JP6147642B2 - マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置 - Google Patents
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Description
2次元に配列され、直列に接続された複数の組を構成する複数のシフトレジスタと、
複数のシフトレジスタのうち対応するシフトレジスタを介してそれぞれ制御される、マルチビームの対応ビームをそれぞれブランキング偏向する複数のブランカーと、
複数のシフトレジスタ全体を取り囲む矩形領域の4辺に沿って配置され、複数のシフトレジスタにより構成される複数の組の少なくとも1つにパラレル配線で接続された複数のシリアル・パラレル変換部と、
矩形領域の4辺に沿って配置され、複数のシリアル・パラレル変換部の1つとそれぞれ組みとなり、組となったシリアル・パラレル変換部と単一配線で接続された複数のパッドと、
を備えたことを特徴とする。
複数のシフトレジスタと複数のブランカーは、基板の膜厚が薄い第1の領域に配置され、
パッドとシリアル・パラレル変換部とにより構成される複数の組は、基板の膜厚が厚い第2の領域に配置されると好適である。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングプレートのメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、電極24,26と制御回路41の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングプレート204は、図3に示すように、支持台33上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域30(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域30を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域32(第2の領域)となる。メンブレン領域30の上面と外周領域32の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域32の裏面で支持台33上に保持される。支持台33の中央部は開口しており、メンブレン領域30の位置は、支持台33の開口した領域に位置している。
22 穴
24,26 電極
30 描画領域
32 ストライプ領域
40 シフトレジスタ
41 制御回路
42 レジスタ
46 アンプ
48 カウンタ
60 面積密度算出部
62 照射時間算出部
64 データ加工部
68 転送処理部
72 描画制御部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
139 ステージ位置検出器
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
210 ミラー
Claims (6)
- 2次元に配列され、直列に接続された複数の組を構成する複数のシフトレジスタと、
前記複数のシフトレジスタのうち対応するシフトレジスタを介してそれぞれ制御される、マルチビームの対応ビームをそれぞれブランキング偏向する複数のブランカーと、
前記複数のシフトレジスタ全体を取り囲む矩形領域の4辺に沿って配置され、前記複数のシフトレジスタにより構成される複数の組の少なくとも1つにパラレル配線で接続された複数のシリアル・パラレル変換部と、
前記矩形領域の4辺に沿って配置され、前記複数のシリアル・パラレル変換部の1つとそれぞれ組みとなり、組となったシリアル・パラレル変換部と単一配線で接続された複数のパッドと、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。 - 前記4辺の各辺において、前記パッドと前記シリアル・パラレル変換部とにより構成される複数の組が同じピッチで配置されることを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
- 前記4辺の各辺において、前記パッドと前記シリアル・パラレル変換部とにより構成される複数の組が同じ数だけ配置されることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
- 前記4辺の各辺において、前記複数の組は、前記マルチビームのビームピッチの2n倍(nは自然数)のピッチで配置されることを特徴とする請求項2又は3記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
- 膜厚が薄い第1の領域と、膜厚が厚い第2の領域と、を有する基板をさらに備え、
前記複数のシフトレジスタと前記複数のブランカーは、前記基板の膜厚が薄い前記第1の領域に配置され、
前記パッドと前記シリアル・パラレル変換部とにより構成される複数の組は、前記基板の膜厚が厚い前記第2の領域に配置されることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。 - 前記複数の組の各組を構成する前記パッドと前記シリアル・パラレル変換部との間の距離は、当該組が配置される矩形領域の辺と前記基板の端との距離よりも小さいことを特徴とする請求項5記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
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