JP2005294412A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 研磨層を有する研磨パッドであって、この研磨層が、互いに隣接する3片以上の研磨層片から構成される研磨パッド。
【選択図】 図1
Description
厚み1mm程度になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出した研磨層を平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、画像処理装置(東洋紡社製、Image Analyzer V10)を用いて、任意の0.2mm×0.2mm範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出した研磨層を比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K6253−1997に準拠して行った。2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出した研磨層を硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
直径7mmの円(厚み:任意)に切り出した研磨層(研磨層)を圧縮率および圧縮回復率測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で40時間静置した。測定には熱分析測定器 TMA(SEIKO INSTRUMENTS製、SS6000)を用い、圧縮率と圧縮回復率を測定した。また、圧縮率と圧縮回復率の計算式を下記に示す。
T2はT1の状態から180KPa(1800g/cm2)の応力の負荷を60秒間保持した時の研磨層厚みであり、
T3はT2の状態から無負荷状態で60秒間保持し、その後30kPa(300g/cm2)の応力負荷を60秒間保持した場合の研磨層の厚みである。]
支持層として、ポリエチレンフォーム(東レ社製)をバフ加工により厚み0.8mmに加工したものをコロナ処理し、両面テープとの接着力を向上させたものを使用した。
フッ素コーティングした反応容器内に、ポリエーテル系プレポリマー(ユニロイヤル社製、アジプレンL−325、NCO濃度:2.22meq/g)3000重量部、シリコーン系ノニオン界面活性剤(東レ・ダウシリコーン社製SH192、ポリジメチルシロキサン・ポリオキシアルキレングリコール共重合体)120重量部を混合し、温度を80℃に調整した。フッ素コーティングした撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように約4分間激しく撹拌を行った。その後、撹拌機を交換し、予め溶融させた4,4’−メチレンビス(2−クロロアニリン)(イハラケミカル社製、イハラキュアミンMT)770重量部を添加した。その後、約1分間撹拌を続けてフッ素コーティングしたパン型のオープンモールドへ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、110℃で6時間ポストキュアを行い発泡ポリウレタンを得た。得られた発泡ポリウレタンは、気泡数が350個/mm2であり、アスカーD硬度にて52であり、圧縮率は2.0%、比重は0.8で、平均気泡径40μmであった。また、界面活性剤の含有量を分析したところ約3wt%含有していることを確認した。次にこの発泡ポリウレタンブロックを、約50℃に加熱しながらスライサーVGW−125(アミテック社製)にて厚さ1.27mmにスライスし研磨シートを得た。
実施例1の研磨層の作製により得られた研磨シートから、直径600mmの研磨層を打ち抜いた。両面テープ(積水化学工業社製ダブルタックテープ)を介して研磨層と実施例1の支持層とを貼り合わせて、研磨パッドを得た。
実施例および比較例により得られた研磨パッドを用いて、研磨操作を行なった。どちらも良好に被研磨体を研磨することができた。
Claims (18)
- 研磨層を有する研磨パッドであって、該研磨層が、互いに隣接する3片以上の研磨層片から構成される、研磨パッド。
- 研磨層および支持層を有する研磨パッドであって、該研磨層が、互いに隣接する3片以上の研磨層片から構成されおよび該支持体上に形成されている、研磨パッド。
- 前記研磨層が、互いに隣接する3〜16片の研磨層片から構成される、請求項1または2記載の研磨パッド。
- 互いに隣接する研磨層片間の間隔が0〜0.1mmである、請求項1〜3いずれかに記載の研磨パッド。
- 前記研磨層片が、その研磨層表面上に溝または孔の少なくとも1種を有する、請求項1〜4いずれかに記載の研磨パッド。
- 研磨層が2種以上の研磨層片によって構成される、請求項5記載の研磨パッド。
- 前記2種以上の研磨層片が、その研磨層表面上にそれぞれ互いに形状が異なる溝または孔の少なくとも1種を有する研磨層片である、請求項6記載の研磨パッド。
- 前記2種以上の研磨層片のうち、1種の研磨層片は研磨層表面上に溝または孔の少なくとも1種を有するものであって、他の1種は研磨層表面上に溝および孔のいずれも有さない未加工のものである、請求項6記載の研磨パッド。
- 異なる種類の研磨層片が互いに隣接する、請求項6〜8いずれかに記載の研磨パッド。
- 前記2種以上の研磨層片が、それぞれ互いに異なる構造または物性を有する研磨層片である、請求項6〜9記載の研磨パッド。
- 前記研磨層片が、両面テープを介してプラテン上または支持層上に貼着されている、請求項1〜10いずれかに記載の研磨パッド。
- 前記両面テープが、厚さ25μm以上であるポリエチレンテレフタレートからなる基材を有する両面テープである、請求項11記載の研磨パッド。
- 研磨シート上に溝または孔の少なくとも1種を設ける加工工程、および
該研磨シートを研磨層片に切断する研磨層片切断工程、
を包含する、研磨パッドの研磨層を構成する研磨層片の製造方法。 - 前記研磨層片切断工程が、二等辺三角形の形状の研磨層表面を有する3つ以上の研磨層片に切断する工程であって、この工程おいて、1つの二等辺三角形の頂角と他の2つの二等辺三角形の底角とが隣接し、該他の2つの二等辺三角形の底辺同士が点接触し1の直線を形成する形状で研磨層片が切断される、請求項13記載の研磨層片の製造方法。
- 前記研磨層片切断工程が、扇型の形状の研磨層表面を有する3つ以上の研磨層片に切断する工程であって、この工程において、1つの扇型の中心角と他の2つの扇型の弧とが隣接する形状で研磨層片が切断される、請求項13記載の研磨層片の製造方法。
- 請求項13〜15いずれかに記載の方法により得られた研磨層片を3片以上組合せて研磨層を作成する工程を包含する、研磨パッドの研磨層の製造方法。
- 請求項13〜15いずれかに記載の方法により得られた研磨層片。
- 請求項1〜12いずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007111852A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
JP2007245276A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 研磨パッド固定用両面テープ |
JP2009034770A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2013208670A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
US8920220B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-12-30 | Lg Chem, Ltd. | Polishing pad for chemical mechanical polishing apparatus |
JP2015160258A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド及び研磨パッドピース |
US20160023322A1 (en) * | 2011-01-26 | 2016-01-28 | William C. Allison | Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern |
JP2018039080A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP2018133356A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
