JP2005251851A - 研磨パッドおよび研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハなどの被研磨体の表面を高い研磨力で精度よく均一に研磨できスクラッチの発生を抑制し得る研磨パッドおよびその研磨パッドを使用する半導体ウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを研磨するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドであって、研磨パッドにおけるポリウレタン樹脂微細発泡体の研磨領域のマトリックス樹脂中にフッ素系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの有機樹脂微粒子が分散されており、マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値が小さいことを特徴とする研磨パッドおよびこの研磨パッドを用いる半導体ウエハの研磨方法に関する。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体ウエハ表面の凹凸をケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）で平坦化する際などに使用される研磨パッドに関し、詳しくは、粗大研磨粒子による局部研磨や研磨粒子の過剰接触などによるスクラッチ発生を防ぐことのできる研磨パッドおよびこの研磨パッドを用いた半導体ウエハの研磨方法に関する。

従来、半導体ウエハは仕上げ加工工程や、デバイス化での多層配線プロセスにおいて、いわゆる化学的機械的研磨法（ケミカルメカニカルポリシングまたはＣＭＰ）により鏡面研磨や、層間絶縁膜や導電膜の平坦化が行われており、これらの平坦化方法として、最近では、シリコンウエハの鏡面加工を応用したＣＭＰ法が採用されている。この装置は、回転する研磨プレート回転軸に支承され表面に研磨パッドが接着された研磨プレートと、ダイヤモンド粉などを金属板に電着形成した、研磨パッドの表面を目立てするためのドレッサーと、層間絶縁膜などの被研磨層が形成された被研磨体（以下、ウエハと称する）をウエハバッキングフィルムにより保持するキャリアと、研磨スラリーを研磨パッド上に供給する研磨スラリー供給ノズルを有する研磨スラリー供給装置とから概ね構成されている。

その１方法として、研磨パッドをドレッサーによりドレッシング（研削）した後に、研磨プレート回転軸およびキャリア回転軸を回転させ、研磨スラリー供給ノズルから研磨パッドの中央部に研磨スラリーを供給しながら、研磨圧力調整機構によりウエハを研磨パッド上に押圧させてウエハの研磨する方法がある。

このようなＣＭＰ法では、ウエハの絶縁膜などの被研磨層に（マイクロ）スクラッチの発生や研磨レートのばらつきや研磨量のウエハ面内でのバラツキが大きいことが問題となっている。

マイクロスクラッチの発生を抑制するためには、研磨パッドのドレッシング時に発生する研磨パッドの削りクズやドレッサーのダイヤモンド粉、層間膜、ウエハの破片クズや研磨粒子の凝集物や研磨済みの研磨スラリーなど（以降、これらを総称して不純物とも表記する）を研磨パッド外へ排出する必要がある。

このような従来のＣＭＰ装置においては、研磨作業中に研磨スラリーを研磨パッドの中央部に間断なく十分に流し出し、不純物をこの研磨スラリーにより研磨パッド外へ除去あるいは押し流すという対策をとっている。

このようにドレッシングによりパッド表面に目立て層を形成し、研磨スラリーを供給してウエハの研磨を行う時、研磨スラリーは研磨パッドの回転による遠心力およびウエハを研磨パッドに押し付けることにより押し出され、殆どが研磨に直接寄与することなく研磨パッド外に排出されてしまうため、高価な研磨スラリーを余分に消費してしまうことになる。また不純物による局部的研磨によるスクラッチの発生が問題となる。

ＣＭＰ研磨では、ウエハ全面内での研磨量の均一性、凹凸段差の凸部の選択的研磨や、凹凸部の研磨後の平坦性などの特性が求められ、さらにスクラッチの発生を抑制する必要がある。これらの要求に対して、数多くの研磨パッドが従来開発、検討されてきた（特許文献１〜１０等）。

特許文献１には、弾性ポリウレタン層に研磨層である合成皮革層が積層された研磨パッドが開示されている。しかしながら、この研磨パッドでは、全面の均一性に関しては、弾性ポリウレタン層がウエハに負荷される荷重を均一にする役目を果たしているが、最表層研磨層に、軟らかい合成皮革を使用しているため、スクラッチ等の問題は無いが、微小領域での平坦化特性が良くないという問題点がある。

特許文献２には、研磨表面が設けられており、上記研磨表面に隣接し、選択した厚さおよび剛性を有する剛性要素が設けられており、上記剛性要素へ実質的に一様な力を付与するために上記剛性要素に隣接して弾性要素が設けられており、上記剛性要素および弾性要素が研磨表面へ弾性的屈曲力を付与して上記研磨表面に制御した屈曲を誘起させ、それが上記加工物の表面の全体的な形状に適合し且つ上記加工物表面の局所的な形状に関して制御した剛性を維持することを特徴とする研磨用パッドが開示されている。しかしながら、研磨層、剛性層、弾性層の構造を有する上記研磨パッドでは、表層の研磨層でスクラッチが生じないような硬度を設定しているため、硬度が上げられず、それにより劣化する平坦化特性を第２層の剛性層でカバーしている。従って、研磨層の厚さを０．００３インチ以下と小さく規定しており、この厚さでは実際に使用した場合、研磨層も削れてしまい、製品寿命が短くなるという問題点がある。

特許文献３には、ポリウレタン樹脂等の軟質樹脂中にポリウレタン樹脂、超高分子ポリエチレン等の硬質樹脂粉末を結合する研磨パッドが開示されている。しかしながら、この研磨パッドでは、脱離しない微粒子をいれ、その微粒子で研磨レートを上げることを特徴としているが、スクラッチ低減の効果がない。

