TWI430040B - Analytical method, exposure method and component manufacturing method - Google Patents

Description

解析方法、曝光方法及元件製造方法

本發明，係關於用以對透過液體曝光之基板之曝光不良進行解析的解析方法、曝光方法、以及元件製造方法。

本申請案，根據2005年9月9日提出之特願2005一261887號主張優先權，將其內容援用於此。

微影製程所使用之曝光裝置中，有一種如下述專利文獻所揭示之透過液體使基板曝光的液浸曝光裝置。

〔專利文獻1〕國際公開第99/49504號小冊子

當根據液浸法曝光之基板產生曝光不良時，例如特定出曝光不良之原因、並採取適當處置是相當重要的。因此，期望能提出一種可正確解析根據液浸法曝光之基板之曝光不良的方法。

本發明之目的，即為提供一種用以對根據液浸法曝光之基板之曝光不良進行解析的解析方法。又，其目的亦提供藉由該解析方法解析基板狀態來使基板曝光的曝光方法、以及使用該曝光方法之元件製造方法。

本發明，係採用了對應實施形態所示之各圖的以下構成。不過，付加於各要素之包含括弧的符號僅係該要素之例示，而並非限定各要素。

根據本發明之第1態樣，提供一種解析方法，係對透過液體(LQ)曝光之基板(P)的曝光不良進行解析，其特徵在於，具備：使基板(P)顯影之顯影步驟(SA60)；用以測量顯影前之基板(P)異常的第1測量步驟(SA50)；用以測量顯影後之基板(P)異常的第2測量步驟(SA70)；以及根據第1測量步驟(SA50)之測量結果及第2測量步驟(SA70)之測量結果，來對透過液體(LQ)曝光之基板(P)曝光不良進行解析的解析步驟(SA80)。

根據本發明之第1態樣，可正確地解析透過液體來曝光之基板的曝光不良。

根據本發明之第2態樣，提供一種曝光方法，其特徵在於，具有：透過液體(LQ)使基板(P)曝光的步驟；以及藉由上述態樣之解析方法來解析基板(P)狀態的步驟。

根據本發明之第2態樣，可使用基板曝光不良之解析結果來良好地使基板曝光。

根據本發明之第3態樣，提供一種曝光方法，係透過液體(LQ)使基板(P)曝光，其特徵在於：在基板(P)之曝光前，取得形成基板(P)最表層之膜(例如Tc)上之液體(LQ)的後退接觸角、與曝光後之基板缺陷等級的關係。

根據本發明之第3態樣，可使用液體之後退接觸角與曝光後之基板缺陷位準的關係來良好地使基板曝光。

根據本發明之第4態樣，係提供一種使用上述態樣之曝光方法的元件製造方法。

根據本發明之第4態樣，係使用能使基板良好曝光之曝光方法來製造元件。

根據本發明，可正確地解析透過液體曝光之基板的曝光不良，且使用該解析結果來使基板良好地曝光。因此，能製造具所欲性能的元件。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。

<第1實施形態>

說明第1實施形態。圖1，係顯示具備第1實施形態之曝光裝置EX之元件製造系統SYS的圖。圖1中，元件製造系統SYS具備曝光裝置EX與連接於曝光裝置EX之塗布顯影裝置CD。

曝光裝置EX，具有：光罩載台3，係可保持光罩M來移動；基板載台4，具有可保持基板P之基板保持具4H，可將基板P保持於基板保持具4H來移動；照明光學系統IL，係以曝光用光EL照明保持於光罩載台3之光罩M；投影光學系統PL，係將曝光用光EL所照明之光罩M的圖案像投影至基板P上；以及控制裝置7，係控制曝光裝置EX整體之動作。

本實施形態中，係以使用掃描型曝光裝置(所謂掃描步進器)作為曝光裝置EX之情形為例來說明，其係一邊使光罩M與基板P在掃描方向同步移動、一邊將形成於光罩M之圖案像曝光於基板P。以下說明中，將在水平面內光罩M與基板P之同步移動方向(掃描方向)設為Y軸方向，將在水平面內與Y軸方向正交之方向設為X軸方向(非掃描方向)，將分別與X軸及Y軸方向呈垂直且與投影光學系統PL之光軸AX平行的方向設為Z軸方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θ X、θ Y、及θ Z方向。

本實施形態之曝光裝置EX，為實質上縮短曝光波長以提高解析度且實質上放大焦深，係一適用液浸法的液浸曝光裝置。曝光裝置EX，係將液體LQ之液浸區域LR形成在保持於基板載台4之基板P上，透過液體LQ之液浸區域LR將曝光用光EL照射於基板P上來使基板P曝光。本實施形態中，係使用水(純水)來作為液體LQ。

塗布顯影裝置CD，包含用以將既定膜被覆於曝光處理前之基板P之基材上的塗布裝置、以及使曝光處理後之基板P顯影的顯影裝置。曝光裝置EX與塗布顯影裝置CD透過介面IF來連接。基板P，可藉由未圖示搬送裝置，透過介面部IF來搬送於曝光裝置EX與塗布顯影裝置CD之間。

圖2係顯示基板P(包含藉由塗布顯影裝置CD之塗布裝置而被覆有既定膜的基材)例的圖。圖2中，基板P，具有半導體晶圓等之基材W、被覆於該基材W上之第1膜Rg、被覆於該第1膜Rg上之第2膜Tc。第1膜Rg，係由感光材(光阻)構成之膜。第2膜Tc，係被稱為頂層塗布膜之膜，具有自液體LQ保護由例如感光材構成之第1膜Rg或基材W的功能等，對液體LQ具有撥液性(撥水性)。又，藉由設置撥液性膜之第2膜Tc，亦能提高液體LQ之回收性。第1膜Rg，例如係藉由以旋轉塗布方式於基材W上塗布感光材(光阻)來形成。同樣地，第2膜Tc，亦藉由塗布用以形成頂層塗布膜之材料來形成。為了將液體LQ之液浸區域LR形成於基板P之第2膜Tc上，係使基板P中之第2膜Tc形成為與液浸區域LR之液體LQ接觸的液體接觸面。

