JP2006126823A - 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 任意角度をもった所定の細線パターンについて、そのパターン領域内を高精細に露光することのできる可変矩形型電子ビーム露光装置を得る。
【解決手段】 複数の矩形アパーチャ(11、12)をそれぞれ異なる角度で配置した第1スリット部材(10)と、第1スリット部材の各矩形アパーチャとそれぞれ対応する平行な位置関係の複数の矩形アパーチャ(21、22)を配置したで第2スリット部材(20)と、第1スリット部材の一方のアパーチャを透過した電子ビームが第2スリット部材の対応するアパーチャを透過する際は、他のアパーチャを透過した電子ビームが遮断されるように、第1スリット部材の複数のアパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材(40)と、を具備し、角度の異なる矩形ビーム(31、32)を形成することを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、磁気ディスク装置等のディスク状記録媒体に円周状又は放射状のパターンを配線基板又は半導体パッケージ等の製造技術におけるパターン形成技術を利用して形成するための、パターン露光技術、特に、矩形ビームを用いて露光を行う、可変矩形型電子ビーム露光装置、並びにこのような露光装置を用いてパターンを露光・形成するパターン作成方法に関する。
従来、磁気ディスク装置は、大容量化のためにディスク状記録媒体の記録密度が年々上昇し、このため、ディスク状記録媒体に対して信号情報の読み取り及び書き込みを行う磁気ヘッドをディスク状記録媒体に対して位置決めするためにサーボ情報をディスク状記録媒体に対して書き込み形成する場合において、専用の装置を用いて機械的な精度を保ってサーボ情報のパターンを形成することが益々困難になってきている。また、サーボ情報のパターンを書き込んだディスク状記録媒体の製造コストを削減するために、容易に且つ高精度で位置決めのためのサーボ情報を作成する方法が必要となる。
このような必要性に対して、半導体装置の製造工程における電子ビーム露光技術を用いて位置決め情報パターンのマスター基板を作成し、これをディスク状記録媒体に転写することにより一括してサーボ情報を作成する方法が考えられている。しかし、従来技術における方法では、高精度なパターンのため電子ビーム露光技術を用いる必要があり、任意の図形が描画できる通常のポイントビーム型電子ビーム露光機では、直径5cm〜10cm程度あるディスク状記録媒体1枚の全面をこの技術を用いてサーボ情報のパターンを作成するためには膨大な露光時間がかかり、現実的ではなかった。
即ち、図14にポイントビーム型電子露光機によるパターン露光・形成方法を示す。図14において、作成すべきパターンないし図形Aの面積に対し、ポイントビームBの露光面積が極めて小さいため、ポイントビームBを例えば矢印の方向に順次ずらせて露光する場合において図形Aの領域のすべてを露光するには、上述のように膨大な露光時間を必要とする。
このようなポイントビーム型電子露光機を用いた場合の上述の問題点を解消するために、可変矩形型電子ビーム露光機を用いることにより短時間で露光でき、さらに矩形の配置・形状を工夫することにより、任意角度の細線パターンを高精細に露光が行えるようになる。
即ち、図15に可変矩形型電子ビーム露光機によるパターン露光・形成方法を示す。図15において、作成すべきパターンないし図形Aの面積に対し、矩形ビームBの領域面積が比較的大きいため、矩形ビームBを順次ずらせて露光することにより、短時間で露光できる。また、作成すべきパターンないし図形Aの形状に応じて、矩形ビームBの形状・大きさを適宜調整すれば良い。
しかしながら、図15に示した可変矩形型電子ビーム露光機によると、作成すべきパターンないし図形Aの傾斜角度と、矩形ビームBの角度が異なる場合、例えば、矩形ビームによる露光領域Bの辺に対して、形成すべきパターンないし図形Aが45度に近い傾斜角度で延びているような場合は、パターンないし図形Aの縁部では、矩形露光領域Bの角度と一致しないため、矩形ビームBの面積を極力小さくしなければならず、結局ポイントビーム型の電子露光の場合と同様に露光時間が長くかかるという問題が生ずる。
なお、関連する従来技術として、特許文献1に開示されている可変成形電子線描画装置は、デバイスパターン設計の自由度を大きくすること、任意角を持つ斜めパターンの描画が要求されていること、しかも、任意角を持つ斜めパターンを高精度、高スループットで、かつ転写マスクを必要としないで描画方式が要求されていること、等の要求に合致することを目的とし、2枚のビーム成形用矩形アパーチャをそなえた可変成形電子線描画装置において、ビーム成形用の矩形アパーチャの下に、高精度モータ駆動によって光軸の回りに回転可能なスリットが形成された第3のアパーチャを備え、第3のアパーチャを回転させることによって、任意の平行四辺形ビームを形成している。
特許文献1に記載の可変成形電子線描画装置においては、任意の平行四辺形ビームの露光には好適であるが、任意角度をもった所定の細線パターンについて、そのパターン領域内を高精細に露光を行えるものではない。
特開平9−82630号公報
上述した従来のポイントビーム型電子露光機を用いた場合は、ディスク状記録媒体1枚の全面についてサーボ情報のパターンを露光形成するには膨大な露光時間がかかり、現実的ではない、という問題点があった。
また、従来の可変矩形型電子ビーム露光機を用いる場合は、短時間で露光できるが、精度良く露光を行うには、さらに矩形の配置・形状を工夫することが必要であり、特にパターンの縁部においてパターン角と矩形ビームの角度が異なる場合は、精度良く露光を行なえないか、或いは矩形ビームを小さくすると露光時間が長くかかるという問題があった。
また、上記特許文献1に記載の可変成形電子線描画装置においては、任意の平行四辺形ビームを露光形成するには好適であるが、任意角度をもった所定の細線パターンについて、そのパターン領域内を高精細に露光するには不向きであった。
そこで、本発明では、可変矩形型電子ビーム露光装置を用いことにより、矩形ビームの角度を数種類用意することにより任意角度をもった所定の細線パターンについて、そのパターン領域内を高精細に露光することのできる可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法を提供することを課題とする。