特許文献４には、発泡ウレタン樹脂に酸化セリウム粒子を混合した研磨パッドが開示されている。しかしながら、この研磨パッドでは、砥粒をパッド内に含有するが、砥粒の濃度が十分でなく、研磨スラリーと併用することが必要となる。また、単に溶剤中で樹脂と砥粒を混合しているだけであるため、粒子の凝集を引き起こし、スクラッチが生じるという問題点がある。

特許文献５および６には、溶剤に溶解したバインダー溶液に砥粒を分散させ、フィルム上にコーティングした研磨パッドや、バインダー樹脂中に砥粒を分散させ、樹脂基板上にコーティングし、上記コーティング層よりも軟らかい部材で積層した研磨パッドが開示されている。これらの研磨パッドでは、積層することで均一性の向上を図っているが、コーティングされている固定砥粒層の厚さを大きくすることができないため、表面に作成している微細凹凸が使用中に摩耗して、製品寿命が短くなるという問題点がある。

特許文献７には、エポキシ系樹脂に０．０１から３００μｍ径の無機粒子や高分子微粒子を含有する研磨パッドが開示されている。しかしながら、これらの粒子は研磨パッドの耐酸性や耐アルカリ性をさらに向上させるためのものである。

特許文献８には、公定水分率５％以上の高分子微粒子を含んだ材料から成る研磨パッドが開示されている。しかしながら、この研磨パッドは、研磨剤の吸着を防止することやウエハへのダスト吸着を防止しようとするものである。

特許文献９には、弾性粒子表面に研磨用砥粒子を付着せしめた複合粒子を含有して成る研磨パッドが開示されている。しかしながら、この研磨パッドでは、弾性粒子で研磨用砥粒子をウエハに均一に押圧しようとするものである。

また、研磨パッドそのものの改善ではないが、特許文献１０には研磨用砥粒子含有スラリー中にスクラッチ防止用の粒子例えばポリウレタン粒子を混入せしめて研磨する方法が開示されている。しかしながら、この研磨方法では、スクラッチ防止に効果が期待できるが、スラリー中でスクラッチ防止粒子が沈降して浮遊安定性において課題があり、研磨中の均一性が低下するという問題点がある。
米国特許３,５０４,４５７号明細書 特開平０６‐０７７１８５号公報 特開２０００‐３５４９５０号公報 特開２００１‐００９６９７号公報 特表２００１‐５０５４８９号公報 特表２００１‐５１２３７５号公報 特開平１１‐１３８４２０号公報 特開２００２‐００９０２４号公報 特開２００３‐２６６３２０号公報 特開平０９‐２８５９５７号公報

本発明は、上記のような従来の研磨パッドやそれを用いた研磨方法では解決し得ない、半導体ウエハ上に微細なパターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおける不純物（異物）や砥粒の凝集などによるスクラッチの発生、かつ研磨の均一性の不足などの問題点を解決し、半導体ウエハなどの被研磨体の表面を高い研磨力で精度よく均一に研磨でき、スクラッチの発生を抑制し得る研磨パッドおよびその研磨パッドを使用する半導体ウエハの研磨方法を提供することを目的とするものである。

本発明者等は、上記目的を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、半導体ウエハを研磨するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドの研磨領域のマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子を分散させ、上記マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値を小さくすることにより、半導体ウエハなどの被研磨体の表面を高い研磨力で精度よく均一に研磨でき、スクラッチの発生を抑制し得る研磨パッドおよびその研磨パッドを使用する半導体ウエハの研磨方法を提供し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は、半導体ウエハを研磨するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドであって、研磨パッドの研磨領域のマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子が分散されており、マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値が小さいことを特徴とする研磨パッドに関する。

本発明の研磨パッドを半導体ウエハなどの研磨に使用するとき、研磨の進行と共に、研磨パッドの研磨領域の磨耗により徐々に研磨領域から有機樹脂微粒子が脱離して研磨スラリーに混入し、クッション的作用をもたらし局部的な過剰のウエハへの加重を制御し、詳細は不明であるが、その結果としてスクラッチのない均一性に優れた研磨を提供することができるものと考えられる。

更に本発明を好適に実施するために、
上記有機樹脂微粒子が水系スラリーに対して非溶解性であり、
上記有機樹脂微粒子が粒子径０．１μｍから１００μｍを有し、
上記有機樹脂微粒子の表面が、マイナス帯電する樹脂から形成され、
上記有機樹脂微粒子の少なくとも表面層が、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂およびポリスチレン系樹脂から成る群から選択される少なくとも一種の樹脂から成り、
上記マトリックス樹脂がポリウレタン樹脂であり、
上記ポリウレタン樹脂が微細発泡体であり、
上記微細発泡体が、比重０．５から１．０ｇ／ｃｍ^３を有し、
上記微細発泡体が、硬度４５から６５度を有し、
上記微細発泡体が圧縮率０．５から５．０％を有する
ことが好ましい。

本発明の別の態様として、本発明の研磨パッドを用いて半導体ウエハを研磨する方法がある。

本発明の半導体ウエハを研磨するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドは、研磨領域のマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子を分散させ、上記マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値を小さくすることにより、半導体ウエハなどの被研磨体の表面を高い研磨力で精度よく均一に研磨でき、スクラッチの発生を抑制し得る研磨パッドおよびその研磨パッドを使用する半導体ウエハの研磨方法を提供することができた。

