JP2006166394A - 監視フォトダイオードのオフセット補償回路 - Google Patents

Abstract

【課題】ＭＰＤ回路の生産後にＥＤＳウエハテストなどのテストの際にオフセット特性を修正および改善することが可能な方法を提示し、均一なＶ_offset特性を有するＭＰＤ補償回路を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅して出力する増幅素子と；前記増幅素子の一入力端に接続された主電流源、前記主電流源と並列に接続された少なくとも一つの付加電流源、および前記付加電流源それぞれに接続され、前記付加電流源をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるスイッチング素子からなる電源部と；前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と；を含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、監視フォトダイオードのオフセット電圧を補償する回路に関する。さらに詳しくは、フォトダイオードのテストによってオフセット電圧を測定し、測定された電圧値に応じて電流源およびオフセット抵抗を追加してオフセット電圧を相殺することが可能な回路に関する。

現在、光学記録装置の産業動向は、ＣＤＰ、ＤＶＤＰを経てＣＤＲＷ、ＤＶＤＲＷ、ＣＯＭＢＯ、ＳＵＰＥＲ ＣＯＭＢＯなどの記録系中心に変化しており、ＨＤＴＶ放送で代表される高画質、高容量のデータを記録・格納するために高倍速の記録系性能が求められている。そこで、ＣＤＲＷ、ＤＶＤＲＷおよびブルーレイ（Blueray）記録系光ピックアップ装置の開発が競争的に行われており、記録系ではデータ記録の際に高速のレーザ信号を用いてＣＤ、ＤＶＤメディアに記録するために速く且つ正確なＬＤ電力の調節が必要であり、このためレーザ電力監視用ＰＤＩＣ（以下、「ＭＰＤ」という）の技術が核心的である。特に、ＭＰＤは、正確なレーザ電力を監視するためにオフセット電圧の絶対値が小さくなければならない。

図１は従来のＭＰＤの回路構造を示す。ＭＰＤ（Monitoring Photo Diode）は、図１に示すように、フォトダイオード１１で入射したレーザの光信号を電流信号に変換し、Ｉ−Ｖ増幅器１２で電流信号を電圧の形態に変換し、ＧＡＩＮ増幅器１３で電圧信号を増幅して出力する。この際、出力電圧のＤＣレベルは、入力光信号がないときには基準電圧と同一でなければならない。入力光信号がないときに出力電圧をＶ_offsetというが、この値が大きければ、フォトダイオード１１に入射する正確なレーザの光信号量を測定することが難しい。Ｖ_offsetはＩ−Ｖ増幅器１２とＧＡＩＮ増幅器１３で使用されるＯＰ−ＡＭＰのエラー値によって発生する。このようなエラー値はＯＰ−ＡＭＰの特性が理想的ではないために発生する。このようなエラー値を無くすために、従来では、図２に示すように、Ｒ_offsetに補償電流Ｉ_{offset comp}を流してＶ_offsetを調節する。

図２によれば、

である。Ｖ_{in_offset}は、ＧＡＩＮ増幅器が理想的ではないために発生するもので、ＧＡＩＮ増幅器の内部にかかる電圧である。

また、図２によれば、

である。

図２において、Ｖ_in＝０のときには、理想的にＧＡＩＮ増幅器の内部に流れる電流は０でなければならないが、ＧＡＩＮ増幅器が理想的ではないため、ＧＡＩＮ増幅器の内部に入力電流が発生する。この電流をｉ_{b_diff}とすれば、Ｖ_Roff＝ｉ_{b_diff}×Ｒ_offsetであり、数式２を数式１に代入すると、

となる。

ところが、図２のようにオフセット補償電流Ｉ_{offset_comp}を流すと、Ｖ_outは次のようになる。

数式４によれば、理想的な場合のようにＶ_out＝Ｖ_x1になるためには、

でなければならなく、数式５を満足するとき、

となる。

したがって、数式５が満足されるよう、図２のようにＩ_{offset_comp}を流すことが可能な電流電源１６を回路に追加してＩ_{offset_comp}を調節すると、オフセット電圧を補償することができる。

