JP2002235643A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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Abstract
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)15
である。IGBT15のコレクタ・ゲート間にIGBT
保護用のツェナダイオード15aが接続される。1次電
流遮断回路の出力端子37は、ツェナダイオード15a
のツェナ電流によりIGBT15にコレクタ電圧クラン
プ用の自己バイアスをかけるゲート抵抗素子21を介し
てIGBT15のゲートに接続される。一方、1次電流
制限回路27の出力端子28は、ゲート抵抗素子21よ
りも低抵抗のラインを介してIGBT15のゲートに接
続されている。
Description
関する。
ンジン制御ユニット(以下、ECUと称する)から送ら
れる点火制御信号に応じて作動するパワースイッチング
素子(パワートランジスタ)を用いて点火コイルに流れ
る1次電流を通電/遮断している。
ンジスタや点火コイルの損傷や破壊を防止するため、例
えば、特開平8−28415号公報に開示されるよう
に、点火コイルに流れる1次電流を検出して1次電流を
所定値以上流さないよう制限する1次電流制限回路や、
ECUから送られてくる点火信号などの通電状態が所定
時間以上続いた場合に、パワートランジスタをオフして
1次電流の通電を強制的に遮断する連続通電防止回路を
備えたものが提案されている。
ッチング素子は、点火コイルの1次電流遮断時に発生す
るコレクタ電圧が素子耐圧をオーバーしないようにする
ために、耐圧保護を目的としてコレクタ電圧クランプ用
のツェナダイオードを設けたものがある。このツェナダ
イオードは、パワースイッチング素子がバイポーラ形ト
ランジスタである場合には、ベース・コレクタ間に接続
され、IGBTの場合にはゲート・コレクタ間に接続さ
れる。
た点火装置は近年提案されているが、コレクタ電圧クラ
ンプ用のツェナダイオードを用いた場合に、解析調査の
結果、次のようなことが解ってきた。
に自己バイアス用の抵抗(ここではこの抵抗をゲート抵
抗素子と称することもある)を設け、コレクタ電圧がツ
ェナダイオード以上になった場合に流れるツェナ電流に
より上記抵抗素子にIGBTの自己バイアス電圧を発生
させ、これによりIGBTを再通電させることによりコ
レクタ電位をクランプするものである。したがって、ツ
ェナダイオードの電流容量とツェナ動作抵抗の仕様を考
慮して、ゲート抵抗素子の抵抗値を設定する必要があ
る。
きなツェナ電流が流れる。そのため、ツェナ動作抵抗に
よってツェナ電圧が設定値以上に上昇し、且つこの上昇
速度であるdv/dtが大きくなるため、ツェナ部酸化
膜下の空乏層の成長が間に合わず素子耐圧を充分確保で
きなくなる可能性がある。
エミッタ側に設けた1次電流検出抵抗の電圧ドロップを
モニタし、1次電流が設定値以上になった場合にゲート
の電位を調整して、IBGTを不飽和にするフィードバ
ックループ制御により電流制限をかけている。
は、ループの一巡伝達遅れによる位相ずれでコレクタ電
流及び1次電圧が発振するのを防止する必要がある。I
GBTはゲート酸化膜の影響でゲートに比較的大きな容
量が存在しているため、位相ずれを少なくするためには
フィードバックループの回路抵抗をできるだけ小さくす
ることが望まれる。
た1次電流制限回路のほかに次のような種々の目的で1
次電流の通電を遮断する回路が設けられている。例え
ば、点火制御信号に応じて1次電流を遮断する制御回路
や、点火制御信号が設定値以上に連続する場合(1次電
流が設定値以上に連続する場合)に強制的に1次電流を
遮断する連続通電防止回路や、バッテリ電圧が異常上昇
した場合に1次電流を強制的に遮断する過電圧保護回路
があげられる。1次電流の遮断はパワースイッチング素
子のゲート電圧をローレベルに落として行なわれる。こ
のような1次電流遮断回路の出力端子や1次電流制限回
路を設ける場合にも上記の課題に対処する必要があ
るが、従来はそのような配慮をなした回路構成をなした
