JP4490539B2

JP4490539B2 - ウエハチャック及び半導体ウエハの検査方法

Info

Publication number: JP4490539B2
Application number: JP2000036360A
Authority: JP
Inventors: 雅彦杉山; 由多加赤池
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-02-15
Filing date: 2000-02-15
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2020-02-15
Also published as: KR100843836B1; KR20010082138A; US20010013772A1; JP2001230308A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ（単に、「ウエハ」と称す。）のプローブ検査に用いられるウエハチャック及び半導体ウエハのプローブ検査を行う方法に関し、更に詳しくは、ウエハを位置ずれすることなく確実に固定することができ、しかもプローブ検査中の集積回路（以下、「ＩＣチップ」と称す。）との間の熱抵抗を低下させることができるウエハチャック及び半導体ウエハの検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ウエハのプローブ検査を行う場合にはプローブ装置が用いられる。従来のプローブ装置は、図５に示すようにウエハチャック１上にウエハを載置し、その上方に配置されたプローブカード２のプローブ２ＡとウエハＷに形成されたＩＣチップの電極パッドを電気的に接触させ、ＩＣチップの電気的特性検査を行うものである。上記メインチャック１は、同図に示すように、Ｘ、Ｙステージ３（説明の便宜上、Ｘステージ、Ｙステージを一体のものとして図示してある）に固定され、Ｘ、Ｙステージ３を介してＸ方向、Ｙ方向に往復移動するようにしてある。また、メインチャック１の昇降機構４は、Ｘ、Ｙステージ３に固定され、Ｘ、Ｙステージ３においてメインチャック１をＺ方向に移動させる。この昇降機構４は、例えば筒状の容器４Ａ内に設けられたモータ４Ｂと、モータ４Ｂで回転するボールネジ４Ｃと、ボールネジ４Ｃと螺合したナット部材（図示せず）とを有し、ボールネジ４Ｃ及びナット部材を介してメインチャック１が同図の矢印Ｚ方向に昇降し、ウエハＷとプローブ２Ａを接離させる。
【０００３】
また、ウエハチャック１には冷却手段（図示せず）が設けられ、冷却手段を用いてウエハチャック１を介してウエハＷを冷却するようにしてある。特に、発熱性の高いＩＣチップの場合には、ウエハチャックによる冷却だけではウエハを十分に冷却することができないため、ウエハとウエハチャックの間に熱伝導性に優れた冷却用気体（例えばヘリウムガス）を供給し、メインチャックによる冷却効果を高めた技術が提案されている（特開平７−２６３５２６号公報）。冷却用気体を供給すればメインチャック上のウエハの固定が不安定になるため、上記公報に記載の技術の場合にはウエハチャックに真空吸着手段を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に記載の技術の場合にはウエハの冷却効率を高めるためにウエハとウエハチャックの間にガスを供給するようにしてあるため、ウエハチャックによりウエハを真空吸着してもウエハの保持が安定しない。ウエハを確実に保持するためにウエハとウエハチャック間の真空度を高めると、熱伝導性ガスを供給する意義が失われる虞がある。更に云えば、図６で模式的に示すようにウエハＷ及びウエハチャック１の接触面はそれぞれ鏡面仕上げになってはいても微小な凹凸があってこれら両者間には細隙が形成されるため、この細隙における真空度が高くなれば冷却用気体を供給したとしても両者間の熱抵抗が増大する。
【０００５】
また一方で、現在のように集積回路が超微細化して電極パッドの数が増えそれぞれのピッチが狭くなるに伴ってプローブ２Ａの本数が増えるため、上記公報に記載の技術を用いたとしてもウエハチャック１上のウエハＷに対してプローブ２Ａから大きな針圧が掛かり、検査位置がウエハＷの周縁部の場合には針圧のために図５の一点鎖線で誇張して示すようにウエハチャック１が傾き、ウエハＷがウエハチャック１上を滑り、極端な場合にはプローブ２ＡがウエハＷの電極パッドから外れる虞がある。また、発熱性の高いＩＣチップを検査する場合には図７に模式的に示すようにプローブ２’Ａが傾斜したプローブカード２’を使うこともある。このようなプローブカード２’を使って検査を行うと、プローブ２’Ａからの針圧によりウエハＷに対して同図に矢印で示す方向の力が作用してウエハＷをウエハチャック（図示せず）上で滑らせる。