JP2006303753A5 - - Google Patents
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- 第1電圧と前記第1電圧より高い第2電圧の間で振幅する第1信号を出力する第1回路と、
前記第1信号を受けて、前記第1電圧と前記第2電圧より大きい第3電圧の間で振幅する第2信号を出力するレベルアップコンバータと、前記第2信号を受けて、前記第1電圧と前記第3電圧の間で振幅する第3信号を出力するプリバッファと、前記第3信号を受けて、前記第1電圧と前記第2電圧と前記第3電圧の間の第4電圧の間で振幅する第4信号を出力するメインバッファとを有する出力回路とを具備し、
前記第1回路は、前記第1電圧と前記第2電圧が供給され、
前記レベルアップコンバータ及び前記プリバッファは、前記第1電圧と前記第3電圧が供給され、
前記メインバッファは、前記第1電圧と前記第4電圧が供給され、
前記プリバッファは、前記レベルアップコンバータの出力ノードの駆動力を増幅し、前記メインバッファを駆動することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第2電圧が供給される複数の第1トランジスタと、
前記第3電圧が供給される複数の第2トランジスタと、
前記第4電圧が供給される複数の第3トランジスタと、を有し、
前記複数の第1トランジスタの夫々は、第1の膜厚のゲート絶縁膜を有し、
前記複数の第2及び第3トランジスタの夫々は、前記第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚のゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記複数の第2トランジスタの基板電位と前記複数の第3トランジスタの基板電位とが等しく、
前記複数の第2トランジスタのしきい値電圧が、前記複数の第3トランジスタのしきい値電圧より小さい値であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記複数の第2トランジスタの基板電位と前記複数の第3トランジスタの基板電位とが異なり、
前記複数の第2トランジスタのしきい値電圧が、前記複数の第3トランジスタのしきい値電圧と同じ値であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記複数の第2トランジスタの基板電位と前記複数の第3トランジスタの基板電位とが異なり、
前記複数の第2トランジスタのしきい値電圧が、前記複数の第3トランジスタのしきい値電圧より小さい値であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置の外部からの静電破壊を防止するためのESD回路を有し、
前記ESD回路を構成するトランジスタは、前記第4電圧が供給される入出力回路を構成するトランジスタと同じ種類のものであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1電圧と前記第1電圧より高い第2電圧の間で振幅する第1信号を出力する第1回路と、
前記第1信号を受けて、前記第1電圧と前記第1電圧より高い第3電圧の間で振幅する第2信号を出力する第1変換回路と、
前記第2信号を受けて、前記第1電圧と前記第2電圧と前記第3電圧の間の第4電圧の間で振幅する第3信号を出力する第1出力回路と、
前記第1電圧と前記第2電圧の間で振幅する第4信号を出力する第2回路と、
前記第4信号を受けて、前記第1電圧と前記第3電圧の間で振幅する第5信号を出力する第2変換回路と、
前記第5信号を受けて、前記第1電圧と前記第2電圧と前記第4電圧の間の第5電圧の間で振幅する第6信号を出力する第2出力回路とを具備し、
前記第1及び第2回路は、前記第1電圧と前記第2電圧が供給され、
前記第1及び第2変換回路は、前記第1電圧と前記第3電圧が供給され、
前記第1出力回路は、前記第1電圧と前記第4電圧が供給され、
前記第2出力回路は、前記第1電圧と前記第5電圧が供給されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項7記載の半導体集積回路装置において、
前記第1及び第2回路に用いられ、前記第1及び第2電圧が供給される第1電界効果トランジスタと、
前記第1電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より厚いゲート絶縁膜を有し、前記第3電圧が供給される第2電界効果トランジスタとを具備し、
前記第2電界効果トランジスタは、前記第1及び第2変換回路と前記第1及び第2出力回路に用いられることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1電圧と前記第1電圧より高い第2電圧の間で振幅する第1信号を出力する第1回路と、
前記第1信号を受けて、前記第1電圧と前記第1電圧より高い第3電圧の間で振幅する第2信号を出力する第1変換回路と、