ものが提案されていなかった。
装置の信頼性と動作安定の両立を図ることにある。ま
た、上記した連続通電防止回路,過電圧保護回路が加わ
った場合でも、上記課題をコンパクトな回路構成で対応
できるようにすることにある。
成するために、点火コイルの1次電流の通電/遮断に用
いるパワースイッチング素子にIGBTを用い、このI
GBTのコレクタ・ゲート間にIGBT保護用のツェナ
ダイオードを接続し、かつ前記したような1次電流制限
回路、1次電流遮断回路を備えた点火装置において、前
記1次電流遮断回路の出力端子は、前記ツェナダイオー
ドのツェナ電流により前記IGBTにコレクタ電圧クラ
ンプ用の自己バイアスをかける抵抗を介して前記IGB
Tのゲートに接続され、一方、前記1次電流制限回路の
出力端子は、前記抵抗よりも低抵抗のラインを介して前
記IGBTのゲートに接続されている構成とした。
回路は、点火制御信号に応じてIGBTのゲート電圧を
ローレベルに落とす制御回路のほかに、ゲート電圧に異
常が生じた場合に強制的に該ゲート電圧をローレベルに
落とす強制遮断回路(例えばゲート電圧がバッテリ電源
などの異常により過電圧となった場合にゲート電圧をグ
ランドに落としてIGBTひいては1次電流を強制遮断
する過電圧保護回路や、点火制御信号ひいてはゲート電
圧が設定値以上の長さとなった場合にゲート電圧をロー
レベルに落として1次電流を強制遮断する連続通電防止
回路など)を備え、この制御回路および強制遮断回路の
出力端子を共有にして、この共有の出力端子を前記抵抗
を介して前記IGBTのゲートに接続したものを提案す
る。
フィードバックループの回路抵抗を小さくするといった
要求に応えつつ、IGBTのコレクタ電圧クランプに用
いる自己バイアスのゲート抵抗値を充分に確保すること
が可能になる。
圧保護用ツェナ電圧以上になる場合に、ツェナ電流によ
ってIGBTが自己バイアスかけられ、IGBTが再通
電することによりツェナ電圧の上昇速度dv/dtを十
分抑えられるため、IBGTのコレクタ電圧をツェナ電
圧でクランプすることができ、素子破壊を防止すること
ができる。
路の出力端子間を低抵抗または外部抵抗ゼロの状態にし
て、1次電流制御のフィードバック回路を形成し得るの
で、一巡伝達遅れの位相ずれを小さくして1次電流及び
1次電圧の発振を防止できる。
回路(点火制御のための1次電流遮断、過電圧保護のた
めの1次電流遮断、連続通電防止のための1次電流遮断
など)で構成しても、それらの出力端子を共有にして前
記IGBTのゲートと前記クランプ用のゲート抵抗素子
を介して接続することで、ICの端子数削減及び回路構
成をコンパクトにすることができ、小型で安価な点火装
置を提供することができる。
明する。
知られている内燃機関用点火システムの通常の構成例を
説明する。
ための点火装置(点火駆動回路)、3は点火コイル、4
は点火プラグを示す。
ミング信号を算出するCPU8を有し、ECU1の出力
段は、PNPトランジスタ9、NPNトランジスタ1
0、抵抗11より構成されている。
正な点火タイミング信号でトランジスタ9,10をオ
ン,オフ制御し、点火装置2にハイ,ローのパルス(点
火制御信号)を出力する。
ド5aを備えるパワートランジスタ5と、ハイブリッド
IC13に実装された電流検出用抵抗6,電流制御(点
火コイル1次電流制御)回路7および入力抵抗12とに
より構成される。ECU1の出力信号(点火制御信号)
がローからハイ信号になると、パワートランジスタ5は
通電を開始し、点火コイル3の1次コイルに1次電流が
流れる。点火制御信号がハイからロー信号に切り換わる
と、パワートランジスタ5の通電が遮断され、点火コイ
ル3の2次コイルに数十キロVの高電圧(点火電圧)が
発生する。このとき、1次コイル側にも300〜400
V程度の高電圧が誘起され、これを耐圧保護用のツェナ
ダイオード5aがクランプすることにより、パワートラ
ンジスタ5を保護している。
6により検出される電圧値より1次電流値を監視し、1
次電流が所定値以上にならないように制御する。
成を図2により説明する。
点火コイルの1次コイルに流れる1次電流を通電,遮断
するIGBTである。
15aを備えるIBGT15、ハイブリッドIC基板6
