DE102006023513B4 - Dünnschicht-metall-organische Mischschichten (MOML) enthaltende Anzeigevorrichtungen mit vermindertem Reflektionsgrad - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 154
- -1 SrF 2 Inorganic materials 0.000 description 52
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 26
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 12
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- MHTSJSRDFXZFHQ-UHFFFAOYSA-M quinoline-8-thiolate Chemical compound C1=CN=C2C([S-])=CC=CC2=C1 MHTSJSRDFXZFHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- ZDKWTABKAODLJI-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-quinoline-2-thione Chemical compound CC1=C2C=CC(=S)NC2=CC=C1 ZDKWTABKAODLJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd] RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M potassium chloride Inorganic materials [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 2
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 2
- UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxy-2-quinolinecarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C(=O)O)=CC=C21 UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQDYNFWTFJFEPR-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3a-tetrahydropyrene Chemical compound C1=C2CCCC(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 HQDYNFWTFJFEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLMFFMFAXJSDRR-UHFFFAOYSA-N 2,8-dimethyl-5,11-dinaphthalen-1-ylindolo[3,2-b]carbazole Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1N1C2=CC=C(C)C=C2C2=C1C=C(C=1C(=CC=C(C=1)C)N1C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C1=C2 CLMFFMFAXJSDRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-5,12-dihydroquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound N1C2=CC=C(C)C=C2C(=O)C2=C1C=C(C(=O)C=1C(=CC=C(C=1)C)N1)C1=C2 TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004180 3-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(F)=C1[H] 0.000 description 1
- BELZNVWOTRMVFA-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-n-[4-[4-(n-(3-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound COC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(OC)C=CC=2)=C1 BELZNVWOTRMVFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXDFYRFGCYTYPB-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1h-quinoline-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(=S)C(C)=CC2=C1 NXDFYRFGCYTYPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-N-[4-[4-(N-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-N-phenylaniline Chemical compound CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1 QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DISZOYLMLQLMFJ-UHFFFAOYSA-N 5,11-dinaphthalen-1-ylindolo[3,2-b]carbazole Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1N1C2=CC=CC=C2C(C=C23)=C1C=C2C1=CC=CC=C1N3C1=CC=CC2=CC=CC=C12 DISZOYLMLQLMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQXIUGMJPUHAX-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)anthracene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=CC2=CC=CC=C12 RRQXIUGMJPUHAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJTQKPNNQVLHHO-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole;1h-indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 QJTQKPNNQVLHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GOZPTOHMTKTIQP-UHFFFAOYSA-N OC1=CC=CC2=CC=C3C=CC(=NC3=C21)C(=O)O Chemical compound OC1=CC=CC2=CC=C3C=CC(=NC3=C21)C(=O)O GOZPTOHMTKTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021608 Silver(I) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- OGBCJPBMDCHZRK-UHFFFAOYSA-K [Al+3].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-] Chemical compound [Al+3].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-].C(CC)C1=CC=C2C=CC=NC2=C1C(=O)[O-] OGBCJPBMDCHZRK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical group 0.000 description 1
- 229910052767 actinium Inorganic materials 0.000 description 1
- QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N actinium atom Chemical compound [Ac] QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N europium;1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Inorganic materials [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RIWUZCPNZAUGCE-UHFFFAOYSA-L magnesium;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Mg+2].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 RIWUZCPNZAUGCE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Inorganic materials [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M silver monofluoride Chemical compound [F-].[Ag+] REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003513 tertiary aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical compound C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Anzeigevorrichtung, umfassend eine Anode; eine Kathode; einen zwischen der Anode und der Kathode angeordneten Lumineszenzbereich; und einen die Lichtreflexion reduzierenden Bereich, umfassend drei metall-organische Mischschichten (MOML), die jeweils in unterschiedlichen Konzentrationen i) ein jeweils in den Schichten gleiches metallhaltiges Material und ii) ein jeweils in den Schichten gleiches organisches Material umfassen, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich eine Dicke von etwa 30 nm besitzt und jede metall-organische Mischschicht eine Dicke von etwa 1 nm bis etwa 15 nm besitzt; wobei das Metall Ag ist und in einer Menge von etwa 5 bis etwa 30 Vol.-% in jeder MOML vorliegt.
Description
- HINTERGRUND
- Die vorliegende Offenbarung betrifft, in verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen, Anzeigevorrichtungen, umfassend dünne (Dünnschicht) metall-organische Mischschichten (MOMLs). Die dünnen metall-organischen Mischschichten umfassen Metallteilchen in einem organischen Matrixmaterial. Obwohl die dünnen metall-organischen Mischschichten speziell in Bezug auf organische lichtemittierende Vorrichtungen (OLEDs) beschrieben werden, ist klar, dass die dünnen metall-organischen Mischschichten für andere ähnliche Anwendungen und Anzeigevorrichtungen zugänglich sind.
- Organische lichtemittierende Vorrichtungen (OLEDs) stellen eine vielversprechende Technologie für Anzeigeanwendungen dar. Eine typische organische lichtemittierende Vorrichtung beinhaltet eine erste Elektrode; einen Lumineszenzbereich, der ein oder mehrere lumineszierende organische Materialien umfasst; und eine zweite Elektrode; wobei eine der ersten und der zweiten Elektrode als Leerstellen-einspritzende Anode, und die andere Elektrode als Elektronen-einspritzende Kathode fungiert; und wobei eine der ersten und der zweiten Elektrode eine Frontelektrode, und die andere Elektrode eine Rückelektrode ist. Die Frontelektrode ist transparent (oder zumindest teilweise transparent), während die Rückelektrode üblicherweise hoch reflektiv gegenüber Licht ist. Wenn eine Spannung zwischen den ersten und zweiten Elektroden angelegt wird, wird Licht aus dem lichtemittierenden Bereich und durch die transparente Frontelektrode emittiert. Wenn sie unter starker Umgebungsbeleuchtung betrachtet wird, reflektiert die reflektive Rückelektrode eine beträchtliche Menge der Umgebungsbeleuchtung auf den Beobachter, was in höheren Anteilen von reflektierter Beleuchtung resultiert, verglichen mit der Eigenemission der Vorrichtung, was ein „Washout” des angezeigten Bildes ergibt.
- Um allgemein den Kontrast von elektrolumineszierenden Vorrichtung zu verbessern, wurden Schichten zur Verminderung der Lichtreflexion, wie sie bspw. im
US-Patent Nr. 4,287,449 beschrieben sind, oder optische Interferenzbauteile, wie sie bspw. imUS-Patent Nr. 5,049,780 beschrieben sind, verwendet, um die Reflexion der Umgebungsbeleuchtung zu verringern. - Ein anderes Problem bekannter organischer lichtemittierender Vorrichtungen hat seine Ursache in der Verwendung von Metallen mit geringer Austrittsarbeit, und daher hoher Reaktivität, in den Kathoden. Aufgrund ihrer hohen Reaktivität sind solche Kathodenmaterialien unter Umgebungsbedingungen instabil und reagieren mit atmosphärischem O2 und Wasser, um nicht-emissive dunkle Flecken auszubilden. Siehe z. B. Burrows et al., „Reliability and Degradation of Organic Light Emitting Devices”, Appl. Phys. Lett. Bd. 65, Seiten 2922–2924 (1994). Um solche Umgebungseffekte zu reduzieren werden organische lichtemittierende Vorrichtungen normalerweise unmittelbar nach der Herstellung unter strengen Bedingungen, wie zum Beispiel Atmosphären mit weniger als 10 ppm Feuchtigkeit hermetisch abgedichtet.
- Andere kürzliche Entwicklungen zur Verringerung von Umgebungslicht in Anzeigevorrichtungen waren auf metall-organische Mischschichten gerichtet, wie sie z. B. in der US-Patentanmeldung Nr. 10/117,812, die als
US-Patentveröffentlichung Nr. 2002/0180349 US-Patent Nr. 6,841,932 , und in der US-Patentanmeldung Nr. 10/401,238, die alsUS-Patentveröffentlichung Nr. 2003/0234609 - Es gibt weiterhin ein Bedürfnis, Zusammensetzungen bereit zu stellen, die zur Verwendung in einer Schicht zur Verminderung der Lichtreflexion für Anzeigevorrichtungen verwendet werden können. Zudem gibt es ebenfalls ein Bedürfnis, neue, zur Verwendung in einer Anzeigevorrichtung geeignete Anordnungen von die Lichtreflexion vermindernden Schichten bereit zu stellen, die schneller, einfacher oder billiger herzustellen sind.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Erfindungsgemäß sind lediglich jene Ausführungsbeispiele dieser Beschreibung, die sich den Gegenständen der Ansprüche 1 bis 13 sachlich unterordnen.
-
1 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine zwischen einer zweiten Elektrode und einem Lumineszenzbereich angeordnete dünne MOML; -
2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine dünne MOML als Teil einer Anode; -
3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine dünne MOML als Teil einer Kathode; -
4 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine dünne MOML als Teil eines Lumineszenzbereichs; -
5 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine dünne MOML außerhalb der Elektroden der Anzeigevorrichtung; -
6 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, umfassend eine mehrlagige dünne MOML; -
7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, die gemäß Beispiel I hergestellt wurde, und die eine einzelne dünne MOML in der Kathode umfasst; -
8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung, die gemäß Beispiel I hergestellt wurde, und die eine mehrlagige dünne MOML in der Kathode umfasst; und -
9 ist eine grafische Darstellung der prozentualen Reflexion gegen die MOML-Dicke für einzelne dünne MOMLs, umfassend unterschiedliche Konzentrationen von Ag. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Erfindungsgemäß sind lediglich jene Ausführungsbeispiele dieser Beschreibung, die sich den Gegenständen der Ansprüche 1 bis 13 sachlich unterordnen. Dies gilt insbesondere für Angabe bezüglich Schichtdicken und Volumenprozenten. Die folgende Beschreibung enthält auch nicht unter die Ansprüche fallende Ausführungsbeispiele.