ＭＰＤ回路は、非常に微細な大きさのレーザダイオードの電力を監視する回路であって、光信号の大きさを精密に検出しなければならないため、Ｖ_offset値を非常に精密に測定することができなければならない。これにより、通常要求される基準は誤差範囲±１２ｍＶであるが、最近は誤差範囲±３ｍＶ以内まで要求する応用分野も生じている。
しかしながら、図１および図２で説明したオフセット補償電流源を適用してオフセット補償回路を構成すると、ＭＰＤのオフセット特性はある程度改善されるが、実際チップ生産の際に増幅器のオフセット値は不規則な値を有するため、修正に限界がある。

これと関連し、特許文献１は、出力オフセット電圧を除去するために２つの前置アンプおよびこれらの出力を差動増幅する差動増幅器を備え、これらの増幅器に接続されるフィードバック抵抗を選択的に接続することにより、出力オフセット電圧を調節することが可能な回路を開示している。

ところが、前記のオフセット補償回路およびその他現在公知になっているオフセット回路は監視フォトダイオードなどの生産工程に適用することができない。よって、監視フォトダイオードの生産工程に効率よく適用可能なオフセット補償回路が要求されている。

特開２００４−１２０３１１公報

本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、ＭＰＤ回路の生産後にＥＤＳウエハテストなどのテストの際にオフセット特性を修正および改善することが可能な方法を提示し、均一なＶ_offset特性を有するＭＰＤ補償回路を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、個別ＭＰＤ製品別にＶ_offsetを選択的に補償することが可能なＭＰＤ補償回路を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、Ｖ_offset特性を改善することにより、温度によるＭＰＤのＶ_offsetドリフト特性、温度によるＭＰＤの光効率特性および生産収率を改善することにある。

上記目的を達成するために、本発明の一実施例に係るオフセット補償回路は、入力信号を増幅して出力する増幅素子と；前記増幅素子の一入力端に接続された主電流源、前記主電流源と並列に接続された少なくとも一つの付加電流源、および前記付加電流源それぞれに接続され、前記付加電流源をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるスイッチング素子からなる電源部と；前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子とを含むことを特徴とする。

また、本発明の他の実施例に係るオフセット補償回路は、入力信号を増幅して出力する増幅素子と；前記増幅素子の一入力端に接続された主抵抗、前記主抵抗と直列に接続された少なくとも一つの付加抵抗、および前記付加抵抗それぞれに接続され、前記付加抵抗をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に下降させるスイッチング素子からなる抵抗部と；前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と；を含むことを特徴とする。

また、本発明の別の実施例に係るオフセット補償回路は、入力信号を増幅して出力する増幅素子と；前記増幅素子の一入力端に接続された主電流源、前記主電流源と並列に接続された少なくとも一つの付加電流源、および前記付加電流源それぞれに接続され、前記付加電流源をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるスイッチング素子からなる電源部と；前記増幅素子の入力端のうち前記主電流源と同一の入力端に接続された主抵抗、前記主抵抗に直列に接続された少なくとも一つの付加抵抗、および前記付加抵抗それぞれに接続され、前記付加抵抗をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に下降させるスイッチング素子からなる抵抗部と、前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と；を含むことを特徴とする。

また、本発明の別の実施例に係るオフセット補償方法は、入力信号を受信して増幅し、一入力端には少なくとも２つ以上の並列に接続された電流源および少なくとも２つ以上の直列に接続された抵抗素子が接続され、他の入力端と出力端との間にはフィードバック抵抗素子が接続された増幅素子のオフセット電圧を測定する段階と、前記測定されたオフセット電圧が動作範囲内にあるか否かを判断する段階と、前記測定されたオフセット電圧値に応じて前記電流源および前記抵抗素子を選択的に不活性化させることにより前記オフセット電圧を上昇または下降させる段階とを含むことを特徴とする。

本発明に係るオフセット補償回路は、次の効果をもたらす。
１）既に製造が完成したＭＰＤのＶ_offset値を、生産された個別ＭＰＤ製品別に選択的に補償することができる。
２）Ｖ_offset特性を改善することにより、温度によるＭＰＤのＶ_offsetドリフト特性を有することができる。
３）Ｖ_offset特性を改善することにより、温度によるＭＰＤの光効率特性も改善することができる。
４）均一なＶ_offset特性のＭＰＤを生産することができるため、生産収率を高めることができる。
５）ロジック回路によって或いは自動的にＶ_offset特性が補償できるように実現して一つのセットに生産された製品において、セット製品の設計者がＶ_offset特性を所望の方向に調整して製品の互換性を増加させることができる。
６）Ｖ_offset特性を補償することにより、光ピックアップ応用分野で光信号の強度測定の正確度を改善することができる。

