JP2004537171A - サブマウントボンディングのための修正を含む発光デバイス、および、その製法 - Google Patents
サブマウントボンディングのための修正を含む発光デバイス、および、その製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004537171A JP2004537171A JP2003516101A JP2003516101A JP2004537171A JP 2004537171 A JP2004537171 A JP 2004537171A JP 2003516101 A JP2003516101 A JP 2003516101A JP 2003516101 A JP2003516101 A JP 2003516101A JP 2004537171 A JP2004537171 A JP 2004537171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting diode
- bonding
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 title description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 title description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 74
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 431
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 62
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 47
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 40
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 33
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 26
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
発光ダイオードは、基板と、基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある多層導電性スタックとを有する。パッシベーション層は、少なくとも一部がエピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上に延び、エピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上にボンディング領域を画定すると共に、多層導電性スタックを跨いで、エピタキシャル領域を跨いで、基板上にも延在している。
多層導電性スタックは、基板と反対側のエピタキシャル領域上のオーミック層と、エピタキシャル領域と反対側のオーミック層上の反射層と、オーミック層と反対側の反射層上のバリア層とを含むものであってもよい。また、反射層と反対側のスズバリア層上に接着層を設けたものであってもよい。さらに、スズバリア層と反対側の接着層上にボンディング層を設けたものであってもよい。サブマウントと、ボンディング層とサブマウントとの間にボンドを設けてもよい。
多層導電性スタックは、基板と反対側のエピタキシャル領域上のオーミック層と、エピタキシャル領域と反対側のオーミック層上の反射層と、オーミック層と反対側の反射層上のバリア層とを含むものであってもよい。また、反射層と反対側のスズバリア層上に接着層を設けたものであってもよい。さらに、スズバリア層と反対側の接着層上にボンディング層を設けたものであってもよい。サブマウントと、ボンディング層とサブマウントとの間にボンドを設けてもよい。
Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ電子デバイス、および、その製法に関するものであり、より詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光デバイス、および、その製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願は、すべての開示が本願に完全に述べられているように参照として示された２００２年１月３０日出願の米国特許仮出願第６０／３５２９４１号明細書「ＬＥＤダイ接着方法および得られた構造」、２００１年７月２３日出願の米国特許仮出願第６０／３０７３１１号明細書「発光ダイオードのフリップチップボンディング」、２００１年７月２３日出願の米国特許仮出願第６０／３０７２３４号明細書「フリップチップ発光ダイオードの熱音波ボンディング」、および２００２年１月２５日出願の米国特許出願第１０／０５７８２１号明細書「光抽出のための変更態様を含む発光ダイオードおよびその製法」の恩典と優先権を主張するものである。
【０００３】
発光ダイオードは、民生用および商業用適用分野で広く使用されている。当業者に周知のとおり、発光ダイオードは一般に、マイクロ電子基板上にダイオード領域を含んでいる。マイクロ電子基板は、たとえばガリウムヒ素、ガリウム燐、これらの合金、炭化ケイ素、および／またはサファイアを含むことができる。ＬＥＤの継続的開発により、可視光線および可視光線を超えるスペクトルをカバーする、効率が高く、機械的に堅牢な光源が得られるようになった。これらの属性と、ソリッドステートデバイスの耐用性が高まる可能性があいまって、各種の新規表示装置への適用が可能になり、ＬＥＤが、十分に確立している白熱ランプや蛍光ランプと競合することができる。
【０００４】
ガリウムヒ素（ＧａＮ）を主成分とするＬＥＤは、通常、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはサファイアなどの絶縁体または半導体基板に、複数のＧａＮを主成分とするエピタキシャル層を堆積させたものを含む。エピタキシャル層は、ｐ−ｎ接合を有する活性またはダイオード領域を含み、電圧の印加により光を発する。
【０００５】
ＬＥＤは、パッケージまたはリードフレームとも呼ばれるサブマウント（以下サブマウントと称する）上に、基板側を下にして取り付けられる。これに対して、発光ダイオードのフリップチップ取り付けでは、ＬＥＤはサブマウント上に、基板側を上にして（すなわちサブマウントから離して）取り付けられる。光は、基板を通して抽出され、放射される。フリップチップ取り付けは、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤを取り付ける場合に特に望ましい技術である。とりわけ、ＳｉＣは屈折率がＧａＮより高いため、一般に活性またはダイオード領域から放出される光が、ＧａＮとＳｉＣの界面で完全に内部反射しない（すなわちＧａＮを主成分とする層に戻るように反射される）。また、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤのフリップチップ取り付けは、当業界に周知のある種の基板シェイピング技術の効果を高めることもできる。ＳｉＣ−ＬＥＤのフリップチップパッケージングによって、ＬＥＤの特定の適用分野に望ましい熱放散の改善など、他の利点も得られる。
【０００６】
ＳｉＣの屈折率が高いため、ＳｉＣ基板を通過する光は、かなり低い入射角（すなわち法線に近い角度）で基板表面に入射しないかぎり、基板表面に完全に内部反射する傾向がある。完全な内部反射の臨界角度は、ＳｉＣが界面を形成する材料に依存する。ＳｉＣ基板を、低い入射角でＳｉＣの表面に入射する光線の量を増大させることによって、内部反射の総量を制限するような方法でＳｉＣ基板をシェイピングすることにより、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤからの光の出力を増大させることができる。いくつかのこのようなシェイピング技術と、得られたデバイスについては、上に引用した特許文献１に教示されている。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許出願第１０／０５７８２１号明細書
