JP4961022B2 - 照明システム、フォトリソグラフィ装置、ミラーから汚染を除去する方法、および、デバイス製造方法。 - Google Patents
照明システム、フォトリソグラフィ装置、ミラーから汚染を除去する方法、および、デバイス製造方法。 Download PDFInfo
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Description
[0023] ‐放射ビームB(例えば紫外線またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0024] ‐パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1ポジショナPMに連結されるサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0025] ‐基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2ポジショナPWに連結される基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0026] ‐パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと、を含む。
Claims (15)
- 放射ビームを調整するように構成された照明システムであって、
金属−非金属化合物から成る層を最上層に含むミラーと、
水素または水素基を含むガスを前記ミラーに供給するように構成された水素基源と、
を含む、照明システム。 - 前記金属−非金属化合物は、遷移金属の炭化物、窒化物、ホウ化物、もしくはケイ化物、またはそれらの混合物から成る、
請求項1に記載の照明システム。 - 前記金属−非金属化合物は、金属−シリコン化合物である、
請求項1又は2に記載の照明システム。 - 前記金属およびシリコンは、前記金属−非金属化合物内に化学量論比で存在する、請求項3に記載の照明システム。
- 前記金属−非金属化合物内の前記金属は、MoおよびRuから成る群から選択される、
請求項1〜4のいずれかに記載の照明システム。 - 前記金属−非金属化合物は、比率2:1のMoおよびSiと、比率2:3のRuおよびSiと、から成る群から選択される、
請求項5に記載の照明システム。 - 前記ミラーは、複数の交互層のスタックをさらに含む、
請求項1に記載の照明システム。 - 前記スタックは、非金属層と交互に、複数の略純粋な金属の層を含む、
請求項7に記載の照明システム。 - 前記層のスタックは、金属化合物の層を一層のみ含む、
請求項7に記載の照明システム。 - 前記金属−非金属化合物から成る層は、前記放射ビームが前記ミラーに入射する入射角において、前記ミラーの実質的に全ての反射率を提供するのに十分な厚さを有する、
請求項1に記載の照明システム。 - 金属のみから成り、かつ前記放射ビームが前記ミラーに入射する入射角において前記ミラーの実質的に全ての反射率を提供するのに十分な厚さを有する層をさらに含む、
請求項1〜10のいずれかに記載の照明システム。 - 請求項1〜11のいずれかによる照明システムを備える、
フォトリソグラフィ装置。 - 前記ミラーに放射を放出するように構成された放射源を含む、
請求項12に記載のフォトリソグラフィ装置。 - 反射金属含有層を有するミラーから汚染を除去する方法であって、
金属−非金属化合物から成る層を最上層に含む前記ミラーに水素基を供給する工程を含む、
方法。 - パターン付けされた放射ビームを基板上へ投影することを含むデバイス製造方法であって、前記ビーム内に入る放射はミラーにより反射され、前記方法は、
前記ミラーに水素基を含むガスの供給を使用して前記ミラーから汚染を除去する工程を含み、
前記ミラーは、金属−非金属化合物から成る層を最上層に含む、
方法。
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