JP5278034B2 - 基板保持装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板保持装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プレート部材、及び壁に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。露光装置は、基板を保持する基板保持装置を有し、基板保持装置で保持された基板を露光する。液浸露光装置においては、基板とその基板のエッジ周囲に配置された部材との間のギャップに液体が浸入すると、様々な問題が発生する可能性がある。例えば、その浸入した液体が気化すると、液体の気化熱によって基板が熱変形したり、基板に液体の付着跡（ウォーターマーク）が形成されたりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。

欧州特許出願公開第１８６０６８４号明細書 米国特許公開第２００６／０１３９６１４号明細書 米国特許第７１９９８５８号明細書

上述したように、基板のエッジ周囲に形成されたギャップから液体が浸入すると、さまざまな問題を引き起こす可能性があり、そのギャップから液体の浸入を抑制するためのさらなる改良が求められている。

本発明の態様は、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できる基板保持装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できるプレート部材を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の上方に設けられた第１面と非平行な第２面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって伸び、第１面と第２面との境界部は、第１保持部に保持された基板の表面とほぼ同じ高さ、もしくは基板の表面より高い基板保持装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の上方に設けられた第２面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第１面が、第１面と第２面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延びる基板保持装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の上方に設けられた第２面と、第１面の下方に設けられた第３面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第３面は、第１面と第３面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第１保持部の保持面と垂直な軸と第２面とがなす角度は、軸と第３面とがなす角度より大きい基板保持装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の上方に設けられた第２面と、第１面の下方に設けられた第３面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第３面は、第１面と第３面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第１保持部の保持面と垂直な方向に関して、第３面は第１面より大きい基板保持装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１斜面部と、第１斜面部の上方に設けられた第２斜面部とを有し、第１斜面部は、第１保持部に保持された基板から離れるにつれて低くなり、第２斜面部は、第１保持部に保持された基板から離れるにつれて高くなり、第１保持部の保持面と垂直な方向に関して、第１斜面部は第２斜面部より大きい基板保持装置が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第１〜第５の態様の基板保持装置を備え、基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第６の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第１〜第５の態様の基板保持装置に基板を保持することと、基板保持装置に保持された基板に液体を介して露光光を照射することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、第８の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第１０の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面に隣接して設けられた第２面とを有し、第１面は、第１面と第２面との境界部から、表面と垂直な第１方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第２面は、第１面と第２面との境界部から、第１方向と逆向きの第２方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延びるプレート部材が提供される。

本発明の第１１の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の一側に隣接して設けられた第２面と、第１面の他側に隣接して設けられた第３面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から、表面と垂直な第１方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第３面は、第１面と第３面との境界部から、第１方向と逆向きの第２方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、表面と垂直な軸と第２面とがなす角度は、軸と第３面とがなす角度より大きいプレート部材が提供される。

本発明の第１２の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、第１面の一側に隣接して設けられた第２面と、第１面の他側に隣接して設けられた第３面とを有し、第２面は、第１面と第２面との境界部から、表面と垂直な第１方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第３面は、第１面と第３面との境界部から、第１方向と逆向きの第２方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第１及び第２方向と平行な方向に関して、第３面は第１面より大きいプレート部材が提供される。

本発明の第１３の態様に従えば、液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、基板に向かって下がる傾斜を有する第１斜面と、第１斜面の下端における角であって、基板に比較的近くかつ、前記基板の表面と実質的に同じ高さ位置又は前記基板の表面より高い位置に配置される角と、を備える壁が提供される。

本発明の第１４の態様に従えば、液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、基板に向かって下がる傾斜を有する第１傾斜部と、第１傾斜部の下に位置しかつ、基板に向かって上がる傾斜を有する第２傾斜部と、第１傾斜部の下端における角であって、基板に実質的に最も近くかつ、基板の表面に比較的近い高さ位置に配置される角と、を備える壁が提供される。

本発明の態様によれば、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できる。また本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る基板テーブル及び液浸部材の近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る基板テーブルを上方から見た平面図である。 第１実施形態に係るプレート部材の一部を拡大した側断面図である。 ギャップに浸入した液体の挙動を説明するための模式図である。 ギャップに浸入した液体の挙動を説明するための模式図である。 比較例に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。 比較例に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。 第１実施形態に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。 第２実施形態に係るプレート部材の一部を拡大した側断面図である。 第２実施形態に係るプレート部材の作用を説明するための模式図である。 第３実施形態に係るプレート部材の一部を拡大した側断面図である。 第４実施形態に係るプレート部材の一部を拡大した側断面図である。 第５実施形態に係るプレート部材の一部を拡大した側断面図である。 第６実施形態に係る基板テーブルの一例を示す側断面図である。 第７実施形態に係る基板テーブルの一例を示す側断面図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭＫを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｗを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクＭＫを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭＫのパターンの像を基板Ｗに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置３とを備えている。

マスクＭＫは、基板Ｗに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭＫは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭＫとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｗは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｗは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｗを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材４を備えている。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

本実施形態において、液浸空間ＬＳは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子５から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。終端光学素子５は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面６を有する。液浸空間ＬＳは、終端光学素子５とその終端光学素子５の射出面６と対向する位置に配置された物体との間の光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面６と対向する位置は、射出面６から射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。以下の説明において、終端光学素子５の射出面６と対向する位置を適宜、露光位置、と称する。

液浸部材４は、終端光学素子５の近傍に配置されている。液浸部材４は、下面７を有する。本実施形態において、射出面６と対向可能な物体は、下面７と対向可能である。物体の表面が露光位置に配置されたとき、下面７の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面６と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子５は、射出面６と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。また、下面７と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材４は、下面７と物体の表面との間に液体ＬＱを保持できる。一方側の射出面６及び下面７と他方側の物体の表面との間に保持される液体ＬＱによって、液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、射出面６及び下面７と対向可能な物体は、露光位置を含む所定面内を移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、及びその基板ステージ２に保持された基板Ｗの少なくとも一方を含む。本実施形態において、基板ステージ２は、ベース部材８のガイド面９上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面９は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ２は、基板Ｗを保持して、ガイド面９に沿って、露光位置を含むＸＹ平面内を移動可能である。

本実施形態においては、射出面６及び下面７と対向する位置に配置された基板Ｗの表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成され、その基板Ｗの表面と下面７との間に液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）が形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｗの露光時に、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｗ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する局所液浸方式を採用する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域に配置されたマスクＭＫの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭＫをリリース可能に保持するマスク保持部１０を有する。本実施形態において、マスク保持部１０は、マスクＭＫのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭＫを保持する。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動システムの作動により、マスクＭＫを保持してＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１０でマスクＭＫを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域に配置された基板Ｗの少なくとも一部に、マスクＭＫのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸とほぼ平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、ステージ本体１１と、ステージ本体１１上に配置され、基板Ｗを保持可能な基板テーブル１２とを有する。ステージ本体１１は、気体軸受によって、ガイド面９に非接触で支持されており、ガイド面９上をＸＹ方向に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｗを保持した状態で、終端光学素子５の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）において、射出面６及び下面７と対向する位置を含むガイド面９の所定領域内を移動可能である。

ステージ本体１１は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む粗動システムの作動により、ガイド面９上でＸＹ平面内を移動可能である。基板テーブル１２は、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む微動システムの作動により、ステージ本体１１に対してＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能である。基板テーブル１２は、粗動システム及び微動システムを含む基板ステージ駆動システムの作動により、基板Ｗを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

ＸＹ平面内におけるマスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報は、干渉計システム１３によって計測される。干渉計システム１３は、マスクステージ１に配置されている反射面１Ｒを用いて、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計１３Ａと、基板ステージ２に配置されている反射面２Ｒを用いて、ＸＹ平面内における基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計１３Ｂとを備えている。また、基板ステージ２に保持された基板Ｗの表面の位置情報は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。

基板Ｗの露光時、マスクステージ１の位置情報及び基板ステージ２の位置情報が干渉計システム１３で計測される。制御装置３は、干渉計システム１３の計測結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭＫの位置制御を実行する。また、制御装置３は、干渉計システム１３の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｗの位置制御を実行する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭＫと基板Ｗとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭＫのパターンの像を基板Ｗに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｗの露光時、制御装置３は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭＫ及び基板Ｗを、露光光ＥＬの光路（光軸ＡＸ）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｗの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭＫの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置３は、基板Ｗを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＷのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域に対してマスクＭＫをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｗ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｗに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｗは露光光ＥＬで露光され、マスクＭＫのパターンの像が基板Ｗに投影される。

次に、液浸部材４及び基板テーブル１２について、図２及び図３を参照して説明する。図２は、露光位置に配置された基板テーブル１２の近傍を示す側断面図、図３は、基板テーブル１２を上方から見た平面図である。

液浸部材４は、環状の部材である。液浸部材４は、終端光学素子５の周囲に配置されている。図２に示すように、液浸部材４は、射出面６と対向する位置に開口４Ｋを有する。液浸部材４は、液体ＬＱを供給可能な供給口１４と、液体ＬＱを回収可能な回収口１５とを備えている。

供給口１４は、液浸空間ＬＳを形成するために、液体ＬＱを供給可能である。供給口１４は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように液浸部材４の所定位置に配置されている。供給口１４は、流路１６を介して、液体供給装置１７と接続されている。液体供給装置１７は、清浄で温度調整された液体ＬＱを液浸部材４に送出可能である。流路１６は、液浸部材４の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置１７とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１７から送出された液体ＬＱは、流路１６を介して供給口１４に供給される。

