JP2008251076A - 光情報記録媒体用スタンパおよび磁気転写用マスター、ならびにこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、製造を容易にすることができるとともに、耐久性を向上できるスタンパおよび磁気転写用マスターの製造方法と、この製造方法を用いて製造されるスタンパおよび磁気転写用マスターを提供することを課題とする。
【解決手段】スタンパの製造方法は、凹凸パターンを表層に備えたスタンパ原版に金属薄膜を形成する工程と、このスタンパ原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備える。そして、電気メッキを開始するときには、電流密度を、所定の増加速度で上げていく。
【選択図】図６

Description

本発明は、凹凸パターンを有する光情報記録媒体用スタンパおよび磁気転写用マスターの製造方法と、この製造方法を用いて製造される光情報記録媒体用スタンパ（以下、単に「スタンパ」とも呼ぶ）および磁気転写用マスターに関する。

近年、光情報記録媒体の高密度化の要求に伴い、４５０ｎｍ以下のレーザ光を使用して記録および／または再生を行う高密度の光情報記録媒体が開発されている。この高密度の光情報記録媒体は、レーザ光のトラッキングに用いる溝（微細な凹凸パターン）を形成した樹脂基板上に色素を塗布し、さらに、色素記録層を保護する基板を貼り付けることで製造される。このときの樹脂基板は、樹脂の射出成形を行う際に、微細な凹凸パターンを反転させた表面形状を有する金属製のスタンパを金型の一方に用いることで製造することができる。

このようなスタンパでは、微細な凹凸パターンを有する樹脂基板を複数成型するために、特に、スタンパの凹凸パターンが形成された表面の耐久性を確保する必要がある。このような課題に対し、従来、以下の２つの特許文献に開示された技術が知られている。

特許文献１に開示された技術では、スタンパの材料として、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅを選択的に有したＮｉ基合金を採用することで、スタンパの耐久性を向上させる技術が開示されている。そして、この技術において、スタンパは、Ｎｉ基合金を真空溶解し、得られた溶湯を鋳型に鋳込み、そのインゴット（鋳塊）に対して熱処理、熱間鍛造処理、熱間圧延処理および冷間圧延処理の各処理を施すことで製造されている。

また、特許文献２に開示された技術では、スタンパの材料として、例えばＮｉとＮｉ以外の材料（例えばポリイミド；以下、「不純物」とも呼ぶ。）との複合材料や、Ｎｉ中に複数の微細空洞を分散させた材料を採用することで、断熱性や耐久性を向上させる技術が開示されている。そして、この技術において、スタンパは、Ｎｉと不純物を含んだ電解質溶液を用いて電鋳（電気メッキ）により形成されている。

特開２００２−９７５３６号公報（段落００１６） 特開２００６−１２０２３０号公報（段落００２２〜００２４）

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、Ｎｉ基合金から鋳造されるインゴットに対して複数の処理を施さなければならないので、その製造が煩雑となるといった問題があった。また、仮に、ＮｉやＭｏ等を含んだ電解質溶液を用いて電鋳によりスタンパを製造しようとすると、ＮｉやＭｏ等の各成分の濃度調整が非常に困難となることが予想される。

一方、特許文献２に開示された技術において、スタンパの材料に複合材料を用いた場合には、Ｎｉと不純物を含んだ電解質溶液を用いて電鋳によりスタンパを形成するので、Ｎｉやポリイミド等の各成分の濃度調整が非常に困難となることが予想される。また、Ｎｉ中に複数の微細空洞を分散させた材料をスタンパの材料として用いた場合には、微細空洞に起因して発生する応力を制御するのが困難であった。

なお、これらの問題は、前記したスタンパ等と同程度に微細な凹凸パターンを有する磁気転写用マスターにも生じていた。

そこで、本発明は、製造を容易にすることができるとともに、耐久性を向上することができるスタンパおよび磁気転写用マスターの製造方法と、この製造方法を用いて製造されるスタンパおよび磁気転写用マスターを提供することを課題とする。

前記課題を解決する本発明は、凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成する工程と、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備えた光情報記録媒体用スタンパの製造方法であって、前記電気メッキを開始するときに、電流密度を、所定の増加速度で上げていくことを特徴とする。

本発明によれば、電気メッキを開始するときに、電流密度を所定の増加速度で上げていくだけで、電気メッキ層のＮｉ濃度が、電気メッキ層の導電層側の表面から電気メッキ層の内部に向かって連続的に上昇する。その結果、Ｎｉ以外の元素（不純物）の濃度が電気メッキ層の導電層側の表層において高くなり、この部分の耐久性が向上することとなる。なお、このことは、本願発明者による実験により確認されている。

