JP2013142192A

JP2013142192A - 金型製造方法、金型

Info

Publication number: JP2013142192A
Application number: JP2012004346A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Shirasagi; 俊彦白鷺; Yoshinori Yoshimura; 芳紀吉村; Isao Aoki; 功雄青木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2012-01-12
Filing date: 2012-01-12
Publication date: 2013-07-22

Abstract

【課題】所要の凹凸パターンが転写された製品を作成するための金型を電鋳により製造する場合において、鋳型からの離型性を良好としつつパターン転写精度の低下の防止を図る方法を提供する。
【解決手段】所要の凹凸パターンが形成された鋳型に対して無電解めっき用の触媒をドライプロセス（例えばスパッタリング法など）により成膜した上で、該触媒を用いた無電解めっき処理により第１導電膜を成膜する。さらに、該第１導電膜を成膜した鋳型に対して電鋳を行い、該電鋳後、鋳型からの離型を行って上記凹凸パターンが転写された金型を得る。
【選択図】図１

Description

本技術は、所要の凹凸パターンが形成された鋳型に対して電鋳を行って上記凹凸パターンが転写された金型を得る金型製造方法に関する。また、上記凹凸パターンが転写された金型に関する。

特開２００５−１２０３９２号公報

例えば光ディスク記録媒体やモスアイ（Moth Eye：蛾の眼）基板等、微細な凹凸構造を有する製品の量産にあたっては、いわゆるナノインプリントなどとして知られるように、金型を用いたパターン転写技術が広く用いられている。例えば、上記金型に紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂を流し込み硬化処理を施し、硬化後材料を上記金型から剥離することで微細凹凸パターンが転写された製品を得るというものである。

このとき、上記金型については、その元となる原盤に対する電鋳を行って製造するようにされている。
具体的に、上記金型の製造にあたっては、先ずは微細凹凸パターンを形成した原盤を作成する。例えば原盤材料としてはＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ₂（石英）、Ａｌ₂Ｏ₃（サファイア）などが用いられ、このような原盤材料に対して例えば電子ビームやレーザビームによる露光処理とエッチング処理を行って微細な凹凸パターンが形成された原盤を得る。

上記金型は、このように作成した原盤に対して直接的に電鋳を行って作成しても良いが、一般に原盤はその価格が高価とされるため、原盤に対する直接的な電鋳は避けられる傾向にある。従って多くの場合、原盤上の形成パターンをさらに転写した転写原盤を作成し、該転写原盤に対する電鋳を行って上記金型を得るようにされている。
このとき、上記転写原盤の作成は、前述した金型から製品へのパターン転写と同様にナノインプリント技術を用いて行われ、従って該転写原盤としては紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂等の樹脂材料で構成される。

ここで、上記原盤又は転写原盤を鋳型として用いた電鋳により上記金型を作成するにあたっては、それら鋳型上に電鋳用の導電膜を成膜するということが行われる。
この導電膜については、例えばスパッタリングのようなドライプロセス、或いは無電解めっき処理のようなウェット処理による成膜が一般に行われている。

上記導電膜を成膜した鋳型を、例えばニッケルめっき液などのめっき液中で電鋳し、上記導電膜上に金属材料を折出する。そして電鋳後、鋳型からの離型を行うことで、鋳型に形成された凹凸パターンが転写された金型を得ることができる。

ところで、近年においては、製品に形成すべき凹凸パターンに関してナノオーダー程度の微細化が要請され、またアスペクト比についても２以上に高めることが要請されている。
このような近年の事情の下では、鋳型上の微細パターンに対して上記導電膜を精度よく形成し、その後の電鋳でパターン形状を劣化させること無く離形することが非常に困難となってきている。
以下、その具体的な理由について上記導電膜の成膜手法ごとに場合を分けて説明する。