上記の課題を達成するために、本発明によれば、複数の矩形アパーチャをそれぞれ異なる角度で配置した第1スリット部材と、該第1スリット部材の前記各矩形アパーチャとそれぞれ対応する平行な位置関係の複数の矩形アパーチャを配置したで第2スリット部材と、前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の対応する第1アパーチャを透過する際は、前記第1スリット部材の第1アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断され、前記第1スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材のこれと対応する第2アパーチャを通過する際は、前記第1スリット部材の第2アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断されるように、前記第1スリット部材の前記複数のアパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置が提供される。
また、本発明によれば、上述の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いて、前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第1アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とするパターン露光・形成方法が提供される。
上記の可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法においては、前記第1及び第2スリット部材に角度の異なる複数のアパーチャを設け、いずれか1組のアパーチャを通過する電子ビームにて露光を行うことができるので、種々の角度をもった矩形電子ビームが得られる。即ち、所定角度の第1露光パターンと、異なる角度の第2露光パターンを組み合わせることで、より自由度の高いパターンないし図形の領域を短時間で露光形成することができる。
更にまた、本発明によれば、隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角な五角形アパーチャを具備する第1スリット部材と、隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角であって、隣接する2つの直角の位置に対する隣接しない直角の位置が第1スリット部材の五角形アパーチャと180度逆転した位置関係にある五角形アパーチャを具備する第2スリット部材と、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャを部分的に透過し、且つ他の部分が遮断されるように、透過領域を切り換えるべく、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置が提供される。
この場合において、隣接する2つの角を第1角及び第2角とし、これらに隣接しない角を第4角としたとき、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材を部分的に透過する場合において、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して第1の矩形電子ビームを形成し、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して第2の矩形電子ビームを形成するように、前記偏向部材により切り換え可能であることを特徴とする。
更にまた、本発明によれば、上述のような可変矩形型電子ビーム露光装置を用いて、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して形成された第1の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して形成された第2の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とするパターン露光・形成方法が提供される。
上記の可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法においては、前記第1及び第2スリット部材の設けた五角形アパーチャを通過する電子ビームを適宜組み合わせせることで、角度の異なる矩形電子ビームが得られる。即ち、所定角度の第1露光パターンと、異なる角度の第2露光パターンを組み合わせることで、より自由度の高いパターンないし図形の領域を短時間で露光形成することができる。
更に、上記の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法において、被露光面に照射する矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光することにより、連続的につながった露光パターンを形成する場合において、被露光領域が重複しない状態で当該電子ビームの矩形の辺と、次に露光される電子ビームの矩形の辺とが順次連接する場合の露光間隔を1ピッチとし、1ピッチ間隔で露光する場合の個々のビーム照射量をAとした場合に、露光間隔を1/Nピッチとして、個々のビーム照射量をAより少なく設定して露光を行うことを特徴とする。この場合において、N>1である。
このように露光間隔を1/N(N>1)ピッチ、例えば1/2ピッチとして、可変矩形ビームを重ねて露光する場合は、個々のビーム照射量を、1ピッチ間隔で露光する場合の個々のビーム照射量(ドース量)Aよりも小さくすることにより、特に作成すべきパターン図形の縁部においてパターンの膨らみを防止することができ、目的とするパターン図形に近似する線幅を持つパターンを高精度で形成することができる。
また、上記の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法において、矩形に分割する前の作成すべきパターン図形の辺、又は長い線状のパターンを分割して作成する場合の接続端の図形の辺が、露光に使用する矩形の辺と平行となるように露光する場合において、これらの図形の辺を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させ、接触している個所を補完して露光することを特徴とする。また、この場合において、露光に使用する可変矩形の辺と平行にならない辺を有する三角形を作成する場合において、該三角形の内部領域について、可変矩形を1/2のピッチで重ねて露光することを特徴とする。
