JP4869810B2 - 減算回路 - Google Patents

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Description

本発明は、減算回路に関し、特に、ピックアップ装置に用いられて好適な減算回路に関する。
一般に、ピックアップ装置は、光学式ディスクのデータの読み取り機能だけでなく、トラック方向の誤差検出機能も有する。トラック方向の誤差に基づく誤差信号は、複数の受光素子に光スポットが入射され、各受光素子の受光量の差として出力される。例えば、図6(a)に示すように、光スポット6が、第1の受光素子1と第2の受光素子2とに均等に入射された場合、各受光素子の受光量は等しくなり、誤差信号は検出されない。一方、図6(b)、または図6(c)に示すように、前記光スポット6の入射位置がずれた場合、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2との受光量には差が生じ、この差が誤差信号として出力される。
図7は、2つの受光素子が受光した光量の差を出力する減算回路のブロック図を示す。従来技術に係る減算回路では、各受光素子から電流信号として光電流が出力される。そして、各光電流は、それぞれ電圧変換された後に、減算処理される。以下、従来技術に係る減算回路について、具体的に説明する。
先ず、第1の受光素子1、第2の受光素子2は、受光量に応じて、第1の光電流IP1、第2の光電流IP2をそれぞれ出力する。斯かる受光素子として、例えば、フォトダイオードが用いられる。
次に、前記第1の光電流IP1、前記第2の光電流IP2は、第1の電流電圧変換器5、第2の電流電圧変換器6により、それぞれ第1の電圧信号VP1、第2の電圧信号VP2に変換される。前記第1の電圧信号VP1、前記第2の電圧信号VP2のゲインは、前記第1のオペアンプ5の帰還抵抗R2、前記第2のオペアンプ6の帰還抵抗R3により、それぞれ設定される。
次に、前記電圧信号VP1は、演算増幅器9の非反転入力端子+に入力される。また、前記電圧信号VP2は、前記演算増幅器9の反転入力端子−に入力される。すなわち、前記演算増幅器9において、前記第1の電圧信号VP1は、前記非反転入力端子+に入力されたため加算信号として信号処理され、前記第2の電圧信号VP2は、前記反転入力端子−に入力されたため、減算信号として信号処理される。そして、斯かる信号処理の結果、前記演算増幅器9から、前記第1の受光素子1、前記第2の受光素子2の受光量の差に基づいた誤差信号VSが出力される。
関連した技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
特開平7−147023 特開平11−340925
上述したように、従来技術に係る減算回路では、電流信号が電圧信号に変換された後に減算処理がされていた。このため、前記第1の光電流IP1と前記第2の光電流IP2とを電圧信号に変換するために、前記第1の電流電圧変換器7と前記第2の電流電圧変換器8とがそれぞれ必要であり、レイアウト面積が大きくなっていた。
また、誤差検出に必要な受光素子は、2つとは限らず、より多くが用いられることもある。この場合、減算回路が占めるレイアウト面積は、さらに大きくなる。
しかしながら、近年の低消費電力、低コストの要求は、益々高まっており、従来技術に係る減算回路を構成する素子を低減する必要があった。
上記に鑑み、本発明に係る減算回路は、第1の受光素子から出力される第1の光電流と、第2の受光素子から出力される第2の光電流と、が入力される演算増幅器を備え、前記演算増幅器の非反転入力端子には、第1の抵抗を介して第1の基準電圧が印加され、且つ、前記非反転入力端子と前記第1の抵抗との接続点には、前記第1の光電流が入力され、前記非反転入力端子の電圧は前記第1の光電流に応じて変化し、前記演算増幅器の反転入力端子には、第2の抵抗を介して第2の基準電圧が印加され、且つ、前記反転入力端子と前記第2の抵抗との接続点には、前記第2の光電流が入力され、前記非反転入力端子の電圧は前記第1の光電流に応じて変化し、前記演算増幅器の出力には、第1の光電流と前記第2の光電流の差に応じた電圧が出力されるとともに、前記第1および第2の基準電圧は、前記第1および第2の光電流がなくても前記演算増幅器が機能する電圧であることを特徴とする。