其次，參照圖3說明曝光裝置EX。圖3係顯示本實施形態之曝光裝置EX的概略構成圖。曝光裝置EX具備液浸系統1，其係以液體LQ充滿投影光學系統PL像面附近之曝光用光EL的光路空間K，以形成液浸區域LR。液浸系統1之動作係由控制裝置7控制。液浸系統1，係以液體LQ充滿最終光學元件FL(在投影光學系統PL之複數個光學元件中與投影光學系統PL之像面為最接近)之下面與基板保持具4H上之基板P(配置於投影光學系統PL之像面側)表面間之曝光用光EL的光路空間K，以於基板P上形成液浸區域LR。

曝光裝置EX，係至少在將光罩M之圖案像投影於基板P之期間，使用液浸系統1來以液體LQ充滿曝光用光EL的光路空間K。曝光裝置EX，透過投影光學系統PL與充滿於曝光用光EL之光路空間的液體LQ將通過光罩M之曝光用光EL照射至基板P(保持於基板保持具4H)上，藉此將光罩M之圖案像投影至基板P上。又，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式，其係以充滿於最終光學元件FL與基板P間之曝光用光EL的光路空間K之液體LQ，來將較投影區域AR大且較基板P小之液體LQ的液浸區域LR局部地形成於包含投影光學系統PL之投影區域AR的基板P上一部分的區域。

此外，液浸區域LR，並不僅可形成於基板P上，亦可形成於投影光學系統PL之像面側中、配置於與最終光學元件FL下面對向之位置的物體上，例如於基板載台4之一部分等。

照明光學系統IL，係以均一照度分布之曝光用光EL來照明光罩M上之既定照明區域。作為從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如係使用從水銀燈射出之亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂ 雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態係使用ArF準分子雷射光。

光罩載台3，藉由包含線性馬達等致動器之光罩載台驅動裝置3D的驅動，而能在保持光罩M之狀態下移動於X軸、Y軸、以及θ Z方向。光罩載台3(進一步而言為光罩M)之位置資訊係由雷射干涉儀3L來測量。雷射干涉儀3L，係使用設於光罩載台3上之移動鏡3K來測量光罩載台3的位置資訊。控制裝置7，根據雷射干涉儀3L之測量結果驅動光罩載台驅動裝置3D，以進行保持於光罩載台3之光罩M的位置控制。此外，此處所指光罩包含形成有縮小投影至基板上之元件圖案的標線片。又，本實施形態中，雖使用透射型光罩來作為光罩，但亦能使用反射型光罩。

此外，移動鏡3K可不只係平面鏡，亦可係包含角隅稜鏡(後向反射器)者，或代替將移動鏡3K固設於光罩載台3之方式，而例如使用對光罩載台3端面(側面)進行鏡面加工所形成的反射面。又，光罩載台3，亦可係例如特開平8－130179號公報(對應美國專利第6,721,034號)所揭示之可進行粗微動的構成。

投影光學系統PL，係以既定投影倍率將光罩M之圖案像投影於基板P者，具有複數個光學元件，該等光學元件係以鏡筒PK保持。本實施形態之投影光學系統PL，係其投影倍率例如為1/4、1/5、或1/8等之縮小系統，用以將光罩圖案之縮小像形成於與前述照明區域共軛的投影區域AR。此外，投影光學系統PL亦可為縮小系統、等倍系統及放大系統之任一者。又，投影光學系統PL，亦可係不含反射光學元件之折射系統、不含折射光學元件之反射系統、或包含反射光學元件與折射光學元件之折反射系統的任一者。又，投影光學系統PL，亦可形成倒立像與正立像之任一者。

基板載台4具有用以保持基板P之基板保持具4H，可藉由包含線性馬達等致動器之基板載台驅動裝置4D的驅動，在將基板P保持於基板保持具4H之狀態下，在底座構件BP上移動於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z方向的六自由度方向。基板保持具4H，例如係配置於設在基板載台4上之凹部4R，基板載台4中凹部4R以外的上面4F，係與保持於基板保持具4H之基板P表面大致同高(同一面高)的平坦面。之所以如此，係因例如在基板P之曝光動作時，液浸區域LR一部分會超出基板P表面而形成於上面4F之故。此外，亦可僅將基板載台4之上面4F的一部分、例如包圍基板P之既定區域(包含液浸區域LR所超出之範圍)，作成與基板P表面大致同高。又，只要能以液體LQ持續充滿投影光學系統PL像面側之光路空間K(亦即能良好地保持液浸區域LR)的話，保持於基板保持具4H之基板P表面與基板載台4之上面4F間亦可有段差。進一步地，雖可將基板保持具4H與基板載台4一部分形成為一體，但本實施形態中，係將基板保持具4H與基板載台4分別獨立構成，藉由例如真空吸附等方式將基板保持具4H固定於凹部4R。

基板載台4(進一步而言為基板P)之位置資訊係由雷射干涉儀4L來測量。雷射干涉儀4L，係使用設於基板載台4之移動鏡4K來測量基板載台4在X軸、Y軸、及θ Z方向的位置資訊。又，保持於基板載台4之基板P表面的面位置資訊(在Z軸、θ X、及θ Y方向的位置資訊)，係由未圖示之焦點位準檢測系統來檢測。控制裝置7，根據雷射干涉儀4L之測量結果及焦點位準檢測系統的檢測結果驅動基板載台驅動裝置4D，以進行保持於基板載台4之基板P的位置控制。

