JP2016507906A - 電子または光リソグラフィ用の任意形状の分割方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−最初に、所望パターンを、重なり合う特徴の組で近似する。この種の基本特徴の決定について図5a、5b、6aおよび6bを参照しながら記述する。
−第二に、電子超微細特徴を基本特徴に追加する。超微細特徴は実質的に、所望パターンの寸法より小さい寸法である。超微細特徴は例えば、電子解像度向上特徴すなわちeRIFである)。この種の基本特徴の決定について図7a、7b、7cおよび7dを参照しながら記述する。
−このステップを実行するために、装置の特性に依存する以下のパラメータ、すなわち使用中の電子ビーム装置のショットの最大サイズ(現行装置では250nm〜1ミクロン)と、
−使用中の電子ビーム装置で利用可能なショットの傾き(0°、30°、45°、60°、90°、120°、135°等)(利用可能な方向が多いほど良く、本発明の方法は全ての利用可能な方向を考慮に入れることができる)と、
−電子ビーム装置の点広がり関数(PSF)の形状、すなわち前方散乱が有効な距離(この記述ではパラメータα)により画定できる形状とを考慮に入れる。
−図6cでは、限られた重なり610cにより限られた角丸めが生じ、シミュレートされたレジストの輪郭620cと所望パターン630cの輪郭との間に有意差があり、
−図6dでは、顕著な重なり610dにより生じる近接効果650dは、角丸めが生じるものの、シミュレートされたレジストの輪郭620dが所望パターンの輪郭630dの極めて近くにあるという良好な結果をもたらし、その結果、粗さは許容範囲内に留まり易くなる。
aseRIFの幅=(局所CD)/3
この分割が、リソグラフィツールがシングルまたはマルチパス露光を用いれば同様に実行できるのは、本発明の方法が充分堅牢であるためこの選択による影響を受けないからである。
Claims (22)
- 表面を複数の基本特徴に分割する、コンピュータ実装された方法であって、
前記基本特徴の各々が可変成形ビーム(VSB)の少なくとも1個のショットに対して露光されて所望の任意形状パターンを前記表面に転写し、
前記方法が、所望の任意形状パターンのトポロジカルな骨格を決定するステップを含む方法。 - 前記所望の任意形状パターンのトポロジカルな骨格を決定する前記ステップが、前記所望の任意形状パターンの中間軸および直線的骨格の少なくとも一方を決定するステップを含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 前記所望の任意形状パターンの少なくとも1個の中間軸を決定する前記ステップが、前記所望の任意形状パターンの近似形状を決定する第1のステップ、および前記近似形状にボロノイ図アルゴリズムを適用する第2のステップを含んでいる、請求項2に記載の方法。
- 前記所望の任意形状パターンのトポロジカルな骨格を決定する前記ステップが、前記所望の任意形状パターンの少なくとも1個の直線的骨格を、前記所望の任意形状パターンを被覆するものとして最初に決定される多角形の頂点位置を含む点の組として決定するステップを含んでいる、請求項1に記載の方法。
- 表面を複数の基本特徴に分割する、コンピュータ実装された方法であって、
前記基本特徴の各々が可変成形ビーム(VSB)の少なくとも1個のショットに対して露光されて所望の任意形状パターンを前記表面に転写し、
前記方法が、VSBツール利用可能方向をパラメータとして考慮に入れるステップを含む方法。 - 前記VSBツール利用可能方向が、前記表面の軸と0°、15°、30°、45°、60°、75°、90°、105°、120°、135°、150°、165°、180°の角度をなす方向を含む一群内で選択される、請求項5に記載の方法。
- 表面を複数の基本特徴に分割する、コンピュータ実装された方法であって、
前記基本特徴の各々が可変成形ビーム(VSB)の少なくとも1個のショットに対して露光されて所望の任意形状パターンを前記表面に転写し、
前記方法が、分割された模様の輪郭をシミュレートするステップ、および前記分割された模様のシミュレートされた輪郭と前記所望の任意形状パターンの輪郭との距離を決定するステップを含む方法。 - 前記分割された模様のシミュレートされた輪郭と前記所望の任意形状パターンの輪郭との距離の限界をパラメータとして考慮に入れるステップを更に含んでいる、請求項7に記載の方法。
- 表面を複数の基本特徴に分割する、コンピュータ実装された方法であって、
前記基本特徴の各々が可変成形ビーム(VSB)の少なくとも1個のショットに対して露光されて所望の任意形状パターンを前記表面に転写し、
前記方法が、
−前記所望の任意形状パターンのトポロジカルな骨格を決定するステップと、
−前記VSBツール利用可能方向をパラメータとして考慮に入れるステップと、
−前記分割された模様の輪郭をシミュレートするステップ、および前記分割された模様のシミュレートされた輪郭と前記所望の任意形状パターンの輪郭との距離を決定するステップとを含む方法。 - 前記トポロジカルな骨格の一区間の方向に近いツール利用可能方向を少なくとも1個選択するステップを更に含んでいる、請求項9に記載の方法。
- 前記基本特徴を、前記所望の任意形状パターンのトポロジカルな骨格のほぼ中央に置かれ、且つ前記VSBツール利用可能方向にほぼ平行な利用可能方向を有する長方形として画定するステップを更に含み、前記長方形の各々が、前記分割された模様のシミュレートされた輪郭と前記所望の任意形状パターンの輪郭との距離が所定の粗さ許容範囲内に留まるという制約下で最大のサイズを有している、請求項9に記載の方法。
- 前記基本特徴の中心、向き、および幅の少なくとも1個が、前記VSB処理および前記所望の任意形状パターン用の前記所定の粗さ許容限度の一群のパラメータのうち少なくとも1個のパラメータの関数として調整され、前記調整が、前記基本特徴の統合体の表面形状と前記所望パターンとの差の最小化に基づいている、請求項10に記載の方法。
- 前記VSB処理の前記一群のパラメータが、利用可能なショットの向き、最大ショットサイズ、点広がり関数(PSF)の特性寸法、最大ショットサイズ、および最大重なりを含んでいる、請求項11に記載の方法。
- 前記基本特徴のいくつかが重なり合い、外れたショットの向きが、前記重なり合う基本特徴同士の重なり度合を変えることにより補償される、請求項12に記載の方法。
- 前記基本特徴の幅が、最大ショットサイズ、前記VSB処理のPSFの特性寸法、および前記所望パターンに対する粗さ許容度の関数として計算される、請求項10に記載の方法。
