JP2006135307A - 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 - Google Patents
光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 Download PDFInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 232
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 161
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 50
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 27
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 22
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 14
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 186
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 22
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIHBZGQGIOXTSL-UHFFFAOYSA-N [Cl+].[Ta+5] Chemical compound [Cl+].[Ta+5] CIHBZGQGIOXTSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUEGUEIIAGVUMR-UHFFFAOYSA-N [Cl+].[W+5] Chemical compound [Cl+].[W+5] DUEGUEIIAGVUMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLCAAQNGFAMGNZ-UHFFFAOYSA-N [Cl+].[W+6] Chemical compound [Cl+].[W+6] BLCAAQNGFAMGNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and B Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical class [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N tetraethylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)CC VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
【解決手段】光学装置を含んだ装置の該光学装置における蒸着物を除去する方法は、装置の少なくとも1部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、蒸着を有する光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて蒸着の少なくとも部分を除去することを含む。さらに、該光学素子を保護する方法は、蒸着工程により該光学素子にキャップ層を提供し、装置使用の間もしくは使用後に、上記の除去工程において、該光学素子からキャップ層の少なくとも1部分を除去することを含む。この方法はリソグラフィ装置に適用可能である。
【選択図】図3
Description
1. タンタルはタンタル水素化物(Ta2H)を形成し得ることが知られているが、タングステンに関しては水素化物の存在はみられない(www.webelement.com)。よって、タンタルはSn-およびC-に類似する水素ラジカルによりエッチングされるが、この工程はタングステンにおいてはないと思われる。
2. タンタルの蒸気圧は、タングステンの蒸気圧よりも1−2オーダ大きく、タンタルは19nm/時間の蒸発、そしてタングステンは1.5nm/時間の蒸発となる。図9aおよび図9bを参照にされたい。タンタルの蒸発は、タングステンの蒸発よりも約1オーダ大きい。
フィラメント原料による汚染も、例えば塩素および/またはフッ素のような適切なハロゲンを用いて除去可能である。すなわち、
1. タングステンは塩素洗浄により除去可能であり、例えば、タングステン(V)塩素は286度Cの沸点を有し、タングステン(VI)塩素は346度Cの沸点を有する。洗浄には1.013barよりもかなり低い部分圧で十分である。タングステンはまたフッ素を用いても洗浄可能である、すなわちWF6は17.3度Cの沸点を有する。
2. タンタルは塩素洗浄により除去可能である、すなわち、タンタル(V)塩素は233度Cの沸点を有する。
適用されたフィラメント温度(約2200度C)にてタングステンの蒸気圧は依然十分であり(6.6x10−8mBar)、よって、フィラメント原料による汚染を許容可能なレベルに減じるため、これらの測定を組合せる必要がある。
− 通常はボトル入りで市販されている。
− 扱いは水素と類似する。
− ジュウトリウムの使用はそれほどコスト高ではない。ジュウトリウムは、約1000ユーロで、200バールの50リットル入りボトルにて購入可能である。このように容量は10000通常リットルである。洗浄を行うための一般的な溶剤は1000ミリバールl/s(ポンピング100l/sの間、10ミリバールの圧力)である。ボトルは10000sの後、空になる。これは洗浄周期が一般的に300sのとき、1本のボトルで30洗浄サイクル行えることを意味する。ツールは約100回洗浄されなくてはならない。よって、ライフタイムにおいて消費するジュウトリウムの総コストは3000ユーロである。水素を使用する場合の同様の計算では1000ユーロとなる。
− 原子ジュウトリウムの反応度は水素よりも高いと予測される。
Claims (59)
- 装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、蒸着を有する光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて、蒸着の少なくとも部分を除去することから成る、光学素子を含んだ装置の該光学素子における蒸着を除去する方法。
- 蒸着は、B、C、Si、Ge、およびSnから選択される1つ以上の元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 水素ラジカルの少なくとも部分は、フィラメント、プラズマ、放射線、あるいは、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒によって、H2含有ガスのH2から生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- H2含有ガスはさらにハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサのグループから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置からex situ除去されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 蒸着工程により光学素子にキャップ層を提供すること、また、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、キャップ層を有した光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させ、キャップ層の少なくとも部分を除去することを含む除去工程において、装置使用の間もしくは使用後にキャップ層の少なくとも部分を光学素子から除去することとから成る、光学素子を含んだ装置における光学素子を保護する方法。
- 蒸着工程は、B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素を含む出発原料を供給し、該出発原料種から、蒸着を生成し得るB、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素を含む種を提供し、そして、蒸着を生成することの可能な種を光学素子の少なくとも部分と接触させることから成る請求項8に記載の方法。
- 蒸着の生成が可能な種は、フィラメント、プラズマ、あるいは放射線により生成されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- キャップ層は、B、C、Si、およびGeより選択される1つ以上の元素から成ることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 装置の使用は、光学素子に放射線ビームを照射することを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 水素ラジカルの少なくとも部分は、フィラメント、プラズマ、放射線、あるいは、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒によって、H2含有ガスのH2から生成されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- H2含有ガスはさらにハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置よりex situ生成されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置からex situ除去されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 照明システムと投影システムから成り、そしてさらに光学素子を具備するリソグラフィ装置を提供し、照明システムを用いて放射線のビームを供給し、放射線感光材料の層にて少なくとも部分的に覆われた基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影し、蒸着工程により光学素子にキャップ層を提供し、そして、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給して、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成して、キャップ層を有する光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて、キャップ層の少なくとも部分を除去することを含む除去工程において、装置の使用の間もしくは使用後に光学素子からキャップ層の少なくとも部分を除去することから成るデバイス製造方法。
- 蒸着工程は、B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素を含む出発原料を供給し、該出発原料種から、蒸着物を生成し得るB、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素を含む種を提供し、そして、蒸着を生成することの可能な種を光学素子の少なくとも部分と接触させることから成る請求項19に記載の方法。