此外，雷射干涉儀4L亦可測量基板載台4在Z軸方向之位置、及θ X、θ Y方向的旋轉資訊，其詳細情形例如已揭示於特表2001－510577號公報(對應國際公開第1999/28790號小冊子)。再者，亦可取代將移動鏡4K固設於基板載台4，而使用例如對基板載台4一部分(側面等)進行鏡面加工所形成的反射面。

又，焦點位準檢測系統，雖係藉由以其複數個測量點分別測量基板P之Z軸方向位置資訊，來檢測出基板P之θ X及θ Y方向的傾斜資訊(旋轉角)，但該複數個測量點之至少一部分亦可設於液浸區域LR(或投影區域AR)內，或亦可將該所有測量點設於液浸區域LR外側。再者，例如當雷射干涉儀4L可測量基板P之Z軸、θ X及θ Y方向之位置資訊時，亦可不設置焦點位準檢測系統，而至少在曝光動作中使用雷射干涉儀4L之測量結果進行基板P在Z軸、θ X、θ Y方向之位置控制，以能在基板P之曝光動作中測量其Z軸方向的位置資訊。

其次，參照圖4說明液浸系統1。圖4係顯示圖3之主要部位的放大圖。液浸系統1，係以液體充滿投影光學系統PL之最終光學元件FL與基板P(配置於與該最終光學元件FL對向之位置且保持於基板保持具4H)間之曝光用光EL的光路空間K。液浸系統1，具備：嘴構件71，係設於最終光學元件FL與基板P間之曝光用光EL的光路空間K附近，具有對該光路空間K供應液體LQ之供應口12及回收液體LQ之回收口22；液體供應裝置11，係透過供應管13、及形成於嘴構件71內部之供應流路14來將液體LQ供應至供應口12；以及液體回收裝置21，係透過形成於嘴構件71內部之回收流路24及回收管23，來回收從嘴構件71之回收口22回收的液體LQ。供應口12與供應管13係透過供應流路14彼此連接。回收口22與回收管23係透過回收流路24彼此連接。本實施形態中，嘴構件71，係設置成包圍曝光用光EL之光路空間K的環狀。用以供應液體LQ之供應口12，係設於嘴構件71中朝向曝光用光EL之光路空間K的內側面。用以回收液體LQ之回收口22，係設於嘴構件71中與基板P表面對向的下面。本實施形態中，於回收口22配置有多孔構件(網眼)25。

液體供應裝置11，具備用以調整所供應液體LQ之溫度的溫度調整裝置、用以減低液體LQ之氣體成分的除氣裝置、以及用以去除液體LQ中之異物的過濾單元等，其能送出乾淨且經溫度調整的液體LQ。又，液體回收裝置21具備真空系統等，係能回收液體LQ。液體供應裝置11及液體回收裝置21之動作由控制裝置7控制。從液體供應裝置11送出的液體LQ，在流經供應管13及嘴構件71之供應流路14後，從供應口12供應至曝光用光EL之光路空間K。又，藉由驅動液體回收裝置21而從回收口22回收之液體LQ，在流經嘴構件71之回收流路24後，透過回收管23回收至液體回收裝置21。控制裝置7，係控制液浸系統1，藉由同時進行液體供應裝置11之液體供應動作與液體回收裝置21之液體回收動作，來以液體LQ充滿最終光學元件FL與基板P間之曝光用光EL之光路空間K，將液體LQ之液浸區域LR局部地形成於基板P上的一部分區域。

其次，說明使用上述曝光裝置EX來使基板P曝光的方法。塗布顯影裝置CD之塗布裝置，係進行將感光材所構成之第1膜Rg被覆(塗布)於基材W上面的處理。其次，施以使用例如溶劑等來除去基材W上面之周緣區域或側面等之感光材的處理(邊緣洗淨處理)、包含烘烤處理等的既定處理。

其次，進行將作為頂層塗布膜之第2膜Tc被覆(塗布)於基材W上之第1膜Rg上的處理。如上所述，第2膜Tc，具有自液體LQ保護感光材(形成於基材W上)所構成之第1膜Rg的功能。其次，視需要進行邊緣洗淨處理後，施以包含烘烤處理之既定處理。

其後，基板P被既定搬送裝置搬送至曝光裝置EX。曝光裝置EX，將液體LQ之液浸區域LR形成於基板P之第2膜Tc上並將曝光用光EL照射於基板P。

圖5係用以說明使基板P曝光時之液浸區域LR與保持有基板P之基板載台4之位置關係例的圖。如圖5所示，於基板P上設定有矩陣狀之複數個照射區域S1~S21。如上所述，本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P移動於Y軸方向(掃描方向)、一邊將光罩M之圖案投影曝光於基板P。當分別對基板P之照射區域S1~S21進行曝光時，控制裝置7，例如圖5中箭頭y1所示，係使投影光學系統PL之投影區域AR及覆蓋該投影區域AR之液體LQ的液浸區域LR與基板P相對移動，透過液浸區域LR之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P上。控制裝置7，將基板載台4之動作，控制成投影光學系統PL之投影區域AR(曝光用光EL)在基板P上沿箭頭y1移動。控制裝置7，在一個照射區域之曝光結束後，使基板P(基板載台4)步進移動以將次一照射區域移動至曝光開始位置，其後，即以步進掃描方式一邊使基板P移動、一邊依序掃描各照射區域S1~S21使其曝光。

經曝光之基板P，有可能產生曝光不良之情形。曝光不良，包含透過曝光而形成於基板P上之圖案的缺陷。曝光不良(圖案缺陷)產生之原因，包含形成於基板P表面之第2膜Tc之異常、以及液體LQ中之異物(氣泡、顆粒)的至少一者。

第2膜Tc之異常，包含液體LQ滲入第2膜Tc之狀態、於第2膜Tc內部存在有異物(氣泡、顆粒)之狀態、第2膜Tc一部分剝離之狀態、以及於第2膜Tc附著有異物(顆粒)之狀態的至少一者。