また、前記非反転入力端子と前記第1の抵抗との接続点には、第1のカレントミラー回路を介して、前記第1の光電流が入力され、且つ、前記反転入力端子と前記第2の抵抗との接続点には、第2のカレントミラー回路を介して、前記第2の光電流が入力されることを特徴とする。
また、前記第1の基準電圧と、前記第2の基準電圧とは、同じ電圧であることを特徴とする。
また、前記演算増幅器のゲインは、該演算増幅器の帰還抵抗に応じて設定されることを特徴とする。
本発明に係る減算回路では、従来技術に係る演算回路と異なり、第1の光電流、第2の光電流をそれぞれ電圧に変換するためのアンプを必要としない。このため、減算回路に必要とされるレイアウト面積が小さくなる。このことは、受光素子の設置数が多くなるに従い、重要度が増す。
また、光スポットが、第1の受光素子1と第2の受光素子2とに均等に入射された場合を基準とするのではなく、所定の受光比をもって入射された場合を基準とする方が良い場合もある。この点、本発明に係る演算回路では、反転入力と第1の光電流は、第1のカレントミラー回路を介して接続されており、且つ反転入力と第2の光電流は、第2のカレントミラー回路を介して接続されている。このため、各カレントミラー回路のミラー定数を変更することにより、基準とする第1の受光素子と第2の受光素子との受光量の比は、容易に設定可能である。さらには、各カレントミラー回路を調整することで、各光電流の過渡応答特性を制御できるため、オーバーシュート、アンダーシュートを防ぐことができる。
また、演算増幅器のゲインは、演算増幅器の帰還抵抗に応じて設定できるため、受注に応じて、容易に演算増幅器のゲインを変更できる。
以下、本発明に係る減算回路について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係る減算回路のブロック図を示す。本発明に係る減算回路では、演算増幅器3の非反転入力端子+は、第1の抵抗R1を介して、基準電圧Vrefが印加されている。そして、前記非反転入力端子+と前記第1の抵抗R1との接続点P1は、第1の受光素子1と接続される。同様に、前記演算増幅器3の反転入力端子−は、第2の抵抗R2を介して、基準電圧Vrefが印加されている。そして、前記反転入力端子−と前記第2の抵抗R2との接続点P2は、第2の受光素子2と接続される。
斯かる構成において、前記第1の受光素子1、又は前記第2の受光素子2に光が照射されると、それぞれの受光量に応じて、第1の光電流IP1、第2の光電流IP2が出力される。そして、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2により、前記第1の抵抗R1、及び前記第2の抵抗R2に流れる電流値が変化する。このため、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−に印加される電圧は、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2に応じて変化する。
つまり、本発明に係る減算回路では、図8に示す従来技術に係る減算回路の如く、前記第1の光電流IP1を電圧変換する第1の電流電圧変換器7、及び前記第2の光電流IP2を電圧変換する第2の電流電圧変換器8を介さずに、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2の電流値に対応した電圧が、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−に印加される。
以下、本発明に係る減算回路について、具体的に説明する。
先ず、前記第1の受光素子1、前記第2の受光素子2は、受光量に応じて、前記第1の光電流IP1、前記第2の光電流IP2をそれぞれ出力する。斯かる受光素子として、例えば、フォトダイオードが用いられる。フォトダイオードは、光が照射されると、半導体接合の逆電流が増加することを利用した受光素子である。