- Die Offenbarung betrifft Anzeigevorrichtungen umfassend eine dünne metall-organische Mischschicht. Die dünne metall-organische Mischschicht zeigt Eigenschaften zur Verringerung der Lichtreflexion und ist in der Lage, als eine Schicht zur Verringerung der Lichtreflexion zu fungieren. Eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfasst allgemein eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, einen zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordneten Lumineszenzbereich, und eine dünne metall-organische Mischschicht. Die dünne metall-organische Mischschicht umfasst ein Metallmaterial und ein organisches Material und weist eine Gesamtschichtdicke von weniger als 175 nm auf, und kann, in einigen Ausführungsformen, eine Gesamtschichtdicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 175 nm aufweisen. Zum Beispiel kann eine dünne metall-organische Mischschicht zwischen der ersten Elektrode und dem Lumineszenzbereich; zwischen der zweiten Elektrode und dem Lumineszenzbereich; als Teil der ersten Elektrode; als Teil des Lumineszenzbereiches; oder außerhalb einer der ersten oder zweiten Elektroden angeordnet sein.
- Eine Anzeigevorrichtung kann eine dünne metall-organische Mischschicht umfassen, die entweder eine einzelne metall-organische Mischschicht oder eine Vielzahl von dünnen metall-organischen Mischschichten umfasst. In einer Einzelschicht-Anordnung beträgt die Dicke der MOML im Allgemeinen weniger als 175 nm. Die Dicke einer Einzelschicht-MOML kann im Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 60 nm liegen, oder ungefähr 100 nm bis ungefähr 160 nm, abhängig von der Konzentration des Metalls. In einer Anzeigevorrichtung, die eine Vielzahl von dünnen metall-organischen Mischschichten umfasst, können die metall-organischen Mischschichten durch eine oder mehrere für eine Anzeigevorrichtung geeignete Schichten getrennt sein. Alternativ kann eine Vielzahl von metall-organischen Mischschichten so betrachtet werden, dass sie einen Bereich oder eine Zone bilden, worin die Vielzahl von metall-organischen Mischschichten miteinander in Kontakt stehen, d. h., in einer gestapelten Anordnung, oder die Vielzahl von metall-organischen Mischschichten sind durch eine oder mehrere der Schichten getrennt. In Ausführungsformen, in denen die dünne metall-organische Mischschicht eine Mehrschicht-Anordnung aufweist, beträgt die Gesamtdicke der dünnen MOML weniger als 175 nm. In einigen Ausführungsformen kann die eine Vielzahl von MOMLs umfassende dünne MOML eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 175 nm aufweisen. In einigen Ausführungsformen kann die eine Vielzahl von MOMLs umfassende dünne MOML eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm aufweisen. In einigen Ausführungsformen kann die eine Vielzahl von MOMLs umfassende dünne MOML eine Dicke von ungefähr 30 nm bis ungefähr 50 nm aufweisen.
- Gemäß noch einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung eine Anode; eine Kathode; einen zwischen der Anode und der Kathode angeordneten lumineszenten Bereich; und eine einzelne metall-organische Mischschicht (MOML), umfassend Silber (Ag) und ein organisches Material, wobei die MOML Silber (Ag) in einer Menge von ungefähr 22 Volumenprozent der MOML umfasst und eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 60 nm aufweist.
- Gemäß noch einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Anzeigevorrichtung eine Anode; eine Kathode; einen zwischen der Anode und der Kathode angeordneten lumineszenten Bereich; und eine einzelne metall-organische Mischschicht (MOML), umfassend Silber (Ag) und ein organisches Material, wobei die MOML Silber (Ag) in einer Menge von ungefähr 15 Volumenprozent der MOML umfasst und eine Dicke von ungefähr 100 nm bis ungefähr 160 nm aufweist.
- Für die vorliegende Offenbarung gelten die folgenden Definitionen. Im Allgemeinen bezieht sich, falls nicht anders angegeben, der Ausdruck „Schicht” auf eine einzelne Beschichtung, im Allgemeinen mit einer Zusammensetzung, die sich von der Zusammensetzung einer benachbarten Schicht in Bezug auf mindestens eines von i) der Konzentration der Komponenten und ii) den Komponenten, die die entsprechende Zusammensetzung bilden, unterscheidet. Zum Beispiel werden benachbarte Schichten als getrennt angesehen, wenn sie aus Zusammensetzungen mit den gleichen Komponenten aber mit unterschiedlichen Konzentrationen gebildet sind. Bitte beachten Sie, dass der Ausdruck „metall-organische Mischschicht”, wie er hierin verwendet wird, entweder eine einzelne metall-organische Mischschicht oder eine Vielzahl von metall-organischen Mischschichten umschließt, die einen speziellen Bereich oder Zone zur Verringerung der Lichtreflexion bilden. Der Ausdruck „Bereich” bezieht sich auf eine einzelne Schicht, eine Vielzahl von Schichten wie zum Beispiel 2, 3, 4, 5 oder mehr Schichten, und/oder eine oder mehrere „Zonen”. Der Ausdruck „Zone”, so wie er hierin verwendet wird, wie zum Beispiel in Bezug auf die Ladungstransportzone (d. h., Leerstellen-Transportzone und Elektronen-Transportzone), die lichtemittierende Zone und die Zone zur Verringerung der Lichtreflexion bezieht sich auf eine einzelne Schicht, eine Vielzahl von Schichten, ein einzelnes funktionelles Gebiet oder eine Vielzahl von funktionellen Gebieten. „Lichtemittierender Bereich” und „Lumineszenzbereich” werden abwechselnd verwendet.
- Ein besseres Verständnis der hierin offenbarten Verfahren und Vorrichtungen kann durch Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erhalten werden. Diese Figuren stellen lediglich auf der Einfachheit und der Erleichterung des Darstellung der vorliegenden Entwicklung basierende schematische Darstellungen dar, und sind daher nicht dazu gedacht, die relative Größen und Dimensionen der Anzeigevorrichtungen oder deren Bauteile anzugeben, und/oder den Umfang der beispielhaften Ausführungsformen zu definieren oder zu begrenzen.
- Obwohl in der folgenden Beschreibungen um der Klarheit willen spezielle Ausdrücke verwendet werden, sind diese Ausdrücke dazu gedacht, sich lediglich auf die spezielle Struktur der für die Darstellung ausgewählten Ausführungsformen zu beziehen, und sind nicht dazu gedacht, den Umfang der Offenbarung zu definieren oder zu begrenzen. In den Zeichnungen und der unten folgenden Beschreibung ist es offenbar, dass sich gleiche zahlenmäßige Bezeichnungen auf Bauteile gleicher Funktion beziehen.
- Die
1 –5 zeigen verschiedene beispielhafte Ausführungsformen von Anzeigevorrichtungen gemäß der Offenbarung, umfassend eine Schicht zur Verringerung der Lichtreflexion. Unter Bezugnahme auf1 umfasst eine organische lichtemittierende Vorrichtung110 eine, erste Elektrode120 , einen Lumineszenzbereich130 , eine zweite Elektrode150 und eine zwischen der zweiten Elektrode150 und dem Lumineszenzbereich130 angeordnete dünne metall-organische Mischschicht140 . - Unter Bezugnahme auf
2 umfasst eine organische lichtemittierende Vorrichtung210 eine Anode220 , einen Lumineszenzbereich230 und eine Kathode240 . Die Anode220 umfasst eine ein Anodenmaterial enthaltende Schicht221 und eine dünne MOML222 . - Unter Bezugnahme auf
3 umfasst eine organische lichtemittierende Vorrichtung310 eine Anode320 , einen Lumineszenzbereich330 , und eine Kathode340 . Die Kathode340 umfasst eine dünne metall-organische Schicht341 gemäß der vorliegenden Offenbarung und eine zusätzliche Schicht342 . Es ist klar, dass eine Anzeigevorrichtung wie zum Beispiel die in4 gezeigte Vorrichtung eine oder mehrere zusätzliche Schichten wie zum Beispiel die Schicht342 umfassen kann. Eine zusätzliche Schicht, wie zum Beispiel die Schicht342 , kann zum Beispiel eine Deckschicht oder ein DeckBereich sein. In Ausführungsformen einer Kathode umfassend eine oder mehrere solcher zusätzlicher Schichten, wirkt die Schicht zur Verringerung der Lichtreflexion als Elektroneninjektions-Kontakt. Die Schicht zur Verringerung der Lichtreflexion wird so ausgebildet, dass sie den Lumineszenzbereich30 kontaktiert. - Unter Bezugnahme auf
4 wird eine dünne metall-organische Mischschicht als Teil des Lumineszenzbereichs gezeigt. In der4 umfasst die organische lichtemittierende Vorrichtung410 eine erste Elektrode Anode420 , einen Lumineszenzbereich430 , und eine zweite Elektrode440 . Der lumineszierende Bereich430 umfasst eine erste Ladungstransport-Zone431 , eine lichtemittierende Zone432 und eine zweite Ladungstransport-Zone433 . Wie in4 gezeigt, umfasst die zweite Ladungstransport-Zone433 eine dünne metall-organische Mischschicht433A und eine Ladungstransport-Schicht433B . Die erste Elektrode kann entweder eine Kathode oder eine Anode sein, und die zweite Elektrode kann entweder eine Kathode oder eine Anode sein. Zudem kann die erste Ladungstransport-Zone431 entweder eine Leerstellentransport-Zone (wobei die zweite Ladungstransport-Zone eine Elektronentransport-Zone ist) oder eine Elektronentransport-Zone sein (wobei die zweite Ladungstransport-Zone eine Leerstellentransport-Zone ist). - Es versteht sich, dass die dünne metall-organische Mischschicht irgendwo innerhalb des Lumineszenzbereiches angeordnet sein kann. Zum Beispiel kann die MOML innerhalb der Elektronen-Transportzone oder der Leerstellen-Transportzone (und kann somit als Teil davon angesehen werden) angeordnet sein (wobei die Elektronen-Transportzone und die Leerstellen-Transportzone mit funktionellen Gebieten der gleichen Schicht oder zwei, drei oder mehr Schichten, die den Lumineszenzbereich umfassen, korrespondieren). Die dünne metall-organische Schicht kann auch zwischen der Elektronen-Transportzone und der lichtemittierenden Zone oder zwischen der Leerstellen-Transportzone und der lichtemittierenden Zone angeordnet sein.