【特許文献２】
米国特許出願第６０／３０７２３４号明細書
【特許文献３】
米国特許仮出願第６０／３０７３１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
フリップチップ取り付け時における問題の１つとしては、従来の方法によってＬＥＤをサブマウントに取り付けた場合、銀エポキシ等の導電性ダイ接着材料がＬＥＤおよび／またはパッケージに堆積し、ＬＥＤとサブマウントがともにプレスされることである。
これによって、粘度の高い導電性ダイ接着材料が絞り出され、Ｎ型基板および／またはデバイス中の層と接触し、活性領域のｐ−ｎ接合を短絡させる可能性のあるショットキーダイオード接続を形成することがある。
【０００９】
このような従来の技術によって、はんだ（半田）付け、熱音波スクラビング、および／または熱圧着ボンディングにより形成された金属と金属との接着は、代替的接着技術である。
【００１０】
しかし、スズ（Ｓｎ）はほとんどの種類のはんだの一成分で、接着面からデバイスへのＳｎの移行（マイグレーション）は、デバイスが不必要に劣化する原因となる。
【００１１】
このような移行は、オーミック接点および／または鏡として作用する反射境界面などの金属と金属との境界面の機能を妨害する。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、ＬＥＤのサブマウント時において、接着面からデバイスへのＳｎの移行（マイグレーション）を阻止させ、該デバイスの接着による劣化を防止させることが可能な、発光デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一実施形態による発光ダイオードは、基板と、基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある、バリア層を含む多層導電性スタックとを含む。パッシベーション層は、少なくとも一部がエピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上に延び、エピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上にボンディング領域を画定する。パッシベーション層はさらに、多層導電性スタックを跨いで、エピタキシャル領域を跨いで、基板上にも延びている。
【００１４】
本発明の一実施形態では、パッシベーション層は、ボンディング領域をサブマウントに接着させるのに使用するボンディング材料に対して濡れ性がない。
【００１５】
本発明の一実施形態では、多層導電性スタックおよびエピタキシャル領域がいずれも側壁を含み、パッシベーション層が多層導電性スタックとエピタキシャル領域の側壁上に延びている。
【００１６】
本発明の一実施形態では、ボンディング層をボンディング領域上に設ける。
【００１７】
本発明の一実施形態では、ボンディング層が側壁を含み、パッシベーション層がボンディング層の側壁にも延びている。さらに他の実施形態では、パッシベーション層がボンディング層の側壁には延びていない。
【００１８】
本発明の一実施形態では、多層導電性スタックとボンディング層の間に接着層および／またははんだ湿潤層をさらに有する。
【００１９】
本発明の一実施形態では、接着層が接着層の側壁を含み、パッシベーション層が接着層の側壁にも延びている。さらに他の実施形態では、パッシベーション層が接着層の側壁には延びていない。
【００２０】
本発明の一実施形態では、基板が、エピタキシャル領域に隣接する第１の面と、エピタキシャル領域と反対側の第２の面を含む。
【００２１】
本発明の一実施形態では、接着層が多層導電性スタックより小さい表面積を有し、多層導電性スタックがエピタキシャル領域より小さい表面積を有し、エピタキシャル領域が第１の面より小さい表面積を有する。本発明の他の実施形態では、第２の面が第１の面より小さい表面積を有する。
【００２２】
本発明の一実施形態では、サブマウントと、ボンディング領域とサブマウントの間にボンドとをさらに有する。
【００２３】
本発明の一実施形態では、ボンドが、熱圧着ボンドである。
【００２４】
本発明の一実施形態では、ボンドが、はんだを含む。
【００２５】
本発明の一実施形態による発光ダイオードは、第１の面と、第１の面に対応し、第１の面より小さい表面積を有する第２の面とを有する基板を含む。エピタキシャル領域が、ダイオード領域を含む第１の面上に設けられている。オーミック層が、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある。反射層が、エピタキシャル領域と反対側のオーミック層上にある。バリア層が、オーミック層と反対側の反射層上にある。接着層が、反射層と反対側のバリア層上にある。ボンディング層が、バリア層と反対側の接着層上にある。
【００２６】
本発明の一実施形態では、はんだ湿潤層は、バリア層と反対側の接着層上にある。
【００２７】
本発明の一実施形態は、サブマウントと、ボンディング層とサブマウントの間にボンドとをさらに有する。
【００２８】
本発明の一実施形態では、オーミック層が、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含む。さらに本発明の他の実施形態では、反射層が、アルミニウムおよび／または銀を含む。本発明のいくつかの実施形態では、バリア層が、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含む。本発明の他の実施形態では、バリア層が、タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成されたニッケルを含む第２の層を含む。
【００２９】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２１０℃未満であり、バリア層が厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含む。
【００３０】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２１０℃より高く、バリア層が、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含む。
【００３１】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２５０℃より高く、バリア層が、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含む。
【００３２】
本発明の一実施形態では、エピタキシャル領域は第２の面より小さい表面積を有する。バリア層、反射層、およびオーミック層は、エピタキシャル領域の表面積より小さい同一の表面積を有する。接着層およびボンディング層は、バリア層、反射層、およびオーミック層表面積より小さい同一の表面積を有する。
【００３３】
本発明の一実施形態では、上述のパッシベーション層も設けることができる。
【００３４】
本発明の一実施形態によるパッシベーション層には、エピタキシャル領域両端の外部短絡を防止する手段が設けられている。さらに、本発明のいくつかの実施形態による、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステン層、またはチタン／タングステン層およびニッケル層を含むバリア層には、スズおよび／または他の有害物が多層導電性スタックに移行するのを減少させる手段が設けられている。
【００３５】