次に、前記第1の光電流IP1は、トランジスタQ1、及びトランジスタQ2からなる第1のカレントミラー回路4により反転される。同様に、前記第2の光電流IP2は、トランジスタQ3、及びトランジスタQ4からなる第2のカレントミラー回路5により反転される。
ここで、前記第1のカレントミラー回路4のミラー比、及び前記第2のカレントミラー回路5のミラー比は、例えば、以下のように調整される。つまり、図7(a)に示す如く、光スポット6が、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とに均等にあたる位置を基準として設定する場合、前記1のカレントミラー回路4と、前記第2のカレントミラー回路5とは、同じミラー比になるように調整される。一方、図7(b)に示す如く、前記光スポット6が、前記第1の受光素子1の方に多くあたる位置を基準として設定する場合や、図7(c)に示す如く、前記光スポット6が、前記第2の受光素子2に多くあたる位置を基準として設定する場合には、前記1のカレントミラー回路4のミラー比と、前記第2のカレントミラー回路5のミラー比とは、異なるように調整される。
次に、前記第1のカレントミラー回路4から反転された前記第1の光電流IP1は、前記接続点P1に印加される。そして、前記第1の抵抗R1には、基準電圧Vrefが印加される。同様に、前記第2のカレントミラー回路5から反転された前記第2の光電流IP2は、前記接続点P2に印加される。そして、前記第2の抵抗R2にも、基準電圧Vrefが印加される。
斯かる構成において、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2が変化すると、前記第1の抵抗R1、及び前記第2の抵抗R2に流れる電流も変化する。つまり、前記第1の抵抗R1の両端における電位差、及び前記第2の抵抗R2の両端における電位差は、前記第1の受光素子1、及び前記第2の受光素子2の受光量に応じて変化するため、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−に印加される電位が変化する。
次に、前記演算増幅器3の出力段OUTから、前記非反転入力端子+と前記反転入力端子−との電位差に応じた誤差信号VSを出力する。そして、該誤差信号VSに基づいて、不図示の後段の回路において、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とに、前記光スポット6が設定通りの割合で照射されるように、前記光スポット6の照射方向が調整される。
以下、前記演算増幅器3の一例を示して、前記第1の光電流IP1と、前記第2の光電流IP2との減算処理について、具体的に説明する。
図2は、上記の減算回路について、前記演算増幅器3を具体的に示した回路図である。図2におけるトランジスタQ5、Q6、Q7、Q8、及びQ9により、図1における前記演算増幅器3が構成され、且つ、前記トランジスタQ7のベースは、前記非反転入力端子+に該当し、前記トランジスタQ8のベースは、前記反転入力端子−に該当する。また、図1における前記演算増幅器3の出力段OUTと、反転入力端子−とを結ぶ帰還抵抗R3は、図2において、前記トランジスタQ8のベースと、前記トランジスタQ7のエミッタとを結ぶ位置に形成される。
斯かる構成において、この回路は、前記トランジスタQ7に印加されるベース電圧と、前記トランジスタQ8に印加されるベース電圧とは、等しくなるように動作する。そして、出力段OUTから出力される前記電圧信号VSの電位は、前記Q8のベース電圧と、前記帰還抵抗R3の電位差とを加えた電位になる。以下、このことについて、具体的に説明する。
尚、簡単のため、以下の説明においては、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とは、同性能であり、同量の光が照射されたときには、同量の光電流を出力するとする。また、前記第1のカレントミラー回路4と前記第2のカレントミラー回路とは、同じミラー比であるとする。また、前記第1の抵抗R1と、前記第2の抵抗R2とは、同じ抵抗値であるとする。