回収口１５は、液浸部材４の下面７と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１５は、露光光ＥＬが通過する開口４Ｋの周囲に配置されている。回収口１５は、物体の表面と対向する液浸部材４の所定位置に配置されている。回収口１５には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１８が配置されている。なお、回収口１５に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材４の下面７の少なくとも一部は、多孔部材１８の下面を含む。回収口１５は、流路１９を介して、液体回収装置２０と接続されている。液体回収装置２０は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。流路１９は、液浸部材４の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２０とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１５から回収された液体ＬＱは、流路１９を介して、液体回収装置２０に回収される。

本実施形態においては、制御装置３は、供給口１４を用いる液体供給動作と並行して、回収口１５を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子５及び液浸部材４と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

基板テーブル１２は、開口（開口部）２１と、開口２１内で基板Ｗを保持するための上面２２を有する第１保持部２３とを備えている。第１保持部２３は、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂと対向し、基板Ｗの裏面Ｗｂを保持する。基板テーブル１２は、基材２４を有する。第１保持部２３は、基板Ｗの裏面Ｗｂと対向可能な基材２４の上面２５に設けられている。また、図３に示すように、第１保持部２３は、開口２１の中心Ｃが基板Ｗの中心とほぼ一致するように、基板Ｗを保持する。

本実施形態において、第１保持部２３は、所謂、ピンチャック機構を含み、基板Ｗをリリース可能に保持する。本実施形態において、第１保持部２３は、基材２４の上面２５に配置され、基板Ｗの裏面Ｗｂを支持する複数の第１支持部２６と、上面２５において第１支持部２６の周囲に配置され、基板Ｗの裏面Ｗｂと対向する環状の上面２７Ｔを有する第１リム部２７と、上面２５において第１リム部２７の内側に配置され、気体を吸引する第１吸引口２８とを含む。複数の第１支持部２６のそれぞれは、ピン状（凸状）である。

第１支持部２６のそれぞれは、基板Ｗの裏面Ｗｂを保持するための上面２６Ｔを有する。本実施形態において、上面２６Ｔのそれぞれは、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、上面２６Ｔのそれぞれは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。

本実施形態において、開口２１内で基板Ｗを保持するための上面２２は、複数の第１支持部２６の上面２６Ｔを含む。以下の説明において、開口２１内で基板Ｗを保持するための上面２２を適宜、第１保持面２２、と称する。第１保持面２２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

第１リム部２７は、基板Ｗの外形とほぼ同形状の環状に形成されている。第１リム部２７の上面２７Ｔは、基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁領域（エッジ領域）と対向する。第１吸引口２８は、第１リム部２７の内側の上面２５に複数設けられている。第１吸引口２８のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置（不図示）に接続されている。制御装置３は、吸引装置を用いて、基板Ｗの裏面Ｗｂと第１リム部２７と基材２４とで囲まれた第１空間の気体を第１吸引口２８を介して排気して、その第１空間を負圧にすることによって、基板Ｗを第１保持面２２で吸着保持する。また、第１吸引口２８に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第１保持部２３より基板Ｗをリリースすることができる。

また、本実施形態においては、基板テーブル１２は、第１保持部２３の周囲に第２保持部２９を備えている。第２保持部２９は、第１保持部２３の周囲でプレート部材Ｔを保持するための上面３４を有する。第２保持部２９は、プレート部材Ｔの裏面（下面）Ｔｂと対向し、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂを保持する。第２保持部２９は、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと対向可能な基材２４の上面２５に設けられている。

プレート部材Ｔは、基板Ｗを配置するための開口ＴＨを有する。プレート部材Ｔの表面Ｔａ及び裏面Ｔｂは、開口ＴＨの周囲に形成されている。第２保持部２９に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの周囲に配置される。

第２保持部２９は、所謂、ピンチャック機構を含み、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する。本実施形態において、第２保持部２９は、上面２５において第１リム部２７の周囲に配置され、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと対向する環状の上面３０Ｔを有する第２リム部３０と、上面２５において第２リム部３０の周囲に配置され、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと対向する環状の上面３１Ｔを有する第３リム部３１と、第２リム部３０と第３リム部３１との間の上面２５に配置され、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂを支持する複数の第２支持部３２と、第２リム部３０と第３リム部３１との間の上面２５に配置され、気体を吸引する第２吸引口３３とを含む。複数の第２支持部３２のそれぞれは、ピン状（凸状）である。

第２支持部３２のそれぞれは、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂを保持するための上面３２Ｔを有する。本実施形態において、上面３２Ｔのそれぞれは、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、上面３２Ｔのそれぞれは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。

本実施形態において、第１保持部２３の周囲でプレート部材Ｔを保持するための上面３４は、複数の第２支持部３２の上面３２Ｔを含む。以下の説明において、第１保持部２３の周囲でプレート部材Ｔを保持するための上面３４を適宜、第２保持面３４、と称する。第２保持面３４は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

第２リム部３０の上面３０Ｔは、開口ＴＨ近傍においてプレート部材Ｔの裏面Ｔｂの内縁領域（内側のエッジ領域）と対向する。第３リム部３１の上面３１Ｔは、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂの外縁領域（外側のエッジ領域）と対向する。第２吸引口３３は、第２リム部３０と第３リム部３１との間の上面２５に複数設けられている。第２吸引口３３のそれぞれは、真空システムを含む吸引装置（不図示）に接続されている。制御装置３は、吸引装置を用いて、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと第２リム部３０と第３リム部３１と基材２４とで囲まれた第２空間の気体を第２吸引口３３を介して排気して、その第２空間を負圧にすることによって、プレート部材Ｔを第２保持面３４で吸着保持する。また、第２吸引口３３に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第２保持部２９よりプレート部材Ｔをリリースすることができる。

本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、第１保持面２２と第２保持面３４とは、ほぼ同じ位置（高さ）に配置されている。

本実施形態においては、プレート部材Ｔを第２保持部２９で保持することによって、第１保持部２３の周囲に開口２１が設けられる。本実施形態において、開口２１は、プレート部材Ｔの開口ＴＨ側（内側）のエッジ部Ｅｇによって規定される。第１保持部２３は、第２保持部２９に保持されたプレート部材Ｔの開口２１（ＴＨ）内で基板Ｗを保持する。

本実施形態において、第１保持部２３は、基板Ｗの表面Ｗａが第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行となるように、基板Ｗを保持する。第２保持部２９は、プレート部材Ｔの表面Ｔａが第２保持面３４（ＸＹ平面）とほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。

基板Ｗの表面Ｗａ及びプレート部材Ｔの表面Ｔａは、射出面６及び下面７と対向可能である。本実施形態においては、プレート部材Ｔの表面Ｔａは、射出面６及び下面７と対向可能な基板ステージ２（基板テーブル１２）の上面を形成する。

また、本実施形態において、第１保持部２３は、基板Ｗの側面Ｗｃと、開口２１を規定する第２保持部２９に保持されたプレート部材Ｔのエッジ部ＥｇとがギャップＧを介して対向するように、基板Ｗを保持する。

図４は、第１保持部２３に保持された基板Ｗの側面Ｗｃ、及び第２保持部２９に保持されたプレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇの近傍（基板Ｗの近傍の壁、基板Ｗの側方の壁）を拡大した側断面図（ＹＺ断面図）である。以下、基板Ｗが第１保持部２３に保持され、プレート部材Ｔが第２保持部２９に保持されている状態について説明する。

開口２１を規定するプレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇは、第１面４１と、第１面４１に隣接して設けられた第２面４２とを有する。本実施形態において、第１面４１は、第１保持面２２（ＸＹ平面）に対してほぼ垂直である。第１面４１は、基板Ｗの厚み方向に沿った実質的縦面である。第２面４２は、第１面４１の境界部Ｊから、上（＋Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第２面４２は、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊから開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。あるいは、第２面（第１斜面）４２は、基板Ｗに向かって下がる傾斜を有する。本実施形態において、第１面４１と第２面４２とは、非平行である。なお、開口２１はほぼ円形であり、開口２１の中心Ｃは円の中心である。また、本実施形態においては、境界部Ｊは、第１面４１と第２面４２とが接続される角部（角（コーナー））であり、第１面４１の上端、および第２面４２の下端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊが丸みを帯びていても（丸角）よい。

また、本実施形態において、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さ、もしくは基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置される。本実施形態においては、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊが、基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さに配置される場合を例にして説明する。なお、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊが、基板Ｗの表面Ｗａより僅かに高い位置、すなわち、基板Ｗの表面Ｗａに対して僅かに＋Ｚ側に配置されてもよい。

また、本実施形態においては、プレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇは、第１面４１の下方（−Ｚ側）に形成され、第１面４１と非平行な第３面４３を有する。第３面４３は、第１面４１に隣接して設けられている。第３面４３は、第１面４１と第３面４３の境界部Ｋから、下（−Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に延びるように配置されている。すなわち、第３面４３は、第１面４１と第３面４３の境界部Ｋから開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。あるいは、第３面（第２斜面）４３は、基板Ｗに向かって上がる傾斜を有する。なお、本実施形態においては、境界部Ｋは、第１面４１と第３面４３とが接続される角部であり、第１面４１の下端、および第３面４３の上端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１と第３面４３との境界部Ｋが丸みを帯びていてもよい。