本発明の一実施形態によれば、下記の方法により発光ダイオードを製造することができる。基板上に、ダイオード領域を含む複数の間隙を介したメサ領域をエピタキシャル形成する。メサ領域上に、たとえばフォトリソグラフィを用いて、第１の狭小領域を画定する。メサ領域の第１の狭小領域上に、バリア層を含む多層導電性スタックを形成する。メサ領域間の基板上、メサ領域の露出部分上、および多層導電性スタックの露出部分上に、パッシベーション層を形成する。バリア層は、多層導電性スタック上に第２の狭小領域を画定する。多層導電性スタック上の第２の狭小領域上に、ボンディング層を形成する。次に基板をメサ間でダイシングして、複数の発光ダイオードを作製する。
【００３６】
本発明の一実施形態では、ダイシングの後に、ボンディング層をサブマウントに接着する。
【００３７】
本発明の一実施形態では、熱圧着を使用する。
【００３８】
本発明の一実施形態では、はんだ付けを使用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態を示した添付の図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明は多数の代替形態により実施することが可能であり、本明細書に述べる実施の形態に限定されると解釈されるべきではない。
【００４０】
本発明は各種の変更態様および代替形態が可能であるため、特定の実施形態を例として図に示し、本明細書に詳細に説明する。しかし、本発明を開示した特定の形態に限定する意図はなく、反対に、本発明は、請求項に定義される本発明の原理および範囲に該当するすべての変更態様、同等の態様、および代替形態を包含するものである。図の説明全体において、同等の番号は同等の要素を参照する。図中、層および領域の寸法は、明確にするために誇張して示したものがある。また、層、領域、基板などの要素が他の要素の「上に」と記載されている場合は、他の要素の直接上にある場合も、介在する要素が存在する場合もあるものと理解すべきである。反対に、層、領域、基板などの要素が他の要素の「直接上に」と記載されている場合は、介在する要素は存在しない。さらに、本明細書に説明され、図示された各実施形態は、それと相補的な電導型の実施形態も含んでいる。
【００４１】
本発明の一実施形態を、全般に炭化ケイ素を主体とする基板上の、窒化ガリウムを主体とする発光ダイオードを参照して説明する。
【００４２】
ただし、放射される光に対して非吸収性または透明な基板と、屈折率整合（ｉｎｄｅｘ−ｍａｔｃｈｅｄ）発光ダイオードエピタキシャル層とを任意に組み合わせて使用することができることは、当業者に理解される。
【００４３】
基板の屈折率は、ダイオードの屈折率より大きい。したがって、組合せには、ＧａＰ基板上のＡｌＧａＩｎＰダイオード、ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓダイオード、ＧａＡｓ基板上のＡｌＧａＡｓダイオード、ＳｉＣ基板上のＳｉＣダイオード、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上のＳｉＣダイオード、および／または窒化ガリウム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、および／または他の基板上の窒化物を主体とするダイオードを含むことができる。
【００４４】
はんだ付けおよび／または熱音波スクラブボンディングによるダイ接着に最適の、ＬＥＤデバイス上のボンディング領域を画定する周囲上に、パッシベーション層を有する金属スタックを提供する。
【００４５】
はんだ付けおよび／または熱音波ボンディングを使用してフリップチップ取り付けが可能で、ＬＥＤの金属および／または半導体層の望ましくない劣化を減少させ、または排除することができるバリア層を含むＬＥＤを提供する。
【００４６】
パッシベーション層とバリア層の両方を提供することができる。
【００４７】
本例は、これらのＬＥＤデバイスの製法を提供する。
【００４８】
パッシベーション層は、ダイオード領域両端の短絡を防止する手段を提供することができる。
【００４９】
バリア層は、スズおよび／または好ましくない材料がＬＥＤに移行するのを減少させる手段を提供することができる。
【００５０】
従来のサファイアを主体とする方法では、チップまたはダイとも呼ばれるＬＥＤを透明なエポキシでサブマウントに接着する。導電性のＳｉＣ基板を有するＬＥＤの場合、一般に銀を混合した導電性エポキシを使用して、ＬＥＤとサブマウントを相互に接着する。従来のＳｉＣまたはサファイア基板上の窒化物を主体とするＬＥＤは、一般にエピタキシャル側を上にして、サブマウントに接着した基板とともにパッケージングされる。
【００５１】
従来のＳｉＣを主体とするＬＥＤのいくつかの実施形態は、ｎ型導電性基板と、ダイオード領域を画定する１つまたは複数のｎ型エピタキシャル層と、１つまたは複数のｐ型エピタキシャル層を含むエピタキシャル領域を基板上に有する。ｐ型エピタキシャルＬＥＤの表面に、透明なオーミック接点を形成することができる。特許文献１に記載されているように、薄い透明なオーミック接点上に反射層を形成することは、デバイスからの光の抽出を改善するのに役立つことがある。この反射層は、薄い接点全体に均一に電流を供給し、さらに光を反射してサブマウントから離れた基板に戻すのに有用である。
【００５２】
不幸にして、はんだまたは熱音波／熱圧着ボンドからのＳｎおよび／または他の汚染物質が接着面から反射層に移行した場合には、反射層の反射が弱くなる場合がある。さらに、汚染物質が反射層を越えて透明なオーミック接点まで移行すると、透明なオーミック接点の接触比抵抗が高くなり、デバイスの順電圧（ＶF）が増大する。これらはともに、デバイスを劣化させる特徴となりうる。
【００５３】
反射層は、Ａｇおよび／またはＡｌを含み、薄い透明なオーミック層はＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕまたはこれらの元素を組み合わせたものを含む。不幸にして、ＳｎはＡｇ、Ｐｔ、Ａｕ、および半導体製造に使用する他の多くの金属と、容易に合金を生成する。
【００５４】
ＬＥＤのｐ型の表面上に形成される、一連の導電層（本明細書では「多層導電性スタック」と称する）の第１の部分は、オーミック層、反射層、およびバリア層を含む。
【００５５】
バリア層はチタン、チタン／タングステン（ＴｉＷ）および／または窒化チタン／タングステン（ＴｉＮＷ）の薄い層を含む。
【００５６】
バリア層はチタン／タングステンの第１の層と、第１の層上のニッケルを含む第２の層を含む。
【００５７】
多層導電性スタックのこの部分、およびデバイスの上部は、はんだまたは共融ダイ接着材料によって濡れを生じない絶縁層などのパッシベーション層により不動態化されている。パッシベーション層は、従来のスピンオン、または化学蒸着（ＣＶＤ）および／または反応性スパッタリングなどの堆積技術により形成することができ、二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素などの酸化物および／または窒化物で形成することができる。
【００５８】
次に、バリア層の表面の一部だけが露出するように、横方向の寸法（すなわち表面積）がバリア層の横方向の寸法より小さいパッシベーション層に開口を形成する。このような開口は、従来のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて形成することができる。Ｔｉを含む任意の接着層を開口中に形成し、Ａｕ、Ｓｎおよび／またはＡｕＳｎを含む厚いボンディング層も形成する。他の実施形態では、任意のはんだ湿潤層を、接着層とボンディング層の間に形成する。はんだ湿潤層は、はんだとＬＥＤとの間の機械的接続を強化し、接続点の剪断強さを増大させる。
【００５９】
電気的試験の時にプローブの先端によって機械的応力が多層導電性スタックに加えられた場合、バリア層を保護するのに役立つ。
【００６０】
ボンディング層中のＡｕは、バリア層を酸化から保護するのに役立つ。
【００６１】
また、はんだ付けの代替として熱音波ボンディングまたは熱圧着によりＬＥＤとサブマウントを相互に接着するのに使用する共融ダイ接着材料として、ボンディング層中にＡｕＳｎを使用することができる。
【００６２】