以下、本発明の研磨パッドについて更に詳しく説明する。本発明における研磨パッドは、ＣＭＰにより被研磨体の平坦化処理を行う時に用いる研磨パッドとして好ましく使用されるものであり、研磨レートのバラツキ抑制、研磨量の被研磨体面全面に於ける各面でのバラツキ抑制、さらに被研磨体と研磨パッドとの間への適切な研磨面からの有機樹脂微粒子の脱離によるスクラッチ発生を抑止し、かつ被研磨体全面にわたって均一な表面が得られる研磨パッドである。

本発明における研磨パッドは、従来一般に使用されている硬質表面層である研磨領域だけの単層型パッド、またはウエハ等被研磨体に当接する硬質表面層である研磨領域および研磨領域とプラテンとの間に位置する弾性支持層の少なくとも２層を有する積層パッドであってもよいし、さらに他層を重ねての多層研磨パッドのような積層研磨パッドであってもよい。生産性および性能の面から、研磨領域とプラテンとの間に位置する弾性支持層の少なくとも２層を有するものが好ましい。

上記の積層研磨パッドは研磨領域と弾性支持層とで大別して形成されるものであるが、上記研磨領域は、硬度（ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して行った。２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出した研磨領域を硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製、アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。）は、４５〜６５、好ましくは５０〜６０を有することが望ましい。上記硬度が４５未満の場合、被研磨体のプラナリティ（平坦性）が低下し、６５を超えると、プラナリティは良好であるが、被研磨体のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。上記弾性支持層は硬度（ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７準拠、高分子計器社製のアスカーＡ型硬度計）２５〜１００、好ましくは３０〜８５を有することが望ましい。また、上記研磨領域は厚さ０．５〜３．０ｍｍ、好ましくは０．８〜２．０ｍｍを有し、上記弾性支持層は厚さ０．５〜３．０ｍｍ、好ましくは１．０〜２．０ｍｍを有することが望ましい。

上記弾性支持層の材料としては、ポリエチレンフォーム、ポリウレタンフォーム、ポリエステルの不織布などが好ましいが、これらに限定されるものではない。硬質表面層、弾性支持層を不織布で形成する場合、ポリウレタン樹脂等の含浸剤を不織布に含浸させてもよい。ただし上記硬度範囲を満足すれば、上記以外の材料で研磨パッドを構成してもよい。

単層研磨パッドの場合、厚さ（パッドの厚さ）０．５〜５．０ｍｍ、好ましくは０．８〜３．０ｍｍを有することが望ましい。

本発明の研磨パッドにおいては、前述のように、研磨領域のマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子が分散されており、マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値が小さいことを要件とする。上記マトリックス樹脂は、ＳＰ値９以上、好ましくは９．５以上、より好ましくは９．６〜１４を有することが望ましい。上記マトリックス樹脂のＳＰ値が９未満では、一般に非常に撥水性の高い材料となり、研磨パッド表面のスラリーがはじいてしまい、十分な研磨レートが得られない。上記ＳＰ値（Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ；溶解指数）は、樹脂の親水性または疎水性の程度を示す指標であり、また樹脂間の相溶性や分散性を設計する上で重要な指標である。上記ＳＰ値は、Ｐ．Ａ．Ｊ．Ｓｍａｌｌが提唱している方法により算出することができる。〔Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，３，７１（１９５３）〕

上記研磨領域のマトリックス樹脂の例としては、その中に分散される有機樹脂微粒子より大きいＳＰ値を有すれば特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート（ＳＰ値 ＝１０．７）、ポリブチレンテレフタレート（ＳＰ値＝１０．８）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＳＰ値＝１２．１）、ポリヘキサメチレンテレフタレート（ＳＰ値 ＝１０．０）、ポリ乳酸（ＳＰ値＝９．５）などのポリエステル系樹脂、ナイロン６（ＳＰ値＝１２．７）、ナイロン６６（ＳＰ値＝１３．６）などのポリアミド系樹脂、酢ビ系樹脂（ＳＰ値＝９．４〜１２．６）、ポリウレタン樹脂（ＳＰ値＝１０．０）、ポリカーボネート樹脂（ＳＰ値＝９．８〜１０．０）、ポリフェニレンサルファイド（ＳＰ値＝１２．５）、ポリエーテルエステルケトン（ＳＰ値＝１０．４〜１１．３）などが挙げられる。それらの中でもポリウレタン樹脂が好ましく、ポリウレタン樹脂微細発泡体がより好ましい。

上記微細発泡体は、比重０．５〜１．０ｇ／ｃｍ^３、好ましくは０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３を有することが望ましい。上記比重が０．５ｇ／ｃｍ^３未満の場合、研磨領域の表面の強度が低下し、被研磨体のプラナリティが低下し、また、１．０ｇ／ｃｍ^３を超える場合は、研磨領域表面の微細気泡の数が少なくなり、プラナリティは良好であるが、研磨速度が小さくなる傾向にある。

上記微細発泡体は、硬度４５〜６５度、好ましくは４５〜６０度を有することが望ましい。上記硬度が４５度未満の場合には、被研磨体のプラナリティが低下し、６５度より大きい場合には、プラナリティは良好であるが、被研磨体のユニフォーミティ（均一性）が低下する傾向にある。

上記微細発泡体は、圧縮率０．５〜５．０％、好ましくは０．５〜３．０％を有することが望ましい。圧縮率が上記範囲内にあれば十分にプラナリティとユニフォーミティを両立させることが可能となる。