プレート部材Ｔの表面Ｔａは、第２面４２に隣接して設けられ、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、表面Ｔａは、第２面４２と表面Ｔａとの境界部から開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。プレート部材Ｔの表面Ｔａは、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。以下の説明において、プレート部材Ｔの表面Ｔａを適宜、第４面４４、と称する。第４面４４は、基板Ｗの厚み方向と直交する方向に沿った実質的横面である。なお、本実施形態においては、第２面４２と第４面４４との境界部は、第２面４２と第４面４４とが接続される角部であり、第２面４２の上端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第２面４２と第４面４４との境界部が丸みを帯びていてもよい。

プレート部材Ｔの裏面Ｔｂは、第３面４３に隣接して設けられ、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、裏面Ｔｂは、第３面４３と裏面Ｔｂとの境界部から開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。プレート部材Ｔの裏面Ｔｂは、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。以下の説明において、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂを適宜、第５面４５、と称する。なお、本実施形態においては、第３面４３と第５面４５との境界部は、第３面４３と第５面４５とが接続される角部であり、第３面４３の下端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第３面４３と第５面４５との境界部が丸みを帯びていてもよい。

本実施形態においては、第２保持部２９に保持されたプレート部材Ｔの第４面４４及び第２面４２の少なくとも一部が、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａに対して、上側（＋Ｚ側）に配置される。

本実施形態において、プレート部材Ｔの第４面４４と第５面４５とはほぼ平行である。本実施形態において、プレート部材Ｔの第４面４４と第５面４５との距離（プレート部材Ｔの厚み）Ｄ１は、基板Ｗの表面Ｗａと裏面Ｗｂとの距離（基板Ｗの厚み）Ｄ２より大きい。本実施形態において、基板Ｗの厚みＤ２は、約０．７７５ｍｍである。

プレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの側面Ｗｃに沿うように設けられている（エッジ部Ｅｇが基板Ｗの側面に実質的平行である）。したがって、第１面４１、第２面４２、第３面４３が第１保持部２３に保持された基板Ｗの側面Ｗｃに沿うように設けられる。第１保持部２３は、基板Ｗの側面Ｗｃとプレート部材Ｔの第１面４１とがギャップＧを介して対向するように、基板Ｗを保持する。本実施形態において、ギャップＧの大きさｄは、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。

本実施形態において、第２面４２は、面取り処理によって形成される。また、本実施形態においては、第３面４３も、面取り処理によって形成される。本実施形態において、面取り処理の面取り角度は、ほぼ４５度である。金属等の材料から加工される各種の部材は、加工の際にエッジ部が面取り処理されることが多い。本実施形態においては、基板Ｗの周囲に配置されるプレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇが面取り処理されており、これにより、第２面４２及び第３面４３が形成されている。面取り処理することによって、エッジ部Ｅｇにおけるバリの発生、異物の発生が抑制される。

本実施形態において、第１面４１は、液体ＬＱに対して撥液性である。また、第２面４２も、液体ＬＱに対して撥液性である。また、第３面４３も、液体ＬＱに対して撥液性である。また、第４面４４も、液体ＬＱに対して撥液性である。また、第５面４５も、液体ＬＱに対して撥液性である。

本実施形態においては、プレート部材Ｔは、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。本実施形態において、プレート部材Ｔの第１〜第５面４１〜４５は、撥液性材料の膜の表面を含む。撥液性材料としては、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、テフロン（登録商標）等が挙げられる。これにより、第１〜第５面４１〜４５のそれぞれが、液体ＬＱに対して撥液性となる。液体ＬＱに対する第１〜第５面４１〜４５の接触角は、例えば９０度以上である。本実施形態においては、プレート部材Ｔの基材は、ステンレス（ＳＵＳ３１６）であり、膜を形成する撥液性材料は、ＰＦＡである。本実施形態においては、液体ＬＱに対する第１〜第５面４１〜４５の接触角は、約１１０度である。なお、プレート部材Ｔ自体が撥液性材料で形成されてもよい。

基板Ｗの表面Ｗａと裏面Ｗｂとはほぼ平行である。基板Ｗの側面Ｗｃは、基板Ｗの表面Ｗａとほぼ垂直な垂直領域５１と、垂直領域５１の上端と基板Ｗの表面Ｗａとを結ぶ上方領域５２と、垂直領域５１の下端と基板Ｗの裏面Ｗｂとを結ぶ下方領域５３とを含む。本実施形態において、基板Ｗの側面Ｗｃの上方領域５２及び下方領域５３の断面は、曲面を含む。垂直領域５１の断面は、平面である。

上述のように、本実施形態において、第１保持部２３は、基板Ｗの表面Ｗａが第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行となるように、基板Ｗを保持する。したがって、第１保持部２３に保持された基板Ｗの垂直領域Ｗｃは、ＸＹ平面とほぼ垂直である。

本実施形態において、Ｚ軸方向に関する上方領域５２の大きさＤ４、及び下方領域５３の大きさＤ５は、それぞれ約０．２５ｍｍである。上方領域５２の大きさＤ４は、Ｚ軸方向に関する基板Ｗの表面Ｗａと上方領域５２の下端との距離である。下方領域５３の大きさＤ５は、Ｚ軸方向に関する基板Ｗの裏面Ｗｂと下方領域５３の上端との距離である。本実施形態においては、基板Ｗの厚みＤ２は、約０．７７５ｍｍであり、上方領域５２の大きさＤ４及び下方領域５３の大きさＤ５は、それぞれ約０．２５ｍｍなので、Ｚ軸方向に関する垂直領域５１の大きさＤ３は、約０．２７５ｍｍである。

本実施形態において、基板Ｗは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材６１と、基材６１上に形成されたＨＭＤＳ膜６２と、ＨＭＤＳ膜６２上に形成された感光膜と、感光膜を覆う保護膜（トップコート膜）６３とを含む。ＨＭＤＳ膜６２は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜である。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。なお、図４には、感光膜は図示されていない。保護膜６３は、感光膜を液体ＬＱから保護する機能を有する膜である。保護膜６３は、液体ＬＱに対して撥液性である。

保護膜６３は、液体ＬＱに対して撥液性の撥液領域５５を形成する。本実施形態において、保護膜６３は、基板Ｗの表面Ｗａ、及び側面Ｗｃの一部を形成する。したがって、本実施形態において、基板Ｗの表面Ｗａ、及び側面Ｗｃの一部は、液体ＬＱに対して撥液性の撥液領域５５である。

本実施形態において、側面Ｗｃの撥液領域５５は、側面Ｗｃの上方領域５２を含む。本実施形態において、Ｚ軸方向に関する保護膜６３の上端と下端との距離（撥液領域５５の上端と下端との距離）Ｄ６は、約０．２ｍｍである。

本実施形態において、基板Ｗの裏面Ｗｂ、及び基板Ｗの側面Ｗｃの一部は、保護膜６３が形成されていない領域５６を含む。本実施形態においては、保護膜６３が形成されていない領域５６は、ＨＭＤＳ膜６２で形成されている。本実施形態においては、ＨＭＤＳ膜６２は、側面Ｗｃの上方領域５２の一部、垂直領域５１、及び下方領域５３と、裏面Ｗｂとを形成する。以下の説明において、ＨＭＤＳ膜６２で形成された、撥液領域５５以外の領域５６を適宜、非撥液領域５６、と称する。したがって、本実施形態においては、側面Ｗｃの非撥液領域５６は、上方領域５２の一部、垂直領域５１、及び下方領域５３を含む。

本実施形態において、液体ＬＱに対する撥液領域５５の接触角は、例えば９０度以上である。本実施形態において、撥液領域５５を形成する保護膜６３として、東京応化工業株式会社製ＴＣＸ０９１（商品名）が用いられ、液体ＬＱに対する撥液領域５５（保護膜６３）の接触角は、約９４度である。また、液体ＬＱに対する非撥液領域５６（ＨＭＤＳ膜６２）の接触角は、約６０度である。なお、本実施形態においては、ＨＭＤＳ膜６２によって非撥液領域５６が形成されているが、ＨＭＤＳ膜６２の下地表面においては液体ＬＱの接触角は２０度以下である。したがって、ＨＭＤＳ膜６２の下地表面に比べれば、ＨＭＤＳ膜６２は撥液性と言うこともできる。

基板Ｗは、基材６１上にＨＭＤＳ膜６２を形成する処理と、そのＨＭＤＳ膜６２上に、例えばスピンコーティング法により感光膜を形成する処理と、その感光膜上に、例えばスピンコーティング法により保護膜６３を形成する処理と、基板Ｗの側面Ｗｃに形成された感光膜及び保護膜６３の少なくとも一部を除去するエッジリンス処理とを含む処理によって形成される。エッジリンス処理により、基板Ｗの側面Ｗｃの一部に非撥液領域５６が形成される。側面Ｗｃにおいて保護膜６３が存在する部分が多いと、例えば基板Ｗを搬送する搬送装置、基板Ｗを保管する収容装置等が汚染する可能性が高くなる。エッジリンス処理して、側面Ｗｃにおいて保護膜６３が存在する部分を少なくし、側面Ｗｃに非撥液領域５６を設けることにより、例えば基板Ｗを搬送する搬送装置、基板Ｗを保管する収容装置等の汚染を抑制することができる。

本実施形態においては、プレート部材Ｔの第１面４１の少なくとも一部が、基板Ｗの側面Ｗｃの撥液領域５５と対向するように配置される。本実施形態において、第１面４１は、保護膜６３が形成された撥液領域５５、及び保護膜６３が除去された非撥液領域５６の両方と対向する。換言すれば、第１面４１は、保護膜６３とＨＭＤＳ膜６２との境界と対向する。