多層導電性スタックは、ＮｉまたはＮｉＶを使用してはんだバリアを形成した場合に得られるものより大幅に薄いスタックを提供できることから、ソリッドステートデバイスに好適である。
【００６３】
Ｗ、ＴｉＷ、および／またはＴｉＮＷ、および／またはＷおよびＮｉ層は、厚みを、バリア層としてＮｉのみを使用した場合の厚みの、半分未満にすることができる。このことは、一般に横方向の寸法が小さいソリッドステートデバイスを考慮した場合、および立体的寸法が大きい場合に従来の製造技術の使用に伴う困難さの可能性を考慮した場合に有利である。バリア層はまた、Ｓｎおよび／または他の望ましくない移行に対する、望ましい垂直のバリアを提供することができる。
【００６４】
パッシベーション層は、バリア層を露出する面積を減少した部分の開口部を除いて、ＬＥＤの全エピタキシャル表面を被覆することができ、反射鏡層もしくはオーミック接点、または金属スタックの縁部への、Ｓｎおよび／または他の望ましくない移行を減少または防止するダムを形成する。導電性基板を有するＬＥＤの場合、パッシベーション層は、ダイ接着材料が基板と接触して、寄生ショットキーダイオードの形成などの、望ましくない影響を生じないようにすることもできる。
【００６５】
高電力レベルで作動する大面積ＬＥＤは、デバイスの劣化を減少させ、または防止するため、熱抵抗の低いパッケージングを使用することができる。エポキシを主体とするダイ接着材料は、金属のダイ接着材料と比較して、熱抵抗が高い場合が多い。フリップチップ構成では、ＬＥＤのｐ−ｎ接合領域は、ヒートシンクパッケージにきわめて近い位置に取り付けられ、基板の熱抵抗をバイパスすることができる。このことは、ＳｉＣの熱抵抗が低いのにかかわらず、ＳｉＣを主体とする大面積ＬＥＤに使用することができる。
【００６６】
形成される金属−金属ボンドも、サファイアの熱抵抗が高いため、サファイア基板を有するＬＥＤに使用することができる。
【００６７】
したがって、大面積ＬＥＤに使用することができ、接合部を下にした（フリップチップ）金属−金属ダイ接着構成を使用する利点が得られる。
【００６８】
本例では、小面積ＬＥＤに使用することができる。
【００６９】
また、後のパッケージングおよび組み立て工程中に、デバイスが耐えることのできる許容温度範囲を広くすることもできる。金属−金属ボンドは、後の熱サイクル、たとえばＬＥＤが印刷配線板に取り付けられる場合に対応できるように設計することができる。ＬＥＤダイが３００℃でのＡｕＳｎ熱音波ボンドもしくは熱圧着、または２３０℃でのＳｎＡｇはんだによりサブマウントに取り付けられれば、後の２００℃でのＳｎＰｂはんだを使用する加工サイクルによって、ダイ接着ボンドのリフローのために機械的な故障を生じることはない。すなわち、高温での後の加工によって、ＬＥＤダイがサブマウントから外れることはない。反対に、エポキシを主体とするダイ接着方法を使用するＬＥＤは高温の熱サイクルに耐えない場合がある。
【００７０】
さらに、透明なエポキシは熱加工中に変色して、好ましくない光の減衰を生じることがある。
【００７１】
ＬＥＤサブマウント間のボンドの剪断強さも増大させることができる。スズおよび／または他の望ましくない材料がデバイスのエピタキシャル層に到達するのを減少させ、または防止するはんだバリア層を含ませることにより、金属と半導体との界面の接着強さを保持し、さらに強靱で機械的に安定したデバイスを得ることができる。特に、金のボンディング層の下にニッケルのはんだ湿潤層を含む実施形態は、優れた剪断強さを示す。
【００７２】
さらに、デバイスの熱伝導を改善することができる。この効果は、従来のＬＥＤよりかなり大電流を流すことができる、いわゆる「パワー」または大面積ＬＥＤで特に顕著である。そのようなＬＥＤでは、金属層中の「ボイディング」を防止し、または減少させることができる。ボイディングとは、金属領域中に物理的な空隙またはスペースを形成することである。
【００７３】
そのような金属層中に緻密な粒状組織を維持し、これにより高電力レベルで作動し、それに伴って接合部の温度が高くなるにもかかわらず、デバイスが高い熱伝導率を保つことができる。熱伝導率が改善されることは、ＬＥＤ、特にパワーＬＥＤがパッケージングされる封止材料の劣化を減少させるのに役立つ。このような封止材料は通常熱に弱く、高温に長時間曝露すると、黄色く変色したり、透明度を失ったりする。ＬＥＤマウント境界面の熱伝導を改善することにより、封止材料を通って放散される熱が少なくなり、その結果劣化が減少する。
【００７４】
図１は、第１および第２の相対する面２０ａと２０ｂを有する基板２０、および基板２０の第１の面２０ａ上に形成されたエピタキシャル領域２２を含む、本発明のいくつかの実施形態によるＬＥＤデバイスの前駆物質１０を示す。基板２０は、炭化ケイ素、サファイア、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、または他のあらゆる導電性もしくは非導電性の基板材料を含むものでよい。
【００７５】
基板２０は、ドーピングにより導電性にしたＳｉＣを含む。基板２０は、所定の波長範囲の光学的放射に対して透明である。
【００７６】
エピタキシャル領域２２は、導電性のバッファー層、および少なくともいくつかがダイオード領域を形成する、第ＩＩＩ族元素の窒化物で形成した複数のエピタキシャル層を含む。図１から１０に示す基板、エピタキシャル層、および金属層の寸法は、縮尺どおりではなく、説明の目的で誇張されている。薄いＳｉＯ2および／または他の層（図示されていない）は、後の加工および洗浄工程中に、エピタキシャル領域２２を保護するために、エピタキシャル領域２２の表面上に、たとえばプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により任意に形成することができる。
【００７７】
エピタキシャル領域２２の堆積に引き続いて、図２に示すように、エピタキシャル領域２２をパターニングして、それぞれが側壁３０ａ、３０ｂを有する複数のメサ３０を形成する。図２には示されていないが、メサ３０は基板２０内部にまで延びていてもよい。
【００７８】
さらに、メサ３０はブランケットエピタキシャル成長およびエッチングではなく、マスクの開口を介しての選択的エピタキシャル成長により形成してもよい。
【００７９】
さらに図２を参照して、フォトレジスト２４および／または他の材料の層を前駆物質１０の表面上に形成し、パターニングしてメサ３０の表面を露出させることにより、メサ３０の表面上に第１の狭小領域３０ｃを画定する。任意のＳｉＯ2層が存在する場合には、フォトレジスト２４の開口を介してエッチングを行い、メサ３０中のエピタキシャル領域２２の、エピタキシャル層上の第１の狭小領域３０ｃを露出させる。
【００８０】
次に、多層導電性スタック３５を、たとえば従来のリフトオフ技術を使用して、メサ３０の第１の狭小領域３０ｃ上に形成する。図３に示すように、多層導電性スタック３５は、オーミック層３２、反射層３４、およびバリア層３６を含む。
【００８１】
オーミック層３２は白金を含むが、他の実施形態では、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含むものでもよい。
【００８２】
オーミック層の他の例については、上に引用した特許文献１に記載されている。
【００８３】
オーミック層３２がＰｔを含む場合は、その厚みは約２５Åである。反射層３４は、いかなる適当な反射性金属を含むものでよく、ＡｌまたはＡｇを含むものでよい。
【００８４】
反射層３４は、その厚みは約１０００Åである。
【００８５】
反射層の他の例については、上に引用した特許文献１に記載されている。
【００８６】
バリア層３６は、スズなどのはんだ金属が反射層３４および／またはオーミック層３２と反応することを防止するための、はんだバリア層とすることができる。
【００８７】
また、他の例では、バリア層３６は、Ｗ、ＴｉＷ、および／またはＴｉＮＷを含み、厚みは約５００Åから約５００００Åであり、また、他の例では、約５０００Åである。バリア層３６は、Ｔｉ約５％、Ｗ約９５％の組成を有するＴｉＷを含むものとすることができる。
【００８８】