- Unter Bezugnahme auf
5 ist eine Anzeigevorrichtung gezeigt, in der eine dünne metall-organische Mischschicht außerhalb der Elektroden angeordnet oder positioniert ist. In5 umfasst die organische lichtemittierende Vorrichtung510 eine erste Elektrode520 , einen Lumineszenzbereich530 , eine zweite Elektrode540 , und eine außerhalb der zweiten Elektrode540 angeordnete dünne metall-organische Mischschicht550 . Die erste Elektrode kann entweder die Anode oder die Kathode und die zweite Elektrode kann entweder die Kathode oder die Anode sein. - Unter Bezugnahme auf
6 ist eine mehrlagige dünne metall-organische Mischschicht umfassende Anzeigevorrichtung gezeigt. In6 umfasst die organische lichtemittierende Vorrichtung610 eine erste Elektrode620 , einen Lumineszenzbereich630 , und eine zweite Elektrode640 . Die erste Elektrode kann entweder eine Kathode oder eine Anode sein, und die zweite Elektrode kann entweder ein Kathode oder eine Anode sein. Die zweite Elektrode640 umfasst eine dünne metall-organische Mischschicht641 und eine zusätzliche Schicht642 . Der dünne metall-organische Mischschicht-Bereich641 umfasst drei separate dünne metall-organische Mischschichten641A ,641B und641C . Wie hierin verwendet werden benachbarte dünne metall-organische Mischschichten als separat angesehen, wenn die Zusammensetzungen der benachbarten Schichten sich voneinander in Bezug auf entweder die Komponenten der dünnen metall-organischen Mischschicht oder der Konzentrationen oder Verhältnisse der Komponenten in den Schichten unterscheiden. Das heißt, benachbarte dünne metall-organische Mischschichten mit denselben Komponenten, d. h., demselben Metallmaterial und organischen Material, werden als separate Schichten angesehen, wenn die Komponenten in den entsprechenden Schichten in unterschiedlichen Konzentrationsniveaus vorhanden sind. Für die Zwecke der Offenbarung werden benachbarte dünne metall-organische Mischschichten mit der exakt gleichen Zusammensetzung als eine einzelne dünne metall-organische Mischschicht angesehen. Obwohl als Teil der zweiten Elektrode, wie zum Beispiel der Kathode, gezeigt, ist klar, dass eine dünnen MOML, umfassend eine Vielzahl von MOMLs Teil der ersten Elektrode, einschließlich zum Beispiel der Anode, Teil des Lumineszenzbereichs, angeordnet zwischen einer der ersten und der zweiten Elektroden und des Lumineszenzbereichs sein kann, oder außerhalb einer der ersten oder zweiten Elektroden angeordnet sein kann. - Obwohl nicht in den Figuren gezeigt, versteht es sich, dass eine Anzeigevorrichtung wie zum Beispiel die OLEDs der
1 –8 , ein eine der ersten oder zweiten Elektroden benachbartes Substrat beinhalten können, d. h., benachbart entweder der Anode oder der Kathode. Ein im Wesentlichen transparentes Substrat kann unterschiedliche geeignete Materialien umfassen, einschließlich zum Beispiel polymere Komponenten, Glas, Quartz und dergleichen. Geeignet polymere Materialien beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Polyester wie zum Beispiel Polycarbonate, Polyacrylate, Polymethacrylate, Polysulfone und dergleichen. Andere Substratmaterialien können ebenfalls ausgewählt werden, vorausgesetzt, zum Beispiel, dass die Materialien die anderen Schichten wirksam unterstützen können und nicht mit der funktionellen Leistung der Vorrichtung interferieren. - Ein opakes Substrat kann unterschiedliche geeignete Materialien umfassen, einschließlich zum Beispiel polymere Komponenten wie zum Beispiel Polycarbonate, Polyacrylate, Polymethacrylate, Polysulfone und dergleichen, die Färbungsmittel oder Farbstoffe wie zum Beispiel Ruß enthalten. Das Substrat kann auch aus Silizium bestehen, wie zum Beispiel amorphes Silizium, polykristallines Silizium, Einkristallsilizium und dergleichen. Eine andere Klasse von Materialien, die in dem Substrat verwendet werden können, sind Keramiken wie zum Beispiel metallische Verbindungen wie Metalloxide, Metallhalogenide, Metallhydroxide, Metallsulfide und andere.
- In einigen Ausführungsformen kann das Substrat eine Dicke aufweisen, die sich zum Beispiel im Bereich zwischen ungefähr 10 und ungefähr 5000 Mikrometer bewegt. In anderen Ausführungsformen kann das Substrat eine Dicke von ungefähr 25 bis ungefähr 1000 Mikrometer aufweisen.
- Eine dünne metall-organische Mischschicht umfasst i) ein metallhaltiges Material, und ii) ein organisches Material, und weist eine Dicke von weniger als 175 nm auf. In einigen Ausführungsformen weist eine dünne metall-organische Mischschicht eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 70 nm auf. In anderen Ausführungsformen weist eine dünne metall-organische Mischschicht eine Dicke von ungefähr 30 nm bis ungefähr 50 nm auf. In dünnen, eine Vielzahl von MOMLs umfassenden MOMLs können die individuellen MOMLs in einigen Ausführungsformen eine Dicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 95 nm, und in anderen Ausführungsformen von ungefähr 1 nm bis ungefähr 45 nm aufweisen.
- Geeignete Metalle zur Verwendung in einer dünnen MOML beinhalten zum Beispiel Metalle und Metallverbindungen mit lichtabsorbierenden Eigenschaften. Die Metalle können sein, sind aber nicht beschränkt auf, zum Beispiel Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Nm, Tc, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, B, AI, Ga, In, Sn, Pb, Sb, Bi, Se, Te, Ce, Nd, Sm, und Eu. In einigen Ausführungsformen beinhaltet der Ausdruck „Metalle” Sb, Se, und Te. In weiteren Ausführungsformen kann eine Metalllegierung verwendet werden, um die MOML auszubilden. Ein Metall der Metalllegierung wird als das Metall enthaltene Material betrachtet; das andere Metall oder Metalle der Metalllegierung werden als die zusätzliche Komponente oder Komponenten der MOML betrachtet. Zum Beispiel würde eine binäre Metalllegierung in Kombination mit dem organischen Material als ternäre MOML betrachtet.
- Die Metallverbindungen für die dünne MOML können ein Metallhalogenid (z. B. Fluorid, Chlorid, Bromid, Iodid), Metalloxid, Metallhydroxid, Metallnitrid, Metallsulfid, Metallcarbid und Metallborid sein. Die Metallhalogenide können sein, sind aber nicht beschränkt auf, zum Beispiel, LiF, LiCI, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCI, CsF, CsCI, MgF2, CaF2, SrF2, AlF3, AgCl, AgF, and CuCl2. Die Metalloxide können sein, sind aber nicht beschränkt auf, Li2O, Ca2O, Cs2O, In2O3, SnO2, ZnO, ITO, Cu2O, CuO, Ag2O, NiO, TiO, Y2O3, ZrO2, Cr2O3. Das Metallhydroxid kann sein, ist aber nicht beschränkt auf, zum Beispiel, AgOH. Das Metallnitrid kann sein, ist aber nicht beschränkt auf, LaN, YN and GaN. Das Metallsulfid kann sein, ist aber nicht beschränkt auf, ZnS, Sb2S3, Sb2S5, und CdS. Das Metallcarbid kann sein, ist aber nicht beschränkt auf, Li2C, FeC and NiC. Das Metallborid kann sein, ist aber nicht beschränkt auf, CaB6.
- Das Metallmaterial kann auch Metallnanoteilchen umfassen, wie in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 11/133,753 (
US 2006-0263593 A1 ) beschrieben, die gleichzeitig hiermit eingereicht wurde und durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird. - Wie hierin beschrieben sind einige Metallverbindungen als elektrisch leitend und Licht absorbierend bekannt. Mischungen von organischen Verbindungen und diesen Metallverbindungen können daher in einigen Ausführungsformen in der Lage sein, die gewünschten Merkmale der dünne MOMLs gemäß der vorliegenden Offenbarung enthaltenden Vorrichtungen zu realisieren. In einigen Ausführungsformen kann das Metall enthaltende Material zur Verwendung in der MOML eine Metallverbindung sein, insbesondere Metallverbindungen, die sowohl elektrisch leitend als auch Licht absorbierend sein können, wie zum Beispiel Ag2O, Cu2O, CuO, FeC, Fe2O3, Fe3O4, NiO, V2O5, ZnS, ZnO, In2O3 und SnO2.
- Eine metall-organische Mischschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt Eigenschaften zur Verringerung der Lichtreflexion. Infolgedessen kann eine metall-organische Mischschicht, die eine metall-organische Mischschicht, umfassend eine Vielzahl von metall-organischen Mischschichten beinhaltet, als Schicht zur Verringerung der Licht-reflexion, Bereich zur Verringerung der Lichtreflexion, und/oder Zone zur Verringerung der Lichtreflexion bezeichnet werden.
