JP2005277053A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005277053A JP2005277053A JP2004087420A JP2004087420A JP2005277053A JP 2005277053 A JP2005277053 A JP 2005277053A JP 2004087420 A JP2004087420 A JP 2004087420A JP 2004087420 A JP2004087420 A JP 2004087420A JP 2005277053 A JP2005277053 A JP 2005277053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- film
- resist
- liquid
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 95
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板上にレジスト膜を形成する(ステップST102)。前記レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する(ステップST105)。前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、局所的に液膜が形成された状態で液浸露光を行う(ステップST105)。前記基板上の略全面に第2の液膜を形成するために、第2の薬液を前記レジスト膜上に供給する(ステップST108)。前記第2の液膜を除去する(ステップST109)。前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する(ステップST110)。前記レジスト膜を現像する(ステップST111)。
【選択図】 図1
Description
Claims (15)
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜が形成された基板およびパターンが形成されたレチクルを、投影光学系を具備する露光装置に搭載する工程と、
前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、前記レジスト膜上への第1の薬液の供給と供給された第1の薬液の回収とを行う工程であって、前記第1の液膜は流れを有し、前記第1の液膜を前記レジスト膜と投影光学系との間に形成する工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記第1の液膜が形成された状態で前記レチクルに形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記基板上の略全面に第2の液膜を形成するために、第2の薬液を前記レジスト膜上に供給する工程と、
前記第2の液膜を除去する工程と、
前記除去後、前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程と、
前記加熱されたレジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜を現像する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記液膜除去は、
前記レジスト膜の表面の一部に対してガス噴射部からガスを吹き付ける工程と、
前記ガス噴射部が前記基板上の略全面を走査する工程と
を含むことを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン形成方法。 - 前記第2の薬液が、前記第1の薬液と同じ溶液であることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第2の薬液の気化熱が、第1の薬液の気化熱より小さいことを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第2の薬液は、前記第1の薬液を溶解する性質を有することを特徴とする請求項1または4記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第2の薬液が、前記第1の薬液と同じ物質を含む溶液であることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜が形成された基板およびパターンが形成されたレチクルを、投影光学系を具備する露光装置に搭載する工程と、
前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、前記レジスト膜上への第1の薬液の供給と供給された第1の薬液の回収とを行う工程であって、前記第1の液膜は流れを有し、前記第1の液膜は前記レジスト膜と投影光学系との間に形成される工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記第1の液膜が形成された状態で前記レチクルに形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記レジスト膜の表面の一部に対してガス噴射部からガスを吹き付ける工程と、
前記レジスト膜の略全面に前記ガスを吹き付けるために、前記ガス噴射部が前記基板上を走査する工程と、
前記走査後、前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程と、
前記加熱されたレジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜を現像する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記ガス噴射部は、エアーナイフであることを特徴とする請求項1または7に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記露光装置に搭載する前に、前記レジスト膜上に保護膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項1または7記載のレジストパターン形成方法。
- 前記レジスト膜を構成する材料の一つが酸発生剤または酸トラップ材であって、
前記転写の前に、前記レジスト膜の表面に偏析する酸発生剤または酸トラップ材を除去するために前記レジスト膜の表面を洗浄する工程を更に含むことを特徴とする請求項1または7記載のレジストパターン形成方法。 - 前記洗浄が、前記酸発生材または酸トラップ材を溶解する第3の薬液を前記レジスト膜上に供することであることを特徴とする請求項10記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第3の薬液が、水、オゾン水、水素水、炭酸水のいずれかであることを特徴とする請求項11記載のレジストパターン形成方法。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜が形成された基板およびパターンが形成されたレチクルを、投影光学系を具備する露光装置に搭載する工程と、
前記レジスト膜上の局所的な領域に第1の液膜を選択形成するために、前記レジスト膜上への第1の薬液の供給と供給された第1の薬液の回収とを行う工程であって、前記第1の液膜は流れを有し、前記第1の液膜は前記レジスト膜と投影光学系との間に形成される工程と、
前記レジスト膜に潜像を形成するために、前記第1の液膜が形成された状態で前記レチクルに形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記転写後、前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する工程と、
前記加熱されたレジスト膜からレジストパターンを形成するために、前記レジスト膜を現像する工程と
を含むレジストパターン形成方法において、
前記液膜が選択形成された領域に前記基板上のレジスト膜のエッジ部分が含まれる場合、第1の液膜が有する流れの方向が前記パターンが転写される領域から前記エッジに向かう方向であるように制御することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記転写は、前記投影光学系に対して前記基板及びレチクルを水平移動させるスキャン露光方式で行われ、
前記基板の移動方向は、前記液体の流れる方向とほぼ逆であることを特徴とする請求項13記載のレジストパターン形成方法。 - 半導体ウエハを用意する工程と、
請求項1〜14の何れかにレジストパターンパターン形成方法を用いて、前記半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087420A JP4220423B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | レジストパターン形成方法 |
TW094108061A TWI268544B (en) | 2004-03-24 | 2005-03-16 | Resist pattern forming method, semiconductor apparatus using said method, and exposure apparatus thereof |
US11/084,001 US7524618B2 (en) | 2004-03-24 | 2005-03-21 | Resist pattern forming method, semiconductor apparatus using said method, and exposure apparatus thereof |
NL1028595A NL1028595C2 (nl) | 2004-03-24 | 2005-03-22 | Werkwijze voor het vormen van een fotogevoelig patroon, halfgeleiderinrichting gebruikmakend van deze werkwijze en belichtingsinrichting daarvan. |
CNB2005100569808A CN100342491C (zh) | 2004-03-24 | 2005-03-24 | 抗蚀图形形成方法、利用该方法的半导体装置及其曝光装置 |
US12/385,064 US7821616B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-03-30 | Resist pattern forming method, semiconductor apparatus using said method, and exposure apparatus thereof |
US12/923,666 US20110075119A1 (en) | 2004-03-24 | 2010-10-01 | Resist pattern forming method, semiconductor apparatus using said method, and exposure apparatus thereof |
US15/638,445 US10048593B2 (en) | 2004-03-24 | 2017-06-30 | Resist pattern forming method, semiconductor apparatus using said method, and exposure apparatus thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087420A JP4220423B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | レジストパターン形成方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007180381A Division JP4374042B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008237020A Division JP4672763B2 (ja) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005277053A true JP2005277053A (ja) | 2005-10-06 |