このように作成すべきパターン図形の辺を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させることにより、接続部分における精度不足を解消し、この接続部分のパターン形状を滑らかにものとすることができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は本発明の可変矩形型電子ビーム露光装置の第1実施形態を示す斜視図である。
平面板状の第1スリット部材10には、互いに同一の大きさ・形状の2つの矩形アパーチャ11、12がそれぞれ45度異なる角度で並列して配置されている。同様に、平面板状の第2スリット部材20(パターンブロックマスク)にも、互いに同一の大きさ・形状の2つの矩形アパーチャ21、22がそれぞれ45度異なる角度で並列して配置されている。そして、第1スリット部材10と第2スリット部材20は互いに平行に配置されている。
第1スリット部材10の第1矩形アパーチャ11の各辺と第2スリット部材の第2矩形アパーチャ21の各辺とは互いに平行な関係になっている。同様に、第1スリット部材10の第2矩形アパーチャ12の各辺と第2スリット部材の第2矩形アパーチャ22の各辺とは互いに平行な関係になっている。なお、それぞれの矩形アパーチャ11、21あるいは矩形アパーチャ12、22はそれぞれ縦横比が同一であっても、異なっていてもよい。
電子ビームEBは、例えば、第1スリット部材10と直交する方向から照射される。第1スリット部材10の第1アパーチャ11及び第2アパーチャ12を透過する電子ビームEBは、図1では図示しない偏向部材により偏向されるようになっている。
第1スリット部材10の第1アパーチャ11及び第2アパーチャ12を透過した電子ビームEBが、例えば図示のように所定の方向に偏向されたとき、第1スリット部材10の第1アパーチャ11を透過した電子ビームEBは第2スリット部材20により遮断され、一方で、第1スリット部材10の第2アパーチャ12を透過した電子ビームEBは第2スリット部材20の第2アパーチャ22を部分的に透過して、例えばディスク媒体のマスター基板のような目的物30の上に所定の矩形パターン32を形成する。同一の矩形パターン32を連続的に順次つなげて露光することにより所定の方向に向いたパターンを形成することができる。
第1スリット部材10の第1アパーチャ11及び第2アパーチャ12を透過した電子ビームEBを他の方向に偏向した場合は、例えば、第1スリット部材10の第1アパーチャ11を透過した電子ビームEBは第2スリット部材20の第1矩形アパーチャを部分的に透過し、一方で、第1スリット部材10の第2アパーチャ12を透過した電子ビームEBは第2スリット部材20に遮断される。この場合は、目的物30の上に前述の矩形パターン32とは45度異なる角度の矩形パターン31が形成される。この同一の矩形パターン31を連続的につなげて露光することにより別な方向(この場合、45度異なる方向)に向いたパターンを形成することができる。
図2は本発明の可変矩形型電子ビーム露光装置の第2実施形態を示す斜視図、図3はスリット部材に形成した五角形アパーチャの形状を示し平面図、図4はこの実施形態に係る露光装置の概略図である。
平面板状の第1スリット部材10には、図3(a)に示すように、1つの五角形アパーチャ13が形成されている。この五角形は、隣接する2つの角a、bとこれらに隣接しない角dが90度で、残りの2つの角c、eが135度となる駒型ないしベース型である。
第1スリット部材10と平行に配置された平板状の第2スリット部材(パターンブロックマスク)20にも、図3(b)に示すように、1つの五角形アパーチャ23が形成されている。この五角形も同様に、隣接する2つの角a、bとこれらに隣接しない角dが90度で、残りの2つの角c、eが135度となる駒型ないしベース型である。
そして、2つの五角形アパーチャ13、23の辺abは互いに平行であり、また、五角形アパーチャ13、23の辺bc、ea間も互いに平行であるが、五角形アパーチャ13の角dと五角形アパーチャ23の角dとは、辺abに関して互いに反対側にある。
電子ビームEBは、例えば、第1スリット部材10と直交する方向から照射される。そして、第1スリット部材10の五角形アパーチャ13を透過する電子ビームEBは、図4に示すような偏向部材40により偏向されるようになっている。
第1スリット部材10の五角形アパーチャ13を透過した電子ビームEBが、例えば図4に示すマスク選択偏向部材40により所定の方向に偏向されたとき、第2スリット部材20の五角形アパーチャ13を部分的に透過する。この場合において、第1スリット部材10の五角形アパーチャ13の例えば第2角bを含む周辺領域を透過した電子ビームが、第2スリット部材20の五角形アパーチャ23の第2角bの周辺領域を透過し、目的物30の上に所定の矩形パターン32を形成する。同一の矩形パターン32を連続的につなげて露光することにより所定の方向に向いたパターンを形成することができる。
一方、第1スリット部材10の五角形アパーチャ13を透過した電子ビームEBが、偏向部材40により他の方向に偏向されたとき、第2スリット部材20の五角形アパーチャ13を部分的に透過するが、この場合は、第1スリット部材10の五角形アパーチャ13の例えば第4角dを含む周辺領域を透過した電子ビームが、第2スリット部材20の五角形アパーチャ23の第4角dの周辺領域を透過し、目的物30の上に矩形パターン32とは45度角度の異なった矩形パターン31を形成する。同一の矩形パターン31を連続的につなげて露光することにより別な方向(即ち、45度異なる方向)に向いたパターンを形成することができる。
図5は前述の第1又は第2実施形態に係る可変矩形型電子ビーム露光装置を使用して露光を行った一例を示し、角度付き可変矩形(0度と45度)による任意角度の線状パターンの露光例である。例えば、ディスク状磁気記録媒体のサーボ情報のパターンが、円形領域に対して所定幅をもった多数の細いパターンを放射状に延びた形状である場合、0度と45度の矩形電子ビームを選択的に使用する。この場合は、それぞれその中間角度(22.5度)を境に使い分ける。0度±22.5度の領域Cにある細パターンA1,A1,・・・を形成する場合は、0度矩形電子ビームB1を、45度±22.5度の領域Dにある細パターンA2,A2,・・・を形成する場合は、45度の矩形電子ビームB2を使用する。それ以外の角度範囲では、それぞれ0度または45度に対称であるので、対応する角度の矩形電子ビームを使用する。