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ウエハを確実に固定して位置ずれを防止することができ、しかも発熱性の高いＩＣチップを検査する場合であってもそのＩＣチップを効率良く冷却することができるウエハチャック及びウエハの検査方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載のウエハチャックは、半導体ウエハのインデックス送りを行いながら上記半導体ウエハに形成された複数の集積回路のプローブ検査を行うウエハチャックにおいて、上記ウエハチャックの載置面を複数の領域に分割し、これらの分割領域それぞれに溝を設けると共にこれらの溝においてそれぞれ開口する給排路を上記ウエハチャック内に設け、且つ、上記各給排路それぞれには熱伝導性に優れた流体の供給源と真空排気手段を互いに切り換え可能に接続し、上記プローブ検査を行う集積回路に対応する上記分割領域は、その溝及び給排路に上記供給源が接続されて上記流体が供給される流体供給領域になり、上記プローブ検査を行う集積回路に対応しない上記複数の分割領域は、それぞれの溝及び給排路に上記真空排気手段がそれぞれ接続されて上記半導体ウエハが真空吸着される吸着領域となることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の請求項２に記載のウエハチャックは、請求項１に記載の発明において、上記各溝を上記半導体ウエハのインデックス送り方向に沿って配列したことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項３に記載のウエハチャックは、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記各分割領域の溝の全てを環状溝として設けたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項４に記載のウエハチャックは、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記供給源と上記真空排気手段との切換手段としてソレノイドバルブを設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項５に記載のウエハチャックは、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記ウエハチャックに冷却手段を設けたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項６に記載の半導体ウエハの検査方法は、複数の集積回路が形成された半導体ウエハをウエハチャック上に載置し、上記半導体ウエハのインデックス送りをしながら上記集積回路のプローブ検査を行う方法において、上記ウエハチャックの載置面が複数の領域に分割され、これらの分割領域それぞれに溝が設けられていると共にこれらの溝においてそれぞれ開口する給排路が上記ウエハチャック内に設けられ、且つ、上記各給排路それぞれには熱伝導性に優れた流体の供給源と真空排気手段が互いに切り換え可能に接続されたウエハチャックを用い、上記プローブ検査中の集積回路の裏面に対応する上記分割領域ではこの分割領域の溝及び給排路に接続された上記供給源から熱伝導性に優れた流体を供給し、上記プローブ検査前後の集積回路の裏面に対応する上記分割領域ではこの分割領域の溝及び給排路に接続された上記真空排気手段により上記半導体ウエハを真空吸着することを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項７に記載の半導体ウエハの検査方法は、ものである。
【００１４】
また、本発明の請求項８に記載の半導体ウエハの検査方法は、請求項６または請求項７に記載の発明において、上記ウエハチャックを冷却することを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
図１は本発明のウエハチャック１０の一実施形態を示す平面図、図２は図１に示すウエハチャック１０にウエハを載置した状態のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。本実施形態のウエハチャック１０は例えば銅あるいは銅合金等の熱伝導性に優れた金属によって形成されている。このウエハチャック１０の載置面は図面上では上下方向に複数（同図では５つ）の領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅに分割されている。各分割領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅはそのインデックス送り方向に細長形状に形成され、ウエハチャック１０を介して各分割領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ内のウエハＷを矢印方向に複数回に渡ってインデックス送りを行う。また、ウエハチャック１０の上方にプローブカード（図示せず）が配置され、このプローブカードを介して各分割領域内のＩＣチップを複数個（例えば１６個あるいは３２個）ずつ同時にプローブ検査する。従って、検査時にはメインチャック１０を介して各分割領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅのそれぞれの領域ではウエハＷを複数回に渡ってインデックス送りして各分割領域のＩＣチップのプローブ検査を行う。上記各分割領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅの周囲にはそれぞれの領域の外周に沿った環状溝１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅが形成され、これらの環状溝を介して熱伝導性に優れた流体（例えばヘリウムガス）を供給し、あるいは真空吸着するようにしてある。ソレノイドバルブは所定のプログラムの下で作動する制御装置を介して駆動する。尚、図２において、環状溝１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ内の●印はヘリウムガスを供給していることを示し、○印は真空引きをしていることを示す。
【００１６】