JP4220423B2 JP4220423B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=35046647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004087420A Expired - Lifetime JP4220423B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7524618B2 (ja) |
JP (1) | JP4220423B2 (ja) |
CN (1) | CN100342491C (ja) |
NL (1) | NL1028595C2 (ja) |
TW (1) | TWI268544B (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294520A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP2006005335A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2006016489A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
JP2006072326A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-03-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
WO2006027900A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006202836A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Jsr Corp | 走査型露光方法 |
JP2006310724A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007150071A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP2007201214A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2007219472A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP2007219471A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP2008071984A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
JP2008141043A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Tokyo Electron Ltd | 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
JP2009094532A (ja) * | 2004-09-20 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010114455A (ja) * | 2005-06-28 | 2010-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010219555A (ja) * | 2004-11-11 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 露光方法、デバイス製造方法、及び基板 |
US7892722B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
WO2014088018A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
WO2014171425A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353763A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
US20060008746A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Yasunobu Onishi | Method for manufacturing semiconductor device |
US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
JP5154008B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5008280B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4926433B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4551758B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | 液浸露光方法および半導体装置の製造方法 |
JP4634822B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP4718893B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP4522329B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2010-08-11 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7927779B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. | Water mark defect prevention for immersion lithography |
US20070002296A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction |
US8383322B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography watermark reduction |
JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7993808B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | TARC material for immersion watermark reduction |
KR100802266B1 (ko) * | 2005-11-21 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
US8518628B2 (en) * | 2006-09-22 | 2013-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface switchable photoresist |
US8177993B2 (en) * | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
JP4922858B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及び洗浄装置 |
NL2002983A1 (nl) * | 2008-06-26 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of operating the lithographic apparatus. |
CN103987664B (zh) | 2011-12-06 | 2017-03-08 | 德尔塔阀门公司 | 龙头中的臭氧分配 |
JP5931230B1 (ja) * | 2015-01-15 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、及び記録媒体。 |
JP6456238B2 (ja) * | 2015-05-14 | 2019-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11458214B2 (en) | 2015-12-21 | 2022-10-04 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2727481B2 (ja) * | 1992-02-07 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法 |
US6235141B1 (en) | 1996-09-27 | 2001-05-22 | Digital Optics Corporation | Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JPH1152541A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Yokogawa Electric Corp | 露光マスク装置 |
US6291800B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and substrate processing system |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2002151462A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Fujitsu Ltd | ウエットエッチング終点検出方法及び装置並びにウエットエッチング方法 |
US6420098B1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-07-16 | Motorola, Inc. | Method and system for manufacturing semiconductor devices on a wafer |
TW550635B (en) | 2001-03-09 | 2003-09-01 | Toshiba Corp | Manufacturing system of electronic devices |
TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TWI265550B (en) | 2002-05-14 | 2006-11-01 | Toshiba Corp | Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device |
JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
KR101037057B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
KR20060009356A (ko) | 2003-05-15 | 2006-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
JP3857692B2 (ja) | 2004-01-15 | 2006-12-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4365236B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
US20050250054A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Ching-Yu Chang | Development of photolithographic masks for semiconductors |