他の例として、角度付き可変矩形0度と30度と60度の3段階に使い分ける場合はそれぞれ、0度矩形電子ビームで0度±15度の領域を、30度矩形電子ビームで30度±15度の領域を、60度矩形電子ビームで60度±15度の角度領域を、それぞれのパターンについて露光する。それ以外の角度範囲では、それぞれ0度、30度または60度に対称であるので、対応する角度の矩形電子ビームを使用する。このように三段階の矩形パターンを使用することにより、より細分化したパターンの形成が可能になる。
図6は、同一角度の矩形電子ビームを用いるパターンの領域において、露光したい細線パターンA3,A3,・・・の角度に応じて、角度付き可変矩形の矩形サイズB3,B3,・・・を変える例を示す。使用する矩形角度と作成したい線状パターンの角度の差が小さい場合は、図に示すように矩形のパターン長さ方向のサイズ(図6では高さ方向)を大きくすることにより露光する矩形のショット数を少なくすることができる。可変矩形型電子ビーム露光機の性質上、1つの矩形を露光する時間は同じなため、ショット数が少ないほど短時間で露光できる。一方、使用する矩形角度と作成したい線状パターンの角度の差が大きい場合は矩形パターンのサイズ(図6では高さ方向)を小さくする。ショット数は多くなるがパターン形状に近づけることができる。
図7は、重ね露光をする場合の例を示す。可変矩形で角度の付いた線状パターンを露光する場合は、線幅に対して矩形サイズを十分細かくすれば、滑らかな斜め線を作成することができる。しかし、非常に細い線状パターンを露光する場合、可変矩形電子ビーム露光機でも露光できるサイズの小ささには限界がある。線幅の細さの限界近くのパターンでは、これに使用する矩形サイズの小ささも限界になり、図7(a)に示すように、作成するパターンA4の線幅に対して露光矩形B4を十分細かくすることができず十分な線の滑らかさが得られない。これに対し、図7(b)に示すように重ね露光B4,B4をすることにより、より滑らかなパターンを作成することができる。即ち、レジストの性質上、露光現像を行うと、図7(b)に示すパターンの形態より、滑らかな形状になる。
図7のように、1/2のピッチで重ねて露光した場合において、重なっている個所の個々のビーム照射量(以下、ドース量という)を調整しない場合は、二重に露光された部分のドース量は、個々の可変矩形のドース量の和となり、2倍のドース量で露光されることとなる。このように、通常より高いドース量でパターンを露光すると、露光されたパターン形状が膨らみ、目的とする線幅を持つパターンを得ることが出来なくなる。そこで、本実施形態では1/2のピッチで重ねて露光した場合に、重ねている可変矩形のドース量を1/2に減らして露光を行う。これにより、露光されたパターン形状が膨らむことはなくなり、高精度で目的とする線幅を持ったパターンを得ることが可能となる。
一般的に、1/N(N>1)のピッチで露光した場合に、重なっている個所のドース量を、1ピッチ間隔で露光する場合のドース量(A)よりも少なく(例えば、A/Nに)設定して露光を行うことにより、高精度で目的とする線幅を持ったパターンを得ることができる。
図8は、制約のない場合の細線パターンA5の端部の処理を効率良く行う場合の例を示す。長い線を分割して作成した場合の接続端Gあるいは図形の端Hを、露光に使用する矩形B5の辺と平行にすることにより、不要な細かい矩形を作成する必要がなく効率的に露光が行える。
図8のように、平行四辺形を辺接触で連続的に接続することにより細線パターンA5を形成し、且つそのパターンの接続端Gを、露光するのに使用する矩形B5の辺と合致させる場合においても、図7の場合と同様に、1/2のピッチで重ねて露光することも勿論可能である。
図9は、1/2のピッチで重ねて露光する場合の接続端Gにおける露光方法を示す。目的とする平行四辺形のパターンの接続端Gにおいては、露光に使用する矩形B6の上辺を接続端Gと合致させるが、接続個所においては、1/2のピッチで重ねている可変矩形C6を、接続端Gを跨ぐように、1つ余分に発生させる。これにより、接続個所Gにおいてもパターン内に1/2ピッチずらして重ねた可変矩形と同じものを形成することができるため、接続個所Gにおいても滑らかなパターンを作成することができる。
この平行四辺形のパターンの接続端Gにおいて、可変矩形ビームによる露光を再開する場合は、可変矩形B6の下辺が接続端Gと合致するように露光を開始し、続けて可変矩形B6の辺同士が接触するように順次露光を行うと共に、可変矩形B6とは1/2ピッチずらした可変矩形C6を重ねて露光する。
図10及び図11は三角形の部分を露光する場合を示す。作成すべきパターン図形が長方形であって、その辺が可変矩形ビームの形状に対して水平又は垂直に近い角度をもつような場合は、図8の説明にあるように、先端部を水平又は垂直に切断して不要となる微細な可変矩形を削除することが可能である。しかしながら、作成すべきパターン図形の辺に対して可変矩形ビームの辺が45度付近などのような場合は、微細な図形とはならず、図10に示すように平行四辺形の部分Dと三角形E、Fの部分の組合せとならざるを得ない。この三角形E、Fに対しても、ここで提案しているように、可変矩形を分割して露光する。この場合において、三角形も平行四辺形と同様に三角形の辺の長さと斜辺に応じて多数の可変矩形を発生させる。
図11(a)に示すように、元の直角三角形パターン10aに対して、可変矩形ビームの1/2ピッチ分(P/2)短くした三角形10bを、斜面を合わせるように配置し重ねる。図10(b)に示すように、三角形10a、10bのそれぞれから発生させた可変矩形11a、11bは、1/2ピッチずらした位置関係とすることにより、重ね露光の場合においても、特に図形の縁部においてパターン形状が膨らむことはなくなり、目的とする三角形の形状に近似したなめらかなパターンを作成することができる。
図12は、図10に示した平行四辺形Dと三角形E、Fとを組合せたパターン形状における、平行四辺形Dの部分の露光方法を示す。平行四辺形の部分の三角形部分との接続部においても同様に、可変矩形を1つ余分に発生させる。即ち、図12において、平行四辺形Dと三角形部分E、Fとの接続部Gでの不足分を補うために、可変矩形12aを1つ余分に発生させ、平行四辺形部分Dと三角形部分E、Fとを跨いで配置されるようにする。
図13は三角形部分を更に2つの三角形の部分E、Fに分割し、各三角形部分E、Fについて露光パターンを形成する場合を示す。図13(a)に示す2つの三角形の部分E、Fの接続部Gでの不足分を補うために、三角形E、Fに対して可変矩形ビームの1/2ピッチ分(P/2)短くした三角形13a、13bを斜面を合わせるように配置して重ね、不足分の幅13cと同じ幅(1ピッチ分の幅)をもつ、図13(b)に示すような、可変矩形13dを発生させる。これにより、前述の同様に、2つの三角形E、Fの接続個所Gにおける精度不足を解消した露光パターンを形成することができる。なお、図13(d)における各三角形E、Fについても図11の場合と同様に露光を行うことができる。三角形Eについては可変矩形ビームを順次垂直方向に重ねながら露光し、三角形Fについては可変矩形ビームを順次水平方向に重ねながら露光したものである。
例えば、ディスク記憶媒体の実際の形状は、長方形を回転させた状態のものとなる。このため、前述のように、その角度によっては長方形の角の部分を構成する三角形(もしくは台形)をも露光しなければならない場合がある。このため、上記のように、三角形の部分を重ね露光により作成するのは、このような用途において特に有効である。
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
例えば、図5に示すように、角度の異なるパターンA1,A1,・・・と、パターンA2,A2,・・・との間で、異なる角度の矩形ビームB1,B1,・・・とB2,B2,・・・とを使い分けるものと、図6に示すような、形成すべきパターンA3,A3,・・・の角度に応じて矩形ビームのサイズを変更するものと、を組み合わせることにより、より一層所望のパターンに沿った精密な露光を実現することができる。即ち、図5において、形成すべきパターンの角度が0度±22.5度の領域C内において、0度の矩形パターンを使用する場合は、同一領域Cの中で0度に近い領域程、高さhの大きい矩形パターンを用い、±22.5度に近いの領域程、高さhの小さい矩形パターンを用いる。
同様に、図5に示す露光方式と、図7(b)に示す二重露光の方式とを適宜組み合わせることにより、より精度の高い露光パターンを形成することも可能である。
(付記1)
複数の矩形アパーチャをそれぞれ異なる角度で配置した第1スリット部材と、
該第1スリット部材の前記各矩形アパーチャとそれぞれ対応する平行な位置関係の複数の矩形アパーチャを配置したで第2スリット部材と、
前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の対応する第1アパーチャを透過する際は、前記第1スリット部材の第1アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断され、前記第1スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材のこれと対応する第2アパーチャを通過する際は、前記第1スリット部材の第2アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断されるように、前記第1スリット部材の前記複数のアパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、
を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置。(1)
(付記2)前記第1及び第2スリット部材は平板状であり、互いに平行に配置されていることを特徴とする付記1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記3)前記第1及び第2スリット部材の第1及び第2アパーチャは、すべて同一矩形であり、第1及び第2アパーチャ間で互いに45度の角度に配置されていることを特徴とする付記1又は2に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記4)前記第1及び第2スリット部材の第1アパーチャは互いに相似形であり、前記第1及び第2スリット部材の第2アパーチャも互いに相似形であることを特徴とする付記1又は2に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記5)
前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第1アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とする付記1〜4のいずれか1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。(2)
(付記6)
第1又は第2露光パターンの個々の矩形電子ビームの形状(縦横比)又は大きさを、形成すべき所期のパターン形状(角度又は幅等)に応じて変更することを特徴とする付記5に記載のパターン露光・形成方法。
(付記7)
隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角な五角形アパーチャを具備する第1スリット部材と、
隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角であって、隣接する2つの直角の位置に対する隣接しない直角の位置が第1スリット部材の五角形アパーチャと180度逆転した位置関係にある五角形アパーチャを具備する第2スリット部材と、
前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャを部分的に透過し、且つ他の部分が遮断されるように、透過領域を切り換えるべく、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、
を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置。(3)
(付記8)
隣接する2つの角を第1角及び第2角とし、これらに隣接しない角を第4角としたとき、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材を部分的に透過する場合において、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して第1の矩形電子ビームを形成し、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して第2の矩形電子ビームを形成するように、前記偏向部材により切り換え可能であることを特徴とする付記7に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。(4)
(付記9)前記第1及び第2スリット部材は平板状であり、互いに平行に配置されていることを特徴とする付記7又は8に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記10)前記第1及び第2スリット部材の第1及び第2アパーチャの五角形は、すべて同一形状、大きさであることを特徴とする付記7〜9のいずれか1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記11)前記第1及び第2スリット部材の第1アパーチャの五角形は互いに相似形であり、前記第1及び第2スリット部材の第2アパーチャの五角形も互いに相似形であることを特徴とする付記7〜9のいずれか1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記12)前記第1及び第2スリット部材の第1アパーチャの五角形は、直角である第1、第2及び第4角以外の第3角及び第5角は、それぞれ135度であることを特徴とする付記8〜11のいずれか1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
(付記13)
前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して形成された第1の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して形成された第2の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とする付記7〜12に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。(5)
(付記14)
第1又は第2露光パターンの個々の矩形電子ビームの形状(縦横比)又は大きさを、形成すべき所期のパターン形状(角度又は幅等)に応じて変更することを特徴とする付記13に記載のパターン露光・形成方法。
(付記15)
被露光面に照射する矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光することにより、連続的につながった露光パターンを形成する場合において、被露光領域が重複しない状態で当該電子ビームの矩形の辺と、次に露光される電子ビームの矩形の辺とが順次連接する場合の露光間隔を1ピッチとし、1ピッチ間隔で露光する場合の個々のビーム照射量をAとした場合に、露光間隔を1/Nピッチとして、個々のビーム照射量をAより少なく設定して露光を行うことを特徴とする付記5又は13に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。ただし、N>1とする。(6)
(付記16)
露光間隔を1/Nピッチとして、個々のビーム照射量をA/Nに設定して露光を行うことを特徴とする付記15に記載のパターン露光・形成方法。
(付記17)
露光間隔を1/2ピッチとして、個々のビーム照射量をA/2に設定して露光を行うことを特徴とする付記15に記載のパターン露光・形成方法。
(付記18)
矩形に分割する前の作成すべきパターン図形の辺、又は長い線状のパターンを分割して作成する場合の接続端の図形の辺が、露光に使用する矩形の辺と平行となる又は一致するように露光する場合において、これらの図形の辺を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させ、接触している個所を補完して露光することを特徴とする付記5又は13に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。(7)
(付記19)
露光に使用する可変矩形の辺と平行にならない辺を有する三角形のパターン図形を作成する場合において、該三角形の内部領域について、可変矩形を1/2のピッチで重ねて露光することを特徴とする付記5又は13に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。(8)
(付記20)
平行四辺形と三角形の接触個所に対し、該接触個所を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させ、接触している個所を補完して露光することを特徴とする付記19に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。
(付記21)
被露光面に照射する矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光することにより、連続的につながった露光パターンを形成するパターン露光・形成方法において、被露光領域が重複しない状態で当該電子ビームの矩形の辺と、次に露光される電子ビームの矩形の辺とが順次連接する場合の露光間隔を1ピッチとし、1ピッチ間隔で露光する場合の個々のビーム照射量をAとした場合に、露光間隔を1/Nピッチとして、個々のビーム照射量をAより少なく設定して露光を行うことを特徴とするパターン露光・形成方法。ただし、N>1とする。
(付記22)
被露光面に照射する矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光することにより、連続的につながった露光パターンを形成するパターン露光・形成方法において、矩形に分割する前の作成すべきパターン図形の辺、又は長い線状のパターンを分割して作成する場合の接続端の図形の辺が、露光に使用する矩形の辺と一致するように露光する場合において、これらの図形の辺を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させ、接触している個所を補完して露光することを特徴とするパターン露光・形成方法。
以上説明したように、本発明によれば、第1及び第2スリット部材に角度の異なる複数のアパーチャを設け、いずれか1組のアパーチャを通過する電子ビームにて露光を行うことができるので、露光・形成すべきパターンの角度や形状に適合した矩形電子ビームの角度、大きさ、形状を選択することにより、パターンの形状に沿った、自由度の高いパターンないし図形の領域を短時間で露光形成することができる。