上記微細発泡体は、圧縮回復率５０〜１００％を有することが望ましい。圧縮回復率がこの範囲を逸脱する場合、被研磨物による繰り返しの荷重が研磨中に研磨領域にかかるにつれて、研磨層厚みに大きな変化が現れ、研磨特性の安定性が悪化してしまうため好ましくない。

上記微細発泡体は、測定温度４０℃、測定周波数１Ｈｚにおいて、貯蔵弾性率２００ＭＰａ以上を有することが望ましい。貯蔵弾性率とは、微細発泡体に、動的粘弾性測定装置で引っ張り試験用治具を用い、正弦波振動を加え測定した弾性率のことをいう。貯蔵弾性率が２００ＭＰａ未満の場合、研磨領域の表面の強度が低下し、被研磨物のプラナリティ（平坦性）が悪化してしまうため好ましくない。

ポリウレタン樹脂を発泡させる場合、その発泡方法は化学的な発泡剤による発泡、機械的な泡を混入させる発泡および微小中空体の混入または熱によって微小中空体となる前駆体の混入、これらの共用であってもよいものである。

本発明の研磨領域に用いられるポリウレタン樹脂としては、イソシアネート末端ウレタンプレポリマーと有機ジアミン化合物とからなり、イソシアネート末端ウレタンプレポリマーは、ポリイソシアネートと高分子ポリオールと低分子ポリオールからなる。上記ポリイソシアネートの例として、２,４‐および／または２,６‐ジイソシアナトトルエン、２,２’‐、２,４’‐および／または４,４’‐ジイソシアナトジフェニルメタン、１,５‐ナフタレンジイソシアネート、ｐ‐およびｍ‐フェニレンジイソシアネート、ダイメリルジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジフェニル‐４,４’‐ジイソシアネート、１,３‐および１,４‐テトラメチルキシリデンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、１,６‐ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン‐１,３‐および１,４‐ジイソシアネート、１‐イソシアナト‐３‐イソシアナトメチル‐３,５,５‐トリメチルシクロヘキサン（＝イソホロンジイソシアネート）、ビス‐（４‐イソシアナトシクロヘキシル）メタン（＝水添ＭＤＩ）、２‐および４‐イソシアナトシクロヘキシル‐２’‐イソシアナトシクロヘキシルメタン、１,３‐および１,４‐ビス‐（イソシアナトメチル）‐シクロヘキサン、ビス‐（４‐イソシアナト‐３‐メチルシクロヘキシル）メタン、等が挙げられる。

また、高分子ポリオールとしては、例えばヒドロキシ末端ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリエーテル、ポリエーテルカーボネート、ポリエステルアミド等が挙げられるが、これらのうち耐加水分解性の良好なポリエーテルおよびポリカーボネートが好ましく、価格面と溶融粘度面からはポリエーテルが特に好ましい。ポリエーテルポリオールとしては、反応性水素原子を有する出発化合物と、例えば酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化ブチレン、酸化スチレン、テトラヒドロフラン、エピクロルヒドリンのような酸化アルキレンまたはこれら酸化アルキレンの混合物との反応生成物が挙げられる。反応性水素原子を有する出発化合物としては、水、ビスフェノールＡ並びにポリエステルポリオールを製造するべく上記した二価アルコールが挙げられる。

さらにヒドロキシ基を有するポリカーボネートとしては、例えば、１,３‐プロパンジオール、１,４‐ブタンジオール、１,６‐ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールおよび／またはポリテトラメチレングリコールのようなジオールとホスゲン、ジアリルカーボネート（例えばジフェニルカーボネート）もしくは環式カーボネート（例えばプロピレンカーボネート）との反応生成物が挙げられる。ポリエステルポリオールとしては、二価アルコールと二塩基性カルボン酸との反応生成物が挙げられるが、耐加水分解性向上の為には、エステル結合間距離が長い方が好ましく、いずれも長鎖成分の組み合わせが望ましい。二価アルコールとしては、特に限定はしないが、例えばエチレングリコール、１,３‐および１,２‐プロピレングリコール、１,４‐および１,３‐および２,３‐ブチレングリコール、１,６‐ヘキサングリコール、１,８‐オクタンジオール、ネオペンチルグリコール、シクロヘキサンジメタノ−ル、１,４‐ビス‐（ヒドロキシメチル）‐シクロヘキサン、２‐メチル‐１,３‐プロパンジオール、３‐メチル‐１,５‐ペンタンジオール、２,２,４‐トリメチル‐１,３‐ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、ジブチレングリコール等が挙げられる。

二塩基性カルボン酸としては、脂肪族、脂環族、芳香族および／または複素環式のものがあるが、生成する末端ＮＣＯプレポリマーを液状または低溶融粘度とする必要上から、脂肪族や脂環族のものが好ましく、芳香族系を適用する場合は脂肪族や脂環族のものとの併用が好ましい。これらカルボン酸としては、限定はしないが、例えばコハク酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸（ｏ‐、ｍ‐、ｐ‐）、ダイマ−脂肪酸、例えばオレイン酸、等が挙げられる。これらポリエステルポリオールとしては、カルボキシル末端基の一部を有することもできる。例えば、ε‐カプロラクトン等のラクトン、またはε‐ヒドロキシカプロン酸等のヒドロキシカルボン酸のポリエステルも使用することができる。

低分子ポリオールとしては、前述のポリエステルポリオールを製造するのに用いられる二価アルコールが挙げられるが、本発明の低分子ポリオールとしては、ジエチレングリコール、１,３‐ブチレングリコール、３‐メチル‐１,５‐ペンタンジオールおよび１,６‐ヘキサメチレングリコールのいずれか１種またはそれらの混合物を用いることが好ましい。本発明以外の低分子ポリオールであるエチレングリコールや１,４‐ブチレングリコールを用いると、注型成形時の反応性が速くなり過ぎたり、最終的に得られるポリウレタン研磨材成形物の硬度が高くなり過ぎるため、研磨材としては、脆くなったり、又被研磨体表面に傷がつき易くなる。他方、１,６‐ヘキサメチレングリコールよりも長鎖の二価アルコールを用いると、注型成形時の反応性や、最終的に得られるポリウレタン研磨材成形物の硬度が適切なものが得られる場合もあるが、価格的に高くなり過ぎ、実用的ではない。

イソシアネート成分は、注型成形時に必要とされるポットライフに応じて適宜に選定されると共に、生成する末端ＮＣＯプレポリマーを低溶融粘度とすることが必要であるため、単独または２種以上の混合物で適用される。それらの具体例としては、特に限定はしないが、２,４‐および／または２,６‐ジイソシアナトトルエン、２,２’‐、２,４’‐および／または４,４’‐ジイソシアナトジフェニルメタン、１,５‐ナフタレンジイソシアネート、ｐ‐およびｍ‐フェニレンジイソシアネート、ダイメリルジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジフェニル‐４,４’‐ジイソシアネート、１,３‐および１,４‐テトラメチルキシリデンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、１,６‐ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン‐１,３‐および１,４‐ジイソシアネート、１‐イソシアナト‐３‐イソシアナトメチル‐３,５,５‐トリメチルシクロヘキサン（＝イソホロンジイソシアネート）、ビス‐（４‐イソシアナトシクロヘキシル）メタン（＝水添ＭＤＩ）、２‐および４‐イソシアナトシクロヘキシル‐２’‐イソシアナトシクロヘキシルメタン、１,３‐および１,４‐ビス‐（イソシアナトメチル）‐シクロヘキサン、ビス‐（４‐イソシアナト‐３‐メチルシクロヘキシル）メタン、等が挙げられる。本発明で使用される有機ジアミン化合物としては、特に限定は無いが、例えば、３,３'‐ジクロロ‐４,４'‐ジアミノジフェニルメタン、クロロアニリン変性ジクロロジアミノジフェニルメタン、１,２‐ビス（２‐アミノフェニルチオ）エタン、トリメチレングリコール‐ジ‐ｐ‐アミノベンゾエート、３,５‐ビス（メチルチオ）‐２,６‐トルエンジアミン等が挙げられる。

また本発明に用いられるポリウレタン樹脂層には発泡状態を制御する目的でシリコーン系界面活性剤を添加してもよい。添加する界面活性剤の量は発泡状態を適宜制御できる最低量が好ましいが、好ましくはウレタンポリマー全量に対して２０％以下、より好ましくは１０％以下、更に好ましくは５％以下０．５％以上がよい。界面活性剤量がこれ以上多い場合、ウレタン樹脂が軟らかくなり平坦化特性が劣化する。また、界面活性剤量がこの範囲よりも少ない場合、良好な発泡状態が得られない。本発明に用いられる、シリコーン系界面活性剤はいかなるものでも良いが、好ましくはジメチルポリシロキサン‐ポリオキシアルキル共重合体が良い。

本発明の研磨パッドの研磨領域のマトリックス樹脂としては、これらのポリウレタン樹脂であって、かつ前述のようにＳＰ値９．０以上、好ましくは９．５以上、より好ましくは９．６〜１４を有するものが好適に選定使用される。

本発明の研磨パッドにおいては、前述のように、有機樹脂微粒子が研磨領域のマトリックス樹脂中に分散しており、上記有機樹脂微粒子のＳＰ値が上記マトリックス樹脂のＳＰ値より小さいことを要件とするものである。上記マトリックス樹脂と有機樹脂微粒子とのＳＰ値の差が１．０以上、特に、１．５以上となるような複合形態、即ちマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子が均一に分散される場合に、最もその特徴を発揮することができる。その特徴とは、研磨中に研磨領域の磨耗により徐々に研磨領域から有機樹脂微粒子が脱離し、スラリーに混入してクッション的作用をもたらし、異物や凝集物による局部研磨を防止する効果を発揮するものである。上記有機樹脂微粒子のＳＰ値が上記マトリックス樹脂のＳＰ値以上になると、研磨パッドから微粒子が脱離し難くなる。

本発明の研磨パッドに用いられる有機樹脂微粒子は、ＳＰ値 （Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ；溶解指数）８．５以下、好ましくは８．０以下、より好ましくは６．０〜８．０を有することが望ましい。上記有機樹脂微粒子のＳＰ値が、８．５より大きいと、マトリックス樹脂との差が小さくなり、マトリックス樹脂と上記微粒子との接着性が上がり、研磨パッドから微粒子が脱落しにくくなる。

本発明の研磨パッドに用いられる有機樹脂微粒子は、水系スラリーに対して非溶解性であることが望ましい。これは、上記スラリーに溶解してしまうような粒子を用いると、研磨中に微粒子がスラリーに溶解してしまい、上記微粒子によるクッション効果が得られなくなる。本明細書中で「有機樹脂微粒子が水系スラリーに対して非溶解性である」とは、水系スラリー中に有機樹脂微粒子を添加し、常温で１０分間以上放置した時に、上記有機樹脂微粒子の直径が小さくならないことを言う。