本実施形態においては、図２に示すように、供給口１４からの液体ＬＱで形成された液浸空間ＬＳが、基板Ｗの表面Ｗａとプレート部材Ｔの表面Ｔａとに跨って形成される場合がある。すなわち、ギャップＧ上に液浸空間ＬＳが形成される場合がある。本実施形態によれば、ギャップＧを介して基板Ｗの裏面Ｗｂ側の空間に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。本発明者は、以下に説明する解析を行った結果、第１面４１と第２面４２との境界部Ｊを基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さ、もしくは基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置することによって、液体ＬＱの浸入を抑制できることを見出した。

図５Ａ及び図５Ｂは、第１部材の表面１０１と第２部材の表面１０２との間のギャップＧａに浸入した液体ＬＱの一般的な挙動を示す模式図である。ここで、以下の説明において、液体ＬＱに対する表面１０１の接触角をθ_１、液体ＬＱに対する表面１０２の接触角をθ_２、液体ＬＱの表面張力をγ、ギャップＧａの大きさをｄ、とする。

表面１０１、１０２間のギャップＧａに浸入した液体ＬＱの内部圧力Ｐ、及びギャップＧａにおける液体ＬＱの界面の曲率半径Ｒについて、一般に、以下の式が成り立つ。

なお、（１）式では、重力の作用を無視している。（１）式に示すように、液体ＬＱの界面の曲率半径Ｒは、表面１０１、１０２の条件に応じて変化する。表面１０１、１０２の条件は、接触角θ_１、θ_２、及び大きさｄを含む。また、内部圧力Ｐは、曲率半径Ｒに応じて変化する。

図５Ａ及び５Ｂは、表面１０１及び表面１０２のそれぞれがＺ軸と平行であり、接触角θ_１と接触角θ_２とが等しい場合を示す。また、図５Ａに示す表面１０１、１０２の接触角θ_１、θ_２のほうが、図５Ｂに示す表面１０１、１０２の接触角θ_１、θ_２より大きい。

図５Ａに示すように、ギャップＧａにおける液体ＬＱの界面の形状が、−Ｚ方向に凸状（凸面を下に向けた凸状）になると、液体ＬＱの表面張力により、＋Ｚ方向に向く内部圧力Ｐが発生する。この場合、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動が抑制され、ギャップＧａに対する液体ＬＱの浸入が抑制される。一方、図５Ｂに示すように、ギャップＧａにおける液体ＬＱの界面の形状が、＋Ｚ方向に凸状（凹面を下に向けた凹状）になると、毛細管現象により、−Ｚ方向に向く内部圧力Ｐが発生する。この場合、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動が促進され、ギャップＧａに対する液体ＬＱの浸入が促進される。

ここで、以下の説明において、ギャップＧａにおける液体ＬＱの界面が、−Ｚ方向に凸状である状態を適宜、抑制状態、と称し、＋Ｚ方向に凸状である状態を適宜、非抑制状態、と称する。したがって、液体ＬＱの界面が抑制状態では、液体ＬＱの浸入が抑制され、非抑制状態では、液体ＬＱの浸入が促進される。

このように、表面１０１、１０２間のギャップＧａに液体ＬＱの界面が形成される場合において、その界面が位置する表面１０１、１０２の条件に応じて、界面の形状（曲率半径）が変化する。換言すれば、表面１０１と表面１０２との間に液体ＬＱの界面が形成される場合において、表面１０１、１０２の条件が、液体ＬＱの内部圧力Ｐの向き、すなわち液体ＬＱの浸入が抑制されるか否かを決定する。

液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができる条件を有する表面１０１、１０２は、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

以下の説明においては、液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができ、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動を抑止できる表面１０１、１０２上の所定位置Ａ、Ｂを適宜、抑止位置Ａ、Ｂ、と称する。例えば図５Ａに示すように、液体ＬＱの界面が、表面１０１、１０２上の抑止位置Ａ、Ｂに位置する場合、抑制状態となり、−Ｚ方向への移動が抑止され、液体ＬＱの浸入が抑制される。

なお、（１）式は、図５Ａ及び５Ｂに示すように、表面１０１，１０２がＺ軸と平行な場合に適用されるものであり、表面１０１，１０２の少なくとも一方がＺ軸に対して傾斜している場合には、接触角θ_１、θ_２の少なくとも一方に対して、その傾斜角を増減する必要がある。

図６は、第１の比較例に係るプレート部材Ｔｒ１のエッジ部Ｅｇｒと基板Ｗの側面Ｗｃとの間のギャップＧａに形成される液体ＬＱの界面の形状を説明するための図である。図６に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。図６に示すプレート部材Ｔｒ１は、図４等に示したような本実施形態に係るプレート部材Ｔに比べて、第２面（４２）及び第３面（４３）が存在しない。すなわち、第１比較例に係るプレート部材Ｔｒ１は、面取り処理されていない。また、プレート部材Ｔｒ１の表面Ｔａと基板Ｗの表面Ｗａとは、ほぼ同じ高さである。また、プレート部材Ｔｒ１の厚みと、基板Ｗの厚みとは、ほぼ同じである。したがって、基板Ｗの撥液領域５５と対向する位置には、プレート部材Ｔｒ１の第１面４１ｒがＺ軸とほぼ平行に設けられている。なお、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔｒ１の第１面４１ｒの接触角は、約１１０度である。

図６に示すようなモデルにおいて、図５Ａ及び５Ｂの解析と同様にして、第１面４１ｒと側面Ｗｃとの間のＺ軸方向に関する各位置における液体ＬＱの界面の形状を解析した。図６中、抑制状態の液体ＬＱの界面をライン（実線）Ｌ１で示し、非抑制状態の液体ＬＱの界面をライン（二点鎖線）Ｌ２で示す。

図６中、ラインＬ２ａで示すように、液体ＬＱの界面が、第１面４１ｒ上の位置Ｃ１と、撥液領域５５で上方領域５２上の位置Ｄ１との間に形成される場合であっても、非抑制状態となる。すなわち、液体ＬＱの界面が、側面Ｗｃの撥液領域５５に位置する場合でも、位置Ｄ１における側面ＷｃのＺ軸に対する傾斜角が大きいため、非抑制状態となる。

図６中、ラインＬ１ａで示すように、液体ＬＱの界面が、第１面４１ｒ上の抑止位置Ａ１と、撥液領域５５で上方領域５２上の抑止位置Ｂ１との間に形成されることによって、抑制状態となる。すなわち、位置Ｂ１における側面ＷｃのＺ軸に対する傾斜角が比較的小さいため、液体ＬＱの界面は、抑制状態となる。したがって、液体ＬＱの界面の、−Ｚ方向への移動を抑止される。

図６中、ラインＬ２ｂで示すように、液体ＬＱの界面が、第１面４１ｒ上の位置Ｃ２と、非撥液領域５６で垂直領域５１上の位置Ｄ２との間に形成される場合、液体ＬＱの界面は非抑制状態となる。すなわち、液体ＬＱの界面が、側面Ｗｃの垂直領域５１に位置する場合でも、その側面Ｗｃの液体ＬＱに対する接触角が大きくないため、非抑制状態となる。

図６中、ラインＬ１ｂで示すように、液体ＬＱの界面が、第１面４１ｒ上の抑止位置Ａ２と、非撥液領域５６で下方領域５３上の抑止位置Ｂ２との間に形成されることによって、抑制状態となる。すなわち、側面Ｗｃにおける液体ＬＱの接触角が大きくなくても、抑止位置Ｂ２における側面Ｗｃの傾斜によって、液体ＬＱの界面は、抑制状態となる。液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動を抑止される。

このように、図６に示すモデルにおいては、第１面４１ｒ及び側面Ｗｃの上部において、側面Ｗｃの撥液領域５５と対向して第１面４１ｒがＺ軸とほぼ平行に設けられているため、側面Ｗｃの撥液領域５５と第１面４１ｒとの間に形成される液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができ、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。しかしながら、図６に示すモデルは、第１面４１ｒの上部に液体ＬＱの浸入を抑止できる抑止位置Ａ（Ａ１）が存在するものの、プレート部材Ｔｒ１の面取り処理が行われていないモデルである。

図７は、第２の比較例に係るプレート部材Ｔｒ２のエッジ部Ｅｇｒと、基板Ｗの側面Ｗｃとの間のギャップＧａに形成される液体ＬＱの界面の形状を説明するための図である。図７に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。図７に示すプレート部材Ｔｒ２は、図６に示したプレート部材Ｔｒ１を面取り処理し、第２面４２ｒを形成したものである。

図７に示すモデルでは、第２面４２ｒが形成されているので、図６のプレート部材Ｔｒ１と異なり、プレート部材Ｔｒ２には、側面Ｗｃの抑止位置Ｂ１に対応する抑止位置Ａ１が存在しない。すなわち、図７のモデルにおいては、第２面４２ｒが形成されているため、側面Ｗｃの撥液領域５５と第１面４１ｒとの間、および側面Ｗｃの撥液領域５５と第２面４２ｒとの間のいずれにおいても、液体ＬＱの界面を抑制状態で形成することができない。したがって、プレート部材Ｔｒ２の上部と側面Ｗｃとの間において、液体ＬＱの浸入をくい止めることができず、液体ＬＱの界面は、−Ｚ方向に移動しやすくなる。