［電鋳に必要な導電膜をスパッタリング法により形成した場合］
導電膜をドライプロセス、特にスパッタリング法により成膜する手法を採った場合には、導電膜の形成材料である例えばＮｉ（ニッケル）やＡｇ（銀）、酸化タングステン等の鋳型に対する密着が非常に強固となる。このため、電鋳後の鋳型からの離型性が悪く、鋳型の素材の一部が金型側に一部転写（付着）されるなどして、パターン転写精度が悪化するものである。
また、導電膜が鋳型に対して強密着に成膜されていると、電鋳後の離型処理において鋳型と金型とが擦れ合うことで金型の表面の一部が捲れ上がり、この点でもパターン転写精度の悪化を招くことになる。

［電鋳に必要な導電膜を無電解めっき法により形成した場合］
無電解めっきによる成膜は、ドライプロセスによる成膜と比較して低密着な成膜となる。従って離型性の面ではドライプロセスとの比較で優位となる。
ここで、一般に無電解めっきを行う場合、その前処理として、鋳型の表面（パターン形成面）に対しＰｄ（パラジウム）等の触媒を吸着させ、その触媒上で酸化還元反応により無電解めっき膜を形成することになる。
具体的に上記前処理としては、界面活性剤により上記パターン形成面を親水性とした後に、触媒形成用材料（例えば塩化パラジウムの保護コロイド）を吸着させ、アクセレータ等の酸処理により保護コロイドの一部を除去して触媒を活性化させる。無電解めっき法では、このように吸着させた触媒の表面でめっき液中の還元剤が酸化されるときに放出される電子を利用してめっき被膜が生成される。

しかしながら、鋳型として原盤そのものを用いる場合、すなわち前述したシリコンや石英などの無機材料による原盤に対する電鋳用導電膜の形成を行う場合には、上記の前処理の手法（つまりウェット処理）では、触媒を殆ど吸着させることができない。
原盤に対しシランなどのカップリング剤を塗布したりジンケート処理を施して触媒を吸着させることも考えられる（例えば上記特許文献１を参照）が、その場合には無電解めっき膜の密着力が小さすぎて簡単に剥がれ落ちてしまう虞がある。

また、鋳型として前述の転写原盤（樹脂製原盤）を用いる場合、該転写原盤としてはナノオーダーによる微細パターンを原盤から精度よく転写するために、その表面にフッ素系の離型剤が塗られていたり、或いは樹脂自体の成分（骨格）中にフッ素が混入していることが多い。
このようにフッ素成分が含有されることで、この場合の鋳型としては固体の表面自由エネルギーが過大となるため、鋳型表面の親水化が困難であり、従って触媒を吸着させることが非常に困難となる。

また、無電解めっき法は離型性の高い膜を形成できるというメリットはあるが、その処理が前処理も含めウェット処理で行われ、薬品塗布と水洗が８回以上行われるため、鋳型表面に対する触媒の吸着量が不均一となり易い。
触媒の吸着が不均一であると、無電解めっき膜としてもその成膜状態が不均一となり、結果、外観むらが発生する。すなわち、パターン転写精度の低下を招くものである。

本技術は上記のような問題点に鑑み為されたものであり、所要の凹凸パターンが転写された製品を作成するための金型を電鋳により製造する場合において、鋳型からの離型性を良好としつつパターン転写精度の低下防止を図ることをその課題とする。

上記課題の解決のため、本技術では金型製造方法として以下を提案する。
すなわち、本技術の金型製造方法は、所要の凹凸パターンが形成された鋳型の上記凹凸パターンの形成面側に対して、無電解めっきの触媒として機能し得る触媒材料をドライプロセスにより成膜する触媒成膜工程を有する。
また、上記触媒材料を触媒として無電解めっき処理を行って上記鋳型に対し第１導電膜を成膜する無電解めっき工程を有する。
また、上記無電解めっき工程により上記第１導電膜が成膜された上記鋳型に基づく電鋳処理を行って金属材料を折出する電鋳工程を有する。
また、上記鋳型上に形成された金属材料を剥離して上記凹凸パターンが転写された金型を得る離型工程を有するものである。