上記ウエハチャック１０の内部には図１、図２に示すように給排路１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅが形成され、それぞれの一端が上記各環状溝１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅにおいて開口し、それぞれの他端がウエハチャック１０の側面において開口している。ウエハチャック１０の側面開口には配管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅを介してソレノイドバルブ１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅがそれぞれ接続されている。これらのソレノイドバルブ１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅは図１に示すように一体化しており、その一側面に供給配管１６Ａを介して熱伝導性に優れた流体の供給源であるガスボンベ（図示せず）が接続され、排気配管１６Ｂを介して真空ポンプ（図示せず）が接続されている。そして、ガスボンベと真空ポンプはソレノイドバルブを介して交互に切り換えられるようになっている。例えば環状溝１２Ａにヘリウムガスを供給する場合にはソレノイドバルブ１５Ａを介して配管１４Ａとガスボンベを接続し、環状溝１２Ａへ空気を排気する場合にはソレノイドバルブ１５Ａを介して配管１４Ａと真空ポンプを接続する。従って、各環状溝１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅは個別にそれぞれのソレノイドバルブを介してヘリウムガスを受給し、真空引きされる。
【００１７】
また、上記ウエハチャック１０内には例えば図２に示すように例えばエチレングリコール、水等の冷媒用の循環路１７が形成され、この循環路１７の両端はウエハチャック１０の側面において互いに隣接して開口している。循環路１７の開口には配管（図示せず）を介して熱交換器（図示せず）が接続され、熱交換器において冷却された冷媒がウエハチャック１０の循環路１７を循環するようにしてある。従って、ウエハチャック１０内で昇温した冷媒は熱交換器において元の温度まで冷却される。
【００１８】
次に、動作について説明する。図２に示すようにウエハチャック１０上にウエハＷを載置すると、ソレノイドバルブ１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅが作動して配管１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅがそれぞれ真空ポンプに連通し、ウエハＷで封止された環状溝１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅ内の空気を排気してウエハＷをウエハチャック１０上に真空吸着する。次いで、ウエハＷとプローブカードとのアライメントを行う。プローブ検査を行う時にはウエハチャック１０は循環路１７内を循環する冷媒によって冷却されている。
【００１９】
その後、ウエハチャック１０が移動し、最初に検査すべきＩＣチップ（例えば図１に示す分割領域１１Ａの左端側）がプローブカードの真下に位置すると、ウエハチャック１０が上昇し最初のＩＣチップとプローブカードのプローブとが電気的に接触する。この接触前にソレノイドバルブ１５Ａを介して配管１４Ａとガスボンベが連通し、配管１４Ａ、給排路１３Ａを介して環状溝１２Ａへヘリウムガスを供給する。これにより分割領域１１ＡとウエハＷの隙間にヘリウムガスが充満し、ヘリウムガスが熱媒体となって分割領域１１Ａと複数のＩＣチップ間の熱抵抗を下げ、この領域１１Ａにある最初の検査ＩＣチップが発熱してもウエハチャック１０を介して最初のＩＣチップを効率良く冷却することができる。この時、プローブの針圧によりウエハチャック１０が傾斜することがあってもウエハチャック１０の載置面の大部分を占める他の分割領域では環状溝１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅを介して真空引きされているためウエハＷがウエハチャック１０上で固定されウエハＷが位置ずれを起こすことはない。
【００２０】
最初の検査を終えると、ウエハチャック１０が下降した後、ウエハチャック１０が図１の矢印Ｘ方向へ移動して次の検査位置までウエハＷのインデックス送りを行い、引き続き上述したようにウエハチャック１０が上昇して次のＩＣチップとプローブカードのプローブとが電気的に接触し、次のＩＣチップのプローブ検査を行う。分割領域１１Ａに位置するＩＣチップのプローブ検査を行う時には全てのソレノイドバルブは最初のＩＣチップを検査する時の状態と同じある。
【００２１】
分割領域１１Ａ内のＩＣチップの検査を終えると、ウエハチャック１０が移動して分割領域１１Ａから次の分割領域１１Ｂへ移り、この分割領域１１ＢにあるＩＣチップを右側から左側へインデックス送りを繰り返しながらプローブ検査を行う。分割領域１１Ａから分割領域１１Ｂへ移行する際に、ソレノイドバルブ１５Ａ、１５Ｂが作動し、ソレノイドバルブ１５Ａを介して配管１４Ａをガスボンベ側から真空ポンプ側へ切り換えると共にソレノイドバルブ１５Ｂを介して配管１４Ｂを真空ポンプ側からガスボンベ側へ切り換える。これにより分割領域１１Ａの環状溝１２Ａでは真空引きが行われ、分割領域１１Ｂの環状溝１２Ｂではヘリウムガスの供給が行われる。この結果、分割領域１１Ｂとこの領域１１Ｂ内のＩＣチップとの熱抵抗が低下し、分割領域１１Ａでは他の分割領域１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅと同様に真空引きが行われウエハＷを真空吸着してウエハチャック１０の載置面に確実に固定する。分割領域１１Ｂ内のＩＣチップの検査を終えると、上述した要領でソレノイドバルブが作動し、各分割領域１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅの順序でヘリウムガスを供給しＩＣチップの検査を行うと共にその他の分割領域ではウエハＷの真空吸着を行う。
