JP2007184577A - リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法、リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造および浄化構造を備えたリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】浄化構造は、水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、モジュールの少なくとも一部を通って提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも1m/sになるよう、モジュールからガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えている。また、浄化構造は、モジュールの少なくとも一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタと、モジュールと連通している少なくとも1m3のバッファ体積と、バッファ体積に0.001mbar(0.1Pa)と1mbar(100Pa)の間のガス圧力を提供するように構成されたポンプとを備えることができる。浄化構造はさらに、ガスリターンシステムを備えることができる。
【選択図】図3c
Description
1.ステップモード:マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが同期スキャンされる(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の幅)が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ(スキャン方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくマスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (52)
- リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造であって、
水素ラジカル含有ガスをモジュールの一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、
モジュールの一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも1m/sになるよう、モジュールから水素ラジカル含有ガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えた、浄化構造。 - モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項1に記載の浄化構造。
- モジュールの下流に構成された少なくとも1m3のバッファ体積をさらに備えた、請求項1に記載の浄化構造。
- バッファ体積が少なくとも10m3の体積を有する、請求項3に記載の浄化構造。
- ポンプが水素ラジカル源の上流に構成された、請求項1に記載の浄化構造。
- ポンプがモジュールの下流に構成された、請求項1に記載の浄化構造。
- ポンプがバッファ体積の下流に構成された、請求項3に記載の浄化構造。
- モジュールの一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタをさらに備えた、請求項1に記載の浄化構造。
- 浄化構造を備えたリソグラフィ装置であって、浄化構造が、水素ラジカル含有ガスをリソグラフィ装置の一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、リソグラフィ装置の一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも1m/sになるよう、リソグラフィ装置の一部から水素ラジカル含有ガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えた、リソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置の一部が、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法であって、
水素ラジカル含有ガスの流れをモジュールの一部を通して少なくとも1m/sの流速で導入するステップと、
モジュール内を1mbarと1000mbarの間のガス圧力を有するガス雰囲気に所定時間の間維持するステップとを含む、方法。 - モジュール内を全圧の0.001%と10%の間の水素ラジカル分圧に所定時間の間維持するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項11に記載の方法。
- 流速が少なくとも10m/sである、請求項11に記載の方法。
- ガス圧力が5mbarと500mbarの間である、請求項11に記載の方法。
- 水素ラジカル分圧が1.10−4mbarと1mbarの間である、請求項11に記載の方法。
- 所定時間が10秒と120分の間である、請求項11に記載の方法。
- モジュール内に含まれているガスが少なくとも1m3のバッファ体積にポンプ排気される、請求項11に記載の方法。
- モジュール内の圧力が階段状に増加する、請求項11に記載の方法。
- モジュール内の圧力が、5mbarと500mbarの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する、請求項11に記載の方法。
- モジュールにハロゲンガスを提供するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造であって、
水素ラジカル含有ガスをモジュールの一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、
モジュールの一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタと、
モジュールと連通している少なくとも1m3のバッファ体積と、
バッファ体積に0.001mbarと1mbarの間のガス圧力を提供するように構成されたポンプとを備えた、浄化構造。 - ポンプが、バッファ体積に0.1mbar未満のガス圧力を提供するように構成された、請求項22に記載の浄化構造。
- モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項22に記載の浄化構造。
- バッファ体積が少なくとも10m3の体積を有する、請求項22に記載の浄化構造。