以下、添付図面を参照しながら本発明をより詳細に説明する。

図３は本発明の一実施例に係るＭＰＤオフセット電圧補償回路の構成を示す。図３に示すように、増幅素子２２の非反転入力端には、一定の電流を供給する主電流源Ｉ₀が接続されており、主電流源Ｉ₀に並列に少なくとも一つの付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃がお互い並列に接続される。また、増幅素子２２の非反転入力端には主抵抗Ｒ₁が接続されており、主抵抗Ｒ₁には少なくとも一つの付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄がお互い直列に接続される。また、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃にはスイッチング素子としてヒューズＦ２、Ｆ１、Ｆ０がそれぞれ直列に接続され、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄にはスイッチング素子としてヒューズＦ５、Ｆ４、Ｆ３がそれぞれ並列に接続される。

前記増幅素子２２の反転入力端と出力端との間には、フィードバック抵抗Ｒ_fgが接続され、抵抗部の抵抗値とフィードバック抵抗Ｒ_fg値に応じて増幅素子２２の増幅比が決定される。

ＭＰＤが設計されて含まれているウエハ上のチップが正常に動作するか否かをテストし修理するなど、パッケージングを行う前に製品の測定性能を確認するためにいわゆるＥＤＳ（Electrical Die Sorting）テスト過程を行うが、ＭＰＤのＥＤＳテストの際に測定されるオフセット電圧値に応じて、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃または付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄に接続されたスイッチング素子を選択的にオンオフすることにより、増幅素子２２のオフセット電圧を調節することができる。スイッチング素子としては、ヒューズ、またはＦＥＴ、ＣＭＯＳ、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を使用することができる。ヒューズの場合には、ヒューズが接続された状態はオンであり、ヒューズを切るとオフになる。

スイッチング素子としてヒューズを使用する場合、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃または付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄にヒューズをそれぞれ接続し、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃に接続されたヒューズＦ２、Ｆ１、Ｆ０または付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄に接続されたヒューズＦ５、Ｆ４、Ｆ３を選択的に切ることにより、Ｖ_offsetを調整することができる。付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃に接続されたヒューズＦ２、Ｆ１、Ｆ０を切ると、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃は電流を供給しなくなり、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄に接続されたヒューズＦ５、Ｆ４、Ｆ３を切ると、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄には電流が流れなくなり、抵抗部の総抵抗値が減少する。

知られていることではあるが、従来製造されたＭＰＤのオフセット電圧調整することができなかった。これに対し、本発明によれば、ＭＰＤの製造後にスイッチング素子を設け、当該スイッチング素子を選択的にオンオフすることにより、増幅素子のオフセット電圧を調整することができる。

対応する付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃を不活性にしているあいだ、ヒューズＦ２、Ｆ１、Ｆ０の選択的な切断はオフセット補償電流Ｉ_{offset_comp}を減少させ、オフセット電圧も減少させる。

これに対し、オフセット電圧は、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄の選択的な不活性化によって増大する。当該選択的な不活性化は、接続された対応するヒューズＦ５、Ｆ４、Ｆ３の切断に起因する。

したがって、半導体素子の製造後に行われるＥＤＳテストによってオフセット電圧を測定した後、オフセット電圧が許容範囲より高い場合は、付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃に接続されたヒューズＦ２、Ｆ１、Ｆ０を一つずつ切ることにより、オフセット電圧を減少させて許容範囲内に入るようにする。また、ＥＤＳテストによって測定されたオフセット電圧が許容範囲より低い場合は、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄に接続されたヒューズＦ５、Ｆ４、Ｆ３を一つずつ切ることにより、オフセット電圧を上昇させて許容範囲内に入るようにする。

ヒューズＦ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５を一つずつ切るたびに増加する電圧の大きさは回路の設計および回路の構成素子によって異なるが、通常のＭＰＤの場合、±１５ｍＶ〜３ｍＶずつオフセット電圧が増加または減少する。

このようなオフセット補償回路は、ＭＰＤの設計の際にマイクロ半導体集積回路内に設計するもので、微細なヒューズを選択的に切る方法としては、選択されたヒューズの両端に大量の電流を流す方式、あるいは選択されたヒューズに高温のレーザを走査する方式を使用することができる。