【００２２】
以上説明したように本実施形態によれば、冷却手段を有するウエハチャック１０の載置面を５つの領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅに分割し、これらの分割領域それぞれに環状溝１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅを設けると共にこれらの環状溝においてそれぞれ開口する給排路１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅをウエハチャック１０内に設け、しかも各給排路それぞれにヘリウムガスを供給するガスボンベ及び真空ポンプをソレノイドバルブ１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅを介して切り換え可能に接続し、この構成によりプローブとウエハの電極パッドが電気的に接触しているプローブ検査中のＩＣチップの裏面に向けてウエハチャック１０側からヘリウムガスを供給し、プローブ検査前後のＩＣチップの裏面ではウエハＷを真空吸着することができるため、プローブからの針圧によりウエハチャック１０が傾斜しあるいは傾斜したプローブを使用してもウエハＷをウエハチャック１０上に真空吸着してウエハＷの位置ずれを確実に防止することができ、しかも発熱性の高いＩＣチップを検査する場合であってもプローブ検査中のＩＣチップおけるウエハチャック１０との熱抵抗を下げて効率良く冷却し、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００２３】
図３は本発明の他の実施形態のウエハチャック２０を示す平面図である。本実施形態のウエハチャック２０は載置面の分割態様を異にする以外は上記実施形態に準じて構成されている。即ち、本実施形態ではウエハチャック２０の載置面を十文字に４分割され、各分割領域２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄにはそれぞれの分割領域と相似形の２つの環状溝２２Ａ、２２Ａ’、２２Ｂ、２２Ｂ’、２２Ｃ、２２Ｃ’、２２Ｄ、２２Ｄ’が設けられている。そして、各環状溝ではそれぞれの分割領域に設けられた給排路２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、２３Ｄが開口している。尚、開口部は○印で示してある。各給排路にはそれぞれ配管２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄを介して図示しないソレノイドバルブに接続されている。
【００２４】
従って、例えば分割領域２１ＡにあるウエハのＩＣチップのプローブ検査を行う時には分割領域２１Ａでは環状溝２２Ａ、２２Ａ’へヘリウムガスを供給してウエハと分割領域２１Ａ間の熱抵抗を下げ、他の分割領域２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄではそれぞれの環状溝から真空引きを行ってウエハを真空吸着すれば、プローブ検査中のＩＣチップを効率良く冷却することができると共にウエハをウエハチャック２０上に固定してウエハの位置ずれを確実に防止することができる。インデックス送りにより分割領域２１ＢにあるＩＣチップのプローブ検査を行う時には、分割領域２１Ｂではソレノイドバルブを介して真空ポンプからガスボンベに切り換えヘリウムガスを環状溝２２Ｂ、２２Ｂ’へ供給し、他の分割領域ではそれぞれの環状溝を介してウエハの真空吸着を行う。本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００２５】
また、図４は本発明の更に他の実施形態を示す図で、ウエハチャック３０自体は上記各実施形態のいずれかに準じて構成されている。本実施形態ではウエハチャック３０の他にプローブカード４０にも冷却手段及び熱抵抗低下手段が設けられている。即ち、プローブカード４０は、複数のプローブ４１と、これらのプローブ４１が設けられたプローブ基板４２と、このプローブ基板４２のプローブ側に設けられた絶縁性及び熱伝導性に優れた熱伝達媒体４３とを有している。熱伝達媒体４３はプローブ基板４２とウエハＷ間の空気層の熱抵抗を低下させる手段として設けられたもので、熱伝導性に優れた合成樹脂または熱伝導性に優れた無機粉粒体を添加した合成樹脂等によって形成されている。この熱伝達媒体４３は例えばシート状に形成され、プローブ基板４２全面、または複数箇所に所定間隔を空けて部分的に被覆され、矢印Ａ方向への熱移動を促進する。図４には熱伝達媒体４３で部分的に被覆されたプローブカード４０を用いてプローブ検査をしている状態を示してある。この場合、熱伝達媒体４３のない部分ではウエハＷとの間に隙間が形成され、この隙間に矢印Ｂで示すように冷却空気等の冷却用ガスを供給することでウエハＷの冷却効果を更に高めることができる。また、同図に示すようにプローブ基板４２内に循環路４２Ａを熱抵抗低下手段として設け、この循環路４２Ａに冷却媒体を循環させることでウエハＷの冷却効果をより一層高めることができる。熱伝達媒体４３、循環路４２Ａ及び冷却用ガスの供給はそれぞれ単独に、あるいはこれらを適宜組み合わせて使用することができる。