0(図2の破線で囲む領域)、上記基板60に実装され
た制御用IC70(図2の点線で示す領域)などによっ
て構成されている。
ェナダイオード19、点火コイル14の1次電流を制限
する1次電流制限回路27、電源電圧(バッテリ電圧)
が設定値以上になった場合にそれを検出する過電圧検出
回路48、この過電圧検出回路48の出力で作動するト
ランジスタ50、点火制御信号の入力回路32、その出
力段に接続されたIGBT制御用のトランジスタ34、
IGBT15のゲートに所定時間以上のハイレベルの電
圧が加わってIGBT15が連続通電状態にある場合
(1次電流を通電させる点火制御信号が設定時間以上を
越える場合)に、それを検出する連続通電検出回路38
及びそれに用いるトランジスタ41,コンデンサ40,
抵抗39、および上記連続通電状態が検出されると作動
するトランジスタ44などからなる。
NPNトランジスタであり、そのエミッタは共通のライ
ンを介して最終段の出力トランジスタ(NPNトランジ
スタ)36のベースに接続されている。
がバッテリ電圧の異常上昇を検出した場合と、入力端子
29の点火制御信号がローレベルにある場合と、連続通
電検出回路38が連続通電を検出した場合に、各トラン
ジスタ50,34,44を介してオン状態になり、IG
BTのゲート電圧を、出力端子37を介してローレベル
(グランド)に落とすものである。それにより1次電流
は遮断される。
タ50および36が過電圧保護回路を構成し、入力回路
32,トランジスタ34および36が点火制御信号に応
じた制御回路を構成し、抵抗39,コンデンサ40,連
続通電検出回路38,トランジスタ44および36が連
続通電防止回路を構成する。また、上記過電圧保護回
路,制御回路,連続通電防止回路が1次電流遮断回路を
構成し、トランジスタ36のコレクタ端子37が1次電
流遮断回路のIC出力端子37となる。すなわち、出力
端子37は、上記した過電圧保護回路,制御回路,連続
通電防止回路の共有の出力端子となる。1次電流遮断回
路の出力端子37は後述するコレクタ電圧クランプ用の
抵抗(ゲート抵抗素子)21を介してIGBT15のゲ
ートライン100に接続されている。上記した過電圧保
護回路および連続通電防止回路は、1次電流を強制的に
遮断する強制遮断回路でもある。
源と接続されるバッテリ端子16、IGBT15のゲー
トに接続されるゲート端子22、点火信号を入力する端
子29、グランド端子18′を有し、前記制御用IC7
0を搭載すると共に、その周辺に抵抗17,20,2
1,23,24,25,30,46を形成してなる。こ
のうち抵抗21がコレクタ電圧クランプの自己バイアス
用のゲート抵抗素子となり、抵抗23が1次電流検出用
の抵抗素子となる。また、基板60にはICBT15の
ゲートライン100やエミッタライン101となる配線
が形成されている。基板60は例えばセラミック基板で
ある。
態様をなしている。Vcc端子18は、抵抗17を介し
て基板60のバッテリ端子16と接続される。過電圧検
出回路48の入力端子47は、抵抗46を介してバッテ
リ端子16と接続される。点火信号入力回路32の入力
端子31は、保護抵抗30を介して基板60の点火信号
入力端子29と接続される。グランド端子18″は基板
60のグランド端子18′と接続される。電流検出用の
端子27′は、分圧抵抗24,25を介して1次電流検
出用の抵抗23と接続される。1次電流制限回路の出力
端子28は、IGBT15のゲート端子22と接続され
る。1次電流遮断回路の出力端子37は、ゲート抵抗素
子21を介してIGBT15のゲート端子22と接続さ
れる。
らとり、抵抗17および制御ICのVcc端子18を介
してツェナダイオード19に印加されることによりVc
c電圧が作られる。このVcc電位は、トランジスタ3
6がオフの条件の下で入力抵抗20,21を介してIG
BT15のゲートに印加されるよう構成されている。
に流れる1次電流によって電圧ドロップし、その電圧ド
ロップが抵抗24および25で分圧されて電流制限回路
27によって検出される。
になると、電流制限回路27は端子28を介してIGB
T15のゲート電圧を降下させ、それによりIGBT1