KR101236120B1 (ko) | 2004-10-26 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2006222284A (ja) | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087420A patent/JP4220423B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-16 TW TW094108061A patent/TWI268544B/zh active
- 2005-03-21 US US11/084,001 patent/US7524618B2/en active Active
- 2005-03-22 NL NL1028595A patent/NL1028595C2/nl active Search and Examination
- 2005-03-24 CN CNB2005100569808A patent/CN100342491C/zh active Active
-
2009
- 2009-03-30 US US12/385,064 patent/US7821616B2/en active Active
-
2010
- 2010-10-01 US US12/923,666 patent/US20110075119A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-06-30 US US15/638,445 patent/US10048593B2/en active Active
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294520A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
JP2006005335A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
US7892722B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
JP2006072326A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-03-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
JP2013050735A (ja) * | 2004-07-02 | 2013-03-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
JP2011123517A (ja) * | 2004-07-02 | 2011-06-23 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
WO2006016489A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
WO2006027900A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2009094532A (ja) * | 2004-09-20 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US8040489B2 (en) | 2004-10-26 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device by immersing substrate in second liquid before immersion exposure through first liquid |
JP4665712B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-04-06 | 株式会社ニコン | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8941808B2 (en) | 2004-10-26 | 2015-01-27 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus rinsing outer contour of substrate with immersion space |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006156974A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010177693A (ja) * | 2004-10-26 | 2010-08-12 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006310724A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010219555A (ja) * | 2004-11-11 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 露光方法、デバイス製造方法、及び基板 |
JP2006202836A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Jsr Corp | 走査型露光方法 |
JP4591093B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2010-12-01 | Jsr株式会社 | 走査型露光方法 |
US8687168B2 (en) | 2005-06-28 | 2014-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010114455A (ja) * | 2005-06-28 | 2010-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2007150071A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP4654119B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
KR101061647B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US8389200B2 (en) | 2006-01-23 | 2013-03-05 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
JP2007219472A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP2007219471A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP2007201214A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008071984A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
JP2008141043A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Tokyo Electron Ltd | 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
WO2014088018A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置 |
WO2014171425A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2014211490A (ja) * | 2013-04-17 | 2014-11-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1674228A (zh) | 2005-09-28 |
NL1028595C2 (nl) | 2008-02-28 |
NL1028595A1 (nl) | 2005-09-27 |
US20170336722A1 (en) | 2017-11-23 |
JP4220423B2 (ja) | 2009-02-04 |
TWI268544B (en) | 2006-12-11 |
US10048593B2 (en) | 2018-08-14 |
US7821616B2 (en) | 2010-10-26 |
US20090190114A1 (en) | 2009-07-30 |
TW200603254A (en) | 2006-01-16 |
US7524618B2 (en) | 2009-04-28 |
CN100342491C (zh) | 2007-10-10 |
US20050221234A1 (en) | 2005-10-06 |
US20110075119A1 (en) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4220423B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
KR100814040B1 (ko) | 이머젼 리소그라피 결함 감소 | |
KR100770821B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4709698B2 (ja) | 半導体ウェハの処理方法,半導体ウェハ,液浸リソグラフィの実施方法,および液浸リソグラフィ処理と共に使用するエッジビード除去装置 | |
KR101032225B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
US20060008746A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2006222284A (ja) | パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US20070093067A1 (en) | Wafer edge cleaning process | |
TWI324791B (ja) | ||
JP2019216170A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4167642B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP4374042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102153767B1 (ko) | 기판 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 시스템 | |
JP4672763B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP4718893B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US20110059405A1 (en) | Substrate processing method | |
WO2024085016A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2007088256A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001284207A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2022068194A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2011071170A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070709 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080715 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080916 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4220423 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |