JP2006117475A - シリコンナノワイヤーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
イヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。
【選択図】 図2
Description
N.Sakulchaicharoen et al., Chemical Physics letters, 377,(2003)377
のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワイヤーの製造方法を提供することを解決すべき課題としている。
ができる。このため、半導体回路基板に熱損傷を与えずに、半導体回路に直接シリコンナノワイヤーを組み込むことが可能となる。
シランの分解生成自由エネルギーは負側に倍以上大きく、室温付近でも十分に負の値をとる。このことから、ポリシランは、低温でも分解しやすいと理解され、モノシランに比べてより低温でシリコンが生成すると予測される。
ったところで、反応容器内にH2ガスで10%に希釈したジシラン(Si2H6)ガスを5Torrまで導入し、この状態に5分間保持した。
された。
ナノワイヤーを合成することが可能となる。
Claims (3)
- シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。
- 触媒は、金、銀、鉄またはニッケルから選択されるいずれか1種である請求項1記載のシリコンナノワイヤーの製造方法。
- ポリシランガスがジシランガスである請求項1または2記載のシリコンナノワイヤーの製造方法。
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