本発明の可変矩形型電子ビーム露光装置の第1実施形態の斜視図である。 本発明の可変矩形型電子ビーム露光装置の第2実施形態の斜視図である。 同第2実施形態で用いるスリット部材の平面図である。 同第2実施形態の露光装置の概略図である。 可変矩形電子ビーム(0度と45度)による露光パターンの一例を示す。 矩形電子ビームのサイズを変化させて露光を行う例を示す。 重ね露光をする場合の例を示す。 パターンの端部の処理を行う例を示す。 重ね露光をする場合の接続端における露光状態を示す。 三角形の部分の露光状態を示す。 三角形の部分を重ね露光する状態を示す。 平行四辺形と三角形の組合せの部分の露光状態を示す。 三角形の部分を分割して重ね露光する状態を示す。 従来のポイントビームによる露光状態を示す。 従来の矩形ビームによる露光状態を示す。
符号の説明
10 第1スリット部材
11 第1アパーチャ
12 第2アパーチャ
13 五角形アパーチャ
20 第2スリット部材(パターンブロックマスク)
21 第1アパーチャ
22 第2アパーチャ
23 五角形アパーチャ
31、32 露光パターン
40 偏向部材
EB 電子ビーム
A パターン
B 露光ビーム

Claims (8)

  1. 複数の矩形アパーチャをそれぞれ異なる角度で配置した第1スリット部材と、
    該第1スリット部材の前記各矩形アパーチャとそれぞれ対応する平行な位置関係の複数の矩形アパーチャを配置したで第2スリット部材と、
    前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の対応する第1アパーチャを透過する際は、前記第1スリット部材の第1アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断され、前記第1スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材のこれと対応する第2アパーチャを通過する際は、前記第1スリット部材の第2アパーチャ以外のアパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材に遮断されるように、前記第1スリット部材の前記複数のアパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、
    を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置。
  2. 前記第1スリット部材の第1アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第1アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過した電子ビームが前記第2スリット部材の第2アパーチャを透過することにより形成される矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。
  3. 隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角な五角形アパーチャを具備する第1スリット部材と、
    隣接する2つの角とこれらに隣接しない角が直角であって、隣接する2つの直角の位置に対する隣接しない直角の位置が第1スリット部材の五角形アパーチャと180度逆転した位置関係にある五角形アパーチャを具備する第2スリット部材と、
    前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャを部分的に透過し、且つ他の部分が遮断されるように、透過領域を切り換えるべく、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームを偏向させる偏向部材と、
    を具備し、角度の異なる矩形ビームを形成することを特徴とする可変矩形型電子ビーム露光装置。
  4. 隣接する2つの角を第1角及び第2角とし、これらに隣接しない角を第4角としたとき、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャを透過した電子ビームが、前記第2スリット部材を部分的に透過する場合において、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して第1の矩形電子ビームを形成し、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して第2の矩形電子ビームを形成するように、前記偏向部材により切り換え可能であることを特徴とする請求項3に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置。
  5. 前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第1角又は第2角を含む周辺領域を透過して形成された第1の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第1露光パターンと、前記第1スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過した電子ビームが、前記第2スリット部材の前記五角形アパーチャの第4角を含む周辺領域を透過して形成された第2の矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光する第2露光パターンと、を組み合わせて露光パターンを形成することを特徴とする請求項4に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。
  6. 被露光面に照射する矩形電子ビームを僅かずつずらせて露光することにより、連続的につながった露光パターンを形成する場合において、被露光領域が重複しない状態で当該電子ビームの矩形の辺と、次に露光される電子ビームの矩形の辺とが順次連接する場合の露光間隔を1ピッチとし、1ピッチ間隔で露光する場合の個々のビーム照射量をAとした場合に、露光間隔を1/Nピッチとして、個々のビーム照射量をAより少なく設定して露光を行うことを特徴とする請求項2又は5に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。ただし、N>1とする。
