JP2006120230A - 高耐久性を有する断熱スタンパ構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に微細パターンを有する光ディスク基板成形用金型(スタンパ)において、最表面部が金属材料からなり、中間部が該最表面部より小さい熱伝導率を有し、最下部が前記最表面部の金属材料と同じ金属材料からなり、かつ前記中間部は、前記最表面部及び最下部の金属材料と同じ金属材料と、多数の断熱性小部分とを有するものであることを特徴とする断熱スタンパ。
【選択図】 図5
Description
特許文献1及び2記載の技術は、初期品質には効果が認められた。特許文献3記載の技術は初期、経時ともに格段の効果が得られた。しかし樹脂層の劣化現象は防止することができなかった。
工程内検査が不能であり、完成度の高い耐久性を要求されている。
背景2:大容量化に伴う成形条件の過酷化への対応
メディア大容量化に伴う成形条件の変更(樹脂温の高温化、型締め力の増加)に加えて、接触面積の増大に伴い離型抵抗が増大するのでスタンパ各界面での密着性不足問題が急激に浮上してきた。
装置や金型での設計対応ではなくスタンパ構造、製作方法を検討することで、従来設備の有効活用のメリットを追及。メディア用の成形樹脂(ポリカーボネイト)には、熱分解温度(約400℃)に限り無く近づけた条件下でも十分な熱安定性が得られるよう改良が加えられてきた。その結果、型締め力の低減が図れるようになり装置能力も十数年前には75tonクラス(75tonクラスの単位面積当の圧力は約1000kg/cm2)を必要としたが、現在では35tonクラスが主流を占めるに到った。しかしながら今後のメディア容量の急激な増加、換言するなら高密度化に伴い型締め力は、50tonクラスへ戻りつつある。即ち成形材料の改良効果が大容量化によって失われつつある現況である。
更に本発明は、従来型断熱スタンパの性能と同等以上の断熱機能を有するべく熱設計された新規なスタンパ構造を提供することにある。さらに、環境負荷低減を可能とする構造を検討して、複数の製造装置から成る複雑な工程を可能な限り、簡素化することで製造エネルギーを抑制することを目的とする。
また、従来型の断熱スタンパ構成では、高分子層とNi層の界面の密着性が熱サイクルと加重サイクルに対して十分な耐久性が得られていない。今後メディアの大容量化に伴いますます過酷な使用環境に曝される点を鑑み、本発明は、断熱機能を維持しながらしかも高い耐久性を有する新規な構造を提供することを目的とする。
さらにまた、剥離界面を発生させない新規な構造の断熱スタンパを提供することを目的とする。
(2)「前記中間部は、前記金属材料のマトリックス中に前記断熱性小部分が交互に不連続的に分散して存在するものであることを特徴とする前記第(1)項に記載の断熱スタンパ」;
(3)「前記断熱性小部分が、前記中間部の金属材料中に存在する耐熱性物質により形成されたものであることを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載の断熱スタンパ」;
(4)「前記断熱性小部分が、前記中間部の金属材料中に存在する微細空洞により形成されたものであることを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載の断熱スタンパ」;
(5)「前記中間部は、前記最表面部と最下部の間で層状に存在し、かつ、前記耐熱性物質は、該層状の中間部の中で少なくとも層の深さ方向で分散密度が異なる分散状態で存在するものであることを特徴とする前記第(3)項に記載の断熱スタンパ」;
(6)「前記金属材料がNiであることを特徴とする前記第(1)項に記載の断熱スタンパ」;
(7)「前記耐熱性物質が耐熱性樹脂または耐熱性無機材料であることを特徴とする前記第(3)項に記載の断熱スタンパ」;