本発明の研磨パッドに用いられる有機樹脂微粒子は、粒子径０．１μｍから１００μｍを有することが望ましい。上記有機樹脂微粒子の粒子径が０．１μｍより小さいと、ドレッシングによる研磨パッドの表面毛羽と同等の大きさとなって研磨パッドの表面に微粒子が埋もれてしまい、微粒子によるクッション効果が得られなくなる。上記有機樹脂微粒子の粒子径が１００μｍより大きいと、研磨パッド表面とウエハ面とが離れすぎてしまい、十分な研磨レートが得られない。本明細書中で「有機樹脂微粒子の粒子径」とは、遠心沈降法、動的光散乱法などを用いて測定された有機樹脂微粒子の粒子径を言う。

本発明の研磨パッドに用いられる有機樹脂微粒子は中実であることが好ましい。中空の微粒子を用いた場合、後述のように微粒子がパッドから脱離し研磨の最中に研磨加重によって押しつぶされてしまう可能性がある。

本発明の有機樹脂微粒子に用いられる樹脂の例として、前述のようにマトリックス樹脂より小さいＳＰ値を有するものであれば特に限定されないが、例えばポリエチレン（ＳＰ値＝７．９）、ポリプロピレン（ＳＰ値＝８．１）、ポリメチルペンテン（ＳＰ値＝８．０）等のポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂（ＳＰ値＝６．２〜６．５）、シリコーン系樹脂（ＳＰ値＝６．０〜７．０）およびそれらの混合物などが挙げられる。

本発明では、上記有機樹脂微粒子の表面が、マイナス帯電する樹脂から形成されることが望ましいが、本明細書中で「マイナス帯電する樹脂」とは、表面をそのような樹脂で形成した有機樹脂微粒子を分散させた溶液に電極を入れて通電した場合に、正極側に上記微粒子が集まるような樹脂を言う。本発明の有機樹脂微粒子に用いられるマイナス帯電する樹脂の例として、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等のポリオレフィン系樹脂やフッ素系樹脂等が挙げられる。本発明では、前述のように、添加された有機樹脂微粒子が研磨中にパッドから離脱してスラリーに混入するが、有機樹脂微粒子の表面がマイナス帯電する場合、スラリーとして広く一般的に用いられるアルカリ性シリカ研磨剤のシリカ粒子の表面電位と逆電位となり、上記有機樹脂微粒子の表面にシリカ粒子が吸着され、シリカ粒子と有機樹脂微粒子とが複合化した粒子となる。これによって、研磨特性が著しく向上する。

本発明の有機樹脂微粒子、または有機樹脂微粒子に用いられる樹脂は、硬度（アスカーＤ型硬度計）１０〜７０、好ましくは２０〜６０を有することが望ましい。上記有機樹脂微粒子の硬度が、７０より高いと上記微粒子自体が硬過ぎて十分な研磨レートが得られず、１０より低いと研磨荷重に上記微粒子が耐えられず、上記微粒子によるクッション効果が得られなくなる。

本発明の研磨パッドにおける、マトリックス樹脂とそれに分散された有機樹脂微粒子からの研磨領域に占める有機樹脂微粒子の量は、特に限定されないが、好ましくは２から３０重量％であり、２重量％に満たないときは有機樹脂微粒子を分散させた効果が少なく、３０重量％を超える場合は研磨領域の研磨特性、機械的耐性などが不満足なものとなる。

本発明における研磨パッドの研磨領域表面に同心円状の溝などを形成してもよい。形成する方法としては特に限定されないが、切削法や、エンボスロール法や、金型成型法、転写法、露光硬化法等が挙げられる。

エンボスロール法を用いる場合は、押し出しエンボス機を用いて作製する。エンボス装置の片方のロールに同一形状の微小くぼみを配列した加工ロールを用い、軟化した樹脂を押し出しエンボス装置でシート状に加工し、冷却ロールで冷却して、目的の研磨パッドを得る。この際エンボス装置のロール組み合わせは、両ロールを金属製とするメタルマッチ方式を用いるのが望ましい。金属製ロールとする事により、ロール温度の微細調整が可能となり、エンボス加工時の温度制御範囲の狭い結晶性熱可塑性樹脂も使用できる。アフターエンボス加工は、シートの再加熱工程で原反を均一に加熱し軟化させる事が難しく、寸法精度の要求される微細加工には不向きである。エンボスロール法の特徴としては、ほとんどの熱可塑性樹脂の使用が可能で、安価に量産できることが挙げられる。

本発明の研磨パッドを使用する際に使用できる砥粒入り研磨スラリー（研磨剤）は、シリカ研磨剤、セリア研磨剤、ジルコニア研磨剤などであってこの限りでない。また、砥粒の入っていない研磨剤を使用してもよい。砥粒の入っていない研磨剤としては、例えば特開平１１−１３５４６６号公報に開示されるものが挙げられる。

研磨に使用する装置に制限はなく、円盤型研磨装置、リニア型研磨装置で用いることができる。一例としては半導体ウエハ等の被研磨体を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤を有する一般的な研磨装置が挙げられる。

研磨条件に制限はないが、例えば、定盤の回転速度は半導体ウエハが飛び出さないように２００回／分以下の低回転が好ましく、半導体ウエハにかける圧力は研磨後に傷が発生しないように１ｋｇ／ｃｍ^２以下が好ましい。研磨している間、研磨パッドには研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。