タングステンまたはチタン／タングステンを含み、厚みが約５００Åから約３０００Åであるバリア層３６の他の例を、約２１０℃未満のリフロー温度ではんだ付け操作（下記）を行う場合に使用することができる。
【００８９】
例えば、共融金／鉛／スズはんだを、約１９０℃から約２１０℃のリフロー温度で使用する場合、約５００Åから約３０００Åのチタン／タングステンを含むバリア層を使用することができる。
【００９０】
リフロー温度が約２２０℃から約２６０℃の、スズ、銀およびアンチモンを含むはんだ等の、他のはんだに対応するため、これより高いリフロー温度を使用することができる。これらのはんだの一例に、スズ約９６．５％、銀約３．５％の、ケスター社の銀／スズはんだペーストＲ２７６ＡＣがある。
【００９１】
したがって、バリア層３６は厚みが約５０００Åのタングステンまたはチタン／タングステンの第１の層３６ａと、第１の層３６ａ上の厚みが約２０００Åのニッケルを含む第２の層３６ｂを含む。
【００９２】
順方向電圧（ＶF）が増大したり、ＬＥＤの光の出力が低下したりすることなく、約３２５℃から約３５０℃の温度に、約５分間耐えることができる。
【００９３】
このように、タングステンまたはチタン／タングステンの層３６ａとニッケルの層３６ｂを含む多層バリア層３６は、リフロー温度が約２００℃を超えるはんだと共に使用することができる。
【００９４】
これらの多層バリア層は、リフロー温度が約２５０℃を超えるはんだと共に使用することができる。
【００９５】
タングステン、銀、および白金を、たとえば電子線技術を用いて堆積させることができる。ＴｉＷを電子線技術を用いて堆積させることができるが、他の例では、ＴｉとＷを同時にスパッタリングで堆積させる。
【００９６】
さらに、ＴｉＷを窒素の存在下でスパッタリングにより堆積させて、ＴｉＮ／ＴｉＷ層を形成することができ、これはＳｎ拡散に対するバリアを形成する。
【００９７】
さらに、バリア層３６は、主としてニッケルまたはＮｉＶを含む。
【００９８】
他の例では、バリア層３６は、約５００Åから１０，０００Åの金の層で完全に被覆された２５００Åのニッケルのはんだバリアを含む。この金の層は、ニッケル層が酸化されるのを防止する。しかし、ニッケルのバリア層を使用すると、高温または大電流レベルでは、スズの移行のため、光学的、電気的性能の劣化が容認できないほど高くなる。
【００９９】
さらに、ニッケルの膜が厚くなると、皮膜の応力が高くなるため、使用が困難になる。このことにより、ニッケルが隣接の反射層および／またはオーミック層から剥離する懸念が生じる。
【０１００】
さらに、バリア層の縁部にＡｕが存在すると、Ｓｎがバリア縁部の下および周囲に移行する経路をつくることがある。
【０１０１】
次に、図４を参照して、パッシベーション層４０を、堆積または他の方法で、デバイスの前駆物質１０の第１の（すなわちエピタキシャル側の）面２０ａ上に形成する。
【０１０２】
パッシベーション層４０はＳｉＯ2および／またはＳｉＮ（化学量論的な量でも非化学量論的な量でも堆積させることができる）を含み、ＰＥＣＶＤおよび／または反応性スパッタリングなどの従来の技術を用いて堆積させることができる。
【０１０３】
パッシベーション層４０の厚みは約１５００Åである。図４に示すように、このブランケット堆積により、パッシベーション層は、メサ３０および多層導電性スタック３５の側壁上にも、バリア層３６の露出面上にも形成される。
【０１０４】
次に、図５を参照して、パッシベーション層４０を（フォトレジストなどの）エッチマスクとともにパターニングして、第１のパターン形成されたパッシベーション層４０ａを形成し、バリア層３６の表面の第２の狭小部分３６ｃを選択的に露出させる。
【０１０５】
リフトオフ技術を用いて、バリア層３６の表面の第２の狭小部分３６ｃを露出させることができる。
【０１０６】
さらに、個別のパターニングステップを用いる必要がないように、パッシベーション層４０ａの選択的堆積を利用することができる。
【０１０７】
さらに、図５を参照して、次に、たとえばＴｉを含む任意の接着層５５をバリア層３６の第２の狭小部分３６ｃ上に堆積させ、ボンディング層６０を接着層５５上に堆積させる。これらの堆積は、パターン形成されたパッシベーション層４０ａをマスクとして使用し、および／またはリフトオフ技術を使用して行うことができる。
【０１０８】
接着層５５の厚みは約１０００Åである。
【０１０９】
ボンディング層６０はＡｕ、Ｓｎ、および／またはＡｕＳｎを含み、厚みは約１０００Åである。
【０１１０】
ボンディング層６０の厚みは約１μｍ（Ａｕの場合）以内、または約１．７μｍ（ＡｕＳｎの場合）以内である。
【０１１１】
しかし、約１０００Åより厚いＡｕ層を使用すると、はんだのリフロー処理に一貫性がなくなったり、はんだ付けのＡｕがぜい化することがあり、この結果、剪断強さが低下することがある。
【０１１２】
図５に示すように、パターン形成されたパッシベーション層４０ａは、接着層５５およびボンディング層の側壁にも存在する。
【０１１３】
他の例では、パターン形成されたパッシベーション層４０ａは、接着層５５およびボンディング層６０の側壁まで延びていない。
【０１１４】
これらの例では、パッシベーション層は導電性スタック３５の側壁上に延びていてもよい。
【０１１５】
他の例では、ボンディング層６０は多層導電性スタック３５から離れて、パッシベーション層４０ａの外側まで延びている。
【０１１６】
さらに他の例では、ボンディング層６０は、パターン形成されたパッシベーション層４０ａの外面の外側まで延びていない。
【０１１７】
導電性基板上に形成されたデバイスに関しては、オーミック接点およびワイヤボンドパッド（図示されていない）をエピタキシャル領域と反対側の、第２の基板面２０ｂ上に形成して、垂直方向に導電性のあるデバイスを形成する。このような例の多くは、特許文献１に記載されている。
【０１１８】
非導電性基板上に形成されたデバイスに関しては、オーミック接点および金属のボンディング層（図示されていない）を、デバイスのｎ型エピタキシャル領域上に形成して、水平方向に導電性のあるデバイスを形成することができる。このような例の多くも、特許文献１に記載されている。
【０１１９】
次に、図６を参照して、前駆物質１０を個々の発光ダイオード１００にダイシングする。図６はさらに、ＬＥＤ１００を、光の抽出を増大させるために、面取りをした側壁構成７０を有するように、のこぎりで切断してもよいことを示している。基板の形削りの、他の多くの実施形態は、特許文献１に記載されている。
【０１２０】
したがって、図６は、基板２０、ダイオード領域を含む基板２０のエピタキシャル領域（以前はメサと称した）３０、基板２０と反対側のエピタキシャル領域３０上の多層導電性スタック３５、少なくとも一部がエピタキシャル領域３０と反対側の多層導電性スタック３５上に延び、エピタキシャル領域３０と反対側の多層導電性スタック３５上に面積が縮小されたボンディング領域３６ｃを画定するパッシベーション層４０ｂを含む、発光ダイオード１００を示す。
【０１２１】
パッシベーション層４０ｂは、多層導電性スタック３５を越え、エピタキシャル領域３０を越えて、第１の基板面２０ａまで延びている。
【０１２２】
図６に示すように、多層導電性スタック３５およびエピタキシャル領域３０の両方が側壁を含み、パッシベーション層４０ｂが多層導電性スタック３５およびエピタキシャル領域３０の側壁上に延びている。
【０１２３】
図６に示すように、ボンディング層６０がボンディング領域３６ｃ上に形成されている。ボンディング層６０は、ボンディング層の側壁を含み、パッシベーション層４０ｂは、ボンディング層の側壁の上まで延びている場合と延びていない場合がある。
【０１２４】
最後に、接着層５５を多層導電性スタック３５とボンディング層６０の間に形成してもよく、パッシベーション層４０ｂも接着層５５および／またはボンディング層６０の側壁の上まで延びている場合と延びていない場合がある。
【０１２５】