図６のモデルと同様に、図７において、ラインＬ１ｂで示すように、液体ＬＱの界面が、第１面４１ｒ上の抑止位置Ａ２と、非撥液領域５６で下方領域５３上の抑止位置Ｂ２との間に形成されることによって、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動を抑制できるが、この位置まで液体ＬＱが浸入してしまった場合、液体ＬＱが基板Ｗの裏面Ｗｂ側の空間に浸入してしまう可能性が高くなる。

図７に示すモデルにおいて、第１面４１ｒ及び側面Ｗｃの上部において液体ＬＱの浸入をくい止めるために、例えば基板Ｗの垂直領域５１の一部にも保護膜６３を形成して、撥液領域５５を拡大することが考えられる。すなわち、第１面４１ｒの上部と対向する垂直領域５１の上部も撥液領域５５にすることも考えられる。しかしながら、上述したように、基板Ｗの側面Ｗｃの垂直領域５１に保護膜６３を形成すると、基板Ｗを搬送する搬送装置、基板Ｗを保管する収容装置等が汚染する可能性が高くなる。

また、図７に示すモデルにおいて、液体ＬＱに対する接触角が非常に高い保護膜６３を用いることによって、第１面４１ｒ及び側面Ｗｃの上部において液体ＬＱの浸入をくい止めることができる可能性がある。しかしながら、保護膜６３として使用する材料の選択の幅が狭くなる等の問題が生じる可能性がある。

また、プレート部材Ｔｒ２の面取り量を少なくして、第１面４１ｒの上部に抑止位置Ａを存在させることも考えられるが、面取り量を高精度に制御することは困難であり、製造コストの増大を招く。

図８は、本実施形態に係るプレート部材Ｔのエッジ部Ｅｇと基板Ｗの側面Ｗｃとの間のギャップＧに形成される液体ＬＱの界面の形状を説明するための図である。図８は、エッジ部Ｅｇと側面Ｗｃとの間のＺ軸方向に関する各位置における液体ＬＱの界面の形状を解析した結果を示す。図８中、抑制状態の液体ＬＱの界面をライン（実線）Ｌ１で示し、非抑制状態の液体ＬＱの界面をライン（二点鎖線）Ｌ２で示す。

図８に示すように、本実施形態においては、第１面４１と第２面４２との境界Ｊが、基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さ、もしくは基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置されているので、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。すなわち、図８中、ラインＬ１ａで示すように、第１面４１上の抑止位置Ａ１と、撥液領域５５で上方領域５２上の抑止位置Ｂ１との間に形成される液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができる。すなわち、側面Ｗｃの撥液領域５５と第１面４１との間に形成される液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができる。

このように、本実施形態においては、第１面４１の上部に抑止位置Ａ１が存在し、側面Ｗｃの上部に抑止位置Ｂ２が存在することとなる。したがって、第１面４１及び側面Ｗｃの上部において、液体ＬＱの界面の−Ｚ方向への移動を抑制することができる。したがって、ギャップＧからの液体ＬＱの浸入を抑制することができ、液体ＬＱが基板Ｗの裏面Ｗｂ側に回り込んだり、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したりすることを抑制することができる。また、液体ＬＱがプレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側に回り込んだり、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂに付着したりすることを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｗの周囲の少なくとも一部に形成されたギャップからの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。したがって、液体ＬＱが基板Ｗの裏面Ｗｂ側の空間に浸入したり、その液体ＬＱが基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したりすることを抑制することができる。本実施形態によれば、基板Ｗの側面Ｗｃにおいて保護膜６３が存在する部分を少なくしても、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。換言すれば、基板Ｗの側面Ｗｃが、撥液性の保護膜６３が除去された非撥液領域５６を含む場合でも、液体ＬＱの浸入を抑制できる。したがって、保護膜６３に起因する搬送装置、収容装置等、露光装置ＥＸ内の各部材、機器、あるいはコータ・デベロッパ装置、エッチング装置等の外部装置（周辺装置）の汚染を抑制できる。また、したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。

なお、プレート部材Ｔの厚さは、基板Ｗの厚さとほぼ同じであってもよいし、基板Ｗより薄くてもよい。この場合も、第１面４１と第２面４２の境界部Ｊが基板Ｗの表面とほぼ同じ高さ、あるいは基板Ｗの表面よりも高くなるように、第２保持部２９の第２保持面３４の高さを第１保持部２３の第１保持面２２のより高くすればよい。

なお、本実施形態においては、第１面４１、第２面４２、第３面４３は、図８に示すように、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図９、図１０を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図９，１０に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。

図９は、第２実施形態に係るプレート部材Ｔ２のエッジ部Ｅｇの近傍を示す側断面図（ＹＺ断面図）である。図９は、プレート部材Ｔ２が第２保持部２９に保持され、基板Ｗが第１保持部２３に保持されている状態を示す。上述の実施形態と同様、第１保持部２３の第１保持面２２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

図９において、プレート部材Ｔ２のエッジ部Ｅｇ（基板Ｗの近傍壁）は、第１面４１ｂ（第１斜面部）と、第１面４１ｂに隣接して設けられた第２面４２ｂ（第２斜面部）とを有する。第１面４１ｂと第２面４２ｂとは非平行である。

第２面４２ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌから、上（＋Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第２面４２ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂの境界部Ｌから開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。あるいは、第２面４２ｂは、基板Ｗに向かって下がる傾斜を有する。また、第１面４１ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂの境界部Ｌから、下（−Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第１面４１ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌから開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。あるいは、第１面４１ｂは、基板Ｗに向かって上がる傾斜を有する。また、本実施形態においては、境界部Ｌは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとが接続される角部（角（コーナー））であり、第１面４１ｂの上端、および第２面４２ｂの下端を含む。第１面４１ｂと第２面４２ｂとが境界部Ｌ（角）で交わる。本実施形態において、境界部Ｌは、基板Ｗに実質的に最も近く、また、基板Ｗの表面Ｗａに比較的近い高さ位置に配置される。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌが丸みを帯びていても（丸角）よい。

プレート部材Ｔ２のエッジ部Ｅｇは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの側面Ｗｃに沿うように設けられている（エッジ部Ｅｇが基板Ｗの側面に実質的平行である）。すなわち、本実施形態においては、第１保持部２３に保持された基板Ｗの周囲に第１面４１ｂと第２面４２ｂとが配置される。本実施形態において、第１保持部２３は、基板Ｗの側面Ｗｃとプレート部材Ｔ２の第１面４１ｂ（第２面４２ｂ）とがギャップＧを介して対向するように、基板Ｗを保持する。

本実施形態において、Ｚ軸と第２面４２ｂとがなす角度θ_Ａは、Ｚ軸と第１面４１ｂとがなす角度θ_Ｂより大きい。また、本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、第１面４１ｂは、第２面４２ｂより大きい。Ｚ軸方向における第２面４２ｂの大きさは、Ｚ軸方向における境界部Ｌとプレート部材Ｔ２の表面Ｔａ（第４面４４ｂ）との距離Ｄ７である。また、Ｚ軸方向における第１面４１ｂの大きさは、Ｚ軸方向における境界部Ｌとプレート部材Ｔ２の裏面Ｔｂ（第５面４５ｂ）との距離Ｄ８である。距離Ｄ８は距離Ｄ７より大きい。また、本実施形態において、第１面４１ｂと第２面４２ｂとがなす角度θ_Ｃは、９０度以上である。Ｚ軸と第１面４１ｂとがなす角度θ_Ｂが、Ｚ軸と第２面４２ｂとがなす角度θ_Ａと同じであってもよいし、角度θ_Ａより大きくてもよい。

プレート部材Ｔ２は、第２面４２ｂに隣接して設けられた第４面４４ｂを有する。第４面４４ｂは、第２面４２ｂと第４面４４ｂとの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。すなわち、第４面４４ｂは、第２面４２ｂと第４面との境界部から開口２１の中心Ｃから離れるように延びる。第４面４４ｂは、プレート部材Ｔ２の表面Ｔａであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第２面４２ｂと第４面４４ｂとの境界部は、第２面４２ｂと第４面４４ｂとが接続される角部であり、第２面４２ｂの上端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第２面４２ｂと第４面４４ｂとの境界部が丸みを帯びていてもよい。

また、プレート部材Ｔ２は、第１面４１ｂに隣接して設けられた第５面４５ｂを有する。第５面４５ｂは、第１面４１ｂと第５面４５ｂの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。すなわち、第５面４５ｂは、第１面４１ｂと第５面４５ｂとの境界部から開口２１の中心Ｃから離れるように延びる。第５面４５ｂは、プレート部材Ｔ２の裏面Ｔｂであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第１面４１ｂと第５面４５ｂとの境界部は、第１面４１ｂと第５面４５ｂとが接続される角部であり、第１面４１ｂの下端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｂと第５面４５ｂとの境界部が丸みを帯びていてもよい。

また、本実施形態においては、第４面４４ｂは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さに配置されている。また、プレート部材Ｔ２は、基板Ｗとほぼ同じ厚さである。

このように、本実施形態においては、エッジ部Ｅｇの第１面４１ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌから、第４面４４ｂと垂直な−Ｚ方向に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。第２面４２ｂは、境界部Ｌから、＋Ｚ方向に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。