研磨パッドの表面状態を常に同一にしてＣＭＰを行うため、ＣＭＰの前に研磨パッドのコンディショニング工程などを入れてもよい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサーを用いて少なくとも水を含む液を使用して研磨を行い、続いて研磨工程を実施し、さらに、研磨後の半導体ウエハに付着した粒子等の異物を除去するためのブラシ洗浄、研磨剤等を水に置換するためのメガソニック洗浄、半導体ウエハ表面から水を除去するためのスピン乾燥、からなるウエハ洗浄工程を加える等である。

研磨終了後の半導体ウエハは、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体ウエハ上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。

本発明の研磨パッドは、半導体ウエハに形成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラスおよび結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨することができる。

本発明は、本発明の研磨パッドを使用して被研磨体を所望の研磨圧で研磨パッドに押し付けながら回転させるなどして被研磨体である半導体ウエハを研磨する方法であり、研磨パッドの表面に対して、研磨による研磨パッドから離脱した有機樹脂微粒子と共に供給された研磨スラリーを介して、被研磨体を所望の研磨圧で押し付けながら回転させて上記研磨パッドの移動方向に対して交差する方向に揺動させることによって、上記研磨パッドの表面と被研磨体の表面との間に供給されたスラリーの化学的および機械的な作用によって被研磨体の表面を研磨することを特徴とする研磨方法である。また本発明は、上記方法で研磨され製造された半導体デバイスに及ぶものである。

以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、本発明の開示および実施例における評価項目は下記のようにして測定した。

圧縮率・圧縮回復率測定方法
直径７ｍｍの円（厚み：任意）に切り出したものを圧縮率・圧縮回復率測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で４０時間静置した。測定には熱分析測定器 ＴＭＡ（ＳＥＩＫＯ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製 ＳＳ６０００）を用い、圧縮率と圧縮回復率を測定した。また、圧縮率と圧縮回復率の計算式は以下の通りである。

［式中、Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

［式中、Ｔ１は研磨層に無負荷状態から３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ２はＴ１の状態から１８０ＫＰa（１８００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みであり、Ｔ３はＴ２の状態から無負荷状態で６０秒間保持し、その後、３０ＫＰa（３００ｇ／ｃｍ^２）の応力の負荷を６０秒間保持した時の研磨層厚みである。］

比重測定
ＪＩＳ Ｚ８８０７−１９７６に準拠して行った。４ｃｍ×８．５ｃｍの短冊状（厚み：任意）に切り出した研磨領域を比重測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定には比重計（ザルトリウス社製）を用い、比重を測定した。

硬度測定
ＪＩＳ Ｋ６２５３−１９９７に準拠して行った。２ｃｍ×２ｃｍ（厚み：任意）の大きさに切り出した研磨領域を硬度測定用試料とし、温度２３℃±２℃、湿度５０％±５％の環境で１６時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み６ｍｍ以上とした。硬度計（高分子計器社製、アスカーＤ型硬度計）を用い、硬度を測定した。

ＳＰ値
ＳＰ値（Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ；溶解指数）は、Ｐ．Ａ．Ｊ．Ｓｍａｌｌが提唱している方法〔Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，３，７１（１９５３）〕により算出した。

研磨特性の評価
研磨装置としてＳＰＰ６００Ｓ（岡本工作機械社製）を用い、作製した研磨パッドを用いて、研磨特性の評価を行った。

研磨レート
研磨レートの評価は、８インチのシリコンウエハに熱酸化膜を１μｍ製膜したものを、約０．５μｍ研磨して、このときの時間から算出した。酸化膜の膜厚測定には、干渉式膜厚測定装置（大塚電子社製）を用いた。研磨条件としては、スラリーとしてシリカスラリー（ＳＳ１２、キャボット社製）を研磨中に流量１５０ミリリットル／分にて添加した。研磨荷重としては３５０ｇ／ｃｍ^２、研磨定盤回転数３５ｒｐｍ、ウエハ回転数３０ｒｐｍとした。

均一性
均一性の評価は、研磨終了後のウエハの任意２５点の膜厚測定値より下記式により算出した。尚、均一性の値が小さいほどウエハ表面の均一性が高いことを表す。

スクラッチ
スクラッチの評価は、研磨し終えた８インチのシリコンウエハの酸化膜表面を、トプコン社製ウエハ表面検査装置ＷＭ２５００にて０．２μｍ以上の条痕が幾つ有るかを測定することによって評価した。この数値が小さいほど、スクラッチが少なくて優れていることを示す。

実施例１
フッ素コーティングした反応容器内に、フィルタリングしたポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部，テフロン^{（登録商標）}樹脂微粒子（ダイキン工業社製フッ素樹脂パウダー、粒子径２．０μｍ、ＳＰ値６．３）１０重量部およびフィルタリングしたシリコーン系ノニオン界面活性剤（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。フッ素コーティングした撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融し、フィルタリングした４,４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した（マトリックス樹脂のＳＰ値１０）。その後、約１分間撹拌を続けてフッ素コーティングしたパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行いポリウレタン樹脂微発泡体ブロックを得た。このポリウレタン樹脂微発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン樹脂微発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。

このバフ処理をしたシートを所定の直径（６１ｃｍ）に打ち抜き、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて表面に溝幅０．２５ｍｍ、溝ピッチ１．５０ｍｍ、溝深さ０．４０ｍｍの同心円状の溝加工を行った。このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼った。