前記第2信号を受けて、前記第1電圧と前記第2電圧と前記第3電圧の間の第4電圧の間で振幅する第3信号を出力する第1出力回路と、
前記第1電圧と前記第2電圧の間で振幅する第4信号を出力する第2回路と、
前記第4信号を受けて、前記第1電圧と前記第3電圧の間で振幅する第5信号を出力する第2変換回路と、
前記第5信号を受けて、前記第1電圧と前記第3電圧の間で振幅する第6信号を出力する第2出力回路とを具備し、
前記第1及び第2回路は、前記第1電圧と前記第2電圧が供給され、
前記第1及び第2変換回路と前記第2出力回路は、前記第1電圧と前記第3電圧が供給され、
前記第1出力回路は、前記第1電圧と前記第4電圧が供給されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項9記載の半導体集積回路装置において、
前記第1及び第2回路に用いられ、前記第2電圧が供給される第1電界効果トランジスタと、
前記第1電界効果トランジスタのゲート絶縁膜より厚いゲート絶縁膜を有し、前記第3電圧が供給される第2電界効果トランジスタとを具備し、
前記第2電界効果トランジスタは、前記第1及び第2変換回路と前記第1及び第2出力回路に用いられることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 入力信号を受けるインバータ回路と、
前記入力信号をゲートに受ける第1のN型トランジスタと、
前記入力信号をゲートに受け、ドレインが前記第1のN型トランジスタのドレインと接続される第1のP型トランジスタと、
前記入力信号をゲートに受け、ソースが前記第1のP型トランジスタのドレインと接続される第2のN型トランジスタと、
前記入力信号をゲートに受け、ドレインが前記第2のN型トランジスタのドレインと接続される第2のP型トランジスタと、
前記インバータ回路の出力信号をゲートに受ける第3のN型トランジスタと、
前記出力信号をゲートに受け、ドレインが前記第3のN型トランジスタと接続される第3のP型トランジスタと、
前記出力信号をゲートに受け、ソースが前記第3のP型トランジスタのドレインと接続される第4のN型トランジスタと、
前記出力信号をゲートに受け、ドレインが前記第4のN型トランジスタのソースと接続される第4のP型トランジスタと、
ゲートが前記第2のN型トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第4のP型トランジスタのソースに接続される第5のP型トランジスタと、
ゲートが前記第4のN型トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第2のP型トランジスタのソースに接続される第6のP型トランジスタと、
ゲートが前記第5のP型トランジスタのゲートと前記第4のP型トランジスタのドレインに接続される第5のN型トランジスタと、
ゲートが前記第6のP型トランジスタのゲートと前記第2のP型トランジスタのドレインに接続される第6のN型トランジスタと、
ドレインが前記第5及び第6のN型トランジスタのソースに接続され、ソースが第1電位に接続される第7のN型トランジスタとを有し、
前記インバータ回路を構成するトランジスタと、前記第1、第3のN型トランジスタと、前記第1、第3のP型トランジスタのゲート絶縁膜は、第1の膜厚であり、
前記第2、第4、第5、第6のN型トランジスタと、前記第2、第4、第5、第6のP型トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚であり、
前記第2及び第4のP型トランジスタのしきい値電圧は、前記第5及び第6のP型トランジスタのしきい値電圧よりも低く、
前記第2及び第4のN型トランジスタのしきい値電圧は、前記第5及び第6のP型トランジスタのしきい値電圧よりも低いことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1信号を受けて第2信号を出力する入力回路を具備し、
前記第1信号は、第1電圧と前記第1電圧より高い第2電圧の間で振幅し、
前記第2信号は、前記第1電圧と前記第1電圧と前記第2電圧の間の第3電圧の間で振幅し、
前記入力回路は、前記第1信号を受けて前記第1電圧と前記第2電圧より高い第4電圧の間で振幅する第3信号を出力する第1回路と、前記第3信号を受けて前記第2信号を出力するレベルコンバータとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項12記載の半導体集積回路装置において、
前記第1回路はセンスアンプ回路であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項12記載の半導体集積回路装置において、
前記第1回路はオペアンプであることを特徴とする半導体集積回路装置。
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