5を不飽和状態にして電流制限をかけるフィードバック
制御回路が形成される。
制御信号は、保護抵抗30を介して入力回路32に入力
される。入力回路32は、オン−オフ・スレッシュホー
ルド電圧にヒステリシスを持たせた反転回路であり、入
力電圧が設定したスレッシュホールド以上のハイレベル
信号になると、ローレベルの信号を出力し、入力電圧が
設定したスレッシュホールド以下(ローレベル信号)に
なるとハイレベル信号を出力する。
および34は、それぞれ抵抗41,33を介して駆動さ
れる。トランジスタ42は、連続通電検出に用いられ
る。
バッテリ電圧を入力し、バッテリ電圧が設定値以上にな
った場合に抵抗49を介してトランジスタ50を駆動す
る。
出力がローレベル(ゲート電圧ハイレベル;1次電流通
電時)にあるときに、抵抗39とコンデンサ40で構成
される時定数チャージ電圧をモニタし、設定値以上(換
言すれば所定時間以上)になった場合に抵抗43を介し
てトランジスタ44をオン状態にする。それにより、I
GBT15に印加されるゲート電圧がハイからローレベ
ルに落とされ、IGBT15の連続通電が遮断(1次コ
イルの通電が遮断)される。
イマーのチャージ電圧は、ECUから出力される点火信
号がローレベル(入力回路32の出力がハイレベル)の
場合には、トランジスタ42がオン状態になって、この
トランジスタ42を通して放電される。点火信号がハイ
レベル(入力回路32の出力がローレベル)になると、
上記したCR時定数充電を開始する。すなわち、上記タ
イマーは、入力回路32の信号のレベルによりセット/
リセットされる。
は、それぞれ抵抗35,45,51を介してVcc電源
にプルアップされている。トランジスタ34,44,5
0は、いずれも1次コイルの電流遮断系のトランジスタ
であり、これらのトランジスタのいずれか一つがオンす
れば、最終段トランジスタ36がオンし、それにより1
次コイルの電流が遮断されるようになっている。すなわ
ち、トランジスタ34,44,50は、最終段の電流遮
断用のスイッチング素子36を共有している。
次電流制限回路27の出力端子28とを分離すること
で、端子37と28とが別々にIGBT15のゲートラ
イン100に接続されている。また、1次電流制限回路
27の出力端子28を1次電流遮断回路の出力端子37
よりもIGBT15のゲートに近い位置でゲートライン
100に接続している。ゲートライン100における出
力端子37の接続点37′と出力端子端子28の接続点
28′との間には、コレクタクランプ用のゲート抵抗2
1が介在している。
波形(タイムチャート)を用いて説明する。
る点火信号、3bはIGBT15のゲート電圧、3cは
IGBT15に流れるコレクタ電流(1次電流)、3d
は点火コイル14の2次コイルに発生する2次電圧を示
す。
号がローの状態において入力回路32はハイを出力する
ため、次段トランジスタ34のベースには抵抗33を介
して電流が印加され、トランジスタ34がオンする。そ
れにより、コレクタ抵抗35によって制限された電流を
最終段トランジスタ36に供給して、トランジスタ36
をONさせる。これによってIGBT15のゲート電圧
はローになり、IGBT15のコレクタ電流(1次電
流)は非通電状態となっている。
いるため、抵抗39とコンデンサ40によって構成され
る時定数タイマーのチャージ電圧もローになっている。
ド電圧以上になると、入力回路32はローを出力するた
めトランジスタ34および36はオフして、IGBTゲ
ート電圧はハイになり、1次電流を通電する。
デンサ40の電圧はVc=V(1−e-(t/R × C))で定
義される時定数をもって充電される。コレクタ電流が通
電されると、点火コイル14の1次電流は1次インダクタ
ンスと1次抵抗による時定数を持って立ち上がる。
で点火制御信号(点火信号)はローになる。この時、点
火信号がオフ−スレッシュホールド以下になると、トラ
ンジスタ34,36がオンしてIGBT15のゲート電
圧がローになり、IGBT15がオフし、1次電流は急
速に遮断され点火コイル14の2次側に数十キロボルト
の2次電圧を誘起する。2次電圧は点火コイルの仕様よ
って異なるが、通常30kV〜45kVの電圧である。