上記のように本技術では、所要の凹凸パターンが形成された鋳型に対して無電解めっき用の触媒をドライプロセス（例えばスパッタリング法など）により成膜した上で、該触媒を用いた無電解めっき処理により第１導電膜を成膜するものとしている。そして、該第１導電膜を成膜した鋳型に対して電鋳を行い、該電鋳後、鋳型からの離型を行って上記凹凸パターンが転写された金型を得るものとしている。
無電解めっきの触媒をドライプロセスにより成膜しているので、該触媒を鋳型（パターン形成面）に対して確実且つ均一に吸着できる。また一方で、触媒の成膜は低密着に行うものとすれば、離型時に鋳型の一部が剥がれ金型側に付着（転写）されてしまうといった事態の発生を効果的に防止できる。また本技術では無電解めっき法を採用しているので離型性は良好となる。
これらの結果、上記本技術によれば、鋳型からの離型性を良好なものとしつつ、触媒の不均一吸着に伴う無電解めっき膜の成膜むらに起因したパターン転写精度の低下を効果的に防止できる。

上記のように本技術によれば、所要の凹凸パターンが転写された製品を作成するための金型を電鋳により製造する場合において、鋳型からの離型性を良好としつつパターン転写精度の低下防止を図ることができる。

実施の形態の金型製造方法の具体的手順についての説明図である。パターン転写精度を確認するための実験結果（電子顕微鏡による観察結果）を示した図である。

以下、本技術に係る実施の形態について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。

＜１．実施の形態としての金型製造方法＞
＜２．具体的な実施例＞
＜３．変形例＞

＜１．実施の形態としての金型製造方法＞

先ず、実施の形態で製造する金型についての前提事項について説明しておく。
実施の形態で製造する金型は、例えばサブミクロンオーダーやナノメートルオーダー程度の微細な凹凸パターンが形成された光学製品を製造するための金型となる。
具体的に、この場合に想定する光学製品としては、モスアイ（Moth Eye：蛾の眼）構造を有する製品や光記録媒体等を挙げることができる。

モスアイ構造を有する光学製品の例としては、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）の光取り出し部や太陽電池の光取り込み部、或いは無反射フィルム等を挙げることができる。
なお、光記録媒体とは、光の照射により情報の記録／再生が行われる記録媒体を総称したものである。

実施の形態で製造する金型は、これらの光学製品をナノインプリント技術を用いて作成するための金型として用いられる。例えば、上記金型に対し紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂を流し込み硬化処理を施し、硬化後材料を上記金型から剥離（離型）することで微細凹凸パターンが転写された光学製品を得る。

このような金型は、そのマスターとなる原盤を鋳型として電鋳を行うことで製造できる。
前述もしたように、上記原盤の材料としてはＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ₂（石英）、Ａｌ₂Ｏ₃（サファイア）などが用いられる。
このような無機材料による原盤に対して例えば電子ビームやレーザビームによる露光処理とエッチング処理を行って微細な凹凸パターンが形成された原盤を得る。

ここで、上記のように製造される原盤自体は一般にその価格が高価とされるため、該原盤を鋳型として直接的に電鋳を行うことは避けられる傾向にあり、多くの場合、原盤上の形成パターンをさらに転写した転写原盤を作成し、該転写原盤を鋳型とした電鋳を行って上記金型を得るということが行われている。
この転写原盤の作成は、上述した金型から光学製品へのパターン転写と同様にナノインプリント技術を用いて行われ、従って該転写原盤としては紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂等の樹脂材料で構成されることになる。
なお、上記ではパターン転写にあたり液状の樹脂を用いる場合を例示したが、フィルム状の紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂を原盤に押し当てた状態で硬化処理を施すことによってもパターン転写を実現できる。このとき、フィルム状の樹脂材料としては例えばＰＥＴ（PolyEthylene Terephthalate）樹脂等を用いることができる。

以上の前提を踏まえ、実施の形態としての金型製造方法について説明する。
図１は、実施の形態の金型製造方法の具体的手順についての説明図である。
実施の形態の金型製造方法は、大別して１）無電解めっき用の触媒成膜工程、２）無電解めっき法による第１導電膜成膜工程、３）第２導電膜成膜工程、４）電鋳工程、５）離型工程に分けることができる。