- 蒸着の生成が可能な種は、フィラメント、プラズマ、あるいは放射線により生成されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- キャップ層は、B、C、Si、およびGeより選択される1つ以上の元素から成ることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 装置の使用は、光学素子に放射線ビームを照射することを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- H2含有ガスはさらにハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置よりex situ生成されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置からex situ除去されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 光学素子と、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給するように構成されたインレットと、そして、H2含有ガスのH2からラジカルを生成するように構成された水素ラジカルジェネレータとから成る装置。
- 水素ラジカルジェネレータは、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソース、および、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒とから選択される1つ以上のデバイスから成ることを特徴とする請求項29に記載の装置。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項29に記載の装置。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項29に記載の装置。
- 光学素子と、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給するように構成されたインレットと、そして、H2含有ガスのH2からラジカルを生成するように構成された水素ラジカルジェネレータと、B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成る蒸着物を生成するように構成された蒸着ジェネレータとから成る装置。
- 水素ラジカルジェネレータは、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソース、および、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒におけるその1つ以上から成ることを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 蒸着ジェネレータは、加熱可能なフィラメント、プラズマを生成するジェネレータ、および放射線のソースにおけるその1つ以上から成ることを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項33に記載の装置。
- B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成る出発原料を供給するように構成されたインレットをさらに具備することを特徴とする請求項33に記載の装置。
- B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成るガスを供給するように構成されたインレットをさらに具備することを特徴とする請求項33に記載の装置。
- 光学素子、放射線ビームをコンディショニングするように構成された照明システム、放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持、基板を保持する基板テーブル、基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成された投影システム、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給するように構成されたインレット、そして、H2含有ガスのH2からラジカルを生成するように構成された水素ラジカルジェネレータとから成るリソグラフィ装置。
- 水素ラジカルジェネレータは、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソース、および、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒におけるその1つ以上から成ることを特徴とする請求項40に記載のリソグラフィ装置。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項40に記載のリソグラフィ装置。
- 光学素子、放射線ビームをコンディショニングするように構成された照明システム、放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持、基板を保持する基板テーブル、基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成された投影システム、装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給するように構成されたインレット、H2含有ガスのH2からラジカルを生成するように構成された水素ラジカルジェネレータ、そして、蒸着ジェネレータとから成り、ここで、蒸着はB、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
- 水素ラジカルジェネレータは、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソース、および、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒におけるその1つ以上から成ることを特徴とする請求項43に記載のリソグラフィ装置。
- 蒸着ジェネレータは、B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成る蒸着を生成するように構成されており、また、加熱可能なフィラメント、プラズマジェネレータ、放射線ソースの1つから成ることを特徴とする請求項43に記載のリソグラフィ装置。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項43に記載のリソグラフィ装置。
- B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成る出発原料を供給するように構成されたインレットをさらに具備することを特徴とする請求項43に記載のリソグラフィ装置。
- B、C、Si、およびGeから選択される1つ以上の元素から成るガスを供給するように構成されたインレットをさらに具備することを特徴とする請求項43に記載のリソグラフィ装置。
- 装置の少なくとも部分にH2含有ガスを供給し、H2含有ガスのH2から水素ラジカルを生成し、蒸着を有した光学素子を水素ラジカルの少なくとも部分と接触させて、蒸着の少なくとも部分を除去することから成る、光学素子を含んだ装置の該光学素子における蒸着物、すなわちB、Si、Ge、およびSnから選択される1つ以上の元素を含んだ蒸着物を除去する方法。
- 水素ラジカルの少なくとも1部分は、加熱可能なフィラメント、プラズマ、放射線のソース、および、H2を水素ラジカルに転化するように構成された触媒におけるその1つ以上によって、H2含有ガスのH2より生成されることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- H2含有ガスはさらにハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- キャップ層の少なくとも部分は、光学素子を含んだ装置からex situ除去されることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- 蒸着物はSiから成ることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- 光学素子と、Snから成る蒸着物を生成するように構成された蒸着ジェネレータとにより構成される装置。
- 装置はリソグラフィ装置であることを特徴とする請求項56に記載の装置。
- 光学素子は、ミラー、格子、レチクル、およびセンサから選択される光学素子から成ることを特徴とする請求項56に記載の装置。
- Snから成る出発原料を供給するように構成されたインレットをさらに具備することを特徴とする請求項56に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/956,344 US7355672B2 (en) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008306412A Division JP4898765B2 (ja) | 2004-10-04 | 2008-12-01 | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006135307A true JP2006135307A (ja) | 2006-05-25 |
JP4430600B2 JP4430600B2 (ja) | 2010-03-10 |
Family
ID=35462543
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005289648A Active JP4430600B2 (ja) | 2004-10-04 | 2005-10-03 | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
JP2008306412A Active JP4898765B2 (ja) | 2004-10-04 | 2008-12-01 | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008306412A Active JP4898765B2 (ja) | 2004-10-04 | 2008-12-01 | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7355672B2 (ja) |
EP (2) | EP1643310B1 (ja) |
JP (2) | JP4430600B2 (ja) |
KR (1) | KR100702199B1 (ja) |
CN (2) | CN1766731B (ja) |
SG (1) | SG121188A1 (ja) |
TW (1) | TWI286678B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131225 Year of fee payment: 4 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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