なお、前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から２５分を経過するまでの間における平均電流密度が１．９〜５．０Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されるのが望ましい。これによれば、電気メッキ層の導電層側の表層を精度よく形成することができる。

また、前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から２５分を経過するまでの間における平均電流密度が１．９〜５．０Ａ／ｄｍ^２となるのに加え、前記電気メッキの開始から５０分を経過するまでの間における平均電流密度が３．４〜１０Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から７５分を経過するまでの間における平均電流密度が４．０〜１３．５Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から１００分を経過するまでの間における平均電流密度が４．３〜１４．５Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されるのが望ましい。これによれば、電気メッキ層の導電層側の表層の精度の向上と生産性の向上の両立を図ることができる。

また、本発明は、凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成し、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで、前記導電層上に電気メッキ層が形成される光情報記録媒体用スタンパにおいて、前記電気メッキ層の前記導電層側の表層１０μｍの部分におけるＮｉ濃度が、前記導電層側の表面から前記電気メッキ層の内部に向かって連続的に上昇していることを特徴とする。

本発明によれば、電気メッキ層の導電層側の表層１０μｍの部分におけるＮｉ濃度が、導電層側の表面から電気メッキ層の内部に向かって連続的に上昇しているので、この表層１０μｍの導電層側の部分の耐久性が向上することとなる。

なお、前記電気メッキ層は、Ｃｏ、ＺｎおよびＢのうち少なくとも１つを含有するのが望ましい。これによれば、電流密度を高くすると濃度が低くなるＣｏ、Ｚｎ、Ｂが電気メッキ層に含まれるので、Ｎｉ濃度を最適に調整することができる。

また、前記電気メッキ層の表層１０μｍの部分における前記Ｎｉ濃度は、重量％で８５〜９９％の範囲内で変化するのが望ましい。また、前記導電層と前記電気メッキ層を合わせた厚みは、３０〜４００μｍであるのが望ましい。重量％を８５〜９９％の範囲内で変化させると、表層のＮｉ濃度低減は微粒子化によるパターン形成性が改善されパターン転写性が向上する。また、硬度が上昇するので、機械強度が向上し、スタンパの耐久性向上に繋がる。また、厚みが３０〜４００μｍであれば、スタンパ（またはマスター）としてのハンドリング性能と打抜き加工性能が両立できる。なお、厚みが薄すぎるとハンドリング性が悪くなり、厚すぎると打抜き加工が困難になる。

また、本発明は、凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成する工程と、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備えた磁気転写用マスターの製造方法にも適用できる。さらに、本発明は、凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成し、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで、前記導電層上に電気メッキ層が形成される磁気転写用マスターにも適用できる。ここで、磁気転写用マスターとは、円板状の磁気記録媒体にサーボ信号を書き込むための所定の凹凸パターンを有したものをいう。これによれば、前記した効果と同様の効果を得ることができる。

本発明によれば、電気メッキを開始するときに、電流密度を所定の増加速度で上げていくだけで、不純物の濃度が電気メッキ層の導電層側の表層において高くなるので、製造を容易にすることができるとともに、耐久性を向上することができる。

次に、本発明に係る光情報記録媒体用スタンパの製造方法の一実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。

本発明の製造方法により製造される光情報記録媒体用スタンパは、短波長のレーザ光で色素系の光情報記録媒体の製造に使用される。例えば、現在提唱されているブルーレイディスクの仕様では、光情報記録媒体の内周にディスクインフォメーションなどの情報が記録されるＢＣＡ領域（管理情報記録領域）が形成されている。図１は、この光情報記録媒体を製造するためのスタンパ原版の平面図であり、ハッチングは領域を示す。図１に示すように、ディスク状のスタンパ原版５０には、ドーナツ形の領域に渦巻き状（図示せず）に第１プリグルーブが形成されたデータ記憶領域Ａ１が形成されている。そして、このデータ記憶領域Ａ１の内周側にＢＣＡ記憶領域Ａ２が形成されている。ＢＣＡ記憶領域にも、渦巻き状（図示せず）の第２プリグルーブが形成されている。
ＢＣＡ信号はこのスタンパ原版５０を用いて製造（詳細には、スタンパ原版５０から製造されたスタンパを用いて製造）された光情報記録媒体の色素記録層及び／又は反射層に対してレーザ光でバーコード状に形成される。ＢＣＡ領域にはプリグルーブ（第２プリグルーブ）が形成される必要があるが、その溝深さはデータ記録領域のプリグルーブ（第１プリグルーブ）よりも浅く形成されることが好ましい。