- 前記基本特徴の長さが、前記VSB処理の最大ショットサイズ、前記所望の任意形状パターンの局所的な幅、および一群のカテゴリールールのうち少なくとも1個のルールの関数として計算される、請求項10に記載の方法。
- 前記一群のカテゴリールールが、幅中央での停止、所望パターンの反対側エッジへの移動、所定の幅での停止を含んでいる、請求項15に記載の方法。
- 角丸めに対する近接効果補正の作用を弱めるステップを更に含んでいる、請求項15に記載の方法。
- 転写されたパターンの要求解像度の閾値をパラメータとして決定するステップを更に含んでいる、請求項9に記載の方法。
- 前記要求解像度の閾値パラメータが、前記処理の臨界寸法(CD)を2α未満とするものであり、αは前記処理のPSFの前方散乱部分の特性寸法である、請求項18に記載の方法。
- 前記要求解像度が前記閾値パラメータよりも高い場合、解像度型である第1の組の基本特徴に加え、前記表面に転写する超微細な第2の組の基本特徴を決定するステップを更に含んでいる、請求項18に記載の方法。
- 超微細な前記基本特徴の中心位置が、エッジのトポロジカルな骨格および前記所望パターンの中間軸の一方を近似する少なくとも1個の中心曲線を描くことにより決定される、請求項20に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014195071A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-10-09 | D2S Inc | 半導体装置レイアウトデザインのフラクチャリングまたはマスクデータ準備のための方法およびシステム、ならびにレチクル上に半導体レイアウトパターンを形成するための方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6169876B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
EP3037878B1 (en) * | 2014-12-23 | 2020-09-09 | Aselta Nanographics | Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design |
JP6590542B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2019-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
EP3153926B1 (en) | 2015-10-06 | 2020-04-22 | Aselta Nanographics | A method of reducing shot count in direct writing by a particle or photon beam |
US10990003B2 (en) | 2018-02-18 | 2021-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Binarization method and freeform mask optimization flow |
KR20210094118A (ko) * | 2018-12-17 | 2021-07-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광학 디바이스 제작을 위한 이온 빔 소스 |
CN110598331B (zh) * | 2019-09-17 | 2023-05-26 | 广联达科技股份有限公司 | 一种屋顶建模的方法和装置 |
KR20220022527A (ko) | 2020-08-18 | 2022-02-28 | 삼성전자주식회사 | Opc 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US11783110B2 (en) | 2021-07-30 | 2023-10-10 | D2S, Inc. | Method for reticle enhancement technology of a design pattern to be manufactured on a substrate |
KR20240038001A (ko) * | 2021-07-30 | 2024-03-22 | 디2에스, 인코포레이티드 | 기판 상에 제작될 디자인 패턴의 레티클 증강 기술을 위한 방법 |
US11693306B2 (en) | 2021-07-30 | 2023-07-04 | D2S, Inc. | Method for reticle enhancement technology of a design pattern to be manufactured on a substrate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175107A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2002367901A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Sony Corp | 露光用パターンの振り分け方法、露光用マスクの作成方法、露光用マスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、露光用パターンの振り分け用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
JP2006126823A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fujitsu Ltd | 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法 |
JP2009001403A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Brother Ind Ltd | 画像記録装置 |
JP2010062562A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | D2S Inc | 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム |
JP2012501475A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-01-19 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 可変整形ビームリソグラフィを用いたレチクルの設計および製造のための方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104855B2 (ja) * | 1985-03-28 | 1995-11-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 数値シミュレーション装置 |
JPH03205815A (ja) | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Hitachi Ltd | 可変整形絞り |
US6094199A (en) * | 1997-05-23 | 2000-07-25 | University Of Washington | 3D objects morphing employing skeletons indicating symmetric differences to define intermediate objects used in morphing |
JP4156700B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2008-09-24 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法、露光データ作成装置、及び、記録媒体 |
US7010764B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-03-07 | Takumi Technology Corp. | Effective proximity effect correction methodology |
JP4843425B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-12-21 | エルピーダメモリ株式会社 | 可変成形型電子ビーム描画装置 |
WO2009001403A1 (ja) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Fujitsu Limited | 設計支援装置、方法及びプログラム |
US7985514B2 (en) | 2009-10-21 | 2011-07-26 | D2S, Inc. | Method for fracturing a pattern for writing with a shaped charged particle beam writing system using dragged shots |
US7759027B2 (en) * | 2008-09-01 | 2010-07-20 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using character projection lithography |
US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
FR2959026B1 (fr) | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
-
2013
- 2013-02-22 US US13/774,534 patent/US8984451B2/en active Active
- 2013-02-27 JP JP2015558359A patent/JP6306061B2/ja active Active
- 2013-02-27 EP EP13706532.2A patent/EP2959496B1/en active Active
- 2013-02-27 KR KR1020157026055A patent/KR101840101B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-27 WO PCT/EP2013/053883 patent/WO2014127850A1/en active Application Filing
-
2014
- 2014-02-18 TW TW103105294A patent/TWI620008B/zh active
-
2015
- 2015-02-06 US US14/616,617 patent/US9922159B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175107A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2002367901A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Sony Corp | 露光用パターンの振り分け方法、露光用マスクの作成方法、露光用マスク、半導体装置の製造方法、半導体装置、露光用パターンの振り分け用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
JP2006126823A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Fujitsu Ltd | 可変矩形型電子ビーム露光装置及びパターン露光・形成方法 |
JP2009001403A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Brother Ind Ltd | 画像記録装置 |
JP2010062562A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | D2S Inc | 半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム |
JP2012501475A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-01-19 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 可変整形ビームリソグラフィを用いたレチクルの設計および製造のための方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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