- Geeignete organische Materialien für die MOML können zum Beispiel elektrolumineszente Materialien sein, die bei der Herstellung des lumineszenten Bereichs der Anzeigevorrichtung verwendet werden, wobei solche elektrolumineszenten Materialien hierin beschrieben sind. Zum Beispiel können für die MOML geeignete Materialien molekulare (niedermolekulare) organische Verbindungen wie zum Beispiel Metalloxinoide, Metallchelate, tertiäre aromatische Amine, Indolcarbazole, Porphyrine, Phthalocyanine, Triazine, Anthracene und Oxadiazole beinhalten; und polymere Verbindungen wie zum Beispiel Polythiophene, Polyfluorene, Polyphenylene, Polyaniline und Polyphenylenvinylene. Andere organische Verbindungen, die ebenfalls in einer dünnen MOML verwendet werden können, beinhalten Polypolycarbonate, Polyethylen, Polystyrole, organische Farbstoffe und Pigmente (z. B., Perinone, Coumarine und andere kondensierte aromatische Ringverbindungen). Andere Beispiele für geeignete organische Materialien beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Tris(8-hydroxychinolat)aluminium (AlQ3) oder andere geeignete Komplexe von 8-Hydroxychinolinen.
- Eine Anode kann geeignete Materialien zur Injektion positiver Ladungen aufweisen, wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO), Silizium, Zinnoxid, und Metalle mit einer Austrittsarbeit im Bereich von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV wie zum Beispiel Gold, Platin und Palladium. Andere geeignete Materialien für die Anode beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, elektrisch leitfähigen Kohlenstoff, π-konjugierte Polymere wie zum Beispiel Polyanilin, Polythiophen, Polypyrrol, und dergleichen mit zum Beispiel einer Austrittsarbeit gleich oder größer als, z. B., ungefähr 4 eV, und, in einigen Ausführungsformen, von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV. Eine im Wesentlichen transparente Anode kann zum Beispiel umfassen Indium-Zinn-Oxid (ITO), sehr dünne, im Wesentlichen transparente metallische Schichten, umfassend ein Metall mit einer Austrittsarbeit im Bereich von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV, wie zum Beispiel Gold, Palladium und dergleichen, mit einer Dicke von beispielsweise ungefähr 1 nm bis ungefähr 20 nm (ungefähr 10 Ångström bis ungefähr 200 Ångström), und, in einigen Ausführungsformen, von ungefähr 3 nm bis ungefähr 10 nm (ungefähr 30 Ångström bis ungefähr 100 Ångström). Zusätzliche geeignete Formen der Anode sind in den
US-Patenten Nr. 4,885,211 und5,703,436 offenbart, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen werden. Eine Anode kann außerdem eine metall-organische Mischschicht (MOML) umfassen, wie in der gleichzeitig anhängigen US-Patentanmeldung Ser. Nr. 10/117,812 offenbart, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird. Die Dicke der Anode kann sich im Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 5000 nm (ungefähr 10 Ångström bis ungefähr 50000 Ångström) bewegen, wobei der gewünschte Bereich von den elektrischen und optischen Konstanten des Anodenmaterials abhängt. Ein beispielhafter Bereich der Anodendicke beträgt ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm (ungefähr 300 Ångström bis ungefähr 3000 Ångström). Natürlich kann eine Dicke außerhalb dieses Bereiches ebenfalls verwendet werden. - Die Kathode kann geeignete Elektronen-Einspritzmaterialien, wie zum Beispiel Metalle, enthalten, einschließlich Komponenten mit hoher Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Metalle mit, zum Beispiel, einer Austrittsarbeit von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV, oder Komponenten mit niedriger Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Metalle mit, zum Beispiel, einer Austrittsarbeit von ungefähr 2 eV bis ungefähr 4 eV. Die Kathode kann eine Kombination eines Metalls mit niedriger Austrittsarbeit (weniger als ungefähr 4 eV) und mindestens einem weiteren Metall umfassen. Wirksame Verhältnisse des Metalls mit niedriger Austrittsarbeit zu dem zweiten oder anderen Metall liegen zwischen weniger als ungefähr 0,1 Gew.-% bis ungefähr 99,9 Gew.-%. Veranschaulichende Beispiele von Metallen mit niedriger Austrittsarbeit beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Alkalimetalle wie zum Beispiel Lithium oder Natrium; Metalle der Gruppe 2A oder Erdalkalimetalle wie zum Beispiel Beryllium, Magnesium, Calcium oder Barium; und Metalle der Gruppe III einschließlich Seltenerdmetalle und die Metalle der Actinidengruppe wie zum Beispiel Scandium, Yttrium, Lanthan, Cer, Europium, Terbium oder Actinium. Lithium, Magnesium und Calcium sind bevorzugte Metalle mit niedriger Austrittsarbeit. Geeignete Materialien zur Ausbildung der Kathode beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, die Mg-Ag-Legierungs-Kathoden, die in den
US-Patenten Nr. 4,885,211 ,4,720,432 und5,703,436 beschrieben sind, deren Offenbarung durch Bezugnahme vollständig hierin aufgenommen wird. Andere geeignete Kathoden umfassen eine metall-organische Mischschicht (MOML), wie sie in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 10/117,812 offenbart ist, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird. Die Kathode kann auch eine Schicht zur Verringerung der Lichtrefkletion beinhalten, wie sie in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 11/133,753 (US 2006-0263593 A1 ) beschrieben ist, die gleichzeitig eingereicht wurde, deren vollständige Offenbarung hierin durch Bezugnahme aufgenommen wird. Die Kathoden können aus Lithiumlegierungen mit anderen Metallen mit niedriger Austrittsarbeit, wie zum Beispiel Aluminium oder Indium, hergestellt werden. - Eine im Wesentlichen transparente Kathode kann sehr dünne, im Wesentlichen transparente metallische Schichten umfassen, die ein Metall mit einer Austrittsarbeit umfassen, die sich im Bereich von ungefähr 2 eV bis ungefähr 4 eV bewegt, wie zum Beispiel Mg, Ag, Al, Ca, In, Li und ihre Legierungen wie zum Beispiel Mg:Ag-Legierungen, die zum Beispiel aus ungefähr 80 bis 95 Volumenprozent Mg und ungefähr 20 bis ungefähr 5 Volumenprozent Ag zusammengesetzt sind; und Li:Al-Legierungen, die zum Beispiel aus ungefähr 90 bis 99 Volumenprozent Al und ungefähr 10 bis ungefähr 1 Volumenprozent Li zusammengesetzt sind, und dergleichen, mit einer Dicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 20 nm (ungefähr 10 Ångström bis ungefähr 200 Ångström), und, in einigen Ausführungsformen, von ungefähr 3 nm bis ungefähr 10 nm (ungefähr 30 Ångström bis ungefähr 100 Ångström). Natürlich kann auch eine Dicke außerhalb dieses Bereiches verwendet werden.
- In einigen Ausführungsformen können die Kathoden eine oder mehrere zusätzliche Schichten umfassen. Die eine oder mehreren zusätzlichen Schicht(en) der Kathoden können mindestens ein Metall und/oder mindestens ein anorganisches Material umfassen. Geeignete beispielhafte Metalle, die in den zusätzlichen Schichten verwendet werden können, beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, Mg, Ag, Al, In, Ca, Sr, Au, Li, Cr und Mischungen davon. Geeignete beispielhafte anorganische Materialien, die in den zusätzlichen Schichten verwendet werden können, beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, SiO, SiO2, LiF, MgF2 und Mischungen davon.
- Die eine oder mehreren zusätzlichen Schicht(en) können die gleichen oder voneinander unterschiedliche Funktionen aufweisen. Zum Beispiel können eine oder mehrere Schichten der Kathode ein Metall umfassen oder im Wesentlichen daraus bestehen, um eine leitfähige Schicht mit einem niedrigen Flächenwiderstand (z. B. < 10 Ω/square) auszubilden. Zusätzlich können eine oder mehrere zusätzliche Schichten der Kathode die metall-organische Mischschicht vor der Umgebung durch Ausbildung einer Passivierungsschicht (wie zum Beispiel einer Feuchtigkeitsbarriere) schützen, die das Eindringen von Umgebungsfeuchtigkeit in die MOML, den Lumineszenzbereich und die Anode verhindert oder zumindest reduziert. Ebenfalls können eine oder mehrere zusätzliche Schichten der Kathode als thermische Schutzschicht wirken, um einen Schutz vor Kurzschlüssen in der Vorrichtung bei erhöhten Temperaturen vorzusehen. Zum Beispiel kann ein solcher Schutz bei Temperaturen bereit gestellt werden, die sich im Bereich von ungefähr 60°C bis ungefähr 110°C bewegen, wie es detaillierter in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 09/770,154, eingereicht am 26. Jan. 2001, beschrieben ist, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird.
- Die Dicke der Kathode kann sich im Bereich von, zum Beispiel, ungefähr 10 Nanometer bis ungefähr 1000 Nanometer bewegen. Dicken außerhalb dieses Bereiches können ebenfalls verwendet werden.
- Die in den vorliegenden OLEDs verwendete Anode und Kathode können jeweils eine Einzelschicht sein oder können zwei, drei oder mehr Schichten umfassen. Zum Beispiel kann die Elektrode aus einer Ladungsinjektionsschicht (d. h., eine Elektronen-Injektionsschicht oder eine Leerstellen-Injektionsschicht) und einer Deckschicht bestehen. In einzelnen Ausführungsformen kann die Ladungsinjektionsschicht jedoch als von der Elektrode verschieden angesehen werden.