これと同時にトランジスタ42がオンしてコンデンサ4
0の電荷を引き抜き、時定数タイマーをリセットする。
グから外れてスパークしない状態の波形を示している。
このようにしたのは、後述するゲート電圧のクランプし
た状態が顕著に表れるためである。
レクタには点火コイル14の発生電圧(2次電圧)に対
して1次コイルと2次コイルの巻数比に対応した電圧
(ここでは、この電圧をノイズ電圧と称することもあ
る)が発生する。このノイズ電圧は、例えば、巻数比6
0の点火コイルで2次電圧が40kVの場合には、66
6V程度の高電圧である。これがIGBTのコレクタに
そのままかかるとIGBT15が損なわれる。そこで、
通常の点火用IGBTには、コレクタ電圧が素子耐電圧
以上にならないように、350V〜500Vのクランプ
用ツェナダイオード15aがIGBT15のコレクタ・
ゲート間に設けられている。
クタ電圧はクランプされ、それ以上に上がることはな
い。
電圧がツェナ電圧を越えると、ツェナ電流が流れ(ツェ
ナ電流はゲート抵抗21,端子37,トランジスタ36
を介してグランドに流れる)、それによりゲートに設け
たゲート抵抗21に電圧が発生し、この電圧がIGBT
15のオン動作電圧まで上昇すると、IGBT15がバ
イアスされて再通電することでコレクタ電位をクランプ
する。
となりIGBTが連続通電状態になった場合について説
明する。図3では、この状態をシーケンスにより示
す。
信号がオンしてIGBTゲート電圧はハイになりコレク
タ電流(1次電流)を通電するし、コンデンサ40の電
圧は時定数をもって充電される。
流が上昇し電流制限値まで流れると、まず電流制限回路
27が動作してIGBTを不飽和にする。それにより、
ゲート電圧が降下しコレクタ電流(1次電流)が制限さ
れる。
ッタに接続された電流検出用抵抗23に発生する電圧を
検出し、IGBT15のゲートを制御して不飽和状態に
するフィードバック制御回路である。このフィードバッ
クループの一巡伝達遅れによる位相ずれが大きくなると
コレクタ電流および1次電圧は発振するおそれがある。
から容量が存在しているため、フィードバックループを
形成するIGBTゲートの抵抗が大きくなると容量の影
響で位相ずれが大きくなる。この位相ずれを少なくする
ために、1次電流制限回路の出力端子28とIGBT1
5のゲート間は抵抗をできるだけ小さくして直接制御す
ることが望ましい。
己バイアス用のゲート抵抗21を1次電流制限のフィー
ドバックループ系から外すようにした。そのために、I
GBT15のゲート端子22と1次電流制限回路の出力
端子28との間にはゲート抵抗21を配置せず、かつ出
力端子28と電流遮断系の出力端子(IGBT自己バイ
アス用の端子兼用)37とを別々(それぞれ独立した端
子として分離させる)にして、電流制限端子28と電流
遮断系端子37との間にゲート抵抗21を設けた。この
ようにすれば、1次電流遮断回路の出力端子37は、I
GBT15の自己バイアス確保のためのゲート抵抗素子
21を介してIGBT15のゲートに接続され、一方、
1次電流制限回路27の出力端子28は、ゲート抵抗素
子21よりも低抵抗のラインを介してIGBT15のゲ
ートに接続され、1次電流および電圧の発振を防止する
ことが可能になる。
され、コンデンサ40の電位が設定値まで上昇すると、
連続通電検出回路38は抵抗43を介してトランジスタ
44,36をオンさせてIGBT15のゲート電圧をロ
ーレベルにする。
れ、点火コイル14の2次側に高電圧を誘起させる。同
時にIGBT15のコレクタには、上記したノイズ電圧
を発生するが、それにより生じるツェナ電流によりゲー
ト抵抗21の電圧がIGBT15のオン動作電圧まで上
昇すると、IGBT15がバイアスされて再通電するこ
とでコレクタ電圧をクランプする。
が発生してバッテリ電圧が上がり、過電圧検出回路48
が動作すると、トランジスタ50および36がオンし、
IGBT15のゲート電圧をローにする。この時、コレ
クタ電流が通電中であると、この動作によってコレクタ
電流は急速に遮断され、点火コイル14の2次側に高電
圧を誘起させる。同時にIGBT15のコレクタに高電
圧(ノイズ電圧)が誘起されるが、このノイズ電圧は、
