JP2006109286A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H—ELECTRICITY
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
- F02P3/00—Other installations
- F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
- F02P3/04—Layout of circuits
- F02P3/05—Layout of circuits for control of the magnitude of the current in the ignition coil
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- H—ELECTRICITY
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
- F02P9/00—Electric spark ignition control, not otherwise provided for
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Abstract
【解決手段】IGBT1(スイッチング素子)のゲートにゲート放電抵抗部101を接続する。タイマー回路7の出力がゲート放電抵抗部101及びゲート駆動回路9の入力に接続されている。タイマー回路7は、IGBT1をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Hレベルの信号をゲート放電抵抗部101及びゲート駆動回路9に出力する。ゲート駆動回路9は、タイマー回路7からの信号に基づいてIGBT1をオフ状態に駆動する。ゲート放電抵抗部101は、抵抗値を抵抗4の抵抗値から抵抗4と抵抗5の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。制御回路6の入力が入力端子10に接続されている。制御回路6の出力がゲート駆動回路9の入力に接続されている。ゲート駆動回路9の出力は、スイッチング素子であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )1のゲート(制御端子)に接続されている。
図7は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。ツェナーダイオード28(第2クランプ素子)のカソードがIGBT1のコレクタに接続され、アノードがPMOSトランジスタ27のソース及び抵抗29の一端に接続されている。PMOSトランジスタ27のドレインはIGBT1のゲートに接続されている。ツェナーダイオード28の降伏電圧は、ツェナーダイオード3と同じ値に選ばれている。
図8は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。本実施の形態では、ゲート放電抵抗部101に代えて抵抗(放電抵抗部)16がIGBT1のゲートに接続されている。また、ツェナーダイオード28は、電圧VCEの所望のクランプ電圧(例えば30V程度)に等しい降伏電圧を実現するように構成されている。
図10は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。ツェナーダイオード3のカソードにPNPトランジスタ(第1トランジスタ)37のエミッタが接続されている。PNPトランジスタ37のコレクタ(電流入力端子)は、NPNトランジスタ(第2トランジスタ)38のベース及びツェナーダイオード36のカソードに接続されている。PNPトランジスタ37のベースはNPNトランジスタ38のコレクタに接続され、エミッタ(電流出力端子)は抵抗39の一端に接続されている。抵抗39の他端は接地されている。
図11は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。過電圧検出回路40の入力がツェナーダイオード33のカソードに接続されている。過電圧検出回路40の出力がゲート駆動回路9に出力されている。
Claims (7)
- 電流入力端子に誘導負荷が接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続されたクランプ素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・接地電位間に接続された放電抵抗部と、
を備え、
前記スイッチング素子を駆動することにより、前記誘導負荷に誘導起電圧を発生させる半導体装置であって、
前記スイッチング素子をオン状態に駆動するためのオン信号が所定時間以上入力されると、前記放電抵抗部に所定の信号を出力するタイマー回路をさらに備え、
前記放電抵抗部は、前記所定の信号に応答して、その抵抗値を大きな値に変更することを特徴とする半導体装置。 - 前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に選択的に接続可能に配設された第2クランプ素子をさらに備え、
前記第2クランプ素子は、前記所定の信号に応答して、前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 電流入力端子に誘導負荷が接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続された第1クランプ素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・接地電位間に接続された放電抵抗部と、
を備え、
前記スイッチング素子を駆動することにより、前記誘導負荷に誘導起電圧を発生させる半導体装置であって、
前記スイッチング素子をオン状態に駆動するためのオン信号が所定時間以上入力されると、所定の信号を出力するタイマー回路と、
前記所定の信号に応答して、前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に選択的に接続される第2クランプ素子と、
をさらに備え、
前記第2クランプ素子は、前記第1クランプ素子の降伏電圧よりも小さな降伏電圧を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記スイッチング素子の電流入力端子に電流入力端子が接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタとサイリスタを構成する第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの電流出力端子に一端が接続され、他端が接地された抵抗と、
前記第2クランプ素子に電流入力端子が接続され、電流出力端子が前記スイッチング素子の制御端子に接続された第3トランジスタと、
前記第3トランジスタの電流入力端子に一端が接続され、接地電位に他端が接続された第3クランプ素子と、
をさらに備え、
前記第2クランプ素子は、前記所定の信号に応答して、前記第3トランジスタが導通することにより、前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第3クランプ素子の一端に接続された過電圧検出回路をさらに備え、
前記過電圧検出回路は、前記第3クランプ素子に降伏電圧が印加されると、前記スイッチング素子をオフ状態に駆動する信号を出力することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 電流入力端子に誘導負荷が接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・電流入力端子間に接続された第1クランプ素子と、
前記スイッチング素子の制御端子・接地電位間に接続された放電抵抗部と、
を備え、
前記スイッチング素子を駆動することにより、前記誘導負荷に誘導起電圧を発生させる半導体装置であって、
前記スイッチング素子の電流入力端子に一端が接続された第2クランプ素子と、
前記第2クランプ素子の他端に電流入力端子が接続され、電流出力端子が前記スイッチング素子の制御端子に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタの前記電流入力端子に一端が接続され、接地電位に他端が接続された第3クランプ素子と、
前記第3クランプ素子の前記一端に接続された過電圧検出回路と、
をさらに備え、
前記過電圧検出回路は、前記第3クランプ素子に降伏電圧が印加されると、前記スイッチング素子をオフ状態に駆動する信号を出力することを特徴とする半導体装置。 - 同一半導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295676A JP4455972B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 半導体装置 |
US11/105,394 US7176744B2 (en) | 2004-10-08 | 2005-04-14 | Semiconductor device |
DE102005022309A DE102005022309B4 (de) | 2004-10-08 | 2005-05-13 | Halbleitervorrichtung |
KR1020050077163A KR100748570B1 (ko) | 2004-10-08 | 2005-08-23 | 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295676A JP4455972B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009185420A Division JP4912444B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006109286A true JP2006109286A (ja) | 2006-04-20 |
JP2006109286A5 JP2006109286A5 (ja) | 2007-03-01 |
JP4455972B2 JP4455972B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=36120718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004295676A Active JP4455972B2 (ja) | 2004-10-08 | 2004-10-08 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7176744B2 (ja) |
JP (1) | JP4455972B2 (ja) |
KR (1) | KR100748570B1 (ja) |
DE (1) | DE102005022309B4 (ja) |
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CN111684677A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-09-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JPWO2019155613A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2020-12-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7020498B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-02-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US11333123B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-05-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
CN111684677B (zh) * | 2018-02-09 | 2022-08-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
WO2021131217A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | 株式会社タムラ製作所 | ゲート駆動回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060077000A1 (en) | 2006-04-13 |
DE102005022309B4 (de) | 2012-06-14 |
KR100748570B1 (ko) | 2007-08-10 |
JP4455972B2 (ja) | 2010-04-21 |
DE102005022309A1 (de) | 2006-04-20 |
US7176744B2 (en) | 2007-02-13 |
KR20060050562A (ko) | 2006-05-19 |
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