大量の電流を流す方式において、通常のＭＤＰの場合には、約１０ｍＡ程度を流せばヒューズが切れる。また、高温のレーザを走査する場合は、レーザ走査装備によって、切ろうとするヒューズに正確にターゲッティングした後レーザを走査すると、マイクロ回路内に集積されたヒューズを選択的に切って、各ヒューズに接続された電流源または抵抗素子を不活性化させることにより、オフセット電圧を調節することができる。

図４は本発明の一実施例に係るオフセット電圧を補償する方法を示す流れ図である。
図４を参照すると、ステップＳ１において、ＭＰＤおよびその増幅回路が含まれているウエハに対してＥＤＳテストを行う。ステップＳ２において、入力電圧Ｖ_inが０のとき、増幅素子２２のオフセット電圧Ｖ_offsetを測定する。ステップＳ３において、測定されたＶ_offset値が許容範囲内にあるか否かを判断し、許容範囲から外れた場合、ステップＳ４で、電流源または抵抗素子に接続されたスイッチング素子をオンオフしてオフセット電圧を調節する。スイッチング素子としてヒューズが接続された場合は、ヒューズＦ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５を選択的に切って電流源または抵抗素子を不活性化させることにより、増幅素子２２のオフセット電圧を±１５ｍＶ〜３ｍＶ単位で調整する。

測定されたＶ_offsetが許容範囲より高い場合は、電流源に接続されたヒューズＦ０、Ｆ１、Ｆ２を選択的に切ってオフセット電圧を低め、測定されたＶ_offsetが許容範囲より低い場合は、抵抗素子に接続されたヒューズＦ３、Ｆ４、Ｆ５を選択的に切ってオフセット電圧を上昇させる。その後、ステップＳ２でオフセット電圧を測定し、その測定結果が許容範囲に入る場合、ウエハは次の処理過程Ｓ５に移行する。

図５はスイッチング方法を示す本発明の一実施例であって、スイッチング素子としてヒューズを使用し、前記ヒューズの両端に接続されて前記ヒューズに大量の電流を流すためのスイッチングパッド２３を提供している。スイッチングパッド２３は、ＭＰＤの設計時に増幅素子などその他の回路構成要素と共に考慮され、ウエハ内に挿入されるように設計されるべきである。

スイッチングパッド２３を介してヒューズそれぞれの両端に強い電流を流してヒューズを選択的に切ると、電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃または抵抗素子Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃が不活性化されてＶ_offset値が増加または減少する。

ヒューズを切るたびに増加または減少するオフセット電圧の大きさは、増幅素子を含んだその他の素子の動作電圧範囲によって異なるが、通常のＭＰＤの場合、オフセット電圧は±１５ｍＶ〜３ｍＶ単位で調整される。ヒューズは、通常約１０ｍＡ以上の電流を流せば切れるように設計されることが好ましい。

図６は本発明の他の実施例であって、スイッチング素子としてヒューズを使用し、前記ヒューズをレーザ走査によってオフさせる方法を示す。図６に示すように、電流源または抵抗素子それぞれに接続されたヒューズＦ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５に選択的にレーザを走査することにより、ヒューズを切ることができる。
この実施例では、ウエハ内に別途のスイッチングパッド、またはその他のヒューズを切るための素子を別途に設計する必要がなく、切るべきヒューズをＥＤＳテストによって選択し、レーザを正確に走査して必要なヒューズのみを切る。

図７は本発明の別の実施例であって、スイッチング素子として、入力信号に応じてオン／オフ動作を行うことが可能なスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を使用し、オフセットコントロールブロック回路２４を用いて外部から別途のオンオフ信号を提供するオフセット補償回路を示す。

前述した実施例とは異なり、ヒューズをスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ
５、Ｓ６で代替する。これらスイッチング素子としては、デジタル入力信号によってスイッチングが可能なＦＥＴ、ＣＭＯＳ、ＭＯＳＦＥＴなどのトランジスタ素子を使用することができる。

ＥＤＳテストによって、入力電圧が０のときに増幅素子２２のオフセット電圧を測定した後、オフセット電圧が許容範囲内に入るか否かを判断する。測定されたオフセット電圧値が許容範囲から外れているので調整が必要な場合、外部からオフセットコントロールブロック２４にデータ入力端を介してスイッチング素子オンオフのための入力信号を伝達する。