図１Ａは、１）の触媒成膜工程について示している。
先ず、無電解めっき用の触媒２としては、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）等を挙げることができる。本例では触媒２としてＰｄを用いる場合を例示するが、触媒２としては無電解めっきの触媒となり得る材料であれば何れを選定するかは特に問わない。

触媒成膜工程では、上述した原盤又は転写原盤としての鋳型１に対し、触媒２としてのＰｄをドライプロセスにより成膜する。具体的には、鋳型１の表面（凹凸パターンの形成面）に対し、スパッタリング法や真空蒸着法などといったドライプロセスにより触媒２を所定以下の密着度で成膜する。
このとき、触媒２の密着度は、スパッタリングや蒸着で用いる直流又は交流電源出力、及びガス圧の設定により調整できる。具体的に、該密着度については、上記直流又は交流電源出力を低くし、また上記ガス圧を高めることによって低下させることができる。

図１Ｂは、２）の第１導電膜成膜工程について示している。
２）の第１導電膜成膜工程では、鋳型１に成膜された触媒２を用いた無電解めっき処理を行うことで、電鋳工程で必要とされる第１導電膜３を成膜する。
ここで、無電解めっきにより成膜する第１導電膜３は、メインの導電膜となる。このように無電解めっきで成膜した第１導電膜３をメインの導電膜とするのは、無電解めっき層は比較的低密着とされるため電鋳後の離型時に鋳型１側との離型性を高くすることができ、転写精度の向上が図られるためである。

なお確認のため述べておくと、無電解めっき法は、電気めっき法のように通電を必要としないため、樹脂材料やセラミックスのような不導体にもめっきが可能であるという利点を有する。

第１導電膜３の材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ、Ａｕ（金）、酸化タングステン等を挙げることができる。本例において、第１導電膜３は無電解ニッケルめっき液を用いて行う。従ってこの場合、第１導電膜３はニッケルを主成分とした材料で構成されることになる。

図１Ｃは、３）の第２導電膜成膜工程について示している。
該第２導電膜成膜工程では、無電解めっきにより成膜した第１導電膜３上に対し、第２導電膜４をドライプロセスにより成膜する。
ここで、第２導電膜４の材料としては、無電解めっきにより成膜された第１導電膜３と同材料を用いることが望ましい。本例の場合、無電解めっきで成膜された第１導電膜３はＮｉＰ（ニッケル-リン合金）とされ、これに応じ第２導電膜成膜工程では、第２導電膜４としてＮｉＰを成膜する。
また、第２導電膜４は、無電解めっきで成膜された第１導電膜３の破損を防ぐため、所定以下の密着度で成膜する。
なお、第２導電膜４を成膜することの意義については後述する。

図１Ｄは、４）の電鋳工程について示している。
該電鋳工程では、上記の各工程によって導電膜が成膜された鋳型１に対する電鋳（浴式電気めっき）を行う。
この電鋳工程で成膜するめっき５ａの材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ（鉄）、ＮｉＣｕ（ニッケル-銅合金）、ＮｉＦｅ（ニッケル-鉄合金）、ＮｉＣｏ（ニッケル-コバルト合金）、ＮｉＷ（ニッケル-タングステン合金）等を挙げることができる。本例では、Ｎｉを主成分とする導電膜を成膜するので、これに対応しニッケルめっき液を用いた電鋳を行う。

電鋳工程により所定厚のめっき５ａを成膜した後は、図１Ｅに示す離型工程を行う。すなわち、上記の各工程により形成した膜全体を鋳型１より剥離することで、該鋳型１の表面に形成された凹凸パターンが転写された金型５を得るものである。

ここで、上記により説明した触媒成膜工程において触媒２をドライプロセスにより成膜するものとしているのは、触媒２を均一に鋳型１表面に吸着させることができるためである。
通常、無電解めっきの前処理はウェット処理であるため、触媒２の吸着むら、不均一性が起こり易く、無電解めっき膜が成長した際に外観が汚くなる。これに対し、触媒２をスパッタリングや真空蒸着等のドライプロセスにより成膜する本実施の形態によれば、触媒２を均一に吸着させることができ、結果、無電解めっき膜の成膜むらの防止を図ることができる。