さらに、図６を参照して、基板２０は、エピタキシャル領域３０に隣接する第１の面２０ａと、エピタキシャル領域と反対側の第２の面２０ｂを含む。図６に示すように、ボンディング層６０は多層導電性スタック３５より小さい表面積を有し、多層導電性スタック３５はエピタキシャル領域３０より小さい表面積を有する。エピタキシャル領域３０は第１の面２０ａより小さい表面積を有する。第２の面２０ｂも第１の面２０ａより小さい表面積を有する。
【０１２６】
図６は、さらに、第１および第２の相対する面２０ａ、２０ｂをそれぞれ有し、第２の面２０ｂが第１の面より小さい表面積を有する基板２０を含む、発光ダイオードを示す。エピタキシャル領域３０は第１の面２０ａ上にあり、ダイオード領域を含んでいる。オーミック層３２は、基板２０と反対側のエピタキシャル領域３０上にある。反射層３４は、エピタキシャル領域３０と反対側のオーミック層３２上にある。バリア層３６は、オーミック層３２と反対側の反射層３４上にある。接着層５５は、反射層３４と反対側のバリア層３６上にある。
【０１２７】
最後に、ボンディング層６０は、バリア層３６と反対側の接着層５５上にある。
【０１２８】
また、図６に示すように、バリア層３６は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含む。
【０１２９】
スズのバリア層３６は、タングステンを含む第１の層３６ａと、タングステンを含む第１の層３６ａ上にニッケルを含む第２の層３６ｂを有する。
【０１３０】
また、図６に示すように、エピタキシャル領域３０は、第１の面２０ａより小さい表面積を有する。バリア層３６、反射層３４、およびオーミック層３２は同一の表面積を有し、この表面積はエピタキシャル領域３０の表面積より小さい。
【０１３１】
接着層５５およびボンディング層６０は同一の表面積を有し、この表面積はバリア層３６、反射層３４、およびオーミック層３２の表面積より小さい。
【０１３２】
最後に、図６に示すように、エピタキシャル領域３０、オーミック層３２、反射層３４、バリア層３６、接着層５５、およびボンディング層６０は、それぞれ側壁を含み、発光ダイオード１００は、さらにエピタキシャル領域３０、オーミック層３２、反射層３４、およびバリア層３６の側壁上にパッシベーション層４０ｂを含む。
【０１３３】
パッシベーション層は、接着層５５および／またはボンディング層６０の側壁上に延びていても延びていなくてもよい。パッシベーション層４０ｂは、基板２０の第１の面２０ａ上に延びていてもよい。
【０１３４】
図７は、ボンディング層６０がはんだ湿潤層６２と、濡れパッシベーション層６４を含む例を示す。
【０１３５】
はんだ湿潤層６２はニッケルを含み、厚みは約２０００Åである。
【０１３６】
濡れパッシベーション層６４はＡｕを含み、厚みは約５００Åである。
【０１３７】
ニッケルのはんだ湿潤層６２を使用すると、はんだへの機械的接着が強化され、これにより接続の剪断強さを増大させ、機械的故障を減少させることができる。
【０１３８】
図８は、ボンディング層６０および任意の接着層５５が、パッシベーション層４０ｂの外縁４０ｃを越えて延びていない例を示す。
【０１３９】
この構成は、ＬＥＤをリードフレームに取り付けるのにはんだ付けを使用する場合に用いることができる。
【０１４０】
図１から図８は、複数の発光ダイオードを作製する方法も示す。
【０１４１】
これらの方法は、基板２０上に、ダイオード領域を含む、間隔を空けた複数のメサ領域３０を、エピタキシャル形成させる工程を含む（図２参照）。第１の狭小領域３０ｃを、メサ領域上に画定する（図２参照）。バリア層を含む多層導電性スタック３５を、メサ領域３０の第１の狭小領域３０ｃ上に形成する（図３参照）。
【０１４２】
パッシベーション層４０ａを、メサ領域３０間の基板２０上、およびメサ領域の露出部分および多層スタック３５の露出部分に形成し、パッシベーション層４０ａは多層導電性スタック３５上に第２の狭小領域３６ｃを画定する（図４および図５参照）。
【０１４３】
次に、ボンディング層６０を多層導電性スタック３５上の第２の狭小領域３６ｃ上に形成する（図５参照）。基板２０をメサ３０間でダイシングして、複数の発光ダイオード１００を製造する（図６参照）。
【０１４４】
次に、図９および図１０を参照して、ＬＥＤ１００をダイシングした後、図９および１０に示すように、ＬＥＤと導電性のサブマウント７５を相互に接着する。
【０１４５】
図９は、熱音波および／または熱圧着ボンディングによりＬＥＤ１００を、エピタキシャル側を下にして、「フリップチップ」構成に取り付ける本発明の実施形態を示している。
【０１４６】
すなわち、たとえば特許文献２に記載されているように、エポキシまたははんだを使用してＬＥＤ１００とサブマウント７５の間に機械的接続またはボンドを形成する代わりに、ＬＥＤ１００のボンディング層６０を熱音波または熱圧着ボンディングにより直接サブマウント７５に接着する。
【０１４７】
熱音波または熱圧着ボンディングは、ＬＥＤチップ１００をサブマウントに機械的に接触させ、ボンディングメタルの共融温度より高い温度で機械的および／または音響の刺激を与える。これにより、ボンディングメタルが金属サブマウントとボンドを形成し、ＬＥＤとサブマウントの間に電気機械的接続を生じる。
【０１４８】
ボンディング層６０が約８０％／２０％のＡｕ／Ｓｎ組成を有する本発明の実施形態では、熱音波ボンディングに使用する温度は、約３００℃とすることができる。
【０１４９】
バリア層３６および／またはパッシベーション層４０ｂが存在すると、ボンディング層６０の金属と、反射層３４および／またはオーミック層３２との間の不必要な相互作用が減少または防止される。
【０１５０】
バリア層３６および／またはパッシベーション層４０はまた、金属スタック３５の縁部に沿っての金属の望ましくない移行を遅延または抑制するのにも役立つ。
【０１５１】
ＬＥＤ１００は、図１０に示すように、ＳｎＡｇ、ＳｎＰｂ、および／または他のはんだ等の金属はんだ８０を用いて、サブマウント７５上に取り付けることができる。
【０１５２】
パッシベーション層４０ｂは、はんだ８０からのスズが、反射層３４および／またはオーミック層３２に移行し（これにより劣化の可能性を生じるのを）減少させ、または防止することができる。
【０１５３】
パッシベーション層４０ｂはまた、導電性のはんだ８０が、基板２０およびメサの側壁に接触し、その他にデバイス１００のｎ型領域への望ましくない寄生ショットキー接点の形成を減少させ、または防止することができる。
【０１５４】
他のボンディング技術は、上に引用した特許文献３に開示されている。
【０１５５】
＜試験結果＞
下記の試験結果は、説明のためのもので、本発明の範囲を限定すると解釈されるべきではない。図１１Ａ〜図１１Ｄは、２５００ÅのＮｉはんだバリアの試験結果をグラフで表したもの、図１２Ａ〜図１２Ｄは、５０００ÅのＴｉＷバリアの試験結果をグラフで表したものである。
【０１５６】
第１の試験では、いくつかのＬＥＤサンプルの高温作動寿命（ＨＴＯＬ）を測定した。この試験では、ＴｉＷはんだバリア３６、ＳｉＮのパッシベーション層４０ｂ、および金のボンディング層６０を有する２０個のＬＥＤを作製した。Ｎｉはんだバリアを使用した以外は同様の構造を有する２０個のＬＥＤも作製した。デバイスを銀メッキした半径５ｍｍのリードフレームにはんだ付けで取り付けた。
【０１５７】
次に、デバイスを、温度８５℃に維持しながら２０ｍＡの順電流で作動させた。２４、１６８、３３６、５０４、６７２、８６４、および１００８時間後に、光の出力およびＶFを測定した。図１１Ａおよび図１２Ａに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスは、ＴｉＷバリアを有するデバイスと比較して、光の出力に大きい劣化を示した。
【０１５８】
さらに、ＶFはＴｉＷバリアを有するデバイス（図１２Ｂ）よりＮｉバリアを有するデバイス（図１１Ｂ参照）の方が増大した。
【０１５９】
第２の試験では、ＴｉＷはんだバリア３６、ＳｉＮのパッシベーション層４０ｂ、および金のボンディング層６０を有する２０個のＬＥＤと、Ｎｉバリアを使用した以外は同様の構造を有する２０個のＬＥＤを作製した。
【０１６０】