(8)「前記耐熱性樹脂が、フッ素系樹脂(PTFE:ポリテトラフルオロエチレン、PFA:パーフロロアルコキシ樹脂、ETFE:テトラフオロエチレン、PVDF:ポリビニリデンフルオライド)微粒子、芳香族ポリイミド微粒子、または芳香族ポリアミド微粒子、シリコン系樹脂の微粒子であることを特徴とする前記第(7)項に記載の断熱スタンパ」;
(9)「前記耐熱性無機材料が、ジルコニア系あるいはアルミナ系、炭化珪素系、窒化珪素系であることを特徴とする前記第(7)項に記載の断熱スタンパ」;
(10)「最表面部が金属材料からなり、中間部が該最表面部より小さい熱伝導率を有し、最下部が前記最表面部の金属材料と同じ金属材料からなり、かつ前記中間部は該最表面部及び最下部の金属材料と同じ金属材料を用いた断熱スタンパを製造する方法であって、電鋳法で形成することを特徴とする断熱スタンパの製造方法」;
(11)「1つの電鋳装置で前記最下部、中間部、最表面部の3部分の電析を行なうことを特徴とする前記第(10)項に記載の断熱スタンパの製造方法」;
(12)「前記第(1)項乃至第(9)項のいずれかに記載の断熱スタンパを使って製造された光ディスク」によって解決される。
また、工程の連続性、複雑な工程からの解放(厚塗り高分子層:欠陥、ベ−ク不完全、表面改質工程、樹脂剤のロット間差、温湿度管理など)が可能であり、出荷前の耐久性検査は不要であり、確実な品質の作り込みが可能になるという極めて優れた効果が発揮される。
さらに、工程の自由度向上が向上する。すなわち、成形工程とのマッチングを図る際に、断熱層の厚みを変更するだけで済む。更には、一次メッキ層の薄膜化も可能となり、更なるタクト短縮も図れるようになるという極めて優れた効果が発揮される。
さらにまた、環境負荷の大幅低減が可能となる。つまり、ベーク処理やスパッタ処理やエッチング処理が不要となり熱エネルギーゼロ化が図れ、また均膜化のためにはスピンコート法では80%以上の材料が無駄になっていたが、本発明ではこの問題とは無縁であるという極めて優れた効果が発揮される。
初期品質:図1で判るように2次メッキ層(2)、スタンパ導電皮膜(3)、断熱樹脂層(4)、1次メッキ層(5)の4層構造ではスタンパ内縁部と外終端部では断熱機能を有する樹脂層(4)は露出している。この部分は精密打ち抜きプレス装置にて所定の寸法ならびにパターンとの位置精度を得るべくせん断加工で仕上げられたものである。硬い層・柔らかい層・硬い層からなるサンドイッチ構造体をせん断する際に各層ヤング率の違いがあると一般的には加工後は段差が発生しやすい。
即ち、加工後は樹脂層が僅かに凹部になる。この鍔形状では外力に対して応力集中を招き、剥がれの起点と成り易い。事実、生産現場では、従来型断熱スタンパの場合、スタンパ取付け金型におけるインナーホルダーのスムースな着脱作業が特に要求されている。
初期的なスタンパ寿命を左右する重要な要因の一つである。
断熱作用を得るべく設けられた高分子層とNi層の界面では、当然ながら熱膨張差と圧力サイクルに起因するスベリ応力が発生することで、熱的ならびに機械的な疲労が蓄積され最終的には界面剥離にいたるのである。
Ni−高分子−Niという不連続な構造体では不可避の現象である。
図中、(1)は可動金型、(2)は2次メッキ層、(3)はスタンパ導電皮膜、(4)はスタンパ断熱樹脂層、(5)は一次メッキ層、(6)は溶融成形樹脂、(7)は固定金型、(8)はインナーホルダーを示す。従来型スタンパでは異種材料が接する界面が2箇所存在する。すなわち、界面(A)(スタンパ導電皮膜(3)とスタンパ樹脂層(4)の接触面)と、界面(B)(スタンパ樹脂層(4)と一次メッキ層(5)の接触面)である。2箇所いずれも金属Niと例えばポリイミド樹脂の組み合わせである。
300℃以上の高温状態の溶融成形樹脂(6)がキャビティ内に射出されると30μmという薄いスタンパ一次メッキ層(5)は熱容量が小さいため溶融樹脂からの吸熱エネルギーで短時間に昇温される。と同時に界面(B)を介してスタンパ樹脂層(4)へも熱伝導が行なわれる。
表1に物性比較を示す。
(A)樹脂の分子鎖セグメントに回転能を与えるべく不完全キュアー条件(200℃より低い温度域)で硬化させることで密着性をやっと保っている。