まず、本発明の製造方法により製造されるスタンパが利用される光情報記録媒体の一例について説明する。
参照する図面において、図２は、溝深さを説明する図であり、図３は、本発明の製造方法により製造されるスタンパで製造される光情報記録媒体の層構成を示す断面図である。
光情報記録媒体１０は、図３に示すように、厚さ０．７〜２ｍｍの基板１２上に、色素を含有する追記型記録層１４と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層１６とをこの順に有する。具体的には、例えば基板１２上に、光反射層１８と、追記型記録層１４と、バリア層２０と、接着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。

〔基板１２〕
図３に示すように、好ましい光情報記録媒体１０の基板１２には、トラックピッチ、溝幅、溝深さ、およびウォブル振幅が下記の範囲である形状を有する第１プリグルーブ３４（案内溝）および第２プリグルーブ３５が形成されている。
なお、溝深さは図２に示すように、深さをＨとしたときに、半分の深さ位置での幅Ｗ（半値幅）で測定する。
第１プリグルーブ３４は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、光情報記録媒体１０を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
第２プリグルーブ３５は、第１プリグルーブ３４より溝幅および溝深さが若干小さく、光情報記録媒体１０がディスク状の場合には、その内周側に設けられる。第２プリグルーブ３５は、例えば、光情報記録媒体１０の製造者情報や、その他の管理情報が記録されるＢＣＡ領域として利用される。ＢＣＡ領域では、信号特性上データ記憶領域より反射率を下げる必要があるため、溝幅をデータ記憶領域より浅くしている。

第１プリグルーブ３４のトラックピッチは、例えば、３２０ｎｍ程度であり、光情報記録媒体の仕様に応じて適宜変更することもできる。

第１プリグルーブ３４の溝幅（半値幅）は、９０〜１８０ｎｍの範囲であるのが望ましい。
第１プリグルーブ３４の溝幅が９０ｎｍ未満では、成形時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、１８０ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。

第１プリグルーブ３４の溝深さａは、６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３０〜５０ｎｍ、より好ましくは、３５〜４５ｎｍの範囲である。第１プリグルーブ３４の溝深さが５ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、６０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。

また、第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることがさらに好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。
第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、基板１２の成形（射出成形等）が困難となる。

第２プリグルーブ３５の溝深さｂは、５〜３０ｎｍの範囲であり、より好ましくは、８〜１７ｎｍの範囲である。

第２プリグルーブ３５の溝幅（半値幅）は、上記溝深さが得られる範囲で適宜設定される。

第２プリグルーブ３５の好ましい溝傾斜角度は、第１プリグルーブ３４と同様である。

光情報記録媒体１０において用いられる基板１２としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。

基板の材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて基板１２を作製することができる。

また、基板１２の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
なお、後述する光反射層１８が設けられる側の基板１２の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。

〔追記型記録層１４〕
好ましい光情報記録媒体１０の追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上または後述する光反射層１８上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、追記型記録層１４は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。

このようにして形成された追記型記録層１４の厚さは、グルーブ３８（基板１２において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、７０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、９０ｎｍ以上であることが特に好ましい。

また、追記型記録層１４の厚さは、ランド４０（基板１２において凹部）上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、７０ｎｍ以上であることが好ましく、９０ｎｍ以上であることがより好ましく、１１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

さらに、グルーブ３８上の追記型記録層１４の厚さｔ１と、ランド４０上の追記型記録層１４の厚さｔ２との比（ｔ１／ｔ２）は、０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。

〔カバー層１６〕
好ましい光情報記録媒体１０のカバー層１６は、上述した追記型記録層１４または後述するバリア層２０上に、接着剤や粘着剤等からなる接着層２２を介して貼り合わされる。

光情報記録媒体１０において用いられるカバー層１６としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネートまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤および／または５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。

さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータおよび３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録および再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。

カバー層１６の厚さは、記録および再生のために照射されるレーザ光４６の波長や対物レンズ４５のＮＡにより、適宜、規定されるが、光情報記録媒体１０においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。

また、カバー層１６と接着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。

なお、カバー層１６の光入射面には、光情報記録媒体１０の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するためのハードコート層４４（保護層）が設けられていてもよい。

接着層２２に用いられる接着剤としては、例えばＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。

接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層２０の表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体１０の反りを防止するため、接着層２２を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）社製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。

接着剤は、例えば、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。

このような接着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

また、接着層２２に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。

粘着剤は、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤の塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層１６に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
このような粘着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

〔光情報記録媒体１０におけるその他の層〕
好ましい光情報記録媒体１０は、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、基板１２の裏面（追記型記録層１４の形成面に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板１２と追記型記録層１４との間に設けられる光反射層１８（後述）、追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（後述）、光反射層１８と追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、および熱乾燥樹脂等を用いて形成される。
なお、以上の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。

〔光反射層１８〕
光情報記録媒体１０において、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１２と追記型記録層１４との間に、光反射層１８を形成することが好ましい。