使基板P液浸曝光時，液浸區域LR之液體LQ會與形成於基板P表面之第2膜Tc接觸，例如，圖6之示意圖所示，接觸於基板P上之第2膜Tc的液體LQ，有可能會滲入(浸入)第2膜Tc內部。圖6所示之例中，滲入第2膜Tc內部之液體LQ，係存在於第1膜Rg與第2膜Tc間。在此種狀態下，對基板P照射曝光用光EL時，有可能會因滲入之液體LQ使曝光用光EL對第1膜Rg(或基材W)之照射狀態變動。亦即，在第2膜Tc與滲入之液體間的界面中，曝光用光EL之光路可能會變化。當曝光用光EL在第2膜Tc與滲入之液體間的界面變化時，由於曝光用光EL即不會到達第1膜Rg之所欲位置，而不會形成所欲圖案像，因此有形成於基材W之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。又，曝光用光EL之一部分，亦有可能在滲入第2膜Tc內部之液體LQ與第2膜Tc之界面反射，而產生無法以具有所欲光量(強度)之曝光用光EL照射第1膜Rg的不良情形。又，亦有可能因滲入之液體LQ使曝光用光EL散射。

又，如圖7之示意圖所示，亦有可能會因滲入第2膜Tc內部之液體LQ使第2膜Tc膨脹等，而使第2膜Tc之形狀局部性地變化。在圖7之情形，亦有可能產生曝光用光EL之光路變化等的不良情形，而有形成於基材W上之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。

又，如圖8之示意圖所示，當於第2膜Tc內部存在有氣泡、顆粒等異物時，會因該異物(氣泡、顆粒)產生曝光用光EL之光路變化等的不良情形，而有形成於基材W上之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。

又，如圖9之示意圖所示，當第2膜Tc一部分剝離時，即會因該剝離之部分產生曝光用光EL之光路變化等的不良情形，而有形成於基材W上之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。

此外，如圖10之示意圖所示，會因附著於第2膜Tc上之顆粒等異物產生曝光用光EL之光路變化等的不良情形，而有形成於基材W上之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。又，附著於第2膜Tc上之異物可舉出水痕等。

又，如圖11之示意圖所示，會因存在於液浸區域LR之液體LQ中之氣泡、顆粒等異物，產生曝光用光EL之光路變化等的不良情形，而有形成於基材W上之圖案產生缺陷等、產生曝光不良的可能性。

本實施形態，係解析透過液體LQ而曝光之基板P的曝光不良，並特定出曝光不良之原因。

參照圖12之流程圖，說明解析透過液體LQ而曝光之基板P之曝光不良的方法。

在透過液體LQ之基板P的曝光處理(步驟SA30)結束後，即對該基板P施以烘烤處理(後烘烤)(步驟SA40)。其次，進行用以測量顯影前基板P之異常的第1測量處理(步驟SA50)。

第1測量處理，係測量曝光後且顯影前之基板P上之第2膜Tc的異常，並特定出異常產生之位置，同時使用既定測量裝置(缺陷檢查裝置)來取得該異常產生之位置附近的影像(光學像)。此外，作為測量裝置(缺陷檢查裝置)，例如可使用記載於特表2002－519667號公報之先前技術或實施方式之欄的裝置。

圖13，係用以說明使用既定測量裝置來測量基板P之異常之動作的示意圖。如圖13所示，於基板P上設定有複數個照射區域，測量裝置係測量顯影前之基板P上之第2膜Tc的異常。測量裝置，具有既定測量區域MA，用以取得測量區域MA內之基板P表面(第2膜Tc)的影像(光學像)。本實施形態中，測量裝置，係於基板P表面設定座標系統(XY座標系統)，一邊使測量區域MA與基板P相對移動、一邊取得設定於基板P上之座標系統各位置的第2膜Tc影像(光學像)。接著，比較例如彼此相鄰之測量區域MA內的影像，再根據該比較之結果，特定出第2膜Tc中產生異常的位置。測量裝置，係測量基板P表面之大致全區。

又，本實施形態中，基板P上第2膜Tc中被測量裝置特定出之產生異常之位置附近的影像，係藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)以更高精度來加以取得。測量裝置，係將第2膜Tc上產生異常之位置資訊輸出至掃描型電子顯微鏡。掃描型電子顯微鏡，可根據測量裝置所輸出之位置資訊，以良好效率取得產生異常之位置附近的影像。

在第1測量處理結束後，即對該基板P施以顯影處理(步驟SA60)。基板P，係在塗布顯影裝置CD之顯影裝置進行顯影處理。藉此，除去第2膜Tc，同時當第1膜Tc為正型光阻時即除去曝光用光EL所照射之部分。此外，當第1膜Rg為負型光阻時，曝光用光EL所照射之部分會殘存。藉由對基板P施以蝕刻處理等既定處理，來於基板P(基材W)上形成圖案(配線圖案)。

其次，進行用以測量顯影後之基板P之異常的第2測量處理(步驟SA70)。第2測量處理，係使用上述測量裝置(缺陷檢查裝置)來測量基板P(基材W)上之大致全區的異常。測量裝置，係特定出基板P(基材W)中產生異常(圖案之缺陷、曝光不良)之位置。又，掃描型電子顯微鏡(SEM)，係取得基板P(基材W)中產生異常之位置附近的影像。

其次，根據第1測量處理之測量結果及第2測量處理的測量結果，進行解析透過液體LQ而曝光之基板P之曝光不良的解析處理(步驟SA80)。解析處理，係根據第1測量處理之測量結果及第2測量處理的測量結果，進行曝光不良(圖案缺陷)之原因特定。