  7. 矩形に分割する前の作成すべきパターン図形の辺、又は長い線状のパターンを分割して作成する場合の接続端の図形の辺が、露光に使用する矩形の辺と平行となるように露光する場合において、これらの図形の辺を跨ぐように、1/2のピッチで重ねている可変矩形を1つ余分に発生させ、接触している個所を補完して露光することを特徴とする請求項2又は5に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。
  8. 露光に使用する可変矩形の辺と平行にならない辺を有する三角形のパターン図形を作成する場合において、該三角形の内部領域について、可変矩形を1/2のピッチで重ねて露光することを特徴とする請求項2又は5に記載の可変矩形型電子ビーム露光装置を用いたパターン露光・形成方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128564A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法
JP2008210850A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Hitachi Displays Ltd 設計装置、直描露光装置及びそれらを用いた直描露光システム
WO2008126316A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation パターンド媒体およびその製造方法
JP2009065036A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Dainippon Printing Co Ltd 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク
JP2016507906A (ja) * 2013-02-22 2016-03-10 アセルタ ナノグラフィクス 電子または光リソグラフィ用の任意形状の分割方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5597403B2 (ja) * 2010-01-29 2014-10-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2011199279A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Ims Nanofabrication Ag ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法
EP2757571B1 (en) * 2013-01-17 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus
JP2015023286A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2830083B1 (en) 2013-07-25 2016-05-04 IMS Nanofabrication AG Method for charged-particle multi-beam exposure
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
JP6349944B2 (ja) * 2014-05-13 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
EP2950325B1 (en) 2014-05-30 2018-11-28 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots
JP6890373B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-18 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0793253B2 (ja) 1986-10-31 1995-10-09 株式会社東芝 荷電ビ−ム露光装置
JPH0982630A (ja) 1995-09-18 1997-03-28 Sony Corp 可変成形電子線描画装置
JP3206448B2 (ja) 1996-08-30 2001-09-10 日本電気株式会社 電子ビーム描画装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128564A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法
JP2008210850A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Hitachi Displays Ltd 設計装置、直描露光装置及びそれらを用いた直描露光システム
WO2008126316A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation パターンド媒体およびその製造方法
JP2009065036A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Dainippon Printing Co Ltd 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク
JP2016507906A (ja) * 2013-02-22 2016-03-10 アセルタ ナノグラフィクス 電子または光リソグラフィ用の任意形状の分割方法
KR101840101B1 (ko) * 2013-02-22 2018-03-19 아셀타 나노그라픽 전자 또는 광학 리소그래피를 위한 자유 형태 분절 방법
US9922159B2 (en) 2013-02-22 2018-03-20 Aselta Nanographics Free form fracturing method for electronic or optical lithography

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