光反射層１８は、レーザ光４６に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板１２上に形成することができる。
光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。

反射層の材料としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。

〔バリア層２０（中間層）〕
光情報記録媒体１０においては、追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。
バリア層２０は、追記型記録層１４の保存性を高める、追記型記録層１４とカバー層１６との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。

バリア層２０に用いられる材料としては、記録および再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
また、バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることがさらに好ましい。
バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。

＜光情報記録方法＞
光情報記録媒体１０においては、先ず、光情報記録媒体１０を定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．８５の対物レンズ４５を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。

記録用のレーザ光４６は、３９０〜４５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いられる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を、光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体１０を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

なお、レーザ光４６としては、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）等を用いることも可能であるが、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）であることが一層好ましく、とりわけ、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）であることが好ましい。

次に以上のような光情報記録媒体１０の基板１２を製造するためのスタンパおよびこのスタンパを製造するためのスタンパ原版の製造方法について説明する。

〔スタンパ原版の製造方法〕
スタンパ原版は、スタンパを製造するための型であり、次のようにして製造される。
参照する図において、図４は、スタンパ原板の製造工程を示す図である。

（レジスト層形成工程）
まず、表面が平滑なシリコン含有基板としてのシリコンウエハ５１（例えば、フジミファインテクノロジー社製８インチダミーウエハ）を用意する。次に、シリコンウエハ５１上に密着層を形成するための下処理を行う。そして、図４（ａ）に示すように、電子線レジスト液をスピンコートなどの方法により塗布してレジスト層５２を形成し、ベーキングする。なお、電子線レジスト液には、富士フイルムエレクトロマテリアルズ社製ＦＥＰ−１７１などを使用し、膜厚は１００ｎｍとすることができる。

（電子線照射工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、高精度な回転ステージを備えた電子ビーム露光装置でアドレスなど各種信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層５２に所望のパターンを露光により描画する。このとき、描画すべきパターンは、第１プリグルーブ３４に対応した第１露光線５３１と、第２プリグルーブ３５に対応し、第１露光線５３１よりも細い第２露光線５３２とで描画するとよい。

電子線の露光による線幅は、１００〜１８０ｎｍ、より好ましくは、１２０〜１４０ｎｍとする。例えば、第１露光線５３１（データ領域）は、１４０ｎｍ、第２露光線（ＢＣＡ領域）５３２は、１００ｎｍで描画するとよい。また、第１プリグルーブ３４または第２プリグルーブ３５に記録するアドレスは、第１露光線５３１または第２露光線５３２を波状に変調させて記録することができる。このときの波の振幅（ウォブル幅）は、１４〜２４ｎｍ、より好ましくは１５〜１７ｎｍとすることができる。 第１露光線５３１および第２露光線５３２を描画する電子線としては、加速電圧５０ｋＶのものを使用することができる。 なお、第１露光線５３１および第２露光線５３２は、ドットが並んだ線であっても構わない。

（現像工程）
その後、図４（ｃ）に示すように、レジスト層５２を現像液により現像処理し、露光部分（第１露光線５３１および第２露光線５３２）を除去する。この処理によりレジスト層５２に所定のパターンの開口部５４（５４１，５４２）が形成される。詳しくは、幅が広い第１露光線５３１に対応して第１開口部５４１が形成され、幅が狭い第２露光線５３２に対応して第２開口部５４２が形成される。なお、現像液には富士フイルムエレクトロマテリアルズ社製ＦＨＤ−５を使用することができる。

（エッチング工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、エッチングによりレジスト層５２の開口部５４からシリコンウエハ５１にエッチングガスを衝突させ、シリコンウエハ５１を所望の深さ、例えば３０〜５０ｎｍ、最も好ましくは４０ｎｍ程度除去する。このエッチングにおいてはアンダーカット、すなわち、深さ方向に直交する方向へのエッチングを最小にするため、異方性のエッチングが望ましい。このような異方性エッチングとしてはエッチングガスの直進性が高いＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることができる。
エッチング工程により、シリコンウエハ５１には、第１開口部５４１に応じた幅広の第１グルーブ５５１と、第２開口部５４２に応じた幅狭の第２グルーブ５５２が形成される。また、開口部５４の大きさに応じて第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２の深さも異なり、第１グルーブ５５１の深さａは６０ｎｍ以下で第２プリグルーブ５５２に比較すると深く、好ましくは３０〜５０ｎｍ程度、より好ましくは３５〜４５ｎｍである。第２グルーブ５５２の深さｂは浅く、５〜３０ｎｍ程度、好ましくは８〜１７ｎｍである。すなわち、ａ＞ｂの関係で形成される。
第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２の側壁の角度は、シリコンウエハ５１の表面に対して４０〜８０度の範囲が好ましく、より好ましくは５５〜６５度である。
なお、ＲＩＥにはパナソニックファクトリーソリューションズ社製Ｅ６２０を使用することができる。また、エッチングガスとしては、ＣＨＦ_３を使用することができる。
また、側壁の角度は、Ｓｉとエッチングガスとの反応生成物により制御することができる。例えば、反応生成物の発生量が異なるガスの採用や、ガス流量、圧力などを変化させることにより反応生成物の状態を変化させてテストし、形成された溝の側壁を所望の角度にする。