本實施形態之解析處理，係辨別曝光不良(圖案缺陷)是否起因於第2膜Tc之異常、或起因於液體LQ中之異物。

例如，當如圖6、圖7所示之液體LQ滲入第2膜Tc內部之狀態、如圖8所示之於第2膜Tc內部存在有異物(氣泡、顆粒)的狀態、如圖9所示之第2膜Tc一部分剝離的狀態、以及如圖10所示之於第2膜Tc附著有異物(顆粒)的狀態等於第2膜Tc產生異常時，用以測量顯影前之基板P的第1測量處理，係取得例如圖14A所示之影像，來作為該產生異常之基板P(第2膜Tc)之位置附近的影像。

此外，本實施形態中，由於測量裝置，係取得第2膜Tc作為影像，因此能判斷出係產生如圖6、圖7所示之液體LQ滲入之狀態、如圖8所示之於第2膜Tc內存在有異物的狀態、如圖9所示之第2膜Tc一部分剝離的狀態、以及如圖10所示之於第2膜Tc附著有異物的狀態中的任一個狀態。

用以測量顯影後之基板P的第2測量處理，係當取得如圖14B所示之影像，來作為基板P(基材W)中與第2膜Tc產生異常之位置對應之位置附近的影像時，即能判斷其係因第2膜Tc之異常而於基板P(基材W)產生圖案缺陷(曝光不良)。圖14B，係顯示形成於基板P(基材W)上之配線圖案一部分斷線、或產生其線寬不均一之圖案缺陷之狀態的影像。

如此，當於顯影前之基板P(第2膜Tc)既定位置有異常、於顯影後之基板P(基材W)中與第2膜Tc產生異常之位置對應之位置有異常(圖案缺陷)時，即能判斷該基板P之圖案缺陷(曝光不良)係起因於第2膜Tc之異常。

另一方面，如圖15A所示，當於顯影前之基板P(第2膜Tc)無異常、而如圖15B所示般於顯影後之基板P(基材W)有異常(圖案缺陷)時，即能判斷該基板P之圖案缺陷(曝光不良)係起因於液體LQ中之異物(氣泡、顆粒)。由於液體LQ中之異物不會對第2膜Tc帶來影響，而不在第1測量處理進行測量，因此當於顯影前之基板P(第2膜Tc)無異常、而於顯影後之基板P(基材W)之既定位置有圖案缺陷時，即能判斷該基板P之圖案缺陷(曝光不良)係起因於液體LQ中之異物。

如以上所說明，可根據測量透過液體LQ而曝光、顯影前基板P之異常的測量結果、以及測量顯影後基板P之異常的測量結果，判斷曝光不良(圖案缺陷)係因第2膜Tc之異常而產生、或因第2膜Tc之異常以外之異常而產生。當在第1測量處理中檢測出基板P(第2膜Tc)之異常時，即可判斷曝光不良(圖案缺陷)係起因於第2膜Tc之異常，當在第1測量處理中未檢測出異常，而在第2測量處理中檢測出基板P(基材W)之異常(圖案缺陷)時，即可判斷曝光不良(圖案缺陷)係起因於液體LQ中之異物。

控制裝置7，可根據解析結果設定曝光條件，並以所設定之曝光條件使基板P曝光。曝光條件，包含以液體LQ充滿曝光用光EL之光路空間K時的液浸條件、以及基板P相對光路空間K之移動條件的至少一者。液浸條件，包含供應用以充滿曝光用光EL之光路空間K的液體LQ時之供應條件、以及回收液體LQ時之回收條件的至少一者。又，基板P之移動條件，包含移動速度、加速度(減速度)、移動方向(移動軌跡)、以及往既定一方向移動時之移動距離的至少一者。

當判斷曝光不良(圖案缺陷)係起因於液體LQ中之異物(氣泡)時，控制裝置7，為了抑制液體LQ中之氣泡產生，係例如調整以液體LQ充滿曝光用光EL之光路空間K時的液浸條件、或調整基板P相對被液體LQ充滿之光路空間K的移動條件。具體而言，例如為了抑制形成液浸區域LR之液體LQ中的氣泡產生，而提高液體供應裝置11之除氣裝置的除氣能力，或調整從供應口12供應至光路空間K之每一單位時間的液體供應量。或者，為了抑制形成液浸區域LR之液體LQ中的氣泡產生，亦可調整透過回收口22之每一單位時間的液體回收量。又，藉由調整基板P相對液浸區域LR之液體LR之移動速度或加速度等，亦能抑制形成液浸區域LR之液體LQ中的氣泡產生。又，藉由調整基板P之液體接觸面(亦即第2膜Tc)與液體LQ的接觸角，亦能抑制形成液浸區域LR之液體LQ中的氣泡產生。

又，當判斷曝光不良(圖案缺陷)係起因於第2膜Tc之異常時，即可採取適當處置，例如再度選定第2膜Tc之材料，或調整以塗布裝置塗布第2膜Tc時之塗布條件等。又，藉由調整上述液浸條件或基板P的移動條件來進行第2膜Tc與液體LQ之接觸時間的調整等，即有可能抑制第2膜Tc之異常產生。

<第2實施形態>

其次，參照圖16之流程圖說明第2實施形態。以下說明中，對與上述第1實施形態同一或同等之構成部分賦予同一符號，簡化或省略其說明。

上述第1實施形態中，雖測量曝光後之基板P的異常，但第2實施形態中，則追加了曝光前之基板P的異常測量。亦即，圖16中，首先使用上述測量裝置(缺陷檢查裝置)等測量曝光前之基材(晶圓)W的異常(步驟SA1)。其次，例如於基材W上塗布反射防止膜(步驟SA2)，並測量該反射防止膜之異常(步驟SA3)。其次，於反射防止膜上塗布感光材所構成之第1膜Rg(步驟SA10)，並測量該第1膜Rg之異常(步驟SA15)。其次，於第1膜Rg上塗布作為頂層塗布膜之第2膜Tc(步驟SA20)，並測量該第2膜Tc之異常(步驟SA25)。接著，依序進行基板P之曝光(步驟SA30)、對曝光後之基板P的後烘烤處理(步驟SA40)、第1測量處理(步驟SA50)、顯影(步驟SA60)、第2測量處理(步驟SA70)、以及解析處理(步驟SA80)。

