記有機混合層は、前記金属を前記MOMLの約10から約18体積%の量で含む請求項3に記載の表示デバイス。
  11. 前記MOMLは、前記陰極と前記ルミネセンス領域との間に設置されている請求項1に記載の表示デバイス。
  12. 前記MOMLは、前記陽極と前記ルミネセンス領域との間に設置されている請求項1に記載の表示デバイス。
  13. 前記金属−有機材料混合層は、複数の金属−有機材料混合層を備えている請求項1に記載の表示デバイス。
  14. 前記ルミネセンス領域は、有機エレクトロルミネセンス材料を含む請求項1に記載の表示デバイス。
  15. 第1電極;
    第2電極;
    前記第1電極と前記第2電極との間に配設された、有機エレクトロルミネセンス材料を任意選択で含むルミネセンス領域;ならびに
    複数の金属−有機材料混合層を備え、それぞれの金属−有機材料混合層は金属および有機材料を含む光反射低減領域
    を備えた表示デバイスであって、
    前記光反射低減領域は、約10nmから約175nmの厚さを有する表示デバイス。
  16. 前記光反射低減領域のそれぞれ個々の金属−有機材料混合層は約5nmから約170nmの厚さを有する請求項15に記載の表示デバイス。
  17. 前記光反射低減領域は、約10nmから約100nmの厚さを有する請求項15に記載の表示デバイス。
  18. 前記光反射低減領域は、約30nmから約50nmの厚さを有する請求項15に記載の表示デバイス。
  19. 前記複数の金属−有機材料混合層のそれぞれは、前記金属−有機材料混合層の約5から約50体積%の量で前記金属を含む請求項15に記載の表示デバイス。
  20. 前記複数の金属−有機材料混合層の少なくとも1つにおける前記金属は、Agである請求項19に記載の表示デバイス。
  21. 前記複数の金属−有機材料混合層のそれぞれは、Agを含む請求項19に記載の表示デバイス。
  22. 前記複数の金属−有機材料混合層のそれぞれは、前記金属−有機材料混合層の約10から約40体積%の量で前記金属を含む請求項15に記載の表示デバイス。
  23. 前記複数の金属−有機材料混合層の少なくとも1つにおける前記金属は、Agである請求項22に記載の表示デバイス。
  24. 前記光反射低減領域は、前記陰極と前記ルミネセンス領域との間に設置されている請求項15に記載の表示デバイス。
  25. 前記光反射低減領域は、前記陽極と前記ルミネセンス領域との間に設置されている請求項15に記載の表示デバイス。
  26. 前記ルミネセンス領域は、有機エレクトロルミネセンス材料を含んでいる請求項15に記載の表示デバイス。
  27. (i)陽極;
    (ii)前記陽極上に配設された、有機エレクトロルミネセンス材料を任意選択で含むルミネセンス領域;
    (iii)前記ルミネセンス領域上に配設された電子注入材料を含む任意選択の層;
    (iv)(i)前記任意選択の電子注入材料、および(ii)前記ルミネセンス領域の1つの上に配設された単層金属−有機材料混合層(MOML)であって、Ag含有材料および有機材料を含み、前記Ag含有材料は、前記MOMLの約5から約30体積%の量で存在し、前記MOMLは、i)約10nmから約60nm、およびii)約100nmから約160nmの一方の厚さを有するMOML;ならびに
    (v)陰極
    を備えた表示デバイス。
  28. 前記MOMLは、約10nmから約60nmの厚さを有する請求項27に記載の表示デバイス。
  29. 前記MOMLは、約100nmから約160nmの厚さを有する請求項27に記載の表示デバイス。
  30. 前記MOMLは、i)MOMLの約20から約30体積%の量でAgを含み、ii)約10nmから約60nmの厚さを有する請求項27に記載の表示デバイス。
  31. MOMLは、MOMLの約22体積%の量でAgを含む請求項30に記載の表示デバイス。
  32. 前記MOMLは、i)MOMLの約10から約18体積%の量でAgを含み、ii)約100nmから約160nmの厚さを有する請求項27に記載の表示デバイス。
  33. MOMLは、MOMLの約15体積%の量でAgを含む請求項32に記載の表示デバイス。
  34. 電子注入材料を含む前記任意選択の層が存在する請求項27に記載の表示デバイス。
  35. 前記電子注入材料は、Ca、Li、K、Na、Mg、Al、In、Y、Sr、Cs、Cr、Ba、Scおよびこれらの化合物から選択される請求項34に記載の表示デバイス。
  36. 電子注入材料を含む前記層は、約0.1nmから約10nmの厚さを有する請求項35に記載の表示デバイス。
  37. 前記ルミネセンス領域は、有機エレクトロルミネセンス材料を含んでいる請求項27に記載の表示デバイス。
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