（レジスト除去工程）
次に、エッチング工程で残留したレジスト層５２を除去する。レジスト層５２の除去は、例えば、乾式の方法としては、酸素プラズマを照射して有機物を除去（アッシング）して行うことができる。なお、湿式の方法、例えば剥離液によりレジスト層５２を除去しても構わない。
以上の工程により図４（ｅ）に示すように、スタンパ原版５０が作製される。
このようにしてスタンパ原版５０は、極めて微細でありながら、高精度な大きさの異なる２種類の溝（第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２）が形成される。

〔スタンパの製造方法〕
次に、スタンパ原版からスタンパを製造する方法について説明する。
参照する図において、図５は、スタンパの製造工程を示す図である。

（薄膜形成工程）
スタンパ原版５０からスタンパ６０（図５（ｅ）参照）を製造するには、スタンパ原版５０に電気メッキをしてスタンパ原版５０の表面を反転させた形状の金属板を作る。
まず、図５（ａ）に示すように、スタンパ原版５０に電気メッキを行うための前処理として、スパッタリングなどの方法により厚さ数十ｎｍ、例えば１８ｎｍ程度の金属薄膜６１を導電層として形成する。これにより、シリコンウエハ５１の表面に導電性が付与される。なお、金属薄膜６１の材質としては、例えばＮｉを用いることができる。

（メッキ工程）
次に、金属薄膜６１が形成されたスタンパ原版５０を、スルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液（温度５５℃）に入れ、図５（ｂ）に示すように、金属を２９５±５μｍ程度の厚さに電気メッキすることで電気メッキ層６２を形成する。なお、本実施形態においては、電気メッキ層６２に、例えばＮｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｂ（ボロン）が含有されているものとする。また、このとき、電気メッキを開始させるために増加させる電流密度は、作業者または制御装置によって所定の増加速度で上昇される。なお、この増加速度は、下記に示す表１に基づいて決定される。以下に、この増加速度の決定方法について説明する。

増加速度は、表１および図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、所定の電気メッキ時間内における平均電流密度が所定の範囲内となるような勾配で決定される。具体的には、電気メッキの開始（０分）から２５分を経過するまでの間における増加速度の勾配は、０〜２５分を経過するまでの間における平均電流密度が１．９〜５．０Ａ／ｄｍ^２となるように決定される。また、２５〜５０分までの間における増加速度の勾配は、０〜５０分を経過するまでの間における平均電流密度が３．４〜１０Ａ／ｄｍ^２となるように決定される。さらに、５０〜７５分までの間における増加速度の勾配は、０〜７５分を経過するまでの間における平均電流密度が４．０〜１３．５Ａ／ｄｍ^２となるように決定される。また、７５〜１００分までの間における増加速度の勾配は、０〜１００分を経過するまでの間における平均電流密度が４．３〜１４．５Ａ／ｄｍ^２となるように決定される。

なお、図６（ａ）で示す電流密度の制御の第１例には、電気メッキ層６２における金属薄膜６１側の表層（スタンパ６０の表層）の耐久性の向上と、生産性の向上との両立を図った形態の一例を示している。また、図６（ｂ）に示す電流密度の制御の第２例には、スタンパ６０の表層の耐久性の向上を重視した形態を示している。さらに、図６（ｃ）に示す電流密度の制御の第３例には、生産性の向上を重視した形態を示している。

以上のようにして決定された増加速度で、電流密度を電気メッキの開始から徐々に上げていくと、電気メッキ層６２のＮｉ濃度が、電気メッキ層６２の金属薄膜６１側の表面６２ａから電気メッキ層６２の内部に向かって連続的に上昇する。言い換えると、Ｎｉ以外の元素（不純物）の濃度が電気メッキ層６２の表面６２ａ付近において高くなる。このことは、後述する実施例に示す本願発明者による実験により確認されている。なお、Ｎｉ濃度の連続的な上昇は、電気メッキ層６２の表層１０μｍの部分において実現されていればよい。