(B)スタンパ導電皮膜(3)とスタンパ樹脂層(4)の接触面をArイオンなどで逆スパッタ処理を行ない、面荒らしによるアンカー効果で密着性の改善をする。
更に、キャビティ内で繰り返し発生する圧力と温度変化により樹脂そのものが膨張収縮を繰り返し経時的に劣化していくこも判ってきた。
つまり、これらの対応策はあくまで対処療法の域を出ず、品質の信頼性の面で問題を残存させてきた。
ここでは、図2で従来型断熱スタンパ構造の製作面での制約条件とそれによる弊害を説明する。
(a)マザースタンパからサンスタンパ(Son stamper)を複製する工程でしか作成できない欠点を有していた。
ポリアミック酸塗工液を塗布して150〜200℃以上の炉内で熱硬化性イミド樹脂にキュアーする必要がある。ガラス原盤から作成するマスタースタンパに断熱層を形成することは好ましくない。何故ならば、凹凸パターンを形成されたレジスト層は該キュアー条件下では大きく変質して除去困難になることが知られている。
マスタースタンパへの適用は基本的に不可である(マスタースタンパからマザースタンパを得、これを介してサンスタンパを複製)。
(b)断熱樹脂層(4)は金属に比べて機械的かつ熱的に弱いため一次メッキ層(5)の厚みを必要以上に厚くしなければならなかった。
前記特許文献4に記載の技術は断熱層の好ましい厚みを開示している。しかし成形工程のタクトアップを図るには一次メッキ層(5)の厚みを十分に薄くすることで熱容量を下げ、表面温度を速やかに上昇させ、転写完了までは樹脂温度を成るべく高い状態に保てる方が好ましい。
ところが、柔らかい単一樹脂層を断熱層に採用した従来型断熱スタンパでは、表面強度を確保すべく機能面で要求される値より厚い30μm以上の一次メッキ層(5)を設けざるを得なかった。
しかし本発明では、図3と図4に示す如く、マスタースタンパならびにサンスタンパのいずれにおいても適用可能な構造を提供できるようになった。
これに対して、本発明の1典型例では図7に示す如く、一次メッキ層(5)/複合材層(9)/2次メッキ層(2)(厚付けメッキ)で構成される設計とした。
また、本発明の断熱スタンパの中間部における断熱性小部分のサイズは、通常、平均粒径50μm以下、好ましくは粒径0.05μm〜5μmである。
さらに、本発明の断熱スタンパの中間部における断熱性小部分の分布割合は、金属母材例えばNi母材のヤング率との差にもよるが、通常、金属材料100容量部当り、50容量部以下であることが好ましく、有機材料からなる断熱性小部分の場合は、より好ましく40容量部以下であることがより好ましい。有機材料の断熱性小部分が多すぎると機械的強度の低下を招く恐れがある。無機材料の場合には50容量%以下でよい。但し、無機材料はNi−Ni−Niの結合を阻害しないものであることが好ましい。
−Ni−Ni−Ni−の連続的なマトリック内部に耐熱性微粒子が任意の体積比率を持ちながら分散している構造である。
即ち、機械的性質は連続であるが熱的な物性値が厚み方向に、適宜、制御されている構造である。従来型とは異なり、密着性の小さなNi層と高分子層界面を無くしながら、かつ断熱性能は確保することが可能となった。
また耐熱性無機材料の微細粒子では、ジルコニア系あるいはアルミナ系、炭化珪素系、窒化珪素系を選定した。
更に、無機系粒子に関しては、通常の電界に加え強磁界の発生機構を配置し電析の補助力とする工夫も有効であることが判った。
図7:本発明のスタンパでは金属Ni主体で構成されているために強度的な問題は解消される。
従って、熱容量を小さくして昇温速度を上げるべく一次メッキ層(5)の厚みを極端薄くできる。
図7の複合Niメッキ層(9)の厚みは、熱伝導率で決定できる。
Niは樹脂(テフロン(登録商標)、ポリアミド)に比べて10倍以上の熱伝導率を有する。一次メッキ層(5)の厚みを1/10に設定すれば従来型と同じ厚みの複合材料系の断熱層で同程度の機能が得ることができることを意味する。更に一次メッキ層(5)の厚みを薄くすることでタクトアップを図ることができた。