以上の条件において、先ず、前記第1の受光素子1と、前記第2の受光素子2とに同量の光が照射された場合について説明する。前記第1の光電流IP1は全て、前記第1の抵抗R1に流れる。このため、トランジスタQ7のベース電圧は、基準電圧Vrefと、前記第1の光電流IP1による前記第1の抵抗R1の電位差とを加えた電圧となる。ここで、前記出力段OUTに接続された定電流源CCは、前記第1の光電流IP1と、前記第2の光電流IP2とが同じ電流値である場合には、前記帰還抵抗R3に電流が流れないように設定される。このため、前記第2の抵抗R2には、前記第2の光電流IP2が全て流れる。この結果、前記トランジスタQ8のベース電圧は、基準電圧Vrefと、前記第1の光電流IP2による前記第2の抵抗R2の電位差とを加えた電圧となり、前記トランジスタQ7のベース電圧と前記トランジスタQ8のベース電圧とは同じになる。そして、前記誤差信号VSの電位は、前記トランジスタQ7、及び前記トランジスタQ8と同じになる。
次に、前記第1の受光素子1よりも前記第2の受光素子2に多量の光が照射された場合について説明する。この場合、前記第1の光電流IP1の電流値は小さくなり、前記第2の光電流IP2の電流値は大きくなる。すると、前記トランジスタQ8のベース電圧は、前記トランジスタQ7のベース電圧より高くなる。このとき、前記トランジスタQ7と前記トランジスタQ8とは差動接続されているので、前記トランジスタQ7のコレクタ電流が減少し、前記トランジスタQ8のコレクタ電流が増大する。すると、トランジスタQ5、トランジスタQ6からなるカレントミラー回路の出力電流は減少する。このため、エミッタフォロワ回路を成すトランジスタQ9のベース電流は低下する。そして、前記トランジスタQ9は、このベース電流を電流増幅するので、ベース電流の低下により前記トランジスタQ9のエミッタ電流も低下する。ここで、前記定電流源CCに流れる電流は、前述のように設定されているため、前記トランジスタQ9のエミッタ電流の低下に応じて、前記第2の光電流IP2の一部は、前記帰還抵抗R3側に分流する。このため、前記第2の光電流IP2の前記第2の抵抗R2側に流れる電流値が小さくなる。したがって、前記第2の抵抗R2の電位差は小さくなり、前記トランジスタQ8のベース電圧が低下する結果、前記トランジスタQ7のベース電圧と前記トランジスタQ8のベース電圧とが同じになる。そして、前記誤差信号VSの電位は、前記Q7のベース電圧よりも、前記帰還抵抗R3に前記光電流IP2が分流したことにより生じた、前記帰還抵抗R3の電位差の分だけ大きくなる。
次に、前記第1の受光素子1よりも前記第2の受光素子2に少量の光が照射された場合について説明する。この場合、前記第1の光電流IP1の電流値は大きくなり、前記第2の光電流IP2の電流値は小さくなる。すると、前記トランジスタQ8のベース電圧は、前記トランジスタQ7のベース電圧より小さくなる。このとき、前記トランジスタQ7と前記トランジスタQ8とは差動接続されているので、前記トランジスタQ7のコレクタ電流が増大し、前記トランジスタQ8のコレクタ電流が減少する。すると、トランジスタQ5、トランジスタQ6からなるカレントミラー回路の出力電流も増大する。このため、エミッタフォロワ回路を成すトランジスタQ9のベース電流は増加する。そして、前記トランジスタQ9は、このベース電流を電流増幅するので、ベース電流の増加により前記トランジスタQ9のエミッタ電流も増加する。ここで、前記定電流源CCに流れる電流は、前述したように設定されているから、前記Q9のエミッタ電流の増加に応じて、該エミッタ電流の一部は、前記帰還抵抗R3側に分流する。このため、前記第2の抵抗R2には、前記第2の光電流IP2が全部流れ、さらに、前記帰還抵抗R3に分流した前記エミッタ電流の一部も流れる。したがって、前記第2の抵抗R2の電位差は大きくなり、前記トランジスタQ8のベース電圧が増加する結果、前記トランジスタQ7のベース電圧と、前記トランジスタQ8のベース電圧とが同じになる。そして、前記誤差信号VSの電位は、前記Q7のベース電圧よりも、前記帰還抵抗R3に前記エミッタ電流が流れたことにより生じた、前記帰還抵抗R3の電位差の分だけ小さくなる。