本実施形態において、第１面４１ｂ、第２面４２ｂ、第４面４４ｂ、及び第５面４５ｂのそれぞれは、液体ＬＱに対して撥液性である。

本実施形態においては、境界部Ｌは、基板Ｗの側面Ｗｃの撥液領域５５と対向するように配置される。したがって、本実施形態においては、第１面４１ｂの一部が、保護膜６３で形成される撥液領域５５と対向する。また、第２面４２ｂのほぼ全域が、側面Ｗｃの撥液領域５５と対向する。なお、第１面４１ｂが撥液領域５５と対向していなくてもよい。すなわち、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌが非撥液領域５６の垂直領域５１と対向してもよい。

本実施形態において、第２面４２ｂ（第１傾斜部）、第１面４１ｂ（第２傾斜部）、及び境界部Ｌ（角）は、基板Ｗに向かって実質的に突き出た、基板Ｗの厚み方向に沿った輪郭を形成する。この輪郭は、基板Ｗの厚み方向と直交する軸に関して実質的に非対称である。

図１０は、本実施形態に係るプレート部材Ｔ２のエッジ部Ｅｇと基板Ｗの側面Ｗｃとの間のギャップＧに形成される液体ＬＱの界面の形状を説明するための図である。図１０は、エッジ部Ｅｇと側面Ｗｃとの間のＺ軸方向に関する各位置における液体ＬＱの界面の形状を解析した結果を示す。図１０中、抑制状態の液体ＬＱの界面をライン（実線）Ｌ１で示す。

図１０に示すように、本実施形態においては、第２面４２ｂの下端から、下に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びる第１面４１ｂが配置されているので、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。すなわち、図１０中、ラインＬ１で示すように、第１面４１ｂと側面Ｗｃの垂直領域５１（非撥液領域５６）との間に形成される液体ＬＱの界面を、抑制状態にすることができる。

このように、本実施形態においては、第１面４１ｂの上部に抑止位置Ａが存在し、側面Ｗｃの垂直領域５１（非撥液領域５６）に抑止位置Ｂが存在することとなる。すなわち、基板Ｗの側面Ｗｃにおいて保護膜６３が存在する部分を少なくしても、基板Ｗの表面Ｗａに比較的近い位置に抑制状態で液体ＬＱの界面を形成することできる。したがって、ギャップＧからの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、第１面４１ｂと第２面４２ｂとがなす角度θ_Ｃは、９０度以上である。本実施形態においては、第１面４１ｂと第２面４２ｂとがなす角度θ_Ｃは、鈍角である。したがって、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌにおいて、バリ、異物が発生することが抑制される。また、第１面４１ｂと第５面４５ｂとがなす角度は、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。また、第２面４２ｂと第４面４４ｂとがなす角度は、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。したがって、第１面４１ｂと第５面４５ｂとの境界部、及び第２面４２ｂと第４面４４ｂとの境界部において、バリ、異物が発生することが抑制される。

なお、本実施形態において、第２面４２ｂを、面取り処理によって形成することができる。

また、本実施形態においては、第１面４１ｂ、第２面４２ｂは、図９及び図１０に示すように、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図１１を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１１に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。

図１１は、第３実施形態に係るプレート部材Ｔ３のエッジ部Ｅｇの近傍を示す側断面図（ＹＺ断面図）である。図１１は、プレート部材Ｔ３が第２保持部２９に保持され、基板Ｗが第１保持部２３に保持されている状態を示す。上述の実施形態と同様、第１保持部２３の第１保持面２２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

図１１において、プレート部材Ｔ３のエッジ部Ｅｇ（基板Ｗの近傍壁）は、第１面４１ｃ（実質的縦部）と、第２面４２ｃ（第２斜面部）と、第３面４３ｃ（第１斜面部）とを有する。第２面４２ｃは、第１面４１ｃの上方に配置されている。第３面４３ｃは、第１面４１ｃの下方に配置されている。

第２面４２ｃは、第１面４１ｃに隣接して設けられている。第３面４３ｃは、第１面４１ｃに隣接して設けられている。第１面４１ｃと第２面４２ｃとは非平行である。第１面４１ｃと第３面４３ｃとは非平行である。第２面４２ｃと第３面４３ｃとは非平行である。

第２面４２ｃは、第１面４１ｃと第２面４２ｃの境界部Ｍから、上（＋Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第２面４２ｃは、第１面４１ｃと第２面４２ｃの境界部Ｍから開口２１の中心Ｃから離れるように延びる。あるいは、第２面４２ｃは、基板Ｗに向かって下がる傾斜を有する。第３面４３ｃは、第１面４１ｃと第３面４３ｃとの境界部Ｎから、下（−Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第３面４３ｃは、第１面４１ｃと第３面４３ｃの境界部Ｎから開口２１の中心Ｃから離れるように延びる。あるいは、第３面４３ｃは、基板Ｗに向かって上がる傾斜を有する。なお、本実施形態においては、境界部Ｍは、第１面４１ｃと第２面４２ｃとが接続される角部（角（コーナー））であり、第１面４１ｃの上端、および第２面４２ｃの下端を含む。また、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｃと第２面４２ｃとの境界部Ｍが丸みを帯びていても（丸角）よい。また、本実施形態においては、境界部Ｎは、第１面４１ｃと第３面４３ｃとが接続される角部であり、第１面４１ｃの下端、および第３面４３ｃの上端を含む。第１面４１ｃと第２面４２ｃとが境界部Ｍ（角）で交わる。本実施形態において、境界部Ｍは、基板Ｗに実質的に最も近く、また、基板Ｗの表面Ｗａに比較的近い高さ位置に配置される。また、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｃと第３面４３ｃとの境界部Ｎが丸みを帯びていてもよい。

本実施形態において、第１面４１ｃは、第１保持面２２（ＸＹ平面）に対して、ほぼ垂直である。第１面４１ｃは、第２面４２ｃと第３面４３ｃとの間に配置され、基板Ｗの厚み方向に沿っている（実質的縦部）。プレート部材Ｔ３エッジ部Ｅｇは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの側面Ｗｃに沿うように設けられている（エッジ部Ｅｇが基板Ｗの側面に実質的平行である）。第１保持部２３は、基板Ｗの側面Ｗｃとプレート部材Ｔ３のエッジ部ＥｇとがギャップＧを介して対向するように、基板Ｗを保持する。すなわち、第１保持部２３に保持された基板Ｗの周囲には、第１面４１ｃ、第２面４２ｃ、第３面４３ｃが配置される。

本実施形態において、Ｚ軸と第２面４２ｃとがなす角度θ_Ｄは、Ｚ軸と第３面４３ｃとがなす角度θ_Ｅより大きい。また、第２面４２ｃと第３面４３ｃとがなす角度θ_Ｆは、９０度以上である。また、本実施形態において、第１面４１ｃ（Ｚ軸）と第２面４２ｃとがなす角度θ_Ｄは、９０度以上である。第１面４１ｃ（Ｚ軸）と第３面４３ｃとがなす角度θ_Ｅも、９０度以上である。なお、Ｚ軸と第１面４１ｃとがなす角度θ_Ｅが、Ｚ軸と第２面４２ｃとがなす角度θ_Ｄと同じ、あるいは、角度θ_Ｄより大きくてもよい。

また、本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、第３面４３ｃは、第１面４１ｃより大きい。また、本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、第３面４３ｃは、第２面４２ｃより大きい。Ｚ軸方向における第２面４２ｃの大きさは、Ｚ軸方向における第２面４２ｃの下端とプレート部材Ｔ３の表面Ｔａ（第４面４４ｃ）との距離Ｄ９である。また、Ｚ軸方向における第１面４１ｃの大きさは、Ｚ軸方向における第１面４１ｃの上端と下端との距離Ｄ１０である。また、Ｚ軸方向における第３面４３ｃの大きさは、第１面４１ｃの下端とプレート部材Ｔ３の裏面Ｔｂ（第５面４５ｃ）との距離Ｄ１１である。本実施形態においては、距離Ｄ１１は距離Ｄ１０より大きい。また距離Ｄ１１は距離Ｄ９より大きい。また距離Ｄ１１は、距離Ｄ９と距離Ｄ１０との和よりも大きい。

プレート部材Ｔ３は、第２面４２ｃに隣接して設けられた第４面４４ｃを有する。第４面４４ｃは、第２面４２ｃと第４面４４ｃの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。第４面４４ｃは、プレート部材Ｔ３の表面Ｔａであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第２面４２ｃと第４面４４ｃとの境界部は、第２面４２ｃと第４面４４ｃとが接続される角部であり、第２面４２ｃの上端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第２面４２ｃと第４面４４ｃとの境界部が丸みを帯びていてもよい。

また、プレート部材Ｔ３は、第３面４３ｃに隣接して設けられた第５面４５ｃを有する。第５面４５ｃは、第３面４３ｃと第５面４５ｃの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。第５面４５ｃは、プレート部材Ｔ３の裏面Ｔｂであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第３面４３ｃと第５面４５ｃとの境界部は、第３面４３ｃと第５面４５ｃとが接続される角部であり、第３面４３ｃの下端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第３面４３ｃと第５面４５ｃとの境界部が丸みを帯びていてもよい。

また、本実施形態においては、第４面４４ｃは、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さに配置されている。