- Eine Elektronen-Injektionsschicht kann sehr dünne, im Wesentlichen transparente metallische Schichten beinhalten, zusammengesetzt aus einem Metall mit einer Austrittsarbeit, die sich im Bereich von ungefähr 2 eV bis ungefähr 4 eV bewegt, wie zum Beispiel Mg. Ag, Al, Ca, In, Li und ihren Legierungen, wie zum Beispiel Mg:Ag-Legierungen, zusammengesetzt, zum Beispiel, aus ungefähr 80 bis 90 Volumenprozent Mg und ungefähr 20 bis ungefähr 5 Volumenprozent Ag, und Li:Al-Legierungen, zusammengesetzt, zum Beispiel, aus ungefähr 90 bis 99 Volumenprozent Al, und ungefähr 10 bis ungefähr 1 Volumenprozent Li, und dergleichen, mit einer Dicke von, zum Beispiel, ungefähr 1 nm bis ungefähr 20 nm (ungefähr 10 Ǻngström bis ungefähr 200 Ǻngström), und, in einigen Ausführungsformen, von ungefähr 3 nm bis ungefähr 10 nm (ungefähr 30 Ǻngström bis ungefähr 100 Ǻngström). Natürlich kann auch eine Dicke außerhalb dieser Bereiche verwendet werden. Die Elektronen-Injektionsschicht kann auch sehr dünne isolierende Materialien beinhalten, wie zum Beispiel ein Oxidmaterial oder eine Alkalimetallverbindung, wie in den
US-Patenten Nr. 5,457,565 ;5,608,287 und5,739,635 beschrieben, die jeweils hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen werden. - Die Leerstellen-Injektionsschicht kann aus geeigneten Injektionsmaterialien für positive Ladungen zusammengesetzt sein, wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO), Silizium, Zinnoxid, und Metalle mit einer Austrittsarbeit, sie sich im Bereich von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV bewegt, wie zum Beispiel Gold, Platin und Palladium. Andere geeignete Materialien für die Leerstellen-Injektionsschicht beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, elektrischen leitfähigen Kohlenstoff, π-konjugierte Polymere wie zum Beispiel Polyanilin, Polythiophen, Polypyrrol und dergleichen mit, zum Beispiel, einer Austrittsarbeit gleich oder größer als ungefähr 4 eV, und insbesondere von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV. Ein im Wesentlichen transparentes Leerstellen-Injektionsmaterial kann aus sehr dünnen, im Wesentlichen transparenten metallischen Schichten zusammengesetzt sein, umfassend ein Metall mit einer Austrittsarbeit, die sich im Bereich von ungefähr 4 eV bis ungefähr 6 eV bewegt, wie zum Beispiel Gold, Palladium und dergleichen, mit einer Dicke, zum Beispiel, von ungefähr 1 nm bis ungefähr 20 nm (ungefähr 10 Ǻngström bis ungefähr 200 Ǻngström), und, in einigen Ausführungsformen von ungefähr 3 nm bis ungefähr 10 nm (ungefähr 30 Ǻngström bis ungefähr 100 Ǻngström). Natürlich kann eine Dicke außerhalb dieser Bereiche ebenfalls verwendet werden. Zusätzliche geeignete Formen von Leerstellen-Injektionsschichten sind in den
US-Patenten Nr. 4,885,211 und5,703,436 offenbart, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen werden. - Eine Deckschicht auf der Anode und/oder der Kathode kann mit umfasst sein, um die thermische Stabilität zu erhöhen, die Umweltstabilität zu erhöhen, und/oder auf irgendeinem anderen Wege die Leistung der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern. Ein Beispiel einer Deckschicht, die dazu verwendet werden kann, die thermische Stabilität der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern, ist eine Schicht bestehend aus SiO, SiO2 oder Mischungen davon. Andere Beispiele sind in den
US-Patenten Nr. 6,765,348 und6,614,175 offenbart, deren Offenbarungen hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen werden. Ein Beispiel einer Deckschicht, die dazu verwendet werden kann, um die Umweltstabilität der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern, ist eine Schicht bestehend aus einem stabilen Metall wie zum Beispiel Ag, Al, In oder Au. Ein anderes Beispiel einer Deckschicht, die dazu verwendet werden kann, um die Umweltstabilität der organischen lichtemittierenden Vorrichtung zu verbessern, ist eine Schicht bestehend aus einem Metall mit niedriger Austrittsarbeit, wie es beispielsweise imUS-Patent 5,059,861 beschrieben ist. Die Dicke der Deckschicht kann sich zum Beispiel im Bereich von ungefähr 20 Nanometer bis ungefähr 5000 Nanometer bewegen. In einigen Ausführungsformen liegt die Dicke zwischen ungefähr 50 Nanometer und ungefähr 500 Nanometer. - Eine Anzeigevorrichtung kann optional eine Pufferschicht zwischen der Anode und der Leerstellen-Transportschicht umfassen. Die Pufferschicht arbeitet hauptsächlich, um eine wünschenswerte Ladungsinjektion von Leerstellen von der Anode zu erzielen, und die Haftung zwischen der Anode und der Leerstellen-Transportschicht zu verbessern, wodurch die Funktionsstabilität der Vorrichtung verbessert wird. Geeignete Materialien, die in der Pufferschicht verwendet werden können, beinhalten halbleitende organische Materialien, wie zum Beispiel, Porphyrinderivate wie 1,10,15,20-Tetraphenyl-21H,23H-porphyrin-Kupfer (II), offenbart im
US-Patent Nr. 4,356,429 , das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird; Kupfer-Phthalocyanin; Kupfertetramethylphthalocyanin; Zink-Phthalocyanin; Titanoxid-Phthalocyanin; Magnesium-Phthalocyanin und dergleichen. Mischungen dieser und anderer geeigneter Materialien können ebenfalls verwendet werden. Andere geeignete Materialien, die in der Pufferschicht verwendet werden können, beinhalten halbleitende und isolierende Metallverbindungen, wie zum Beispiel Metalloxide wie MgO, Al2O3, BeO, BaO, AgO, SrO, SiO, SiO2, ZrO2, CaO, Cs2O, Rb2O, Li2O, K2O und Na2O; und Metallhalogenide wie LiF, KCl, NaCl, CsCl, CsF und KF. Die Pufferschicht kann eine Dicke aufweisen, die sich im Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 100 nm bewegt. Ein beispielhafter Dickenbereich für die Pufferschicht liegt zwischen ungefähr 5 nm bis ungefähr 25 nm. Ein anderer beispielhafter Dickenbereich für die Pufferschicht liegt zwischen ungefähr 1 nm bis ungefähr 5 nm. - Der lumineszierende Bereich der vorliegenden Anzeigevorrichtungen umfasst in einigen Ausführungsformen mindestens ein elektrolumineszentes organisches Material. Das elektrolumineszente Material ist nicht entscheidend und kann jedes beliebige Material sein, das zur Verwendung als elektrolumineszentes Material in einer Anzeigevorrichtung verwendet werden kann. Geeignete elektrolumineszente Materialien beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, zum Beispiel Polyphenylenvinylene wie zum Beispiel Poly(p-phenylenvinylen) PPV, Poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenvinylen) (MEHPPV) und Poly(2,5-dialkoxyphenylenvinylen) (PDMeOPV), und andere Materialien, die im
US-Patent Nr. 5,247,190 offenbart sind, das hierin vollständig durch Bezugnahme aufgenommen wird; Polyphenylene, wie zum Beispiel Poly(p-phenylen) (PPP), Leiter-polypara-phenylen (LPPP), und Poly(tetrahydropyren) (PTHP); und Polyfluorene, wie zum Beispiel Poly(9,9-di-n-octylfluoren-2,7-diyl), Poly(2,8-6,7,12,12-tetraalkylindenfluoren) und Fluorene enthaltende Copolymere wie zum Beispiel Fluoren-Amin-Copolymere (siehe z. B., Bemius et al., „Developmental Progress of Electroluminescent Polymeric Materials and Devices”, Proceedings of SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials and Devices III, Denver, Colo., Juli 1999, Band 3797, S. 129). - Eine andere Klasse von organischen elektrolumineszenten Materialien, die in den lumineszenten Bereichen verwendet werden können, beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, die Metalloxinoid-Verbindungen, wie sie in den
US-Patenten Nr. 4,539,507 ;5,151,629 ;5,150,006 ;5,141,671 und5,846,666 offenbart sind, die jeweils vollständig durch Bezugnahme hierin aufgenommen werden. Erläuternde Beispiele beinhalten Tris(8-hydroxychinolat)aluminium (AlQ3), und Bis(8-hydroxychinolat)-(4-phenylphenolato)aluminium (BAlq). Andere Beispiele dieser Klasse von Materialien beinhalten Tris(8-hydroxychinolat)gallium, Bis(8-hydroxychinolat)magnesium, Bis(8-hydroxychinolat)zink, Tris(5-methyl-8-hydroxychinolat)aluminium, Tris(7-propyl-8-chinolat)aluminium, Bis[benzo{f}-8-chinolat]zink, Bis(10-hydroxybenzo[h]chinolat)beryllium und dergleichen, und Metallthioxinoid-Verbindungen, die imUS-Patent Nr. 5,846,666 offenbart sind (das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird), wie zum Beispiel Metallthioxinoid-Verbindungen von Bis(8-chinolinthiolat)zink, Bis(8-chinolinthiolat)cadmium, Tris(8-chinolinthiolat)gallium, Tris(8-chinolinthiolat)indium, Bis(5-methylchinolinthiolat)zink, Tris(5-methylchinolinthiolat)gallium, Tris(5-methylchinolinthiolat)indium, Bis(5-methylchinolinthiolat)cadmium, Bis(3-methylchinolinthiolat)cadmium, Bis(5-methylchinolinthiolat)zink, Bis[benzo{f}-8-chinolinthiolat]zink, Bis[3-methylbenzo{f}-8-chinolinthiolat]zink, Bis[3,7-dimethylbenzo{f}-8-chinolinthiolat]zink, Bis[3-methylthiobenzo{f}-8-chinolinthiolat)zink und dergleichen. - Insbesondere umfasst eine Klasse von organischen elektrolumineszenten Materialien, die in dem lumineszenten Bereich verwendet werden kann, Stilbenderivate, wie zum Beispiel solche, die im
US-Patent Nr. 5,516,577 offenbart sind, was durch Bezugnahme hierin vollständig aufgenommen wird. Ein nicht beschränkendes Beispiel eines geeigneten Stilbenderivats ist 4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl. - Eine Klasse von bipolaren Transportmaterialien, die in einem MischBereich verwendet werden können, umfasst Anthracene, wie zum Beispiel 2-t-Butyl-9,19-di-(2-naphthyl)anthracen, 9,10-Di-(2-naphthyl)anthracen, 9,10-Di-phenylanthracen, 9,9-Bis[4-(9-anthryl)phenyl]fluorin, und 9,9-Bis[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]fluorin. Andere geeignete Anthracene sind in der US-Anmeldung, Ser. Nr. 09/208,172 (entspricht