如此，不僅是曝光後，亦測量塗布於曝光前之基板P上之各膜有無異常，而能根據其測量結果、第1測量處理之測量結果、第2測量處理之測量結果，更正確地特定出曝光不良(圖案缺陷)的原因。

此外，上述第1、第2實施形態中，當在用以測量顯影前之基板P的第1測量處理中檢測出異常，在用以測量顯影後之基板P的第2測量處理中亦檢測出異常時，可判斷曝光不良係起因於第2膜Tc之異常。又，第1及第2實施形態中，當在用以測量顯影前之基板P的第1測量處理中未檢測出異常，在用以測量顯影後之基板P的第2測量處理中檢測出異常時，則可判斷曝光不良係起因於液體LQ中的異物。不過，第1及第2實施形態中，亦有可能在用以測量顯影前之基板P的第1測量處理中檢測出異常，在用以測量顯影後之基板P的第2測量處理中未檢測出異常的狀況產生。例如圖5中，將液浸區域LR形成於設定於基板P上之複數個照射區域S1~S21中例如第1照射區域S1上，當透過該液浸區域LR之液體LQ使第1照射區域S1曝光時，雖於第1照射區域S1之第2膜Tc並無異常，但使其他照射區域(例如與第1照射區域S1相鄰之照射區域S2、S6、S7、S8等)曝光時，覆蓋該等其他照射區域之液浸區域LR之液體LQ即有可能接觸於第1照射區域S1。此時，第1照射區域S1之第2膜Tc即會長時間與液體LQ接觸，而如圖6、圖7所示，使液體LQ滲入第2膜Tc內部。亦即，當將曝光用光EL照射於第1照射區域S1時，雖於該第1照射區域S1之第2膜Tc無產生異常，而可在不產生曝光不良之狀態下使第1照射區域S1良好地曝光，但在曝光結束後，於該第1照射區域S1之第2膜Tc有可能產生異常。當產生此種狀況時，在第1測量處理中雖會檢測出第1照射區域S1之第2膜Tc的異常，但在第2測量處理中並不會檢測出第1照射區域S1之基材W的異常。此種第2膜Tc，當與液體LQ接觸之時間在既定時間以下時，可判斷不會產生液體LQ之侵入(滲入)，當與液體LQ接觸之時間在既定時間以上時，即可判斷會產生液體LQ之侵入(滲入)。因此，可考量該既定時間來設定曝光條件，或進行第2膜Tc之再選定。

此外，上述各實施形態，雖在第1測量處理及第2測量處理中係以測量裝置(缺陷檢查裝置)來測量基板P之異常，且特定該異常產生之位置，並藉由掃描型電子顯微鏡以更高精度取得該位置附近的影像，但只要係能測量基板P之異常者，即並不一定要使用掃描型電子顯微鏡，亦可採取任意之構成。

又，上述各實施形態中，基板P雖具有用以覆蓋第1膜Rg(形成於基材W上之感光材所構成)之第2膜(頂層塗布膜)Tc，但亦可作成不設置第2膜Tc之構成。此時，在第1測量處理中係測量顯影前之基板P上第1膜Rg的異常，在第2測量處理中係測量顯影後之基板P的異常。

<第3實施形態>

其次說明第3實施形態。本實施形態之特徵部分，係根據液體LQ於基板P表面之後退接觸角θ_R ，來判斷基板P最表層之膜(第2膜Tc或第1膜Rg)是否為曝光不良(圖案缺陷)較少之膜。

參照圖17之示意圖說明後退接觸角θ_R 。後退接觸角θ_R ，係指在使液體LQ之液滴附著於物體表面(此處為基板P表面)的狀態下使該物體表面相對水平面呈傾斜時，附著於物體表面之液體LQ的液滴因重力作用而開始向下方滑動(開始移動)時之液滴後側的接觸角。換言之，後退接觸角θ_R ，係指使附著有液體LQ之液滴的物體表面傾斜時，該液滴滑落之滑落角α之臨界角度中液滴後側的接觸角。此外，附著於物體表面之液體LQ的液滴因重力作用而開始向下方滑動(開始移動)時的意思，雖係指液滴開始移動之瞬間，但亦可係開始移動之前一刻、以及開始移動之後一刻的至少一部分狀態。此外，後退接觸角θ_R ，可使用公知之測量裝置容易地測量。

本申請案之發明者，係分別使在最表層形成有不同材料之膜的複數個基板P液浸曝光，而在使用第1實施形態、第2實施形態所說明之方法來解析基板P之圖案缺陷(曝光不良)，並檢查各基板P之圖案缺陷位準(包含缺陷密度、缺陷數目之至少一者)時，發現了缺陷等級會視液體LQ於基板P表面之後退接觸角θ_R 的不同而相異。更具體而言，本申請案之發明者，發現液體LQ於基板P表面之後退接觸角θ_R 越大，缺陷位準即越降低。

圖18，係顯示液體LQ於基板P表面之後退接觸角θ_R 與缺陷位準的關係，更具體而言，係顯示後退接觸角θ_R 、缺陷密度、以及缺陷數目之關係例的圖。圖18中，係顯示與上述各基板P之檢查結果對應之點、以及配合該等檢查結果之近似曲線。如圖18所示，後退接觸角θ_R 越大，缺陷密度、缺陷數目即越減少。

因此，只要預先準備如圖18所示之顯示後退接觸角θ_R 與缺陷位準之關係的資訊(近似曲線等)，僅測量待曝光之基板P最表層之膜上的後退接觸角θ_R ，即使不實施如上述第1實施形態、第2實施形態所述之方法，亦可推測該基板P液浸曝光後之缺陷位準(缺陷密度、缺陷數目等)，而能判斷是否係適合使用液浸曝光法來形成元件圖案之膜。由圖18可知，最好係使用後退接觸角θ_R 為例如約70度以上之膜。