オフセットコントロールブロック２４は、外部からスイッチング素子オンオフ信号の入力を受け、それに応じてスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を選択的にオン／オフして電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃または抵抗素子Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄を不活性化させることにより、オフ電圧値Ｖ_offsetを調整する。好ましくは、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６はデフォールトでオン状態にある。

付加電流源Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃に接続されたスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３をそれぞれ切るたびに、オフセット補償電流Ｉ_{offset_comp}が減少してオフセット電圧が低くなる。

また、付加抵抗Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄に接続されたスイッチング素子Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６をそれぞれ切るたびに、オフセット縁圧が増加する。

好ましくは、各スイッチング素子を切るたびに、電圧値は増幅素子の動作特性によって異なるが、通常のＭＰＤでは、オフセット電圧が±１５ｍＶ〜３ｍＶ単位で上昇または減少するように設計することが好ましい。

図８は本発明の別の実施例であって、スイッチング素子として、入力信号に応じてオンオフ動作を行うことが可能なスイッチング素子を使用し、オフセットコントロールブロック回路およびセンサを用いてオフセット電圧値を測定すると同時にオフセットを調整することが可能なオフセット電圧補償回路を示す。

図８の実施例では、オフセットコントロールブロック２４とオフセット電圧センサ部２５を追加してオフセット電圧を測定すると同時に電流量とオフセット抵抗値を調節して動的にＶ_offset電圧を補償することができる。

すなわち、図７に示した実施例とは異なり、外部から別途の信号入力を受けず、回路自体内でオフセット電圧センサ部２５が出力電圧を感知し、感知された出力電圧からオフセット電圧を測定してスイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を選択的にオンオフする。オフセット電圧センサ部２５は、ＥＤＳテスト中に測定されたオフセット電圧を入力として受信し、あるいは入力電圧が０のときに増幅素子から直接オフセット電圧を測定することもできる。

好ましくは、前記オフセット電圧の感知および調節はＥＤＳテスト中に行われることが好ましい。

以上、本発明を実施例によって説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、特許請求の範囲の解釈によって限定されるべきである。

従来のＭＰＤの回路構造を示す回路図である。 従来のＭＰＤのオフセット電圧補償方法を示す回路図である。 本発明の一実施例に係るＭＰＤオフセット電圧補償回路の構成を示す回路図である。 本発明の一実施例によってオフセット電圧を補償する方法の流れ図である。 本発明の一実施例に係る、シューズの両端に接続されたスイッチングパッドを有するオフセット電圧補償回路を示す図である。 本発明の他の実施例に係る、レーザによってヒューズを切る方法を示す回路図である。 本発明の別の実施例に係る、スイッチング素子およびオフセットコントロールブロック回路を用いて外部から別途のオン／オフ信号を提供するオフセット補償回路を示す図である。 本発明の別の実施例に係る、オフセット電圧値を測定すると同時にオフセット電圧値を調整することが可能なオフセット電圧補償回路を示す図である。

符号の説明

２２ ＧＡＩＮ増幅器
２３ スイッチングパッド
２４ オフセットコントロールブロック
２５ オフセットセンサ部

Claims (16)