また、ドライプロセスによれば、鋳型１がシリコン等の無機材料で構成される場合（つまり原盤そのものの場合）、及び表面自由エネルギーの大となる材料で構成されている場合（つまりフッ素混入が想定される転写原盤に対し電鋳を行うとした場合）の何れであっても、触媒２を確実に吸着させることができる。また、アスペクト比の高い凹凸パターン形状でも、パターン底面まで確実に触媒２を吸着させることができる。

また一方で、この場合のドライプロセスによる成膜は上述のように低密着に行うので、離型時に鋳型１の一部が剥がれ金型５側に付着してしまうといった事態の発生を効果的に防止できる。つまりこの点で、ドライプロセスで直接的に導電膜の成膜を行う従来において生じていたパターン転写精度の低下を効果的に防止できる。

さらに本実施の形態では、メインとなる導電膜（第１導電膜３）は無電解めっき（ウェット処理）により成膜するものとしているので、比較的低密着の導電膜を成膜でき、離型性を向上できる。

また、本実施の形態では、第１導電膜３上に対してドライプロセスにより第２導電膜４を成膜するものとしているが、該第２導電膜４は、比較的低密着に盛られた第１導電膜３を適度に押さえつける（支持する）べく成膜されるものである。このため、該第２導電膜４の成膜により、電鋳のための電流が流されめっき皮膜が成長する電鋳初期時において、低密着力の無電解ニッケル膜（第１導電膜３）が電気的な負荷や熱、めっき応力によって鋳型１側から剥がれ落ちてしまうことを効果的に防止できる。

但し、第２導電膜４はドライプロセスで成膜するので、これを高密着に成膜してしまうと低密着に盛られた第１導電膜３が破損してしまう虞がある。そのため、第２導電膜４は低密着に成膜するものである。

また、第１導電膜３のみでなく第２導電膜４をさらに成膜することによっては、電鋳時の導電性を向上させることができる。
電鋳時の導電性を確保するにあたっては、無電解めっきで生成する第１導電膜３の厚さを大とすればよいが、低密着の第１導電膜３の厚さを大としてしまうと応力により第１導電膜３が剥がれ落ち易くなってしまい、結果として第１導電膜３の厚さは大とすることができない。
そこで、第１導電膜３に加えて第２導電膜４を成膜することで、第１導電膜３を単体で成膜する場合よりも導電性を向上させているものである。

また、本例では、第２導電膜４の材料は無電解めっきにより折出される第１導電膜３と同材料を用いものとしているが、このことで、離型時に金型５が鋳型１の表面以外の部分から剥離されて、パターン転写精度が悪化してしまうことを防止できる。
具体的に、第２導電膜４が第１導電膜３と同材料で構成されていれば、それらの間の結合性が良好となるため、離型時においてこれらの間が剥離されてしまうことを効果的に防止できる。
また同時に、本例では電鋳工程にてＮｉ膜を成膜するので、その場合に対応して第２導電膜４としてＮｉＰを成膜するものとすれば、めっき５ａとの間の結合性についても良好とでき、結果、離型時に第２導電膜４とめっき５ａとの間が剥離されてしまうことも同時に防止できる。

上記のように本実施の形態の金型製造方法によれば、無電解めっきの触媒２をドライプロセスにより成膜しているので、触媒２を鋳型１（パターン形成面）に対して確実且つ均一に吸着させることができる。また一方で、触媒２の成膜は低密着に行うので、離型時に鋳型１の一部が剥がれて金型５側に付着してしまうことを効果的に防止できる。また本実施の形態では導電膜の成膜に無電解めっき法を採用しているので、離型性は良好なものとできる。

これらの結果、本実施の形態の金型製造方法によれば、鋳型１からの離型性を良好なものとしつつ、パターン転写精度の低下を効果的に防止することができる。

また、本実施の形態によれば、無電解めっきの前処理工程が不要となるため、該前処理の薬品塗布やそれに関わる装置が不要となり、その分安価に金型５を製造できる。
また、無電解めっきの前処理工程が不要となることで、導電膜の成膜時間が短縮され、金型５の製造効率の向上が図られる。

本実施の形態の金型製造方法によれば、シリコンや石英、サファイア、金属、紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ＰＥＴフィルム、フッ素樹脂など、マスターとなる原盤（鋳型１）の素材に関係なく、安定的かつ均一かつ安価かつ短時間に離形性の優れた導電膜を形成することができ、高品質の電鋳金型を製造することができる。

＜２．具体的な実施例＞

以下、具体的な実施例について説明する。
先ず、１）の触媒成膜工程として、鋳型１の表面に触媒２としてのパラジウムを成膜装置(スパッタリング装置や蒸着装置)を用いて低密着となる条件で成膜する。
具体的に本例では、成膜方法としてスパッタリング法を採用する。成膜条件は以下の通りである。

ターゲット：純パラジウム（３Ｎ）、１mmt
直流又は交流電源出力(ターゲット単位面積当たり)：４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²
放電ガス：アルゴン
ガス圧力：１．０〜１．５Ｐａ
膜厚：２〜２０ｎｍ

続いて、２）の第１導電膜成膜工程では、触媒２が成膜された鋳型１を無電解ニッケルめっき槽に浸漬して、無電解めっき法により第１導電膜３を成膜する。成膜条件は以下の通りである。

無電解ニッケルめっき液：KLP-1（上村工業(株)社製）
還元剤：次亜リン酸塩
液温度：６０℃
浸漬時間：３０〜９０sec

続いて、３）の第２導電膜成膜工程として、ＮｉＰ膜をドライプロセスにより成膜する。具体的には、無電解めっきにより成膜した第１導電膜３上に、ＮｉＰを成膜装置(スパッタリング装置や蒸着装置)を用いて低密着となる条件で成膜する。本例では第２導電膜成膜工程としてもスパッタリング法を採用する。成膜条件は、

ターゲット：ニッケル-リン合金（３Ｎ）
Ｐ濃度：５ｗｔ％、２ｍｍｔ
直流又は交流電源出力：４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²
放電ガス：アルゴン
ガス圧力：１．０〜１．５Ｐａ
膜厚：２〜２０ｎｍ

である。
なお、本例では第１導電膜成膜工程にて還元剤として次亜リン酸塩を用いたことから、第１導電膜３はＮｉＰで構成（Ｐ含有量：３〜１５％程度）されることになる。従って第２導電膜成膜工程では、ＮｉＰとして同様にＰ含有量＝３〜１５％程度の材料を用いることが望ましい。

第２導電膜成膜工程により第２導電膜４を成膜した後は、４）の電鋳工程を以下の条件により行う。

めっき液：高純度スルファミン酸Ｎｉ液（日本化学産業社製）
スルファミン酸Ｎｉ濃度：５００〜６００ｇ／Ｌ、ｐＨ＝３．５〜４．５
液温度：４５〜５０℃
電流密度：１０〜３０Ａ／ｄｍ²
電鋳時間：１〜２時間
めっき厚：２９０μｍ

電鋳後、５）の離形工程として、上記の各工程により形成した膜全体を鋳型１より剥離する。これにより、鋳型１の表面に形成された凹凸パターンが転写された金型５が得られる。

なお、上記では２）の第１導電膜成膜工程にて無電解めっき液中の還元剤として次亜リン酸塩を用い、これに応じ第２導電膜成膜工程では第２導電膜４としてＮｉＰを成膜するものとしたが、第１導電膜成膜工程における還元剤としては水素化ホウ素化合物やヒドラジンを用いることができ、それらの場合、第１導電膜３はそれぞれＮｉＢ（Ｂ含有量＝数％程度）、ＮｉＮ（Ｎ含有量＝２％程度）で構成されることとなる。従って第２導電膜成膜工程では、これらの場合に対応しては、それぞれＮｉＢ、ＮｉＮを成膜することが望ましい。

図２は、パターン転写精度を確認するための実験結果（電子顕微鏡による観察結果）について示している。
図２Ｂが上記実施例で作成した金型５について観察結果を示しており、図２Ａは比較として従来手法により作成した金型についての観察結果を示している。
なおこれら図２Ａ、図２Ｂは、金型上のパターン転写面の一部を真上から観察した画像となる。

図２Ａを参照すると、従来手法で作成した金型では離型不良によりパターンの一部が破損していることが確認できる。これに対し、図２Ｂに示す本例の金型では、パターンの破損は確認されない。
これらの対比より、本例で作成された金型５の方が、従来手法で作成された金型よりもパターン転写精度が高いことが分かる。

＜３．変形例＞

以上、本技術に係る実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した具体例に限定されるべきものではない。
例えば、ドライプロセスで成膜される触媒２及び第２導電膜４の各成膜条件については先に例示したものに限定されるべきものではない。
触媒２については、離型時に鋳型１の一部が剥がれて金型５側に付着されてしまわないように低密着に成膜が行われればよいものである。
また、第２導電膜４については、無電解めっきにより成膜された第１導電膜３を破損しない程度の低密着度により成膜すればよいものである。

また、これまでの説明では、電鋳用導電膜として第１導電膜３と共に第２導電膜４を成膜するものとしたが、第２導電膜４の成膜は必須ではなく、従って第２導電膜成膜工程は省略することも可能である。

また、本技術は以下に示す構成を採ることもできる。
（１）
所要の凹凸パターンが形成された鋳型の上記凹凸パターンの形成面側に対して、無電解めっきの触媒として機能し得る触媒材料をドライプロセスにより成膜する触媒成膜工程と、
上記触媒材料を触媒として無電解めっき処理を行って上記鋳型に対し第１導電膜を成膜する無電解めっき工程と、
上記無電解めっき工程により上記第１導電膜が成膜された上記鋳型に基づく電鋳処理を行って金属材料を折出する電鋳工程と、
上記鋳型上に形成された金属材料を剥離して上記凹凸パターンが転写された金型を得る離型工程と
を有する金型製造方法。
（２）
上記触媒成膜工程は、
上記離型工程による離型時に上記鋳型の一部が剥がれて上記金型側に付着しない程度の低密着度により上記触媒材料を成膜する
上記（１）に記載の金型製造方法。
（３）
上記無電解めっき工程により成膜された上記第１導電膜に対して、該第１導電膜と同元素を主成分とする第２導電膜をドライプロセスにより成膜する第２導電膜成膜工程をさらに有し、
上記電鋳工程は、
上記第２導電膜成膜工程により上記第２導電膜が成膜された上記鋳型に対する電鋳処理を行う
上記（１）又は（２）何れかに記載の金型製造方法。
（４）
上記第２導電膜成膜工程では、
上記無電解めっきにより成膜された上記第１導電膜が破損しない程度の低密着度により上記第２導電膜を成膜する
上記（３）に記載の金型製造方法。
（５）
上記触媒成膜工程は、上記触媒材料としてＰｄを成膜する
上記（１）乃至（４）何れかに記載の金型製造方法。
（６）
上記無電解めっき工程は、無電解Ｎｉめっき液により上記第１導電膜を形成する
上記（５）に記載の金型製造方法。
（７）
上記電鋳工程は上記金属材料としてＮｉを折出する上記（６）に記載の金型製造方法。
（８）
上記第２導電膜成膜工程は、上記第２導電膜としてＮｉＰを成膜する
上記（７）に記載の金型製造方法。
（９）
上記触媒成膜工程は、
上記ドライプロセスで使用するターゲットの単位面積当たりの直流又は交流電源出力が４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²、放電ガスのガス圧力が１．０〜１．５Ｐａの条件により上記触媒材料を成膜する
上記（２）に記載の金型製造方法。
（１０）
上記第２導電膜成膜工程は、
上記ドライプロセスで使用するターゲットの単位面積当たりの直流又は交流電源出力が４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²、放電ガスのガス圧力が１．０〜１．５Ｐａの条件により上記第２導電膜を成膜する
上記（４）に記載の金型製造方法。
（１１）
上記鋳型がＳｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃の何れかで構成される上記（１）乃至（１０）何れかに記載の金型製造方法。
（１２）
上記鋳型が樹脂材料で構成される上記（１）乃至（１０）に記載の金型製造方法。
（１３）
上記金型が紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂の何れかで構成される上記（１２）に記載の金型製造方法。