又，亦可使用後退接觸角θ_R 來作為基板P最表層之膜的選定指標。例如，藉由測量複數種類之膜的後退接觸角θ_R ，而能從其中選出推測為曝光不良(圖案缺陷)情形較少之數個膜。因此，僅對該選出之膜進行詳細之調查(液浸曝光及缺陷檢查等)，即能選定最適合之膜。如此，不須對所有種類之膜進行詳細調查(液浸曝光及缺陷檢查等)，即可有效率地選定難以產生曝光不良(圖案缺陷)之最適合的膜。

又，亦可根據基板P最表層之膜上的後退接觸角θ_R ，來決定基板P之曝光條件。例如於曝光條件包含基板P之移動條件及/或液浸條件(包含液體LQ之供應量與回收量的至少一者)。而例如當藉由使基板P之速度變化來減少曝光不良(圖案缺陷)時，係能以曝光不良(圖案缺陷)會隨後退接觸角θ_R 之不同而減少之方式，來設定基板P在掃描曝光中之移動速度。此外，不只基板P之移動速度，亦能以曝光不良(圖案缺陷)會隨後退接觸角θ_R 之不同而減少之方式，來改變基板P之加速度、減速度、移動方向的至少一個。又，當藉由使液體LQ之供應量(及/或回收量)變化來使曝光不良(圖案缺陷)減少時，亦能以曝光不良(圖案缺陷)會隨後退接觸角θ_R 之不同而減少之方式，來設定液體LQ之供應量(及/或回收量)。

上述各實施形態中，作為液體LQ係使用純水。純水之優點為能容易地在半導體製造工廠等大量取得，且對基板P上之光阻及光學元件(透鏡)等無不良影響。又，純水除了對環境無不良影響外，由於雜質之含有量極低，因此亦能期待有洗淨基板P表面及設於投影光學系統PL前端面之光學元件表面之作用。此外，當工廠等所供應之純水純度較低時，亦能使曝光裝置具備超純水製造器。一般而言，純水(水)對波長為193nm左右之曝光用光EL的折射率n係大致1.44，若使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為曝光用光EL之光源時，在基板P上則將波長縮短為1/n、亦即大約134nm左右，即可獲得高解析度。再者，由於焦深與在空氣中相較放大約n倍、亦即約1.44倍左右，因此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深時，即能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，從此點來看亦能提高解析度。上述各實施形態中，於投影光學系統PL前端安裝有光學元件FL，可藉由此光學元件進行投影光學元件PL之光學特性、例如像差(球面像差、彗形像差)之調整。此外，作為安裝於投影光學系統PL前端之光學元件，亦可係用於調整投影光學系統PL之光學特性的光學板。或亦可係能使曝光用光EL透射之平行平面板(蓋玻片等)。此外，因液體LQ之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件與基板P間的壓力較大時，亦可不將該光學元件作成能更換之構造，而是將光學元件堅固地固定成不會因該壓力而移動。又，上述各實施形態中，雖係以液體LQ充滿投影光學系統PL與基板P表面的構成，但例如亦可係在將平行平面板所構成之蓋玻片安裝於基板P表面之狀態下充滿液體LQ的構成。

又，上述實施形態中，雖係以液體充滿投影光學系統前端光學元件之像面側的光路空間，但亦可採用如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示般，前端光學元件之物體面側的光路空間亦以液體充滿的投影光學系統。又，上述各實施形態之液體LQ雖係水，但亦可係水以外之液體，例如，曝光用光EL之光源為F₂ 雷射時，由於此F₂ 雷射光無法透射水，因此亦可使用能使F₂ 雷射光透射之液體來作為液體LQ，例如過氟聚醚(PFPE,Pfluoro－polyether)、或氟系油等氟系流體亦可。此時，例如以包含氟之極性小的分子構造物質來形成薄膜，藉此對與液體LQ接觸之部分進行親液化處理。又，作為液體LQ，其他亦能使用對曝光用光EL又，上述各實施形態中，雖係以液體LQ充滿投影光學系統PL與基板P表面的構成，但例如亦可係在將平行平面板所構成之蓋玻片安裝。又，亦能使用折射率為1.6~1.8左右者來作為液體LQ。進一步地，亦能以折射率較石英或螢石高(例如1.6以上)之材料來形成光學元件FL。

又，作為上述各實施形態之基板P，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)等。

曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。

又，作為曝光裝置EX，亦可適用一次曝光方式之曝光裝置，其係在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統(例如為1/8縮小倍率且不含反射元件之折射型投影光學系統)將第1圖案之縮小像一次曝光至基板P上。此時，進一步於其後，亦能適用於接合方式之一次曝光裝置，其係在使第2圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用該投影光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光於基板P上。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少2個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。又，上述各實施形態中雖係以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例來進行說明，但本發明亦可適用於不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。即使係不使用投影光學系統PL之情形下，曝光用光亦可透過光罩或透鏡等之光學構件照射於基板，將液浸區域形成於此種光學構件與基板間之既定空間。

又，本發明亦能適用於例如特開平10－163099號公報及特開平10－214783號公報(對應美國專利第6,590,634號)、特表2000－505958號公報(對應美國專利第5,969,441號)、美國專利6,208,407等所揭示之具備複數個基板載台的雙載台型曝光裝置。

再者，本發明亦能適用於特開平11－135400號公報(對應國際公開1999/23692)及特開2000－164504號公報(對應美國專利第6,897,963號)等所揭示般、具備基板載台(用以保持基板)與測量載台(裝載形成有基準標記之基準構件及各種光電感測器)之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖採用局部性地將液體充滿於投影光學系統PL與基板P間之曝光裝置，但本發明亦能適用於例如特開平6－124873號公報、特開平10－303114號公報、美國專利第5,825,043號等所揭示之液浸曝光裝置，其係在曝光對象之基板表面整體浸漬於液體中之狀態下進行曝光。