EP 1009044 A2 ), jetztUS-Patent Nr. 6,465,115 offenbart, die imUS-Patent 5,972,247 offenbarten, und die imUS-Patent 5,935,721 offenbarten, und US-Anmeldung Ser. Nr. 09/771,311, jetztUS-Patent 6,497,172 , deren Offenbarung durch Bezugnahme vollständig hierin aufgenommen werden. - Eine andere Klasse geeigneter organischer elektrolumineszenter Materialien, die zur Verwendung in dem Lumineszenzbereich geeignet sind, sind die Oxadiazol-Metallchelate, die in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 08/829,398 offenbart sind, die hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen werden. Diese Materialien beinhalten Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[5-biphenyl-2-(2-hydroxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolatolzink; Bis[5-biphenyl-2-(2-hydroxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis(2-hydroxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato]lithium; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-p-tolyl-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-p-tolyl-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-2-(2-hydroxyphenyl)1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-2-(2-hydroxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(3-fluorophenyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(4-fluorophenyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2(2-hydroxyphenyl)-5-(4-fluorophenyl)-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[5-(4-chlorophenyl)-2-(2-hydroxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxy-4-methylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-u,-(2-hydroxynaphthyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-p-pyridyl-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-p-pyridyl-1,3,4-oxadiazolato]beryllium; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(2-thiophenyl)-1,3,4-oxadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazolato]zink; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4-thiadiazolato]beryllium; Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(1-naphthyl)-1,3,4-thiadiazolato]zink; und Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-5-(1-naphthyl)-1,3,4-thiadiazolato]beryllium, und dergleichen; und die Triazine einschließlich der in der US-Patentanmeldung Ser. Nr. 09/489,144, eingereicht am 21. Jan., 2000 und
US-Patent Nr. 6,057,048 offenbarten, jeweils hierin vollständig aufgenommen. Der lumineszierende Bereich kann weiterhin von ungefähr 0,01 Gewichtsprozent bis ungefähr 25 Gewichtsprozent eines lumineszierenden Materials als Dotierungsmittel beinhalten. Beispiele von Dotierungsmitteln, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, sind fluoreszierende Materialien, wie zum Beispiel Coumarin, Dicyanomethylenpyrane, Polymethin, Oxabenzanthran, Xanthen, Pyrylium, Carbostyl, Perylen, und dergleichen. Eine andere geeignete Klasse von fluoreszierenden Materialien sind Chinacridon-Farbstoffe. Erläuternde Beispiele von Chinacridon-Farbstoffen beinhalten Chinacridon, 2-Methylchinacridon, 2,9-Dimethylchinacridon, 2-Chlorchinacridon, 2-Fluorochinacridon, 1,2-Benzochinacridon, N,N'-Dimethylchinacridon, N,N'-Dimethyl-2-methylchinacridon, N,N'-Dimethyl-2,9-dimethylchinacridon, N,N'-Dimethyl-2-chlorchinacridon, N,N'-Ddimethyl-2-fluorchacridon, N,N'-Demeyl-1,2-benzochacridon, und dergleichen, wie in denUS-Patenten Nr. 5,227,252 ;5,276,381 ; und5,593,788 offenbart, jeweils hierin vollständig aufgenommen. Eine andere Klasse von fluoreszierenden Materialien, die verwendet werden können, sind fluoreszierende Farbstoffe mit kondensierten Ringen. Beispielhafte geeignete fluoreszierende Farbstoffe mit kondensierten Ringen beinhalten Perylen, Rubren, Anthracen, Coronen, Phenanthrecen, Pyren und dergleichen, wie imUS-Patent Nr. 3,172,862 offenbart, das hierin vollständig aufgenommen wird. Die fluoreszierenden Materialien beinhalten ebenfalls Butadiene, wie zum Beispiel 1,4-Diphenylbutadien und Tetraphenylbutadien, und Stilbene, und dergleichen, wie in denUS-Patenten Nr. 4,356,429 und5,516,577 offenbart, die jeweils durch Bezugnahme vollständig hierin aufgenommen werden. Andere Beispiele von fluoreszierenden Materialien, die verwendet werden können, sind die, die imUS-Patent Nr. 5,601,903 offenbart sind, das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird. - Zusätzlich sind lumineszierende Dotierungsmittel, die in dem licht Lumineszenzbereich verwendet werden können, die fluoreszierenden Farbstoffe, die im
US-Patent Nr. 5,935,720 offenbart sind (das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird), wie zum Beispiel 4-(Dicyanomethylen)-2-2-propyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB); Die Lanthaniden-Metallchelat-Komplexe, wie zum Beispiel Tris(acetylacetonato)(phenanthrolin)terbium, Tris(acetylacetonato)(phenanthrolin)europium, und Tris(thenoyltrisfluoracetonato)(phenanthrolin)europium, und diejenigen, die in Kido et al., „White light emitting organic electroluminescent device using lanthanide complexes”, Jpn. J. Appl. Phys., Band 35, Seiten L395–L396 (1996) offenbart sind, was durch Bezugnahme hierin vollständig aufgenommen wird; und phosphoreszierende Materialien, wie zum Beispiel organometallische Verbindungen, die Schwermetallatome enthalten, die zu einer starken Spin-Bahn-Kopplung, wie zum Beispiel solche, die in Baldo et al., „Highly efficient organic phosphorescent emission from organic electroluminescent devices”, Letters to Nature, Band 395, Seiten 151–154 (1998) offenbart sind, was hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird. Bevorzugte Beispiele beinhalten 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H23H-porphin-platin(II) (PtOEP) und fac Tris(2-phenylpyridin)iridium (Ir(ppy)3). - Der lumineszierende Bereich kann auch ein oder mehrere Materialien mit Leerstellen-Transporteigenschaften enthalten. Beispiele von Leerstellen-Transportmaterialien, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, beinhalten Polypyrrole, Polyanilin, Poly(phenylenvinylen), Polythiophen, Polyarylamin, wie im
US-Patent Nr. 5,728,801 offenbart, das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird, und ihre Derivate, und bekannte halbleitende organische Materialien; Porphyrinderivate wie zum Beispiel 1,10,15,20-tetraphenyl-21H,23H-porphyrin-Kupfer(II), offenbart imUS-Patent Nr. 4,356,429 , hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen; Kupfer-Phthalocyanin; Kupfertetramethylphthalocyanin; Zink-Phthalocyanin; Titanoxid-Phthalocyanine; Magnesium-Phthalocyanine; und dergleichen. - Eine spezielle Klasse von Leerstellen-Transportmaterialien, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, sind die aromatischen tertiären Amine, wie zum Beispiel solche, die in dem
US-Patent Nr. 4,539,507 offenbart sind, das hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird. Geeignete beispielhafte aromatische tertiäre Amine beinhalte, sind aber nicht beschränkt auf, Bis(4dimethylamino-2-methylphenyl)phenylmethan; N,N,N-Trip-tolyl)amin; 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexan; 1,1-Bis(4-di-p-tolylaminophenyl)-4-phenylcyclohexan; N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin; N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin; N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(4-methoxyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin; N,N,N',N'-Tetra-p-tolyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine; N,N'-Di-1-naphthyl-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamin; N,N'-Di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidin (”NPB”); Mischungen davon und dergleichen. Eine andere Klasse von aromatischen tertiären Aminen sind polynukleare aromatisch Amine. Beispiele dieser polynuklearen aromatischen Amine beinhalten, sind aber nicht beschränkt auf, N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-tolylamino)-4-biphenylyl]anilin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-tolylamino)-4-biphenylyl]-m-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-tolylamino)-4-biphenylyl]-p-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-p-tolylamino)-4-biphenylyl]anilin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-p-tolylamino)-4-biphenylyl]-m-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-p-tolylamino)-4-biphenylyl]-p-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-Phenyl-N-p-chlorphenylamino)-4-biphenylyl]-m-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-Phenyl-N-m-chlorphenylamino)-4-biphenylyl]-m-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-chlorphenylamino)-4-biphenylyl]-p-toluidin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-tolylamino)-4-biphenylyl]-p-chloranilin; N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-p-tolylamino)-4-biphenylyl]-m-chloranilin, N,N-Bis-[4'-(N-phenyl-N-m-tolylamino)-4-biphenylyl]-1-aminonaphthalen, Mischungen davon und dergleichen; 4,4'-Bis-(9-carbazolyl)-1,1'-biphenyl-Verbindungen, wie zum Beispiel 4,4'-Bis-(9-carbazolyl)-1,1'-biphenyl und 4,4'-Bis-(3-methyl-9-carbazoy)-1,1'biphenyl, und dergleichen. - Eine spezielle Klasse von Leerstellen-Transportmaterialien, die in dem lumineszenten Bereich verwendet werden können, sind die Indol-Carbazole, wie solche, die in den
US-Patenten Nr. 5,942,340 und5,952,115 offenbart sind, jeweils hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen, wie zum Beispiel 5,11-Di-naphthyl-5,11-dihydroindolo[3,2-b]carbazol, und 2,8-Ddimethyl-5,11-di-naphthyl-5,11-dihydroindolo[3,2-b]carbazol; N,N,N'N'-Tetraarylbenzidine, worin Aryl ausgewählt sein kann aus Phenyl, m-Tolyl, p-Tolyl, m-Methoxyphenyl, p-Methoxyphenyl; 1-Naphthyl, 2-Naphthyl und dergleichen. Erläuternde Beispiele von N,N,N'N'-Tetraarylbenzidin sind N,N,-Di-1-naphthyl-N,N'-diphenyl-1,1'biphenyl-4,4'-diamin; N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'diamin; N,N'-Bis(3-methoxyphenyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphertyl-4,4'-diamin, und dergleichen. Geeignete Leerstellen-Transportmaterialien, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, sind die Naphtyl-substituierten Benzidinderivate. - Der lumineszierende Bereich kann auch ein oder mehrere Materialien mit Elektronen-Transporteigenschaften beinhalten. Ein Beispiel von Elektronen-Transportmaterialien, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, sind Polyfluorene, wie zum Beispiel Poly(9,9-di-noctylfluoren-2,7-diyl), Poly(2,8-(6,7,12,12-tetraalkylindenofluoren)) und Copolymere enthaltend Fluoren wie zum Beispiel Fluoren-Amin-Copolymere, wie in dem aufgenommenen Artikel Bernius et al., Proceedings of SPIE Conference an Organic Light Emitting Materials and Devices III, Denver, Colo., Juli 1999, Band 3797, S. 129 beschrieben.