【００２６】
尚、上記各実施形態ではウエハチャックに環状溝を設ける場合について説明したが、環状溝以外の溝であっても良い。要は、プローブ検査中のＩＣチップ領域では熱伝導性流体を供給し、プローブ検査前後のＩＣチップ領域ではウエハを真空吸着できる溝であれば、特定の形状及び設置個数に制限されるものではない。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、検査時に発熱する集積回路を検査する場合であっても、検査時には、半導体ウエハの検査をしていない集積回路が形成された領域ではその全領域で半導体ウエハを真空吸着して半導体ウエハの位置ずれを確実に防止することができると共に、半導体ウエハの検査をしている集積回路が形成された領域では熱伝導性の流体を供給してこの領域にある集積回路を効率良く冷却することができるウエハチャック及びウエハの検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハチャックの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示すウエハチャックのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】本発明のウエハチャックの他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図４】本発明のウエハチャックの更に他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図５】従来のウエハチャックを用いてプローブ検査を行う時のウエハチャックの傾斜状態を示す説明図である。
【図６】ウエハチャックとウエハの接触状態を模式的に示す断面図である。
【図７】傾斜したプローブを有するプローブカードを用いてプローブ検査を行う時のプローブとウエハの関係を示す説明図である。
【符号の説明】
１０、２０、３０ウエハチャック
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ分割領域
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅ環状溝
１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ、１３Ｅ給排路
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ配管
１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅソレノイドバルブ（切換手段）
１７冷媒の循環路（冷却手段）

Claims

半導体ウエハのインデックス送りを行いながら上記半導体ウエハに形成された複数の集積回路のプローブ検査を行うウエハチャックにおいて、上記ウエハチャックの載置面を複数の領域に分割し、これらの分割領域それぞれに溝を設けると共にこれらの溝においてそれぞれ開口する給排路を上記ウエハチャック内に設け、且つ、上記各給排路それぞれには熱伝導性に優れた流体の供給源と真空排気手段を互いに切り換え可能に接続し、上記プローブ検査を行う集積回路に対応する上記分割領域は、その溝及び給排路に上記供給源が接続されて上記流体が供給される流体供給領域になり、上記プローブ検査を行う集積回路に対応しない上記複数の分割領域は、それぞれの溝及び給排路に上記真空排気手段がそれぞれ接続されて上記半導体ウエハが真空吸着される吸着領域となることを特徴とするウエハチャック。
上記各溝を上記半導体ウエハのインデックス送り方向に沿って配列したことを特徴とする請求項１に記載のウエハチャック。
上記各分割領域の溝の全てを環状溝として設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエハチャック。
上記供給源と上記真空排気手段との切換手段としてソレノイドバルブを設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のウエハチャック。
上記ウエハチャックに冷却手段を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のウエハチャック。
複数の集積回路が形成された半導体ウエハをウエハチャック上に載置し、上記半導体ウエハのインデックス送りをしながら上記集積回路のプローブ検査を行う方法において、上記ウエハチャックの載置面が複数の領域に分割され、これらの分割領域それぞれに溝が設けられていると共にこれらの溝においてそれぞれ開口する給排路が上記ウエハチャック内に設けられ、且つ、上記各給排路それぞれには熱伝導性に優れた流体の供給源と真空排気手段が互いに切り換え可能に接続されたウエハチャックを用い、上記プローブ検査中の集積回路の裏面に対応する上記分割領域ではこの分割領域の溝及び給排路に接続された上記供給源から熱伝導性に優れた流体を供給し、上記プローブ検査前後の集積回路の裏面に対応する上記分割領域ではこの分割領域の溝及び給排路に接続された上記真空排気手段により上記半導体ウエハを真空吸着することを特徴とする半導体ウエハの検査方法。
上記ウエハチャックを冷却することを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハの検査方法。
上記流体としてヘリウムガスを用いることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体ウエハの検査方法。