JP2008071984A - 露光・現像処理方法 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【課題】液浸露光により処理されるウエハに塗布されたレジストにダメージを与えることなく、かつ有機コンタミネーションの影響を抑制して、解像度及び面内の線幅精度の高い露光・現像方法を提供すること。
【解決手段】ウエハの表面に塗布されたレジスト層の表面に、光を透過する液層を形成した状態でウエハの表面を露光した後、露光されたウエハの表面を現像する露光・現像処理方法において、液浸露光前S6に、ウエハの表面を、アルコール系洗浄液により洗浄するS5。これにより、レジストにダメージを与えることなく、レジスト層の表面に付着したパーティクル,有機コンタミネーションを除去することができる。
【選択図】図7
Description
1 キャリアステーション
2 処理部
3 インターフェース部
4 露光部
25 レジスト塗布ユニット
26 現像ユニット
34 洗浄装置
45A,45B 第1,第2の洗浄液供給ノズル
50A 加熱・冷却ユニット
50 熱処理装置
70 コントローラ(制御手段)
Claims (6)
- 被処理基板の表面に塗布されたレジスト層の表面に、光を透過する液層を形成した状態で被処理基板の表面を露光した後、露光された被処理基板の表面を現像する露光・現像処理方法において、
上記露光前に、上記被処理基板の表面を、アルコール系洗浄液により洗浄する洗浄工程を有する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項1記載の露光・現像処理方法において、
上記露光後の現像前に、上記被処理基板の表面を洗浄液により洗浄する露光後洗浄工程を更に有する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項2記載の露光・現像処理方法において、
上記露光後洗浄工程における洗浄液が純水である、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項2記載の露光・現像処理方法において、
上記露光後洗浄工程における洗浄液がアルコール系洗浄液である、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項2ないし4のいずれかに記載の露光・現像処理方法において、
上記露光後から洗浄処理開始までの時間及びこの洗浄処理後から加熱処理開始までの時間を一定に制御する、ことを特徴とする露光・現像処理方法。 - 請求項1又は4記載の露光・現像処理方法において、
上記アルコール系洗浄液が、2−ブタノール,イソブタノール,n−デカン−2−オクタノール,n−ペンタノール,イソブチルアルコール,ジイソアミルエーテル/2−メチル−1−ブタノール,ジブチルエーテル,2メチル2ブタノール,2メチル4ペンタノール,ジイソアミルエーテル又はメチルイソブチルカルビノールのいずれかである、ことを特徴とする露光・現像処理方法。
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