また、前記したように電気メッキ層６２の表層１０μｍの部分のＮｉ濃度を表面６２ａから離れるにつれて連続的に上昇させる場合には、そのＮｉ濃度が、重量％で８５〜９９％の範囲内で変化するように制御するのが望ましい。なお、このような範囲内でＮｉ濃度を変化させるには、前記した方法で決定した増加速度で電流密度を制御すればよい。また、金属薄膜６１と電気メッキ層６２を合わせた金属板６３の厚みは、３０〜４００μｍとするのが望ましい。重量％を８５〜９９％の範囲内で変化させると、表層のＮｉ濃度低減は微粒子化によるパターン形成性が改善されパターン転写性が向上する。また、硬度が上昇するので、機械強度が向上し、スタンパの耐久性向上に繋がる。また、厚みが３０〜４００μｍであれば、スタンパ（またはマスター）としてのハンドリング性能と打抜き加工性能が両立できる。なお、厚みが薄すぎるとハンドリング性が悪くなり、厚すぎると打抜き加工が困難になる。

（剥離工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、金属薄膜６１と電気メッキ層６２とからなる金属板６３をスタンパ原版５０から剥離する。この剥離の際には、スタンパ原版５０を、メッキ工程で用いたメッキ液とほぼ同じ温度、例えばメッキ液の温度に対して±５℃以内の液体に漬け、メッキ液を洗い流しつつ、金属板６３とスタンパ原版５０の間に純温水を浸入させるとよい。このときの液体としては、純水（純温水）を用いることができる。

（打抜き工程）
作製した金属板６３を外径１３８ｍｍ、内径２２ｍｍのプレス機により打抜き、内外径を機械加工する。

機械加工で成形された金属板６３の表面（凹凸形状が形成された面）に株式会社ヒロテック製シリテクトなどの保護剤を塗布して乾燥させ、図５（ｄ）に示すように、表面に保護膜６４を形成する。

そして、金属板６３の裏面を回転型の研磨装置により研磨して平滑化する。このときの表面粗さは、Ｒａが０．５〜１μｍ程度にするのがよい。
次に、図５（ｅ）に示すように、保護膜６４を酸素プラズマの照射によるアッシングなどで剥離することで、スタンパ６０が完成する。

（検査工程）
スタンパ６０が完成後、表面に前記した光情報記録媒体１０のカバー層１６と同様のカバー層を貼り付け、表面を保護した後、電気的な信号検査装置によってスタンパ６０の溝品質を確認する。
電気的な信号検査装置は、従来公知のものを使用することができ、検査内容として、溝の反射率およびその変動、Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ信号（ウォブル形状）の確認や、シグナルディテクタによるアドレスエラー率の測定、ゴミ検査機による異物の検査などを行うとよい。

このようにして、スタンパ原版５０の表面の凹凸形状が転写されたスタンパ６０が形成される。なお、金属板６３を剥離した後のスタンパ原版５０を強酸などの洗浄液で洗浄した後、上記の薄膜形成工程、メッキ工程、剥離工程を行うことで１枚の原版から複数枚のスタンパ６０を作製することができる。
このスタンパ６０は、スタンパ原版５０から直接転写されて作製されたものであるため、微細な凹凸が高精度に形成される。

以上によれば、本実施形態において以下のような効果を得ることができる。
電気メッキを開始するときに、電流密度を、所定の増加速度で上げていくだけで、不純物の濃度が電気メッキ層６２の表層において高くなるので、製造を容易にすることができるとともに、耐久性を向上することができる。また、不純物の濃度が電気メッキ層６２の表層において高くなることにより、スタンパ６０の凹凸パターンの平坦性や耐久性も向上させることができる。

電流密度を高くすると濃度が低くなるＣｏ、Ｚｎ、Ｂが電気メッキ層６２に含まれるので、Ｎｉ濃度（不純物の濃度）を最適に調整することができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、以下に例示するように様々な形態で利用できる。
前記実施形態では、電気メッキ層６２にＣｏ、ＺｎおよびＢを含有させたが、本発明はこれに限定されず、どのような不純物を含有させてもよい。ただし、Ｎｉ濃度を最適に制御するには、Ｃｏ、ＺｎおよびＢのうち少なくとも１つを電気メッキ層６２に含有させるのが望ましい。

前記実施形態では、電気メッキ層６２の表層１０μｍの部分を形成した後の電流密度の制御をどのように行ってもよいとしたが、表層１０μｍの部分の形成後は、電流密度の増加速度を高くするのが望ましい。これによれば、生産性を向上させることができる。

前記実施形態では、光情報記録媒体１０用のスタンパおよびその製造方法に本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、磁気転写用マスターおよびその製造方法に、本発明を適用してもよい。
なお、本発明は、ＤＴＭ（ディスクリート媒体）、ＢＰＭ（パターンド媒体）のインプリント用モールドとその製造方法としても適用できる。