つまり、前記誤差信号VSのゲインは、前記帰還抵抗R3に流れる電流により生じる、該帰還抵抗R3の電位差に応じて決まる。このため、前記電圧信号VSのゲインは、前記帰還抵抗R3の抵抗値により調整することができる。
以上、本発明に係る減算回路では、前記演算増幅器3の非反転入力端子+と前記第1の受光素子1との接続点P1に、前記第1の抵抗R1の一端が接続され、且つ該第1の抵抗R1の他端には基準電圧Vrefが印加されていた。同様に、前記演算増幅器3の反転入力端子−と前記第2の受光素子2との接続点P2に前記第2の抵抗R2の一端が接続され、且つ該第2の抵抗R2の他端には基準電圧Vrefが印加されていた。この結果、従来技術に係る演算回路と異なり、前記第1の光電流IP1、前記第2の光電流IP2をそれぞれ電圧に変換するために前記第1の電流電圧変換器7、及び前記第2の電流電圧変換器8を設けなくても、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−には、前記第1の受光素子1、及び前記第2の受光素子2の受光量に応じた電圧が印加されていた。
また、本発明に係る減算回路では、前記第1の抵抗R1及び前記第2の抵抗R2には、基準電圧Vrefが印加されている。この技術的効果について、図1と図3とを比較して具体的に説明する。図3では、前記第1の抵抗R1、及び前記第2の抵抗R2は、接地されている。斯かる構成において、先ず、前記第1の受光素子1、及び前記第2の受光素子2に光が照射されている場合、前記非反転入力端子+には、前記第1の抵抗R1に流れる電流により生じる前記第1の抵抗R1の電位差が入力電位となる。また、前記反転入力端子−には、前記第2の抵抗R2に流れる電流により生じる前記第2の抵抗R2の電位差が入力電位となる。そして、この場合には、図1に示す減算回路と同様に、図3に示す減算回路も機能する。ところが、図3に示す減算回路において、前記第1の受光素子1に光が全く照射されなかった場合、前記非反転入力端子+には、入力電位が0Vとなり、前記演算増幅器3が機能しなくなる。この点、図1に示す減算回路では、前記第1の受光素子1に光が全く照射されなくても、前記非反転入力端子+には、基準電圧Vrefが印加されるため、前記演算増幅器3は機能する。
尚、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、本発明の実施形態では、前記光スポット4が、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とに入射されたときを、基準と設定して説明した。しかしながら、本発明は、これに限定されない。例えば、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とに、所定の受光比をもって入射された場合を基準とする方が良い場合もある。この点、本発明に係る演算回路では、反転入力と第1の光電流は、第1のカレントミラー回路を介して接続されており、且つ反転入力と第2の光電流は、第2のカレントミラー回路を介して接続されている。このため、各カレントミラー回路のミラー定数を変更することにより、基準とする第1の受光素子と第2の受光素子との受光量の比は、容易に設定可能である。
また、本発明の実施形態では、前記第1の受光素子1、及び前記第2の受光素子2は、それぞれカレントミラー回路を介して、前記演算増幅器3に接続されていた。しかしながら、本発明において、前記第1のカレントミラー回路4、及び前記第2のカレントミラー回路5は、必須ではない。つまり、図4に示す如く、前記第1の受光素子1は、前記接続点P1に直接接続され、且つ、前記第2の受光素子2は、前記接続点P2に直接接続されてもよい。この場合も、図1に示す減算回路と同様に、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2に応じた電圧を、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−に印加することができる。但し、図4に示す減算回路では、カレントミラー回路のミラー比により、受光素子の照射量等を調整することができなくなる。
