JP2005139044A - 単結晶の珪素ナノチューブとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 硫化亜鉛粉末を不活性気流中で、1150〜1250℃に加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させ、その存在下に、一酸化ケイ素粉末を1200〜1400℃に不活性気流中で加熱することにより、硫化亜鉛・ケイ素コア・シェル構造のナノワイヤーを生成させた後に、このコア・シェルナノワイヤーを塩酸水溶液で処理して、珪素ナノチューブを製造する。
【選択図】図2
Description
A.M.Morales,ほか、サイエンス(Science) 279 巻、208頁、1998年 N.Wang,ほか、フィジカル・レビューB(Phys.Rev.B)58巻、R16024頁、1998年。 J.D.Holmes,ほか、サイエンス(Science) 287巻、1471頁、2000年
25メッシュ)1.0gを入れ、このるつぼを前記の誘導加熱円筒管の中央部に取り付けた。流量120sccmのアルゴンガスを流しながら、1350℃に1時間加熱した。加熱終了後、加熱炉を室温に冷却すると、カーボン繊維の表面に硫化亜鉛・ケイ素のコア・シェル構造のナノワイヤーが生成した。この生成したナノワイヤーを10%塩酸水溶液で処理した後、蒸留水、エタノールで洗浄した。
Claims (3)
- 外径が120〜180ナノメートル、チューブ壁の厚さが40〜60ナノメートルである単結晶珪素ナノチューブ。
- 硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で1150〜1250℃に加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させ、この硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と1200〜1400℃で加熱反応させることを特徴とする単結晶珪素ナノチューブの製造方法。
- 不活性気体を通じながら、硫化亜鉛粉末を縦型高周波誘導加熱炉中で1150〜1250℃に、1〜2時間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させた後、一酸化ケイ素粉末を不活性気流中で、1200〜1400℃に、1〜2時間加熱反応させ、生成物を塩酸水溶液で処理することを特徴とする請求項2の単結晶珪素ナノチューブの製造方法。
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