以下に、前記した実施形態についての実施例を説明する。詳しくは、Ｎｉ等の各成分の濃度と主電流との関係を調べた実験結果（実施例１）と、電気メッキ層６２の表層１０μｍの各部分の硬度と主電流との関係を調べた実験結果（実施例２）を示す。

＜実施例１＞
実施例１における実験の各種条件は、以下の通りである。
（１）メッキ液：
昭和化学社製 スルファミン酸ニッケル濃厚液ＮＳ−１６０ ６００ｇ／ｌ（超純水で調整したもの）
和光純薬社製 ホウ酸２５〜３５ｇ／ｌ
昭和化学社製 ラウリル硫酸ナトリウム ０．１５ｇ／ｌ
（２）メッキ液の温度：５５℃
（３）電流密度の増加速度：０．３４Ａ／（ｄｍ^２・ｍｉｎ）（３４．２Ａ／（ｍ^２・ｍｉｎ））

以上の条件の下、電流密度を前記した増加速度で所定時間上昇させた後、所定の電流密度（最大値）で所定時間維持することで電気メッキ層を得た。ここで、電流密度の最大値としては、３パターンを採用した。具体的には、電流密度の最大値を、１．７Ａ／ｄｍ^２（１．７×１０^２Ａ／ｍ^２）、３．４Ａ／ｄｍ^２（３．４×１０^２Ａ／ｍ^２）、６．８Ａ／ｄｍ^２（６．８×１０^２Ａ／ｍ^２）とした。そして、電流密度の最大値がそれぞれ１．７Ａ／ｄｍ^２、３．４Ａ／ｄｍ^２、６．８Ａ／ｄｍ^２であるときの各成分の濃度を調べた。なお、濃度を調べる方法としては、ＸＲＦ（蛍光Ｘ線分析法）を採用し、装置は島津製作所製ＸＲＦ−１７００を使用した。これにより、表２や図７に示すような実験結果が得られた。ここで、表２は、電気メッキを３パターンの電流密度で行った際に、各電流密度において得られた電気メッキ層中のＮｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｂの各元素の濃度（ｗｔ％；重量％）を示したものである。

ここで、電流密度１．７Ａ／ｄｍ^２［アンペア／平方デシメートル］は図７の各グラフの主電流５Ａに対応し、電流密度３．４Ａ／ｄｍ^２は主電流１０Ａに対応し、電流密度６．８Ａ／ｄｍ^２は主電流２０Ａに対応する。

以上、実施例１によれば、表２および図７（ａ）より、電流密度を上げる程、Ｎｉ濃度が高くなることが分かった。また、表２および図７（ｂ）より、電流密度を上げる程、Ｚｎ濃度、Ｃｏ濃度およびＢ濃度が低くなることが分かった。そして、これらの結果を踏まえると、低電流にて成長した膜は、Ｎｉ濃度が低く、Ｚｎ濃度、Ｃｏ濃度およびＢ濃度が高くなることが分かった。

＜実施例２＞
実施例２における実験の各種条件は、以下の通りである。
（Ａ）メッキ液：
昭和化学社製 スルファミン酸ニッケル濃厚液ＮＳ−１６０ ６００ｇ／ｌ（超純水で調整したもの）
和光純薬社製 ホウ酸２５〜３５ｇ／ｌ
昭和化学社製 ラウリル硫酸ナトリウム ０．１５ｇ／ｌ
（Ｂ）メッキ液の温度：５５℃
（Ｃ）電流密度の増加速度：０．５７Ａ／（ｄｍ^２・ｍｉｎ）（５７．１Ａ／（ｍ^２・ｍｉｎ））
（Ｄ）硬さ試験機：松沢精機社製ＮＭＴ−３０（ビッカース硬度計）

以上の条件の下で、電流密度を前記した増加速度で所定時間上昇させた後、所定の電流密度（最大値）で所定時間維持することで１００μｍの厚さの電気メッキ層を成形した。ここで、この電流密度の最大値としては、７パターンを採用した。具体的には、電流密度の最大値を、０．１４Ａ／ｄｍ^２、１．０２Ａ／ｄｍ^２、５．１２Ａ／ｄｍ^２、６．１４Ａ／ｄｍ^２、７．１７Ａ／ｄｍ^２、９．２２Ａ／ｄｍ^２、１１．２６Ａ／ｄｍ^２とした。そして、このような各電流密度に対応して形成される７種類の電気メッキ層の表面硬度を、硬さ試験機により調べると、図８に示すような実験結果が得られた。なお、図８に示すグラフの横軸には、電流密度の代わりに電流を示すこととするが、電流密度に換算するには、このグラフの電流値を導電層（金属薄膜６１）の表面積２．９３ｄｍ^２で割ればよい。