- 浄化構造を備えたリソグラフィ装置であって、浄化構造が、水素ラジカル含有ガスをリソグラフィ装置の一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、リソグラフィ装置の一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタと、モジュールと連通している少なくとも1m3のバッファ体積と、バッファ体積に0.001mbarと1mbarの間のガス圧力を提供するように構成されたポンプとを備えた、リソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置の一部が、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項26に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法であって、
モジュールと連通している少なくとも1m3のバッファ体積を、0.001mbarと1mbarの間のガス圧力で加圧するステップと、
水素ラジカル含有ガスをモジュールの一部に提供するステップと、
モジュールの一部内を0.001mbarと1000mbarの間のガス圧力に所定時間の間維持するステップとを含む、方法。 - モジュールの一部内を全圧の0.001%と10%の間の水素ラジカル分圧に、所定時間の間維持するステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
- モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内のガス圧力が0.01mbarと10mbarの間に所定時間の間維持される、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内の圧力が階段状に増加する、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内の圧力が、0.01mbarと10mbarの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内の圧力が、5mbarと500mbarの間の圧力範囲内の圧力である、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内の圧力が、5mbarと500mbarの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内にハロゲンガスを提供するステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
- モジュールの一部内に含まれているガスがバッファ体積にポンプ排気される、請求項28に記載の方法。
- リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造であって、
水素ガスを提供するように構成された水素ガス源と、
水素ガスの一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、かつ、水素ラジカル含有ガスの一部をモジュールの一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、
水素ラジカル含有ガスの一部をモジュールの一部からポンプ排気するように構成されたポンプと、
モジュールの一部からポンプ排気されたガスの一部をモジュールに戻すように構成されたガスリターンシステムとを備えた、浄化構造。 - ガスリターンシステムが、モジュールからポンプ排気されたガスの一部を水素ラジカル源に戻すように構成された、請求項38に記載の浄化構造。
- ポンプが、モジュールの一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも1m/sになるよう、モジュールから水素ラジカル含有ガスの一部をポンプ排気するように構成された、請求項38に記載の浄化構造。
- モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項38に記載の浄化構造。
- リソグラフィ装置コレクタのための浄化構造であって、
水素ガスを提供するように構成された水素ガス源と、
水素ガスの一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成され、かつ、水素ラジカル含有ガスをコレクタの一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、
水素ラジカル含有ガスの一部をコレクタからポンプ排気するように構成されたポンプと、
コレクタからポンプ排気されたガスの一部をコレクタに戻すように構成されたガスリターンシステムとを備えた、浄化構造。 - ガスリターンシステムが、コレクタからポンプ排気されたガスの一部を水素ラジカル源に戻すように構成された、請求項42に記載の浄化構造。
- ポンプが、モジュールの一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも1m/sになるよう、コレクタから水素ラジカル含有ガスの一部をポンプ排気するように構成された、請求項42に記載の浄化構造。
- コレクタミラーが、入れ子にされ且つ光軸の周りに回転対称である、上流放射コレクタ側および下流放射コレクタ側を備えたリフレクタを備え、ガス出口が上流放射コレクタ側に構成され、ガス排気が下流放射コレクタ側に構成された、請求項42に記載の浄化構造。
- 上流放射コレクタ側が、ガス出口を備えた扉を使用して閉じることができ、下流放射コレクタ側が、ガス排気を備えた扉を使用して閉じることができる、請求項45に記載の浄化構造。
- コレクタが、コレクタミラーを囲んでいる周囲ハルによって囲まれ、周囲ハルがガス入口およびガス排気を備えた、請求項42に記載の浄化構造。
- 請求項11に記載のリソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法であって、水素ラジカル源が、水素ガスの一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成され、水素ラジカル源が、水素ラジカル含有ガスの一部をモジュールの一部に提供するように構成され、モジュールを通して導入されたガスの一部がモジュールに戻される、方法。
- モジュールを通して導入されたガスの他の一部が水素ラジカル源に戻される、請求項48に記載の方法。
- モジュールが、コレクタ、放射システム、照明システムおよび投影システムのグループから選択される、請求項48に記載の方法。
- モジュールからポンプ排気されたガスの一部をモジュールに戻すように構成されたガスリターンシステムをさらに備えた、請求項1に記載の浄化構造。
- モジュールからポンプ排気されたガスの一部をモジュールに戻すように構成されたガスリターンシステムをさらに備えた、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
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