- Andere Beispiele von Elektronen-Transportmaterialien, die in dem Lumineszenzbereich verwendet werden können, können aus den Metalloxinoid-Verbindungen, den Oxadiazol-Metallchelat-Verbindungen, den Triazinverbindungen und den Stilbenverbindungen gewählt werden, von denen oben detaillierte Beispiele gegeben wurden.
- In einigen Ausführungsformen, in denen der lumineszierende Bereich ein oder mehrere Leerstellen-Transportmaterialien und/oder ein oder mehrere Elektronen-Transportmaterialien zusätzlich zu dem/den organischen elektrolumineszierenden Material(ien) beinhaltet, kann das organische elektrolumineszierende Material, das/die Leerstellen-Transportmaterial(ien) und/oder das/die Elektronen-Transportmaterial(ien) in separaten Schichten ausgebildet sein, wie zum Beispiel die in den
US-Patenten Nr. 4,539,507 ;4,720,432 und4,769,292 offenbarten OLEDs; oder in derselben Schicht, wo sie auf diese Weise gemischte Zonen von zwei oder mehr materialien ausbilden, wie zum Beispiel die in demUS-Patenten Nr. 6,131,001 ;6,392,339 ;6,392,250 und6,614,175 offenbarten OLEDs. Die Offenbarungen dieser Patente und Patentanmeldungen werden hierin durch Bezugnahme vollständig aufgenommen. - Die Dicke des Lumineszenzbereichs kann variieren von, zum Beispiel, ungefähr 1 nm bis ungefähr 1000 nm. In einigen Ausführungsformen liegt die Dicke des Lumineszenzbereichs zwischen ungefähr 20 nm und ungefähr 200 nm, in anderen Ausführungsformen zwischen ungefähr 50 nm und ungefähr 150 nm.
- Wie hierin beschrieben kann eine dünne metall-organische Mischschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung eine Einzelschicht-MOML-Anordnung oder eine Mehrschicht-Anordnung sein. Wenn die MOML eine Einzelschicht-Anordnung ist, weist die dünne MOML eine Dicke im Allgemeinen im Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 165 nm auf. In einer Einzelschicht-MOML, umfassend Ag als Metall, beträgt die Dicke der MOML im Allgemeinen i) von ungefähr 10 nm bis ungefähr 60 nm, wenn der Silberkern zwischen ungefähr 20 und ungefähr 30% liegt, und ii) von ungefähr 100 nm bis ungefähr 160 nm, wenn der Silberkern von ungefähr 10 bis ungefähr 18% liegt. In einigen Ausführungsformen kann eine Dünnschicht-MOML oder ein Bereich eine Mehrschicht-Anordnung aufweisen, die 2, 3, 4, 5 oder mehr MOMLs umfasst. Die Dicke einer Mehrschicht-MOML, die die Summe der individuellen MOMLs darstellt, liegt im Allgemeinen im Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 170 nm. In einigen Ausführungsformen liegt die Dicke einer Mehrschicht-MOML im Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 75 nm. In anderen Ausführungsformen liegt die Dicke der Mehrschicht-MOML im Bereich von ungefähr 110 nm bis ungefähr 170 nm. In Mehrschicht-Dünnschicht-MOML-Anordnungen kann jede individuelle Schicht der MOML eine Dicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 95 nm aufweisen.
- In einigen Ausführungsformen ist das metallhaltige Material in einer dünnen MOML in einer Menge von ungefähr 5 bis ungefähr 50 Volumenprozent vorhanden, und das organische Material ist in einer Menge von ungefähr 50 bis ungefähr 5 Volumenprozent der MOML vorhanden. In anderen Ausführungsformen ist das metallhaltige Material in einer Menge von ungefähr 5 bis ungefähr 30 Volumenprozent vorhanden, und das organische Material ist in einer Menge von ungefähr 90 bis ungefähr 70 Volumenprozent der MOML vorhanden. In noch weiteren Ausführungsformen ist das metallhaltige Material in einer Menge von ungefähr 5 bis ungefähr 40 Volumenprozent der MOML vorhanden.
- In einer Ausführungsform ist die dünne MOML eine Einzelschicht-Anordnung, umfassend Ag und ein oder mehrere organische Materialien, wobei die dünne MOML Ag in einer Menge von ungefähr 5 bis ungefähr 30 Volumenprozent der MOML umfasst und eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 60 nm oder von ungefähr 100 nm bis ungefähr 160 nm aufweist. In einer anderen Ausführungsform umfasst die dünne MOML Ag in einer Menge von ungefähr 20 bis ungefähr 30 Volumenprozent der MOML und weist eine Dicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 60 nm auf. In noch einer anderen Ausführungsform umfasst die dünne MOML Ag in einer Menge von ungefähr 10 bis ungefähr 18 Volumenprozent und weist eine Dicke von ungefähr 100 nm bis ungefähr 160 nm auf.
- Es kann jedes geeignete Verfahren angewendet werden, um eine lichtabsorbierende Schicht und eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung auszubilden Geeignete Verfahren beinhalte, sind aber nicht beschränkt auf, thermische Abscheidung aus der Dampfphase (PVD), Spin-Coating, Sputtern, Elektronenstrahl, Elektronen-Lichtbogen, chemische Abscheidung aus der Dampfphase (CVD), Flüssigabscheidung und dergleichen. Bei PVD wird zum Beispiel eine die Lichtreflexion reduzierende Schicht durch Co-Verdampfung des Metalls und des Matrixmaterials aus beheizten Quellen in einem Vakuum und Kondensieren/Abscheiden des Dampfes auf dem gewünschten Substrat/Oberfläche durch eine Maske gebildet. Die Verdampfungsrate der individuellen Materialien wird kontrolliert, um die gewünschte Metallteilchengröße und das gewünschte Verhältnis des Metalls und der Matrixbestandteile zu erhalten.
- Die hierin beschriebenen dünnen metall-organischen Schichten sind geeignet für die Verwendung in einer Anzeigevorrichtung, um die Reflexion von Umgebungslicht in der Vorrichtung zu verringern. Die Reflexionsverringerung kann vermittels, zum Beispiel, einer Sun/Eye-Integrated Reflectance Percentage (SEIR%) quantifiziert werden. SEIR ist der Gesamt-Prozentanteil des einfallenden Lichts, das von der Anzeigevorrichtung, d. h., OLED, reflektiert wird, front-integriert über den gesamten sichtbaren Bereich des sichtbaren Spektrums (im Bereich von 400–700 nm für einfallendes Licht) und gewichtet gegenüber der Empfindlichkeit des menschlichen Auges über diesen Bereich. In einigen Ausführungsformen kann eine Anzeigevorrichtung mit einer lichtabsorbierenden Schicht gemäß der vorliegenden Offenbarung eine prozentuale Reflexion von weniger als ungefähr 50% aufweisen. In anderen Ausführungsformen kann die prozentuale Reflexion weniger als ungefähr 20% betragen. In noch anderen Ausführungsformen kann die prozentuale Reflexion weniger als ungefähr 10% betragen.
- Obwohl die Verwendung von dünnen metall-organischen Schichten gemäß der vorliegenden Offenbarung in Bezug auf OLEDs beschrieben wurde, versteht es sich, dass solche metall-organischen Mischschichten auf jede Art von OLED oder Anzeigevorrichtung angewendet werden kann. Zum Beispiel kann eine dünne metall-organische Mischschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung geeignet sein für die Verwendung in molekular (niedermolekular)-basierten OLEDs, Dendrimer-basierten OLEDs, Polymer-basierten OLEDs, Hybrid-OLEDs, umfassend sowohl molekulare als auch polymere Materialien im lichtemittierenden Bereich, Hybrid-OLEDs, umfassend sowohl organische als auch anorganische Materialien im lichtemittierenden Bereich, anorganische elektrolumineszierende oder Phosphor-Vorrichtungen, Flüssigkristallanzeigen (LCDs), Plasma-Anzeigen und dergleichen.
- Anzeigevorrichtungen mit einer metall-organischen Mischschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung werden weiter beschrieben und sind zu verstehen in Bezug auf die folgenden Beispiele. Die Beispiele dienen lediglich dem Zweck der Veranschaulichung und sind nicht in irgendeiner Weise beschränkend gedacht.