以上、実施例２によれば、図８に示すように、低電流で成長した膜は、硬度が高く、高電流になる程、硬度が低くなることが確認された。言い換えると、電気メッキ層の表面から離れる程、硬度が低くなることが確認された。そして、この結果と、前記した実施例１の結果とを踏まえると、Ｚｎ，Ｃｏ，Ｂといった不純物の濃度が高くなる程、硬度が高くなることが確認された。

光情報記録媒体を製造するためのスタンパ原版の平面図である。 溝深さを説明する図である。 本発明の製造方法により製造されるスタンパが利用される光情報記録媒体の層構成を示す断面図である。 スタンパ原版の製造工程を示す図である。 スタンパの製造工程を示す図である。 電流密度の制御方法の第１例を示すグラフ（ａ）と、第２例を示すグラフ（ｂ）と、第３例を示すグラフ（ｃ）である。 実施例１における実験結果を示すグラフであり、Ｎｉ濃度と主電流との関係を示すグラフ（ａ）と、Ｚｎ濃度、Ｃｏ濃度およびＢ濃度と主電流との関係を示すグラフ（ｂ）である。 実施例２における実験結果を示すグラフであり、硬度と主電流との関係を示すグラフである。

符号の説明

５０ スタンパ原版
５１ シリコンウエハ
６０ スタンパ
６１ 金属薄膜（導電層）
６２ 電気メッキ層
６２ａ 表面
６３ 金属板

Claims (14)

1. 凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成する工程と、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備えた光情報記録媒体用スタンパの製造方法であって、
   前記電気メッキを開始するときに、電流密度を、所定の増加速度で上げていくことを特徴とする光情報記録媒体用スタンパの製造方法。
2. 前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から２５分を経過するまでの間における平均電流密度が１．９〜５．０Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体用スタンパの製造方法。
3. 前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から５０分を経過するまでの間における平均電流密度が３．４〜１０Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から７５分を経過するまでの間における平均電流密度が４．０〜１３．５Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から１００分を経過するまでの間における平均電流密度が４．３〜１４．５Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されることを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体用スタンパの製造方法。
4. 凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成し、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで、前記導電層上に電気メッキ層が形成される光情報記録媒体用スタンパにおいて、
   前記電気メッキ層の前記導電層側の表層１０μｍの部分におけるＮｉ濃度が、前記導電層側の表面から前記電気メッキ層の内部に向かって連続的に上昇していることを特徴とする光情報記録媒体用スタンパ。
5. 前記電気メッキ層は、Ｃｏ、ＺｎおよびＢのうち少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体用スタンパ。
6. 前記電気メッキ層の表層１０μｍの部分におけるＮｉ濃度は、重量％で８５〜９９％の範囲内で変化していることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の光情報記録媒体用スタンパ。
7. 前記導電層と前記電気メッキ層を合わせた厚みが、３０〜４００μｍであることを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれか1項に記載の光情報記録媒体用スタンパ。
8. 凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成する工程と、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備えた磁気転写用マスターの製造方法であって、
   前記電気メッキを開始するときに、電流密度を、所定の増加速度で上げていくことを特徴とする磁気転写用マスターの製造方法。
9. 前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から２５分を経過するまでの間における平均電流密度が１．９〜５．０Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されることを特徴とする請求項８に記載の磁気転写用マスターの製造方法。
10. 前記所定の増加速度は、前記電気メッキの開始から５０分を経過するまでの間における平均電流密度が３．４〜１０Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から７５分を経過するまでの間における平均電流密度が４．０〜１３．５Ａ／ｄｍ^２となり、前記電気メッキの開始から１００分を経過するまでの間における平均電流密度が４．３〜１４．５Ａ／ｄｍ^２となるような勾配で決定されることを特徴とする請求項９に記載の磁気転写用マスターの製造方法。
11. 凹凸パターンを表層に備えた原版に導電層を形成し、この原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることで、前記導電層上に電気メッキ層が形成される磁気転写用マスターにおいて、
    前記電気メッキ層の前記導電層側の表層１０μｍの部分におけるＮｉ濃度が、前記導電層側の表面から前記電気メッキ層の内部に向かって連続的に上昇していることを特徴とする磁気転写用マスター。
12. 前記電気メッキ層は、Ｃｏ、ＺｎおよびＢを少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項１１に記載の磁気転写用マスター。
13. 前記電気メッキ層の表層１０μｍの部分における前記Ｎｉ濃度は、重量％で８５〜９９％の範囲内で変化していることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の磁気転写用マスター。
14. 前記導電層と前記電気メッキ層を合わせた厚みが、３０〜４００μｍであることを特徴とする請求項１１〜請求項１３のいずれか1項に記載の磁気転写用マスター。

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