図6に示す従来型の一次メッキ層5の厚みに比べて、図7の一次メッキ層(5)が極端に薄くできることが特徴的である。
右側の立ち上がりの遅いカーブが本発明で意図する複合メッキでの挙動である。僅か3μmの複合メッキの有無で断熱性が向上することが判明した。
同様の実験を繰り返し実施した結果を元に、本発明のこの実施例では、複合メッキの樹脂体積比率が25%、一次メッキ層を3μm、複合Niメッキ層8の厚みを35μm、スタンパ全厚み300μmの構成を採用して成形条件を決定した。また、この例におけるメッキ浴中のテフロン(登録商標)粒子の含有率は30%であった。
図3と図4に模式図を示した。
従来型断熱スタンパでは成形耐久性が0.2〜4万ショットとばらついていたが、新型の断熱スタンパでは、安定して10万ショット以上耐えることが判った。
図5は成形金型内部での温度変遷を示した概念図である。
金型表面、すなわちスタンパ表面温度は、樹脂の充填時から上昇を始める。熱源は溶けた樹脂である。溶融樹脂は自身が持つ熱量を金型に与えながら金型表面温度を上昇させる。この熱の収支により、溶融樹脂の温度は低下を始める。溶融樹脂は、温度が高いほど粘度が低くなり転写の能力が向上し、ある温度以下では粘度が高くなり転写が困難となる。図中「転写可能温度域」とは、その転写の下限域(例えば或るポリカーボネート樹脂では160℃)を意味する。
当然通常スタンパにおいても金型設定温度を高温に設定すれば、到達温度を高くかつ持続時間も長くする事は可能となる。しかしその設定では、基板の機械特性、すなわち平坦性の悪化を招いてしまう(後述)。
耐久性の向上に加えて、本発明の最大の特徴の1つは従来型断熱スタンパの有効性を極限まで引き出すべく、一次メッキ層の薄肉化を意図した点にある。
また、導電膜(3)の形成に先立ちイオンスパッタ等の面荒らし工程も必須であった。しかも条件がばらつくと樹脂表面にWBL層(Weak Boundary Layer)と呼ばれる脆化層が発生し使用時の界面剥れを誘起することも知られている.
以上述べてきた如く、従来型断熱スタンパは、異種材料の積層構造であるが故に、様々な細かい制約条件をクリヤーしなければならなかった。
しかし、本発明ではメッキ工法で一貫しており、上述の諸々の制約条件から解放されており欠陥問題でも大幅な改良効果が得られたものである。
電気メッキの浴組成は下記の構成を用いた。
・スルファミン酸Ni水溶液(1モル/L)、塩化Ni水溶液(0.2モル/L)、硼酸(0.5モル/L)
・スルファミン酸Ni(280g/L)、塩化Ni(45g/L)、硼酸(40g/L):ワット浴
PTFE或いはポリイミドの10〜500nmの粒径を有する微細粒子(10〜40g/L)を分散助剤とともに入れ、所定の時間かけて混合撹拌ならびに空電解を行い建浴を実施する。
液温は、55℃〜室温、好ましくは40℃を選択することができる。高温であるとメッキ膜に割れを生じることがある。
電鋳条件は、通電の電流密度500〜1000A/m2で行なう。電流密度が大きすぎるとメッキ膜中に含有される断熱性微粒子の含有量が過少になることがある。
特許文献5に開示された工程フローを図8に示した。
該工程中で「5.サンスタンパ作成:1次メッキ/高分子層形成/導電化処理〈2〉/2次メッキ形成」が従来型断熱サンスタンパに関わる部分である。
製造装置としては、電鋳装置→(洗浄・乾燥)→樹脂調合装置→スピナ−(樹脂塗布)→高温炉(樹脂キュアー)→エッチング装置(面荒らし)→スパッタ装置(導電膜形成)→電鋳装置 を使用している。
一方、本発明では、電鋳装置1(Niメッキ浴)→電鋳装置2(複合分散メッキ浴)で完結する。電力消費量として概算50%の削減が可能となった。
更に、図8の工程「3:マスタースタンパ作成」ならびに「4:マザースタンパ作成」にも適用することができる。
最終工程の「6.サンスタンパ仕上げ:裏面研磨/内外形加工/検査」においても連続的な機械強度を有した構造なのでプレス打ち抜き方式による内外形加工も問題なく実施できる。従来型断熱スタンパ構造ではエッジ部で段差や剥がれが発生していたが本発明では、懸念する必要は無くなった.