1. 入力信号を増幅して出力する増幅素子と；
   前記増幅素子の一入力端に接続された主電流源、前記主電流源と並列に接続された少なくとも一つの付加電流源、および前記付加電流源それぞれに接続され、前記付加電流源をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるスイッチング素子からなる電源部と；
   前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と
   を含むことを特徴とするオフセット補償回路。
2. 前記スイッチング素子は、ヒューズからなり、
   前記ヒューズの両端に接続され、前記ヒューズに大量の電流を流すことにより前記ヒューズを切るためのスイッチングパッドを含むことを特徴とする請求項１記載のオフセット補償回路。
3. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
   前記スイッチング素子を選択的にスイッチングすることにより、前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるオフセットコントロールブロックを含むことを特徴とする請求項１記載のオフセット補償回路。
4. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
   オフセットコントロールブロックに同期し、前記増幅素子の出力電圧値を測定して前記オフセットコントロールブロックに提供するセンサ部と、
   前記センサ部の測定値に応じて前記スイッチング素子を選択的にスイッチングするオフセットコントロールブロックとを含むことを特徴とする請求項１記載のオフセット補償回路。
5. 入力信号を増幅して出力する増幅素子と；
   前記増幅素子の一入力端に接続された主抵抗、前記主抵抗と直列に接続された少なくとも一つの付加抵抗、および前記付加抵抗それぞれに接続され、前記付加抵抗をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に下降させるスイッチング素子からなる抵抗部と；
   前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と；を含むことを特徴とするオフセット補償回路。
6. 前記スイッチング素子は、ヒューズからなり、
   前記ヒューズの両端に接続され、前記ヒューズに大量の電流を流すことにより前記ヒューズを切るためのスイッチングパッドを含むことを特徴とする請求項５記載のオフセット補償回路。
7. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
   前記スイッチング素子を選択的にスイッチングすることにより、前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるオフセットコントロールブロックを含むことを特徴とする請求項５記載のオフセット補償回路。
8. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
   オフセットコントロールブロックに同期し、前記増幅素子の出力電圧値を測定して前記オフセットコントロールブロックに提供するセンサ部と、
   前記センサ部の測定値に応じて前記スイッチング素子を選択的にスイッチングするオフセットコントロールブロックとを含むことを特徴とする請求項５記載のオフセット補償回路。
9. 入力信号を増幅して出力する増幅素子と；
   前記増幅素子の一入力端に接続された主電流源、前記主電流源と並列に接続された少なくとも一つの付加電流源、および前記付加電流源それぞれに接続され、前記付加電流源をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるスイッチング素子からなる電源部と；
   前記増幅素子の入力端のうち前記主電流源と同一の入力端に接続された主抵抗、前記主抵抗に直列に接続された少なくとも一つの付加抵抗、および前記付加抵抗それぞれに接続され、前記付加抵抗をスイッチングして前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に下降させるスイッチング素子からなる抵抗部と、
   前記増幅素子の他の入力端と出力端との間に接続されたフィードバック抵抗素子と；を含むことを特徴とする請求項５記載のオフセット補償回路。
10. 前記スイッチング素子は、ヒューズからなり、
    前記ヒューズの両端に接続され、前記ヒューズに大量の電流を流すことにより前記ヒューズを切るためのスイッチングパッドを含むことを特徴とする請求項９記載のオフセット補償回路。
11. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
    前記スイッチング素子を選択的にスイッチングすることにより、前記増幅素子のオフセット電圧を段階的に上昇させるオフセットコントロールブロックを含むことを特徴とする請求項９記載のオフセット補償回路。
12. 前記スイッチング素子は、入力信号に応じてオンオフ動作を行うスイッチング素子からなり、
    オフセットコントロールブロックに同期し、前記増幅素子の出力電圧値を測定して前記オフセットコントロールブロックに提供するセンサ部と、
    前記センサ部の測定値に応じて前記スイッチング素子を選択的にスイッチングするオフセットコントロールブロックとを含むことを特徴とする請求項９記載のオフセット補償回路。
13. 入力信号を受信して増幅し、一入力端には少なくとも２つ以上の並列に接続された電流源および少なくとも２つ以上の直列に接続された抵抗素子が接続され、他の入力端と出力端との間にはフィードバック抵抗素子が接続された増幅素子のオフセット電圧を測定する段階と、
    前記測定されたオフセット電圧が動作範囲内にあるか否かを判断する段階と、
    前記測定されたオフセット電圧値に応じて前記電流源および前記抵抗素子を選択的に不活性化させることにより前記オフセット電圧を上昇または下降させる段階とを含むことを特徴とするオフセット電圧補償方法。
14. 前記電流源には直列に、前記抵抗素子には並列にヒューズがそれぞれ接続されており、
    前記オフセット電圧を上昇または下降させる段階は、
    前記ヒューズの両端に高電流を流すことにより、前記ヒューズを選択的に切る段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のオフセット電圧補償方法。
15. 前記電流源には直列に、前記抵抗素子には並列にヒューズがそれぞれ接続されており、
    前記オフセット電圧を上昇または下降させる段階は、
    レーザによって前記ヒューズを選択的に切る段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のオフセット電圧補償方法。
16. 前記電流源および抵抗素子の両端にはそれぞれスイッチング素子が接続されており、
    前記オフセット電圧を上昇または下降させる段階は、
    前記スイッチング素子を選択的にオンオフさせる段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のオフセット電圧補償方法。

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