JP2007223896A - 硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法 - Google Patents
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- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002620 silicon nanotube Substances 0.000 abstract description 13
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021430 silicon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】単結晶珪素ナノチューブを実現するための前駆物質となる硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。
【選択図】 なし
【解決手段】硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。
【選択図】 なし
Description
本発明は、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、ナノスケールの半導体デバイス等に有用な単結晶珪素ナノチューブを製造するための前駆物質である硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法に関する。
従来、珪素ナノワイヤーは、金属触媒を用いたレーザー加熱法（非特許文献１参照）や、珪素と珪素酸化物の加熱による方法（非特許文献２参照）、ジフェニルシランの高温熱分解による方法（非特許文献３参照）などによって製造されることが知られている。
A.M.Morales，ほか、サイエンス(Science) 279 巻、208頁、1998年 N.Wang，ほか、フィジカル・レビューＢ(Phys.Rev.B)58巻、R16024 頁、1998年。 J.D.Holmes，ほか、サイエンス(Science) 287巻、1471頁、2000年
A.M.Morales，ほか、サイエンス(Science) 279 巻、208頁、1998年 N.Wang，ほか、フィジカル・レビューＢ(Phys.Rev.B)58巻、R16024 頁、1998年。 J.D.Holmes，ほか、サイエンス(Science) 287巻、1471頁、2000年
上記のように、珪素ナノワイヤーは、すでにその製造方法が知られているが、珪素ナノチューブについては、そのバンド構造等が計算により予測されているものの、いまだ実際に製造されたことはない。
そこで、本発明は、単結晶珪素ナノチューブを実現するための前駆物質となる硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法を提供することを課題としている。
本発明の硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法は、上記の課題を解決するものとして、以下のことを特徴としている。
第１に、硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。
第２に、硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させ、この硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させ、硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーを生成させる。
第３に、不活性気体を通じながら、硫化亜鉛粉末を縦型高周波誘導加熱炉中で１１５０〜１２５０℃に１〜２時間加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させた後、一酸化珪素粉末と不活性気流中で１２００〜１４００℃に１〜２時間加熱反応させ、硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーを生成させる。
上記の通りの本発明によって、マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野において、その応用が期待されている単結晶珪素ナノチューブを実現するための硫化亜鉛・珪素コア・シェル構造を有する硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法が提供される。
本発明の硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーは、硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーである。コア・シェル構造は、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーのコア、すなわち中心部が硫化亜鉛から形成され、シェル、すなわち中心部を取り囲むチューブ状の部分が単結晶の珪素から形成されたものである。言い換えると、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーは、硫化亜鉛が内包された単結晶珪素ナノチューブということができる。硫化亜鉛は希酸水溶液に易溶であるから、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーを適当な酸水溶液で処理することにより、コアの硫化亜鉛を溶解除去し、単結晶珪素ナノチューブが得られる。
このことから、本発明の硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーは、単結晶珪素ナノチューブの前駆物質である。
本発明の硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの製造方法では、加熱装置として、好適には石英管の内側に断熱材のカーボン繊維で覆われたグラファイト製の誘導加熱円筒管を有する縦型高周波誘導加熱炉を用い、たとえば好ましくはグラファイト製るつぼの中に硫化亜鉛粉末を入れ、このるつぼをグラファイト製の誘導加熱円筒管の中央部に設置する。アルゴンガスなどの不活性気体を流しながら、１１５０〜１２５０℃に１〜２時間加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させる。加熱温度が１２５０℃より高いと、硫化亜鉛ナノワイヤーの直径が太くなり、１１５０℃より低いと、硫化亜鉛ナノワイヤーの収率が低下する。加熱時間は１〜２時間である。２時間で十分に原料の蒸発が終了する。１時間未満の場合には硫化亜鉛ナノワイヤーの生成量が減少する。
次に、グライファイト製るつぼの中に一酸化珪素粉末を入れ、このるつぼをグラファイト製の誘導加熱円筒管の中央部に取り付け、不活性気体を流しながら、１２００〜１４００℃に１〜２時間加熱した後、加熱炉を室温に冷却する。これによりナノワイヤー生成物が得られる。このナノワイヤー生成物は、上記の通りの硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有する。
硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーを酸水溶液、たとえば塩酸、硫酸、塩素酸等の酸の水溶液、より好適には塩酸水溶液で処理することにより、単結晶珪素ナノチューブが得られる。塩酸水溶液の場合には、その濃度を５〜２０％程度、より好適には１０％前後とすることが考慮される。