図10、図11、図12は、本発明から発展的に考案された変形実施例の説明図である。
図10の右のグラフは、断熱スタンパの表面側(成形樹脂と接する面)から裏面(固定金型に接する面)に行くに従っての微粒子の傾斜型分散密度(体積比率%)をプロットしたものである。本実施例では一次メッキ層直下の領域では微粒子が高濃度で分散し、裏面に行くに従ってその濃度を低下させ裏面は純Niのみになるよう制御された例である。この実施例は、複合メッキ中にワークを異なるメッキ装置、メッキ浴に移すという工程をより簡便にかつ連続的に実施すべく工夫したものである。
図11:複合メッキ用タンク(T4)に3つのタンク(T1)、(T2)、(T3)を連結している。タンク(T1)と(T3)にはスルファミン酸Ni電鋳液が格納されている。タンク(T2)には耐熱性微粒子が所望の濃度で分散、攪拌、混合されている。図中(P12)はワーク電極、(P1)はNiペレットを配置したアノードバック電極である。対向する両電極間には電源(S)により電位勾配を形成させる。Niイオンならびに微粒子は該電気力線に従ってワーク表面に逐次、析出するものである。複合膜中への微粒子の取り込み量の制御は電流密度コントロールにより実施される。
本実施例では電流密度4A/dm2が極大点であることを確認して実施した。即ち、メッキ初期は1A/dm2から処理を開始し(Step1)10秒後から4A/dm2で電析(Step2)を開始し約30分経過後、順次6A/dm2を経て10A/dm2でNi厚付けメッキ(Step3)を行なった。
Step1ではバルブ(V11)、(V12)、(V31)、(V32)が開状態、(V21)、(V22)は平状態である。タンク(T1)と(T3)からスルファミン酸Ni液が主に導入され純Ni膜が形成される。
次にStep2ではバルブ(V11)、(V12)、(V31)、(V32)をやや閉状態にしながら(V21)、(V22)を全開にする。タンク(T4)内の量電極間隙領域には微粒子分散浴が充満され複合メッキが進行する。所望の厚みと分散濃度に到った後は、Step3として導入バルブ(V21)を閉じる。排出バルブ(V22)の流量を急増させ、(P12)と(P1)間隙部の微粒子濃度を低下させる。
図12(装置上面図)には2箇所(太字点線表示)の隔壁部材を配置した。この隔壁部材はnmオーダの無数の微小な貫通穴が形成されている。Niイオンは自由に通過可能であるが100nm以上の粒子は通過不能である性質を有する特殊な膜である。従って、微粒子が他のタンク(T1)や(T3)に混入汚染することはないよう配慮した。
タンク(T2)ではレーザ式パーティクルカウンターで微粒子濃度をモニターしている。消費された微粒子を所定の濃度に維持すべく高濃度微粒子分散液を適宜、補充していく構成をとっている。
図10、図11、図12は、本発明から発展的に考案された変形実施例の説明図である。
図10の右のグラフは、断熱スタンパの表面側(成形樹脂と接する面)から裏面(固定金型に接する面)に行くに従っての微粒子の傾斜型分散密度(体積比率%)をプロットしたものである。本実施例では一次メッキ層直下の領域では微粒子が高濃度で分散し、裏面に行くに従ってその濃度を低下させ裏面は純Niのみになるよう制御された例である。この実施例は、複合メッキ中にワークを異なるメッキ装置、メッキ浴に移すという工程をより簡便にかつ連続的に実施すべく工夫したものである。
図11:複合メッキ用タンク(T4)に3つのタンク(T1)、(T2)、(T3)を連結している。タンク(T1)と(T3)にはスルファミン酸Ni電鋳液が格納されている。タンク(T2)には耐熱性微粒子が所望の濃度で分散、攪拌、混合されている。図中(P12)はワーク電極、(P1)はNiペレットを配置したアノードバック電極である。対向する両電極間には電源(S)により電位勾配を形成させる。Niイオンならびに微粒子は該電気力線に従ってワーク表面に逐次、析出するものである。複合膜中への微粒子の取り込み量の制御は電流密度コントロールにより実施される。
本実施例では電流密度4A/dm2が極大点であることを確認して実施した。即ち、メッキ初期は1A/dm2から処理を開始し(Step1)10秒後から4A/dm2で電析(Step2)を開始し約30分経過後、順次6A/dm2を経て10A/dm2でNi厚付けメッキ(Step3)を行なった。