また、図5に示す如く、前記第1のカレントミラー回路4、又は前記第2のカレントミラー回路5のいずれか一方のみが備えられても、図1に示す減算回路と同様に、前記第1の電流電圧変化器7、及び前記第2の電流電圧変換器8を必要としないで、前記第1の光電流IP1、及び前記第2の光電流IP2に応じた電圧を、前記非反転入力端子+、及び前記反転入力端子−に印加することができる。但しこの場合には、前記第1の受光素子1による前記第1の光電流IP1と、前記第2の受光素子2による前記第2の光電流IP2と、の過渡応答特性に違いが現れる。つまり、図5に示す減算回路の場合では、前記第1の光電流IP1は、前記第1のカレントミラー4により反転された後に、前記第1の抵抗R1と前記非反転入力端子+との接続点に入力される。一方前記第2の光電流IP2は、直接に前記第2の抵抗R2と前記反転入力端子−との接続点に入力される。このため、前記第1の受光素子1と前記第2の受光素子2とに同時に光が照射されても、前記第1の受光素子1からの信号は、前記第2の受光素子2からの信号よりも、前記演算増幅器3に到達するまで時間がかかる。このため、前記演算増幅器3から出力される信号には、オーバーシュート、アンダーシュート等のノイズが生じる。
また、本発明の実施形態では、前記第1の抵抗R1と、前記第2の抵抗R2とに印加される基準電圧が等しい場合について説明した。この場合、前記第1の受光素子1と、前記第2の受光素子2とで受光量が同じときに、前記誤差信号VSの電圧が0Vとなる。しかしながら、本発明はこれに限定されず、前記第1の抵抗R1に印加される基準電圧と、前記第2の抵抗R2に印加される基準電圧とが異なってもよい。この場合、前記第1のカレントミラー回路4及び前記2のカレントミラー回路5のミラー比、前記第1の抵抗R1及び前記第2の抵抗R2の抵抗値、等により、上記構成と同様に設定可能である。
本発明の実施形態に係る減算回路のブロック図を示す。 本発明の実施形態に係る減算回路の回路図を示す。 本発明の減算回路の特徴を説明するための回路図を示す。 本発明の他の実施形態に係る減算回路のブロック図を示す。 本発明の他の実施形態に係る減算回路のブロック図を示す。 減算回路の用途を説明するための平面図を示す。 従来技術に係る減算回路のブロック図を示す。
符号の説明
1 第1の受光素子
2 第2の受光素子
3 演算増幅器
4 第1のカレントミラー回路
5 第2のカレントミラー回路
6 光スポット
7 第1の電流電圧変換器
8 第2の電流電圧変換器
9 演算増幅器
R3 帰還抵抗
IP1 第1の光電流
IP2 第2の光電流
VS 誤差信号

Claims (4)

  1. 第1の受光素子から出力される第1の光電流と、第2の受光素子から出力される第2の光電流と、が入力される演算増幅器を備え、
    前記演算増幅器の非反転入力端子には、第1の抵抗を介して第1の基準電圧が印加され、且つ、前記非反転入力端子と前記第1の抵抗との接続点には、前記第1の光電流が入力され、前記非反転入力端子の電圧は前記第1の光電流に応じて変化し、
    前記演算増幅器の反転入力端子には、第2の抵抗を介して第2の基準電圧が印加され、且つ、前記反転入力端子と前記第2の抵抗との接続点には、前記第2の光電流が入力され、前記非反転入力端子の電圧は前記第1の光電流に応じて変化し、
    前記演算増幅器の出力には、第1の光電流と前記第2の光電流の差に応じた電圧が出力されるとともに、
    前記第1および第2の基準電圧は、前記第1および第2の光電流がなくても前記演算増幅器が機能する電圧であることを特徴とする減算回路。
  2. 前記非反転入力端子と前記第1の抵抗との接続点には、第1のカレントミラー回路を介して、前記第1の光電流が入力され、且つ、前記反転入力端子と前記第2の抵抗との接続点には、第2のカレントミラー回路を介して、前記第2の光電流が入力されることを特徴とする請求項1に記載の減算回路。
  3. 前記第1の基準電圧と、前記第2の基準電圧とは、同じ電圧であることを特徴とする請求項1に記載の減算回路。
  4. 前記演算増幅器のゲインは、該演算増幅器の帰還抵抗に応じて設定されることを特徴とする請求項1に記載の減算回路。
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