JP6653514B1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-02-26 | 株式会社大輝 | ポリッシングパッドの製造方法 |
TWI757275B (zh) * | 2016-03-24 | 2022-03-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的紋理化的小墊 |
US11813714B2 (en) | 2020-03-13 | 2023-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing apparatus including the same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08172064A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-07-02 | Toshiba Corp | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 |
JPH10189507A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Lg Semicon Co Ltd | 機械化学的研摩方法及びその装置 |
JP2000061818A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-02-29 | Nikon Corp | 研磨パッド |
JP2001088013A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-03 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
JP2002504864A (ja) * | 1997-05-09 | 2002-02-12 | ローデル ホールディングス インコーポレイテッド | モザイク研磨パッド及びこれに関連する方法 |
JP2003292912A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 両面粘着テープ及び両面粘着テープ付き研磨パッド |
JP2003309092A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2004080654A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ebara Corporation | Polishing tool and polishing apparatus |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004105038A patent/JP2005294412A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08172064A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-07-02 | Toshiba Corp | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 |
JPH10189507A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Lg Semicon Co Ltd | 機械化学的研摩方法及びその装置 |
JP2002504864A (ja) * | 1997-05-09 | 2002-02-12 | ローデル ホールディングス インコーポレイテッド | モザイク研磨パッド及びこれに関連する方法 |
JP2000061818A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-02-29 | Nikon Corp | 研磨パッド |
JP2001088013A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-03 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
JP2003292912A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 両面粘着テープ及び両面粘着テープ付き研磨パッド |
JP2003309092A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2004080654A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Ebara Corporation | Polishing tool and polishing apparatus |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007111852A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
JP2007245276A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 研磨パッド固定用両面テープ |
JP2009034770A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
US8920220B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-12-30 | Lg Chem, Ltd. | Polishing pad for chemical mechanical polishing apparatus |
US20160023322A1 (en) * | 2011-01-26 | 2016-01-28 | William C. Allison | Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern |
TWI586487B (zh) * | 2011-01-26 | 2017-06-11 | 奈平科技股份有限公司 | 具有同心或趨近同心之多邊形溝槽圖案的拋光墊 |
TWI623380B (zh) * | 2011-01-26 | 2018-05-11 | 美商卡博特微電子公司 | 具有同心或趨近同心之多邊形溝槽圖案的拋光墊 |
JP2013208670A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2015160258A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド及び研磨パッドピース |
TWI757275B (zh) * | 2016-03-24 | 2022-03-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的紋理化的小墊 |
TWI836343B (zh) * | 2016-03-24 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的紋理化的小墊 |
JP2018039080A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP2018133356A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド |
WO2020110258A1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 株式会社大輝 | ポリッシングパッドおよびその製造方法 |
JP6653514B1 (ja) * | 2018-11-29 | 2020-02-26 | 株式会社大輝 | ポリッシングパッドの製造方法 |
US11813714B2 (en) | 2020-03-13 | 2023-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing apparatus including the same |
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