既述したようにIGBT15を再通電させてクランプす
る。
動作するためには、ゲート抵抗25が必要となり、ゲー
ト抵抗の値はツェナの動作抵抗とツェナ電流を考慮して
決定する必要がある。ゲート抵抗がない状態でツェナが
動作すると、ツェナ電圧はツェナ電流によって動作抵抗
分上昇し、IGBT素子耐圧をオーバーする。またこの
状態において、電圧上昇速度dv/dtが急速である
と、酸化膜したの空乏層の成長が間に合わず充分な耐圧
が確保出来ず破壊に至る可能性がある。一方で1次電流
制限回路としてはフィードバックループの一巡伝達遅れ
の関係でゲート抵抗を大きくできないという問題がある
ため、本実施例のように回路構成することは有効であ
る。
装置において、1次電流制限機能を安定させることと1
次電流遮断時のコレクタ電圧クランプ動作とを両立させ
ることにより素子の損壊を防止し、信頼性の高い点火装
置を供給することが可能となる。
を示す回路図。
…点火プラグ、6,23…1次電流検出用抵抗、7,2
7…1次電流制限回路、15…IGBT、15a…ツェ
ナダイオード、21…クランプ用ゲート抵抗素子、22
…ゲート端子、28…1次電流制限回路の出力端子、2
8′…出力端子28の接続点、32…点火信号入力回
路、37…1次電流遮断回路の出力端子、37′…出力
端子37の接続点、38…連続通電検出回路、48…過
電圧検出回路、60…ハイブリッドIC基板、70…制
御IC、100…ゲートライン。
Claims (5)
- 【請求項1】 点火制御信号に応じて作動するパワース
イッチング素子を用いて点火コイルに流れる1次電流を
通電/遮断する点火装置であって、1次電流を検出して
1次電流を所定値以上流さないよう制限する1次電流制
限回路と、前記パワースイッチング素子のゲート電圧を
ローレベルに落として1次電流の通電を遮断する1次電
流遮断回路とを備えた点火装置において、 前記パワースイッチング素子は、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ(以下、IGBTと称する)であり、こ
のIGBTのコレクタ・ゲート間にIGBT保護用のツ
ェナダイオードが接続され、 前記1次電流遮断回路の出力端子は、前記ツェナダイオ
ードのツェナ電流により前記IGBTにコレクタ電圧ク
ランプの自己バイアスをかける抵抗を介して前記IGB
Tのゲートに接続され、一方、前記1次電流制限回路の
出力端子は、前記抵抗よりも低抵抗のラインを介して前
記IGBTのゲートに接続されていることを特徴とする
内燃機関用点火装置。 - 【請求項2】 前記1次電流制限回路および前記1次電
流遮断回路は、それらの出力端子を別々にした一つのI
Cに形成され、それらの出力端子が前記ICを搭載する
基板に設けたIGBTゲートラインに接続され、かつ前
記1次電流制限回路の出力端子を前記1次電流遮断回路
の出力端子よりも前記IGBTのゲートに近い位置で前
記ゲートラインに接続し、このゲートラインにおける前
記1次電流制限回路の出力端子接続点と前記1次電流遮
断回路の出力端子接続点との間に前記抵抗が設けられて
いる請求項1記載の内燃機関用点火装置。 - 【請求項3】 前記1次電流遮断回路は、点火制御信号
に応じて前記IGBTのゲート電圧をローレベルに落と
す制御回路と、前記ゲート電圧に異常が生じた場合に強
制的に前記IGBTのゲート電圧をローレベルに落とす
強制遮断回路とよりなり、この制御回路および強制遮断
回路の出力端子を共有にして、この共有の出力端子が前
記ゲートラインに前記抵抗を介して接続されている請求
項1又は2記載の内燃機関用点火装置。 - 【請求項4】 前記強制遮断回路は、前記ゲート電圧が
設定時間以上にハイレベルにあるときにゲート電圧を強
制的にローレベルに落とす連続通電防止回路と、バッテ
リ電圧が設定値以上の状態のときに前記ゲート電圧をロ
ーレベルに落とす過電圧保護回路よりなる請求項3記載
の内燃機関用点火装置。 - 【請求項5】 前記抵抗は100Ω以上である請求項1
から4のいずれか1項記載の内燃機関用点火装置。
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