Step1ではバルブ(V11)、(V12)、(V31)、(V32)が開状態、(V21)、(V22)は平状態である。タンク(T1)と(T3)からスルファミン酸Ni液が主に導入され純Ni膜が形成される。
次にStep2ではバルブ(V11)、(V12)、(V31)、(V32)をやや閉状態にしながら(V21)、(V22)を全開にする。タンク(T4)内の量電極間隙領域には微粒子分散浴が充満され複合メッキが進行する。所望の厚みと分散濃度に到った後は、Step3として導入バルブ(V21)を閉じる。排出バルブ(V22)の流量を急増させ、(P12)と(P1)間隙部の微粒子濃度を低下させる。
図12(装置上面図)には2箇所(太字点線表示)の隔壁部材を配置した。この隔壁部材はnmオーダの無数の微小な貫通穴が形成されている。Niイオンは自由に通過可能であるが100nm以上の粒子は通過不能である性質を有する特殊な膜である。従って、微粒子が他のタンク(T1)や(T3)に混入汚染することはないよう配慮した。
タンク(T2)ではレーザ式パーティクルカウンターで微粒子濃度をモニターしている。消費された微粒子を所定の濃度に維持すべく高濃度微粒子分散液を適宜、補充していく構成をとっている。
2 2次メッキ層
3 スタンパ導電皮膜
4 スタンパ樹脂層(ポリイミド層)
5 一次メッキ層
6 溶融成形樹脂
7 固定金型
8 インナーホルダー
9 複合材層
S 電源
T1 タンク
T2 タンク
T3 タンク
T4 タンク
P1 アノードバック電極
P12 ワーク電極
V11 バルブ
V12 バルブ
V21 バルブ
V22 バルブ
V31 バルブ
V32 バルブ
Claims (12)
- 表面に微細パターンを有する光ディスク基板成形用金型(スタンパ)において、最表面部が金属材料からなり、中間部が該最表面部より小さい熱伝導率を有し、最下部が前記最表面部の金属材料と同じ金属材料からなり、かつ前記中間部は、前記最表面部及び最下部の金属材料と同じ金属材料と、多数の断熱性小部分とを有するものであることを特徴とする断熱スタンパ。
- 前記中間部は、前記金属材料のマトリックス中に前記断熱性小部分が交互に不連続的に分散して存在するものであることを特徴とする請求項1に記載の断熱スタンパ。
- 前記断熱性小部分が、前記中間部の金属材料中に存在する耐熱性物質により形成されたものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の断熱スタンパ。
- 前記断熱性小部分が、前記中間部の金属材料中に存在する微細空洞により形成されたものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の断熱スタンパ。
- 前記中間部は、前記最表面部と最下部の間で層状に存在し、かつ、前記耐熱性物質は、該層状の中間部の中で少なくとも層の深さ方向で分散密度が異なる分散状態で存在するものであることを特徴とする請求項3に記載の断熱スタンパ。
- 前記金属材料がNiであることを特徴とする請求項1に記載の断熱スタンパ。
- 前記耐熱性物質が耐熱性樹脂または耐熱性無機材料であることを特徴とする請求項3に記載の断熱スタンパ。
- 前記耐熱性樹脂が、フッ素系樹脂(PTFE:ポリテトラフルオロエチレン、PFA:パーフロロアルコキシ樹脂、ETFE:テトラフオロエチレン、PVDF:ポリビニリデンフルオライド)微粒子、芳香族ポリイミド微粒子、または芳香族ポリアミド微粒子、シリコン系樹脂の微粒子であることを特徴とする請求項7に記載の断熱スタンパ。
- 前記耐熱性無機材料が、ジルコニア系あるいはアルミナ系、炭化珪素系、窒化珪素系であることを特徴とする請求項7に記載の断熱スタンパ。
- 最表面部が金属材料からなり、中間部が該最表面部より小さい熱伝導率を有し、最下部が前記最表面部の金属材料と同じ金属材料からなり、かつ前記中間部は該最表面部及び最下部の金属材料と同じ金属材料を用いた断熱スタンパを製造する方法であって、電鋳法で形成することを特徴とする断熱スタンパの製造方法。
- 1つの電鋳装置で前記最下部、中間部、最表面部の3部分の電析を行なうことを特徴とする請求項10に記載の断熱スタンパの製造方法。
- 請求項1に記載の断熱スタンパを使って製造された光ディスク。
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