硫化亜鉛ナノワイヤーと一酸化珪素との加熱においては、硫化亜鉛粉末と一酸化ケイ素粉末との重量比は１：１〜２：１が好ましく、これよりも一酸化珪素の量が多いと、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの中に珪素ナノワイヤーが混入する。加熱温度は１２００〜１４００℃であり、これより温度を上げても収量の向上は望めない。また、１２００℃より加熱温度が低いと、珪素の蒸気の発生が十分でなく、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーが生成しない。加熱時間は１〜２時間であり、２時間を超えて加熱しても収量の向上は望めなく、長時間加熱すると、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの表面に珪素ナノ粒子が付着してしまう。１時間未満であると、硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの収量が低下する。不活性ガスの流量は１００〜２００ｓｃｃｍが好ましく、２００ｓｃｃｍより多量に流す必要はない。１００ｓｃｃｍ未満であると、最終生成物の収量が低下する。
なお、上記いずれの場合の不活性気流については、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
の流通下であってよい。
の流通下であってよい。
以下に実施例を説明する。もちろん以下の例によって本発明が限定されることはない。
石英管の内側に断熱材のカーボン繊維で覆われたグラファイト製の誘導加熱円筒管を有する縦型高周波誘導加熱炉を反応装置として用い、グラファイト製るつぼの中に、シグマアルドリッチ社製の硫化亜鉛粉末（純度９９．９９％）１．５ｇを入れ、このるつぼを前記の誘導加熱円筒管の中央部に設置した。流量１２０ｓｃｃｍのアルゴンガスを流しながら、１２００℃に１．５時間加熱した。加熱炉を室温に冷却すると、カーボン繊維の表面に直径約５０ナノメートルの硫化亜鉛ナノワイヤーが成長した。
次に、グラファイト製るつぼの中に、シグマアルドリッチ社製の一酸化珪素粉末（３２５メッシュ）１．０ｇを入れ、このるつぼを前記の誘導加熱円筒管の中央部に取り付けた。流量１２０ｓｃｃｍのアルゴンガスを流しながら、１３５０℃に１時間加熱した。加熱終了後、加熱炉を室温に冷却すると、カーボン繊維の表面に硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有する硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーが生成した。
生成した硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーを１０％塩酸水溶液で処理した後、蒸留水、エタノールで洗浄した。
図１に、得られた生成物のＸ線回折のパターンを示した。この回折図から格子定数ａ＝５．４２８Åを有する立方晶系の珪素であることが確認された。図２には、生成物の透過型電子顕微鏡像の写真を示した。この写真から、生成物はナノチューブであり、外径が１２０〜１８０ナノメートル、チューブ壁の厚さが４０〜６０ナノメートルで、ナノチューブの先端が開口していることがわかる。図３は、このナノチューブのＸ線エネルギー拡散スペクトルを示したものであるが、その化学組成は珪素からなることがわかる。図３には、少量の酸素と銅のピークが見られるが、酸素のピークは試料を作製するときに酸素に触れたために現れたもので、銅のピークは試料を作製するときに用いた銅グリッドから由来するものである。先のＸ線回折のパターンと合わせて考えると、ナノチューブは単結晶の珪素で構成されていることが理解される。
本発明により、ナノスケール領域における半導体デバイスへの応用が期待される単結晶珪素ナノチューブを実現するための前駆物質である硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの製造が可能となる。
Claims (3)
- 硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱し、生成した硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させることにより得られる硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーであることを特徴とする硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤー。
- 硫化亜鉛粉末を不活性雰囲気で１１５０〜１２５０℃に加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させ、この硫化亜鉛ナノワイヤーを不活性雰囲気で一酸化珪素と１２００〜１４００℃で加熱反応させ、硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーを生成させることを特徴とする硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの製造方法。
- 不活性気体を通じながら、硫化亜鉛粉末を縦型高周波誘導加熱炉中で１１５０〜１２５０℃に１〜２時間加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させた後、一酸化珪素粉末と不活性気流中で１２００〜１４００℃に１〜２時間加熱反応させ、硫化亜鉛・珪素のコア・シェル構造を有するナノワイヤーを生成させることを特徴とする請求項２に記載の硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007078064A JP4556015B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003378931A Division JP3985044B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | 単結晶珪素ナノチューブとその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007223896A true JP2007223896A (ja) | 2007-09-06 |
| JP4556015B2 JP4556015B2 (ja) | 2010-10-06 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2007078064A Expired - Fee Related JP4556015B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4556015B2 (ja) |
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-
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100608 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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