本実施形態において、第１面４１ｃ、第２面４２ｃ、第３面４３ｃ、第４面４４ｃ、及び第５面４５ｃのそれぞれは、液体ＬＱに対して撥液性である。

また、本実施形態においては、第１面４１ｃの一部が、保護膜６３で形成される撥液領域５５と対向する。また、第２面４２ｃのほぼ全域が、撥液領域５５と対向する。

本実施形態において、第２面４２ｃ（第１傾斜部）、第１面４１ｃ（実質的縦部）、第３面４３ｃ（第２傾斜部）、及び境界部Ｍ，Ｌ（角）は、基板Ｗに向かって実質的に突き出た、基板Ｗの厚み方向に沿った輪郭を形成する。この輪郭は、基板Ｗの厚み方向と直交する軸に関して実質的に非対称である。

本実施形態においても、第１面４１ｃの下端から、下に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びる第３面４３ｃが配置されており、かつＺ方向に関する第３面４３ｃの大きさ（距離Ｄ１１）が、第２面４２ｃの大きさ（距離Ｄ９）及び第１面４１ｃの大きさ（距離Ｄ１０）よりも大きいので、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。すなわち、液体ＬＱの界面を、垂直領域５１（非撥液領域５６）の上部と第１面４１ｃとの間に形成される液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができる。

本実施形態においても、側面Ｗｃの垂直領域５１（非撥液領域５６）に抑止位置が存在することとなる。すなわち、基板Ｗの側面Ｗｃにおいて保護膜６３が存在する部分を少なくしても、基板Ｗの表面Ｗａに比較的近い位置で液体ＬＱの界面を抑制状態で形成することできる。したがって、基板Ｗの周囲の少なくとも一部に形成されたギャップＧからの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、第１面４１ｃと第２面４２ｃとがなす角度θ_Ｄは、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。また、第１面４１ｃと第３面４３ｃとがなす角度θ_Ｅは、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。また、第２面４２ｃと第４面４４ｃとがなす角度は、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。また、第３面４３ｃと第５面４５ｃとがなす角度は、９０度以上（本実施形態においては、鈍角）である。

なお、本実施形態において、第２面４２ｃを、面取り処理によって形成することができる。

なお、本実施形態において、第１面４１ｃが、第１保持面２２（ＸＹ平面）に対して非垂直でもよい。この場合、第１面４１ｃが、第１面４１ｃと第２面４２ｃの境界部Ｍから下に向かって、かつ開口２１の中心Ｃから離れるように形成されることが望ましい。

なお、本実施形態において、プレート部材Ｔ３の厚さと基板Ｗの厚さとが異なっていてもよい。この場合、プレート部材Ｔ３の表面Ｔａ（第４面４４ｃ）と基板Ｗの表面Ｗａとをほぼ同じ高さとするために、第１保持部２３の第１保持面２２と第２保持部２９の第２保持面３４との高さを異ならせてもよい。

また、本実施形態において、第１面４１ｃと第３面４３ｃの境界部ＮのＺ方向の位置を、基板Ｗの表面Ｗａに近づけるために、プレート部材Ｔ３の表面Ｔａ（第４面４４ｃ）が基板Ｗの表面Ｗａより高くなるようにプレート部材Ｔ３を保持してもよい。この場合、プレート部材Ｔ３を基板Ｗより厚くしてもよいし、及び／又は第２保持部２９の第２保持面３４を第１保持部２３の第１保持面２２より高くしてもよい。

また、本実施形態においては、第１面４１ｃ、第２面４２ｃ、第３面４３ｃは、図１１に示すように、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図１２を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１２に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。第４実施形態に係るプレート部材Ｔ４は、図９等に示した第２実施形態にプレート部材Ｔ２の変形例であり、第１面４１ｂの下方に第３面４３ｂが形成されている点で、上述の第２実施形態のプレート部材Ｔ２と異なる。

図１２は、第４実施形態に係るプレート部材Ｔ４のエッジ部Ｅｇの近傍を示す側断面図（ＹＺ断面図）である。図１２に示すように、プレート部材Ｔ４のエッジ部Ｅｇは、第１面４１ｂ（第１斜面部）と、第１面４１ｂの上方に配置された第２面４２ｂ（第２斜面部）とを有する。本実施形態においては、エッジ部Ｅｇは、第１面４１ｂの下方に配置された第３面４３ｂを有する。第１面４１ｂと第２面４２ｂとは非平行である。第１面４１ｂと第３面４３ｂとは非平行である。

第２面４２ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌから、上（＋Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。第１面４１ｂは、第１面４１ｂと第２面４２ｂの境界部Ｌから、下（−Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。第３面４３ｂは、第１面４１ｂと第３面４３の境界部Ｐから、下（−Ｚ側）に向かって、かつ開口２１の中心Ｃに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第３面４３ｂは、第１面４１ｂと第３面４３ｂの境界部Ｐから開口２１の中心Ｃから離れるように延びている。なお、本実施形態においては、境界部Ｌは、第１面４１ｂと第２面４２ｂとが接続される角部であり、第１面４１ｂの上端、および第２面４２ｂの下端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌが丸みを帯びていてもよい。境界部Ｐは、第１面４１ｂと第３面４３ｂとが接続される角部であり、第１面４１ｂの下端、および第３面４３ｂの上端を含む。なお、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において、第１面４１ｂと第３面４３ｂとの境界部Ｐが丸みを帯びていてもよい。

また、Ｚ軸方向に関して、第１面４１ｂは第３面４３ｂより大きい。Ｚ軸方向に関する第１面４１ｂの大きさは、Ｚ軸方向における境界部Ｌと境界部Ｐとの距離Ｄ１２であり、Ｚ軸方向に関する第３面４３ｂの大きさは、Ｚ軸方向における第１面４１ｂと第３面４３ｂの境界部Ｐとプレート部材Ｔ４の裏面Ｔｂ（第５面４５ｂ）との距離Ｄ１３である。

また、プレート部材Ｔ４は、第２面４２ｂに隣接して設けられた第４面４４ｂを有する。第４面４４ｂは、第２面４２ｂと第４面４４ｂの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。第４面４４ｂは、プレート部材Ｔ４の表面Ｔａであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。また、プレート部材Ｔ４は、第３面４３ｂに隣接して設けられた第５面４５ｂを有する。第５面４５ｂは、第３面４３ｂと第５面４５ｂの境界部から、開口２１の中心Ｃに対して、外側に向かって延びる。第５面４５ｂは、プレート部材Ｔ４の裏面Ｔｂであり、第１保持面２２（ＸＹ平面）とほぼ平行である。

また、本実施形態においても、Ｚ軸と第１面４１ｂとがなす角度θ_Ｂが、Ｚ軸と第２面４２ｂとがなす角度θ_Ａと同じであってもよいし、角度θ_Ａより大きくてもよい。

本実施形態においても、液体ＬＱの界面を、側面Ｗｃの垂直領域５１（非撥液領域５６）の上部と第１面４１ｂとの間に形成される液体ＬＱの界面を抑制状態にすることができ、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。なお、本実施形態において、第３面４３ｂを面取り処理によって形成することができる。また、本実施形態においては、第１面４１ｂ、第２面４２ｂ、第３面４３ｂは、図１２に示すように、開口２１の中心Ｃを含むＺ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図１３を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図１３に示す基板Ｗは、図４を参照して説明した基板Ｗと同一である。

第５実施形態は、上述の第２実施形態の変形例である。図１３に示すように、第２実施形態に係るプレート部材Ｔ２の第４面４４ｂが、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置されている。第２面４１ａ（第１傾斜面）は、基板Ｗに向かって下がる傾斜を有し、第１面４１ｂ（第２傾斜面）は、基板Ｗに向かって上がる傾斜を有する。第１面４１ｂと第２面４２ｂとが境界部Ｌ（角）で交わる。図１３に示す例では、第１面４１ｂと第２面４２ｂとの境界部Ｌが、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さ、もしくは基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置されている。

本実施形態においても、基板Ｗの側面Ｗｃの撥液領域５５と第１面４１ｂとの間に形成される液体ＬＱの界面だけでなく、第１面４１ｂと側面Ｗｃの垂直領域５１（非撥液領域５６）との間に形成される液体ＬＱの界面も抑制状態にすることができ、液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

なお、本実施形態において、プレート部材Ｔ２の厚さと基板Ｗの厚さとが異なっていてもよい。この場合、第２保持部２９の第２保持面３４の高さと第１保持部２３の第１保持面２２の高さが同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、第４実施形態のように第１面４１ｂの下方に第３面４３ｂが存在してもよい。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、第６実施形態に係る基板テーブル１２Ｂの一例を示す側断面図である。図１４において、基板テーブル１２Ｂは、第１保持部２３が形成された第１基材２４Ａと、第２保持部２９が形成された第２基材２４Ｂとを含む。第１保持部２３は、基板Ｗをリリース可能に保持する。第２保持部２９は、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する。

本実施形態において、第２基材２４Ｂは、第１基材２４Ａに対して移動可能である。本実施形態において、第１基材２４Ａと第２基材２４Ｂとの間に、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む駆動システム７０が配置されている。第２基材２４Ｂは、駆動システム７０の作動により、第１基材２４Ａに対して移動可能である。第１基材２４Ａに対して第２基材２４Ｂが移動することによって、第１基材２４Ａの第１保持部２３に保持されている基板Ｗに対して、第２基材２４Ｂの第２保持部２９に保持されているプレート部材Ｔが移動する。本実施形態においては、駆動システム７０の作動により、プレート部材Ｔは、少なくともＺ軸方向に移動可能である。