１鋳型、２触媒、３第１導電膜、４第２導電膜、５金型、５ａめっき

Claims

所要の凹凸パターンが形成された鋳型の上記凹凸パターンの形成面側に対して、無電解めっきの触媒として機能し得る触媒材料をドライプロセスにより成膜する触媒成膜工程と、
上記触媒材料を触媒として無電解めっき処理を行って上記鋳型に対し第１導電膜を成膜する無電解めっき工程と、
上記無電解めっき工程により上記第１導電膜が成膜された上記鋳型に基づく電鋳処理を行って金属材料を折出する電鋳工程と、
上記鋳型上に形成された金属材料を剥離して上記凹凸パターンが転写された金型を得る離型工程と
を有する金型製造方法。
上記触媒成膜工程は、
上記離型工程による離型時に上記鋳型の一部が剥がれて上記金型側に付着しない程度の低密着度により上記触媒材料を成膜する
請求項１に記載の金型製造方法。
上記無電解めっき工程により成膜された上記第１導電膜に対して、該第１導電膜と同元素を主成分とする第２導電膜をドライプロセスにより成膜する第２導電膜成膜工程をさらに有し、
上記電鋳工程は、
上記第２導電膜成膜工程により上記第２導電膜が成膜された上記鋳型に対する電鋳処理を行う
請求項１に記載の金型製造方法。
上記第２導電膜成膜工程では、
上記無電解めっきにより成膜された上記第１導電膜が破損しない程度の低密着度により上記第２導電膜を成膜する
請求項３に記載の金型製造方法。
上記触媒成膜工程は、上記触媒材料としてＰｄを成膜する
請求項１に記載の金型製造方法。
上記無電解めっき工程は、無電解Ｎｉめっき液により上記第１導電膜を形成する
請求項１に記載の金型製造方法。
上記電鋳工程は上記金属材料としてＮｉを折出する請求項６に記載の金型製造方法。
上記第２導電膜成膜工程は、上記第２導電膜としてＮｉＰを成膜する
請求項７に記載の金型製造方法。
上記触媒成膜工程は、
上記ドライプロセスで使用するターゲットの単位面積当たりの直流又は交流電源出力が４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²、放電ガスのガス圧力が１．０〜１．５Ｐａの条件により上記触媒材料を成膜する
請求項２に記載の金型製造方法。
上記第２導電膜成膜工程は、
上記ドライプロセスで使用するターゲットの単位面積当たりの直流又は交流電源出力が４００〜７００ｍＷ／ｃｍ²、放電ガスのガス圧力が１．０〜１．５Ｐａの条件により上記第２導電膜を成膜する
請求項４に記載の金型製造方法。
上記鋳型がＳｉ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃の何れかで構成される請求項１に記載の金型製造方法。
上記鋳型が樹脂材料で構成される請求項１に記載の金型製造方法。
上記金型が紫外線硬化樹脂、熱可塑性樹脂の何れかで構成される請求項１２に記載の金型製造方法。
所要の凹凸パターンが形成された鋳型の上記凹凸パターンの形成面側に対して、無電解めっきの触媒として機能し得る触媒材料をドライプロセスにより成膜する触媒成膜工程と、
上記触媒材料を触媒として無電解めっき処理を行って上記鋳型に対し第１導電膜を成膜する無電解めっき工程と、
上記無電解めっき工程により上記第１導電膜が成膜された上記鋳型に基づく電鋳処理を行って金属材料を折出する電鋳工程と、
上記鋳型上に形成された金属材料を剥離して上記凹凸パターンが転写された金型を得る離型工程と
を経て製造された金型。