- BEISPIEL 1
- Die Beispiele 1–24 in Tabelle 1 unten fassen OLED-Vorrichtungen zusammen, die die Lichtreflexion reduzierende Dünnschicht-Schichten umfassen, die in die Praxis umgesetzt wurden. Beispiel 1 stellt eine Kontrollvorrichtung dar, die überhaupt keine MOML enthält. Die Beispiele 2–10 umfassen eine Einzelschicht-Dünnschicht-MOML. Die Beispiele 11–24 umfassen Mehrschicht-Dünnschicht-MOMLs von entweder 2 oder 3 Schichten.
- Schematische Diagramme, die die allgemeine Struktur der in die Praxis umgesetzten Beispiele der Beispiele 2–24 darstellen, sind in den
7 und8 gezeigt. Unter Bezugnahme auf7 ist eine organische lichtemittierende Vorrichtung gezeigt, umfassend eine Einzelschicht-Dünnschicht-MOML. In7 umfasst die organische lichtemittierende Vorrichtung710 eine Anode720 , einen lichtemittierenden Bereich730 , und eine Kathode740 . Die Kathode740 umfasst eine optionale Elektroneninjektionsschicht742 , eine Dünnschicht-MOML744 , und eine Deckschicht746 . Unter Bezugnahme auf8 ist eine Mehrschicht-Dünnschicht-MOML umfassende organische lichtemittierende Vorrichtung gezeigt. Die organische lichtemittierende Vorrichtung810 umfasst eine Anode820 , einen lichtemittierenden Bereich830 , und eine Kathode840 . Die Kathode840 umfasst eine optionale Elektroneninjektionsschicht842 , eine Deckschicht846 , eine Mehrschicht-Dünnschicht-MOML844 , die separate metall-organische Mischschichten844A ,844B und optional844C umfasst. - Alle Vorrichtungen wurden unter Verwendung der Abscheidung aus der Dampfphase im Vakuum (6,6661×10–4 Pa, d. h. 5×10–6 Torr) auf ITO-beschichteten Glassubstraten hergestellt, die unter Verwendung einer UV-Ozon-Reinigung vorgereinigt waren. In den Beispielen 1–24 umfasste der lichtemittierende Bereich zwei Schichten: i) eine 60 nm NPB-Schicht, die als Leerstellentransport-Zone fungiert, und ii) eine 75 nm AlQ3-Schicht, die funktionierte, um sowohl Lichtemission als auch Elektronentransport zu bieten. Die NPB- und AlQ3-Schichten wurden aufeinander folgend auf den ITO-beschichteten Substraten abgeschieden, wobei das ITO als Leerstelleninjektions-Anode fungierte. In den Vorrichtungen der Beispiele 2–24 umfassten die Kathoden eine dünne MOML, eine Deckschicht, und optional eine Elektroneninjektionsschicht (wie in Tabelle 1 ausgeführt). Die Zahlen in Klammern beziehen sich auf Schichtdicken in Nanometern (nm). Tabelle 1 fasst Ergebnisse aus Reflexionsmessungen zusammen, die in Sun/Eye-Integrated-Reflectance-Prozentanteilen (SEIR%) dargestellt sind. TABELLE 1 TABELLE 1 (fortges.)
- BEISPIEL II
- Vorrichtungen umfassend eine Einzelschicht einer dünnen MOML als Teil der Kathode wurden wie hinsichtlich der Vorrichtungen in BEISPIEL I beschrieben hergestellt. Die Einzelschicht-MOMLs in diesem Beispiel umfassten Ag und AlQ3. MOMLs, die Ag in einer Menge von 15, 17, 20 bzw. 22 Volumen-% umfassen, wurden in verschiedenen Vorrichtungen bei unterschiedlichen Dicken, die sich im Bereich von 0 (d. h., keine MOML) bis 300 nm bewegten, ausgewertet. Der Reflexions-Prozentsatz der Vorrichtungen wurde bei einer Wellenlänge von 555 nm ausgewertet.
9 ist eine grafische Darstellung der prozentualen Reflexion gegen die MOML-Dicke für die Einzelschicht-MOMLs mit unterschiedlichen Ag-Konzentrationen. Wie in9 gezeigt, kann das Reflexionsniveau durch Variieren, der Konzentration des Metalls und/oder der Dicke der MOML gesteuert und/oder optimiert werden.
Claims (13)
- Anzeigevorrichtung, umfassend eine Anode; eine Kathode; einen zwischen der Anode und der Kathode angeordneten Lumineszenzbereich; und einen die Lichtreflexion reduzierenden Bereich, umfassend drei metall-organische Mischschichten (MOML), die jeweils in unterschiedlichen Konzentrationen i) ein jeweils in den Schichten gleiches metallhaltiges Material und ii) ein jeweils in den Schichten gleiches organisches Material umfassen, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich eine Dicke von etwa 30 nm besitzt und jede metall-organische Mischschicht eine Dicke von etwa 1 nm bis etwa 15 nm besitzt; wobei das Metall Ag ist und in einer Menge von etwa 5 bis etwa 30 Vol.-% in jeder MOML vorliegt.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die MOMLs zwischen der Kathode und dem Lumineszenzbereich eingefügt sind.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die MOMLs zwischen der Anode und dem Lumineszenzbereich eingefügt sind.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Lumineszenzbereich ein organisches Elektrolumineszenzmaterial umfasst.
- Anzeigevorrichtung, umfassend: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode; einen zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordneten Lumineszenzbereich; und einen die Lichtreflexion reduzierenden Bereich, umfassend eine Vielzahl metall-organischer Mischschichten, wobei jede metall-organische Mischschicht jeweils in unterschiedlichen Konzentrationen ein jeweils in den Schichten gleiches Metall und ein jeweils in den Schichten gleiches organisches Material umfasst, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich eine Dicke von etwa 30 nm besitzt und wobei jede einzelne metall-organische Mischschicht des die Lichtreflexion reduzierenden Bereichs eine Dicke von etwa 1 nm bis etwa 15 nm besitzt; wobei das Metall Ag ist und in einer Menge von etwa 5 bis etwa 30 Vol.-% in jeder MOML vorliegt.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich zwischen der Kathode und dem Lumineszenzbereich eingefügt ist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich zwischen der Anode und dem Lumineszenzbereich eingefügt ist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Lumineszenzbereich ein organisches Elektrolumineszenzmaterial umfasst.
- Anzeigevorrichtung, umfassend: (i) eine Anode; (ii) einen auf der Anode angeordneten Lumineszenzbereich; (iii) optimal eine ein Elektronen injizierendes Material umfassende Schicht, angeordnet auf dem Lumineszenzbereich; (iv) einen die Lichtreflexion reduzierenden Bereich umfassend drei metall-organische Mischschichten (MOML), wobei die drei metall-organischen Mischschichten (MOML) auf einem aus (i) dem optimalen Elektronen injizierenden Material und (ii) dem Lumineszenzbereich angeordnet sind und in jeweils unterschiedlichen Konzentrationen ein Ag enthaltendes Material und ein jeweils in den Schichten organisches Material umfassen, wobei das Ag enthaltende Material in einer Menge von etwa 5 bis etwa 30 Vol.-% der MOMLs vorliegt, wobei der die Lichtreflexion reduzierende Bereich eine Dicke von etwa 30 nm besitzt und die MOMLs eine Dicke von etwa 1 nm bis etwa 15 nm besitzen; und (v) eine Kathode.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die optimale Schicht, welche ein Elektronen injizierendes Material umfasst, vorliegt.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei das Elektronen injizierende Material aus Ca, Li, K, Na, Mg, Al, In, Y, Sr, Cs, Cr, Ba, Sc und Verbindungen hiervon gewählt ist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die das Elektronen injizierende Material umfassende Schicht eine Dicke von etwa 0,1 nm bis etwa 10 nm besitzt.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Lumineszenzbereich ein organisches Elektrolumineszenzmaterial umfasst.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/133,752 US7795806B2 (en) | 2005-05-20 | 2005-05-20 | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
US11/133,752 | 2005-05-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006023513A1 DE102006023513A1 (de) | 2007-01-04 |
DE102006023513B4 true DE102006023513B4 (de) | 2016-09-22 |
Family
ID=36660541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006023513.4A Active DE102006023513B4 (de) | 2005-05-20 | 2006-05-18 | Dünnschicht-metall-organische Mischschichten (MOML) enthaltende Anzeigevorrichtungen mit vermindertem Reflektionsgrad |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7795806B2 (de) |
JP (1) | JP4724045B2 (de) |
KR (1) | KR101234447B1 (de) |
CN (1) | CN1866575A (de) |
CA (1) | CA2546951C (de) |
DE (1) | DE102006023513B4 (de) |
FR (1) | FR2886054B1 (de) |
GB (1) | GB2426380B (de) |
TW (1) | TWI355766B (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20060120503A (ko) | 2006-11-27 |
US7795806B2 (en) | 2010-09-14 |
GB0610047D0 (en) | 2006-06-28 |
CN1866575A (zh) | 2006-11-22 |
GB2426380B (en) | 2007-12-12 |
CA2546951C (en) | 2011-07-19 |
FR2886054B1 (fr) | 2008-09-05 |
US20060261727A1 (en) | 2006-11-23 |
DE102006023513A1 (de) | 2007-01-04 |
TW200644309A (en) | 2006-12-16 |
CA2546951A1 (en) | 2006-11-20 |
FR2886054A1 (fr) | 2006-11-24 |
JP2006332653A (ja) | 2006-12-07 |
JP4724045B2 (ja) | 2011-07-13 |
KR101234447B1 (ko) | 2013-02-18 |
GB2426380A (en) | 2006-11-22 |
TWI355766B (en) | 2012-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWAELTE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R006 | Appeal filed | ||
R008 | Case pending at federal patent court | ||
R019 | Grant decision by federal patent court | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
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