作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片、或光罩等之曝光裝置等。

此外，上述各實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號公報所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro－mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。

又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示般，藉由將干涉紋形成於基板P上，來將等間隔線圖案曝光於基板P上之曝光裝置(微影系統)。

再者，例如亦能將本發明適用於例如特表2004－519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示之曝光裝置，其係將兩個光罩圖案透過投影光學系統在基板上合成，藉由一次之掃描曝光來對基板上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。

此外，在本國際專利申請案所指定或所選擇之國家之法令容許的範圍內，援用上述各實施形態及變形例中引用之曝光裝置等相關的所有公開公報、以及美國專利之揭示來作為本文記載之一部分。

如上所述，本申請案之實施形態的曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(包含本案申請範圍中所列舉的各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裝置之製程，包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，各種次系統組裝至曝光裝置之製程前，有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統組裝至曝光裝置之製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。

半導體元件等之微元件，如圖19所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、步驟204(包含藉由前述實施形態之曝光裝置EX將光罩圖案曝光於基板之步驟、使曝光之基板顯影的步驟、已顯影基板之加熱(硬化)及蝕刻步驟等基板處理流程、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟等加工流程)205、檢查步驟206等。

1．．．液浸系統

7．．．控制裝置

EL．．．曝光用光

EX．．．曝光裝置

LQ．．．液體

LR．．．液浸區域

P．．．基板

Rg．．．第1膜

Tc．．．第2膜

W．．．基材

圖1，係顯示具備第1實施形態之曝光裝置之元件製造系統的概略構成圖。

圖2，係以示意方式顯示基板例的截面圖。

圖3，係顯示第1實施形態之曝光裝置的概略構成圖。

圖4，係用以說明液浸系統的圖。

圖5，係用以說明液浸區域與保持有基板之基板載台之位置關係例的圖。

圖6，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖7，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖8，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖9，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖10，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖11，係用以說明於膜所產生之異常例的示意圖。

圖12，係用以說明第1實施形態之解析方法的流程圖。

圖13，係用以說明測量基板異常之測量處理的圖。

圖14A，係顯示透過測量處理所取得之光學像例的圖。

圖14B，係顯示透過測量處理所取得之光學像例的圖。

圖15A，係顯示透過測量處理所取得之光學像例的圖。

圖15B，係顯示透過測量處理所取得之光學像例的圖。

圖16，係用以說明第2實施形態之解析方法的流程圖。

圖17，係用以說明第3實施形態之後退接觸角的圖。

圖18，係顯示液體於基板表面之後退接觸角與缺陷等級之關係的圖。

圖19，係用以說明微元件製造步驟例的流程圖。

Claims (16)

1. 一種解析方法，係對透過液體曝光之基板的曝光不良進行解析，其特徵在於，包含：使該基板顯影之顯影步驟；用以測量該顯影前之該基板異常的第1測量步驟；用以測量該顯影後之該基板異常的第2測量步驟；以及根據該第1測量步驟之測量結果及該第2測量步驟之測量結果，對透過該液體曝光之該基板之曝光不良進行解析的解析步驟；透過該液體之該基板之曝光，係在該第1測量步驟及該第2測量步驟前進行。
2. 一種解析方法，係對透過液體曝光之基板的曝光不良進行解析，其特徵在於，包含：使該基板顯影之顯影步驟；用以取得與該顯影前之該基板之表面相關之資訊的第1取得步驟；用以取得與該顯影後之該基板之該表面相關之資訊的第2取得步驟；以及根據該第1取得步驟之取得結果及該第2取得步驟之取得結果，對以該液體接觸於該基板之該表面之狀態下曝光之該基板之曝光不良進行解析的解析步驟。
3. 如申請專利範圍第1或2項之解析方法，其中，該曝光不良，包含透過該曝光而形成於該基板上之圖案的缺陷。
4. 如申請專利範圍第1或2項之解析方法，其中，係在該解析步驟中特定該曝光不良之原因。
5. 如申請專利範圍第4項之解析方法，其中，於該基板表面形成有既定之膜；在該解析步驟中，辨別該曝光不良是否起因於該膜之異常。
6. 如申請專利範圍第5項之解析方法，其中，該膜包含用以自該液體保護形成於該基板之感光材膜的保護膜。
7. 如申請專利範圍第5項之解析方法，其中，該膜之異常，包含液體滲入該膜之狀態、以及於該膜附著異物之狀態的至少一方。
8. 如申請專利範圍第4項之解析方法，其中，係在該解析步驟中，辨別該曝光不良是否起因於該液體中之異物。
9. 如申請專利範圍第8項之解析方法，其中，該異物包含氣泡。
10. 一種曝光方法，其特徵在於，具有：透過液體使基板曝光的步驟；以及藉由申請專利範圍第1至9項中任一項之解析方法對該基板狀態進行解析的步驟。
11. 如申請專利範圍第10項之曝光方法，其進一步具有根據該解析結果設定曝光條件的步驟。
12. 一種元件製造方法，其具有：使用申請專利範圍第10至11項中任一項之曝光方法使元件之基材即基板曝光的步驟； 使該曝光後之基板顯影的步驟；以及使用該顯影後之基板製造該元件的步驟。
13. 如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中，該曝光條件包含該基板之移動條件。
14. 如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中，該曝光條件包含用以於該基板上形成該液體之液浸區域之液浸條件。
15. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其中，該液浸條件包含用以對該基板上供應該液體之供應條件。
16. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其中，該液浸條件包含用以從形成於該基板上之該液浸區域回收該液體之回收條件。