制御装置３は、駆動システム７０を制御して、第１保持部２３に保持されている基板Ｗと、第２保持部２９に保持されているプレート部材Ｔとの位置関係を調整することができる。例えば、上述の第１実施形態で説明したプレート部材Ｔが第２保持部２９に保持されている場合、制御装置３は、駆動システム７０を制御して、基板Ｗの表面Ｗａに対して、プレート部材Ｔの第１面４１と第２面４２の境界部ＪのＺ軸方向に関する位置を調整することができる。したがって、例えばプレート部材Ｔの厚みと基板Ｗの厚みとがほぼ同じ場合でも、制御装置３は、駆動システム７０を作動して、プレート部材Ｔの境界部Ｊを、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さに配置したり、基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置したりすることができる。

このように、本実施形態の基板テーブル１２Ｂは、プレート部材Ｔの境界部Ｊが、第１保持部２３に保持された基板Ｗの表面Ｗａとほぼ同じ高さ、もしくは基板Ｗの表面Ｗａより高い位置に配置されるようにプレート部材Ｔを保持することができる。本実施形態においても、液体ＬＱの浸入を抑制できる。

なお、本実施形態の第２保持部２９にプレート部材Ｔ２、プレート部材Ｔ３、プレート部材Ｔ４のいずれかを保持するようにしてもよい。

なお、上述の第１〜第６実施形態においては、１つのプレート部材で開口２１を規定しているが、複数のプレート部材を保持して、開口２１を規定してもよい。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１５は、第７実施形態に係る基板テーブル１２Ｃの一例を示す側断面図である。上述の第１〜第６実施形態においては、第１保持部２３が配置される開口２１を規定するエッジ部Ｅｇが、プレート部材Ｔ（Ｔ２〜Ｔ４）に設けられている場合を例にして説明したが、図１５に示すように、開口２１を規定するエッジ部Ｅｇが、基板テーブル１２Ｃ（基材２４Ｃ）の一部であってもよい。この場合も、上述のプレート部材Ｔ，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と同様に、第１面（４１，４１ｂ、４１ｃ）、第２面（４２，４２ｂ、４２ｃ）、第３面（４３，４３ｂ、４３ｃ）の少なくとも１つを基板テーブル１２Ｃに設ければよい。

また、上述の第１〜第７実施形態において、開口２１は円形であるが円形でなくてもよい。例えば、基板Ｗが矩形の場合には、開口２１を矩形にすればよい。

なお、上述の第１〜第７実施形態においては、基板Ｗの撥液領域５５は、保護膜６３によって形成されているが、基板Ｗの感光膜が液体ＬＱに対して撥液性の場合には、保護膜６３を省いてもよい。この場合、基板Ｗの表面Ｗａは、感光膜の表面を含む。また、基板Ｗの側面Ｗｃの上方領域５２の少なくとも一部を撥液性の感光膜で形成してもよい。

また、上述の第１〜第７実施形態においては、直径３００ｍｍ（厚さ０．７７５ｍｍ）の基板Ｗを用いて説明しているが、各実施形態は、直径２００ｍｍ、及び直径４５０ｍｍの基板Ｗにも適用することができる。

また、上述の第１〜第７実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子５の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子５の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることもできる。

なお、上述の各実施形態の基板Ｗとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭＫと基板Ｗとを同期移動してマスクＭＫのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭＫと基板Ｗとを静止した状態でマスクＭＫのパターンを一括露光し、基板Ｗを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｗとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｗ上に転写した後、第２パターンと基板Ｗとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｗ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｗ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｗを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｗに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｗ上に形成することによって、基板Ｗ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、１２…基板テーブル、２１…開口、２２…第１保持面、２３…第１保持部、２９…第２保持部、３４…第２保持面、４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、４４…第４面、４５…第５面、５１…垂直領域、５２…上方領域、５３…下方領域、５５…撥液領域、５６…非撥液領域、Ｅｇ…エッジ部、ＥＬ…露光光、ＬＱ…液体、Ｔ…プレート部材、Ｔａ…表面、Ｔｂ…裏面、ＴＨ…開口、Ｗ…基板、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…側面

Claims (33)

1. 液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、
   開口と、
   前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、
   前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、前記第１面の上方に設けられた前記第１面と非平行な第２面とを有し、
   前記第２面は、前記第１面と前記第２面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、
   前記第１面と前記第２面の境界部は、前記第１保持部に保持された前記基板の表面とほぼ同じ高さ、もしくは前記基板の表面より高い基板保持装置。
2. 前記第１面の下方に形成され、前記第１面と非平行な第３面を有し、
   前記第３面は、前記第１面と前記第３面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項１記載の基板保持装置。
3. 前記第３面は、前記液体に対して撥液性である請求項２記載の基板保持装置。
4. 前記第３面は、面取り処理によって形成される請求項２又は３記載の基板保持装置。
5. 前記第１面は、前記保持面に対してほぼ垂直である請求項１〜４のいずれか一項記載の基板保持装置。
6. 前記第１面は、前記第１面と前記第２面の境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項１〜４のいずれか一項記載の基板保持装置。
7. 前記第１保持部の保持面と垂直な軸と前記第２面とがなす角度は、前記軸と前記第１面とがなす角度より大きい請求項６記載の基板保持装置。
8. 前記第１保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第１面は前記第２面より大きい請求項６又は７記載の基板保持装置。
9. 前記第１面と前記第２面とがなす角度は９０度以上である請求項６〜８のいずれか一項記載の基板保持装置。
10. 前記保持面とほぼ平行な第４面を有し、
    前記第２面と前記第４面の境界部は、前記第１面と前記第２面との境界部よりも上方にあり、前記第４面は、前記第２面と前記第４面との境界部から前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項１〜９のいずれか一項記載の基板保持装置。
11. 前記第４面は、前記液体に対しては撥液性である請求項１０記載の基板保持装置。
12. 液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、
    開口と、
    前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、
    前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１面と、前記第１面の上方に設けられた第２面とを有し、
    前記第２面は、前記第１面と前記第２面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、
    前記第１面が、前記第１面と前記第２面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、
    前記第１面と前記第２面とがなす角度は９０度以上である基板保持装置。
13. 前記第１保持部の保持面と垂直な軸と前記第２面とがなす角度は、前記軸と前記第１面とがなす角度より大きい請求項１２記載の基板保持装置。
14. 前記第１保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第１面は前記第２面より大きい請求項１２又は１３記載の基板保持装置。
15. 前記保持面とほぼ平行な第４面を有し、
    前記第２面と前記第４面の境界部は、前記第１面と前記第２面との境界部よりも上方にあり、前記第４面は、前記第２面と前記第４面の境界部から前記開口の中心に対して外側に向かって延び請求項１２〜１４のいずれか一項記載の基板保持装置。
16. 前記第４面は、前記液体に対して撥液性である請求項１５記載の基板保持装置。
17. 前記第４面は、前記第１保持部に保持された前記基板の表面とほぼ同じ高さである請求項１５又は１６記載の基板保持装置。
18. 前記第１面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜１７のいずれか一項記載の基板保持装置。
19. 前記第２面は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜１８のいずれか一項記載の基板保持装置。
20. 前記第１保持部は、前記基板の側面と前記第１面の少なくとも一部とがギャップを介して対向するように、前記基板を保持する請求項１〜１９のいずれか一項記載の基板保持装置。
21. 前記基板の側面は、前記液体に対して撥液性の撥液領域を含み、
    前記第１面の少なくとも一部は、前記撥液領域と対向する請求項２０記載の基板保持装置。
22. 前記第１面は、前記第１保持部に保持された前記基板の側面に沿うように設けられている請求項２０又は２１記載の基板保持装置。
23. 前記基板の側面は、前記基板の表面とほぼ垂直な垂直領域と、前記垂直領域の上端と前記基板の表面とを結ぶ上方領域と、前記垂直領域の下端と前記基板の裏面とを結ぶ下方領域とを含み、
    前記第１保持部は、前記基板の表面が前記保持面とほぼ平行となるように前記基板を保持する請求項２０〜２２のいずれか一項記載の基板保持装置。
24. プレート部材をリリース可能に保持する第２保持部をさらに備え、
    前記プレート部材を前記第２保持部で保持することによって、前記第１保持部の周囲に前記開口が設けられる請求項１〜２３のいずれか一項記載の基板保持装置。
25. 前記プレート部材は、前記開口を有する請求項２４記載の基板保持装置。
26. 前記第２面は、面取り処理によって形成される請求項１〜２５のいずれか一項記載の基板保持装置。
27. 液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、
    開口と、
    前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第１保持部と、を備え、
    前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第１斜面部と、前記第１斜面の上方に設けられた第２斜面部とを有し、
    前記第１斜面部は、前記第１保持部に保持された前記基板から離れるにつれて低くなり、
    前記第２斜面部は、前記第１保持部に保持された前記基板から離れるにつれて高くなり、
    前記第１保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第１斜面部は前記第２斜面部より大きく、
    前記第１斜面部と前記第２斜面部とがなす角度は９０度以上である基板保持装置。
28. 前記保持面に垂直な軸に対して前記第１斜面部がなす角度は、前記軸と前記第２斜面部とがなす角度より小さい請求項２７記載の基板保持装置。
29. 前記第１斜面部、及び第２斜面部は、前記液体に対して撥液性である請求項２７又は２８記載の基板保持装置。
30. 請求項１〜２９のいずれか一項に記載の基板保持装置を備え、
    前記基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置。
31. 請求項３０記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
32. 請求項１〜２９のいずれか一項記載の基板保持装置に基板を保持することと、
    前記基板保持装置に保持された前記基板に液体を介して露光光を照射することと、を含む露光方法。
33. 請求項３２記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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