作製した研磨領域の各物性は、平均気泡径４５μｍ、比重０．８６ｇ／ｃｍ^３、硬度５３度、圧縮率０．９％、圧縮回復率６５．０％、貯蔵弾性率２７５ＭＰａであった。

実施例２
フッ素コーティングした反応容器内に、フィルタリングしたポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部，ポリエチレン樹脂微粒子（住友精化社製フロービーズ、粒子径５．０μｍ、ＳＰ値８．０）１０重量部およびフィルタリングしたシリコーン系ノニオン界面活性剤（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。フッ素コーティングした撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融し、フィルタリングした４,４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した（マトリックス樹脂のＳＰ値１０）。その後、約１分間撹拌を続けてフッ素コーティングしたパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行いポリウレタン樹脂微発泡体ブロックを得た。このポリウレタン樹脂微発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン樹脂微発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。

このバフ処理をしたシートを所定の直径（６１ｃｍ）に打ち抜き、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて表面に溝幅０．２５ｍｍ、溝ピッチ１．５０ｍｍ、溝深さ０．４０ｍｍの同心円状の溝加工を行った。このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼った。

作製した研磨領域の各物性は、平均気泡径４５μｍ、比重０．８５ｇ／ｃｍ^３、硬度５３度、圧縮率０．８％、圧縮回復率６５．０％、貯蔵弾性率２７５ＭＰａであった。

比較例１
フッ素コーティングした反応容器内に、フィルタリングしたポリエーテル系プレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−３２５、ＮＣＯ濃度：２．２２ｍｅｑ／ｇ）１００重量部およびフィルタリングしたシリコーン系ノニオン界面活性剤（東レ・ダウシリコーン社製、ＳＨ１９２）３重量部を混合し、温度を８０℃に調整した。フッ素コーティングした撹拌翼を用いて、回転数９００ｒｐｍで反応系内に気泡を取り込むように約４分間激しく撹拌を行った。そこへ予め１２０℃で溶融し、フィルタリングした４,４’−メチレンビス（ｏ−クロロアニリン）（イハラケミカル社製、イハラキュアミンＭＴ）２６重量部を添加した（マトリックス樹脂のＳＰ値１０）。その後、約１分間撹拌を続けてフッ素コーティングしたパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、１１０℃で６時間ポストキュアを行いポリウレタン樹脂微発泡体ブロックを得た。このポリウレタン樹脂微発泡体ブロックをバンドソータイプのスライサー（フェッケン社製）を用いてスライスし、ポリウレタン樹脂微発泡体シートを得た。次にこのシートをバフ機（アミテック社製）を使用して、所定の厚さに表面バフをし、厚み精度を整えたシートとした（シート厚み：１．２７ｍｍ）。

このバフ処理をしたシートを所定の直径（６１ｃｍ）に打ち抜き、溝加工機（東邦鋼機社製）を用いて表面に溝幅０．２５ｍｍ、溝ピッチ１．５０ｍｍ、溝深さ０．４０ｍｍの同心円状の溝加工を行った。このシートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ（積水化学工業社製、ダブルタックテープ）を貼った。

作製した研磨領域の各物性は、平均気泡径４５μｍ、比重０．８７ｇ／ｃｍ^３、硬度５３度、圧縮率１．０％、圧縮回復率６５．０％、貯蔵弾性率２７５ＭＰａであった。

上記実施例１、実施例２および比較例１で得られた各研磨シートに、コロナ処理したポリエチレンフォーム（東レ社製、トーレペフ、厚さ：０．８ｍｍ）からなるクッション層を上記作製した両面テープ付き研磨領域の粘着面に、ラミ機を用いて貼り合わせた。さらにクッション層表面に両面テープを貼り合わせ各研磨パッドを作製し、上記評価方法に従って研磨特性を評価した。その結果を以下の表１に示す。

表１から明らかなように、実施例１および２の本発明の研磨パッドは、比較例１の研磨パッドに比べて、研磨レートおよび均一性において優れ、かつスクラッチの抑制された研磨が可能であることがわかった。

Claims (11)

1. 半導体ウエハを研磨するケミカルメカニカルポリッシングに用いられる研磨パッドであって、研磨パッドの研磨領域のマトリックス樹脂中に有機樹脂微粒子が分散されており、マトリックス樹脂のＳＰ値より有機樹脂微粒子のＳＰ値が小さいことを特徴とする研磨パッド。
2. 前記有機樹脂微粒子が水系スラリーに対して非溶解性である請求項１記載の研磨パッド。
3. 前記有機樹脂微粒子が、粒子径０．１μｍから１００μｍを有する請求項１または２記載の研磨パッド。
4. 前記有機樹脂微粒子の表面が、マイナス帯電する樹脂から形成される請求項１から３のいずれか１項記載の研磨パッド。
5. 前記有機樹脂微粒子の少なくとも表面層が、フッ素系樹脂、ポリオレフィン系樹脂およびシリコーン系樹脂から成る群から選択される少なくとも一種の樹脂から成る請求項１から４のいずれか１項記載の研磨パッド。
6. 前記マトリックス樹脂がポリウレタン樹脂である請求項１から５のいずれか１項記載の研磨パッド。
7. 前記ポリウレタン樹脂が微細発泡体である請求項６記載の研磨パッド。
8. 前記微細発泡体が、比重０．５から１．０ｇ／ｃｍ^３を有する請求項７記載の研磨パッド。
9. 前記微細発泡体が、硬度４５から６５度を有する請求項７または８記載の研磨パッド。
10. 前記微細発泡体が圧縮率０．５から５．０％を有する請求項７から９のいずれか１項記載の研磨パッド。
11. 請求項１から１０のいずれか１項記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハを研磨する方法。