これらのデバイスを上述のＨＴＯＬ試験と同様に取り付け、温度８５℃、相対湿度８５％に維持しながら、７０ｍＡのパルス順電流（４ｋＨｚで２５％負荷サイクル）で５０４時間作動させた。２４、１６８、３３６、５０４、６７２、８６４、および１００８時間後に、光の出力およびＶFを測定した。図１１Ｃおよび図１２Ｃに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスは、光の出力に大きい劣化が生じ、図１１Ｄおよび図１２Ｄに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスの方が大きいＶFの増大を生じた。
【０１６１】
なお、図面および本明細書で、本発明の代表的な実施形態を開示し、特定の用語を使用したが、これらは包括的および説明的意味のみに使用したものであって、何ら制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図５】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図６】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図７】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図９】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図１１Ａ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｂ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｃ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｄ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ａ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｂ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｃ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｄ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【０００１】
本発明は、マイクロ電子デバイス、および、その製法に関するものであり、より詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光デバイス、および、その製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願は、すべての開示が本願に完全に述べられているように参照として示された２００２年１月３０日出願の米国特許仮出願第６０／３５２９４１号明細書「ＬＥＤダイ接着方法および得られた構造」、２００１年７月２３日出願の米国特許仮出願第６０／３０７３１１号明細書「発光ダイオードのフリップチップボンディング」、２００１年７月２３日出願の米国特許仮出願第６０／３０７２３４号明細書「フリップチップ発光ダイオードの熱音波ボンディング」、および２００２年１月２５日出願の米国特許出願第１０／０５７８２１号明細書「光抽出のための変更態様を含む発光ダイオードおよびその製法」の恩典と優先権を主張するものである。
【０００３】
発光ダイオードは、民生用および商業用適用分野で広く使用されている。当業者に周知のとおり、発光ダイオードは一般に、マイクロ電子基板上にダイオード領域を含んでいる。マイクロ電子基板は、たとえばガリウムヒ素、ガリウム燐、これらの合金、炭化ケイ素、および／またはサファイアを含むことができる。ＬＥＤの継続的開発により、可視光線および可視光線を超えるスペクトルをカバーする、効率が高く、機械的に堅牢な光源が得られるようになった。これらの属性と、ソリッドステートデバイスの耐用性が高まる可能性があいまって、各種の新規表示装置への適用が可能になり、ＬＥＤが、十分に確立している白熱ランプや蛍光ランプと競合することができる。
【０００４】
ガリウムヒ素（ＧａＮ）を主成分とするＬＥＤは、通常、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはサファイアなどの絶縁体または半導体基板に、複数のＧａＮを主成分とするエピタキシャル層を堆積させたものを含む。エピタキシャル層は、ｐ−ｎ接合を有する活性またはダイオード領域を含み、電圧の印加により光を発する。
【０００５】
ＬＥＤは、パッケージまたはリードフレームとも呼ばれるサブマウント（以下サブマウントと称する）上に、基板側を下にして取り付けられる。これに対して、発光ダイオードのフリップチップ取り付けでは、ＬＥＤはサブマウント上に、基板側を上にして（すなわちサブマウントから離して）取り付けられる。光は、基板を通して抽出され、放射される。フリップチップ取り付けは、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤを取り付ける場合に特に望ましい技術である。とりわけ、ＳｉＣは屈折率がＧａＮより高いため、一般に活性またはダイオード領域から放出される光が、ＧａＮとＳｉＣの界面で完全に内部反射しない（すなわちＧａＮを主成分とする層に戻るように反射される）。また、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤのフリップチップ取り付けは、当業界に周知のある種の基板シェイピング技術の効果を高めることもできる。ＳｉＣ−ＬＥＤのフリップチップパッケージングによって、ＬＥＤの特定の適用分野に望ましい熱放散の改善など、他の利点も得られる。
【０００６】
ＳｉＣの屈折率が高いため、ＳｉＣ基板を通過する光は、かなり低い入射角（すなわち法線に近い角度）で基板表面に入射しないかぎり、基板表面に完全に内部反射する傾向がある。完全な内部反射の臨界角度は、ＳｉＣが界面を形成する材料に依存する。ＳｉＣ基板を、低い入射角でＳｉＣの表面に入射する光線の量を増大させることによって、内部反射の総量を制限するような方法でＳｉＣ基板をシェイピングすることにより、ＳｉＣを主成分とするＬＥＤからの光の出力を増大させることができる。いくつかのこのようなシェイピング技術と、得られたデバイスについては、上に引用した特許文献１に教示されている。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許出願第１０／０５７８２１号明細書
【特許文献２】
米国特許出願第６０／３０７２３４号明細書
【特許文献３】
米国特許仮出願第６０／３０７３１１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
フリップチップ取り付け時における問題の１つとしては、従来の方法によってＬＥＤをサブマウントに取り付けた場合、銀エポキシ等の導電性ダイ接着材料がＬＥＤおよび／またはパッケージに堆積し、ＬＥＤとサブマウントがともにプレスされることである。
これによって、粘度の高い導電性ダイ接着材料が絞り出され、Ｎ型基板および／またはデバイス中の層と接触し、活性領域のｐ−ｎ接合を短絡させる可能性のあるショットキーダイオード接続を形成することがある。
【０００９】
このような従来の技術によって、はんだ（半田）付け、熱音波スクラビング、および／または熱圧着ボンディングにより形成された金属と金属との接着は、代替的接着技術である。
【００１０】
しかし、スズ（Ｓｎ）はほとんどの種類のはんだの一成分で、接着面からデバイスへのＳｎの移行（マイグレーション）は、デバイスが不必要に劣化する原因となる。
【００１１】
このような移行は、オーミック接点および／または鏡として作用する反射境界面などの金属と金属との境界面の機能を妨害する。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、ＬＥＤのサブマウント時において、接着面からデバイスへのＳｎの移行（マイグレーション）を阻止させ、該デバイスの接着による劣化を防止させることが可能な、発光デバイスおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一実施形態による発光ダイオードは、基板と、基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある、バリア層を含む多層導電性スタックとを含む。パッシベーション層は、少なくとも一部がエピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上に延び、エピタキシャル領域と反対側の多層導電性スタック上にボンディング領域を画定する。パッシベーション層はさらに、多層導電性スタックを跨いで、エピタキシャル領域を跨いで、基板上にも延びている。
【００１４】
本発明の一実施形態では、パッシベーション層は、ボンディング領域をサブマウントに接着させるのに使用するボンディング材料に対して濡れ性がない。
【００１５】
本発明の一実施形態では、多層導電性スタックおよびエピタキシャル領域がいずれも側壁を含み、パッシベーション層が多層導電性スタックとエピタキシャル領域の側壁上に延びている。
【００１６】
本発明の一実施形態では、ボンディング層をボンディング領域上に設ける。
【００１７】
本発明の一実施形態では、ボンディング層が側壁を含み、パッシベーション層がボンディング層の側壁にも延びている。さらに他の実施形態では、パッシベーション層がボンディング層の側壁には延びていない。
【００１８】
本発明の一実施形態では、多層導電性スタックとボンディング層の間に接着層および／またははんだ湿潤層をさらに有する。
【００１９】
本発明の一実施形態では、接着層が接着層の側壁を含み、パッシベーション層が接着層の側壁にも延びている。さらに他の実施形態では、パッシベーション層が接着層の側壁には延びていない。
【００２０】
本発明の一実施形態では、基板が、エピタキシャル領域に隣接する第１の面と、エピタキシャル領域と反対側の第２の面を含む。
【００２１】
本発明の一実施形態では、接着層が多層導電性スタックより小さい表面積を有し、多層導電性スタックがエピタキシャル領域より小さい表面積を有し、エピタキシャル領域が第１の面より小さい表面積を有する。本発明の他の実施形態では、第２の面が第１の面より小さい表面積を有する。
【００２２】
本発明の一実施形態では、サブマウントと、ボンディング領域とサブマウントの間にボンドとをさらに有する。
【００２３】
本発明の一実施形態では、ボンドが、熱圧着ボンドである。
【００２４】
本発明の一実施形態では、ボンドが、はんだを含む。
【００２５】
本発明の一実施形態による発光ダイオードは、第１の面と、第１の面に対応し、第１の面より小さい表面積を有する第２の面とを有する基板を含む。エピタキシャル領域が、ダイオード領域を含む第１の面上に設けられている。オーミック層が、基板と反対側のエピタキシャル領域上にある。反射層が、エピタキシャル領域と反対側のオーミック層上にある。バリア層が、オーミック層と反対側の反射層上にある。接着層が、反射層と反対側のバリア層上にある。ボンディング層が、バリア層と反対側の接着層上にある。
【００２６】
本発明の一実施形態では、はんだ湿潤層は、バリア層と反対側の接着層上にある。
【００２７】
本発明の一実施形態は、サブマウントと、ボンディング層とサブマウントの間にボンドとをさらに有する。
【００２８】
本発明の一実施形態では、オーミック層が、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含む。さらに本発明の他の実施形態では、反射層が、アルミニウムおよび／または銀を含む。本発明のいくつかの実施形態では、バリア層が、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含む。本発明の他の実施形態では、バリア層が、タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成されたニッケルを含む第２の層を含む。
【００２９】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２１０℃未満であり、バリア層が厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含む。
【００３０】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２１０℃より高く、バリア層が、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含む。
【００３１】
本発明の一実施形態では、はんだのリフロー温度が約２５０℃より高く、バリア層が、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含む。
【００３２】
本発明の一実施形態では、エピタキシャル領域は第２の面より小さい表面積を有する。バリア層、反射層、およびオーミック層は、エピタキシャル領域の表面積より小さい同一の表面積を有する。接着層およびボンディング層は、バリア層、反射層、およびオーミック層表面積より小さい同一の表面積を有する。
【００３３】
本発明の一実施形態では、上述のパッシベーション層も設けることができる。
【００３４】
本発明の一実施形態によるパッシベーション層には、エピタキシャル領域両端の外部短絡を防止する手段が設けられている。さらに、本発明のいくつかの実施形態による、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステン層、またはチタン／タングステン層およびニッケル層を含むバリア層には、スズおよび／または他の有害物が多層導電性スタックに移行するのを減少させる手段が設けられている。
【００３５】
本発明の一実施形態によれば、下記の方法により発光ダイオードを製造することができる。基板上に、ダイオード領域を含む複数の間隙を介したメサ領域をエピタキシャル形成する。メサ領域上に、たとえばフォトリソグラフィを用いて、第１の狭小領域を画定する。メサ領域の第１の狭小領域上に、バリア層を含む多層導電性スタックを形成する。メサ領域間の基板上、メサ領域の露出部分上、および多層導電性スタックの露出部分上に、パッシベーション層を形成する。バリア層は、多層導電性スタック上に第２の狭小領域を画定する。多層導電性スタック上の第２の狭小領域上に、ボンディング層を形成する。次に基板をメサ間でダイシングして、複数の発光ダイオードを作製する。
【００３６】
本発明の一実施形態では、ダイシングの後に、ボンディング層をサブマウントに接着する。
【００３７】
本発明の一実施形態では、熱圧着を使用する。
【００３８】
本発明の一実施形態では、はんだ付けを使用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態を示した添付の図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明は多数の代替形態により実施することが可能であり、本明細書に述べる実施の形態に限定されると解釈されるべきではない。
【００４０】
本発明は各種の変更態様および代替形態が可能であるため、特定の実施形態を例として図に示し、本明細書に詳細に説明する。しかし、本発明を開示した特定の形態に限定する意図はなく、反対に、本発明は、請求項に定義される本発明の原理および範囲に該当するすべての変更態様、同等の態様、および代替形態を包含するものである。図の説明全体において、同等の番号は同等の要素を参照する。図中、層および領域の寸法は、明確にするために誇張して示したものがある。また、層、領域、基板などの要素が他の要素の「上に」と記載されている場合は、他の要素の直接上にある場合も、介在する要素が存在する場合もあるものと理解すべきである。反対に、層、領域、基板などの要素が他の要素の「直接上に」と記載されている場合は、介在する要素は存在しない。さらに、本明細書に説明され、図示された各実施形態は、それと相補的な電導型の実施形態も含んでいる。
【００４１】
本発明の一実施形態を、全般に炭化ケイ素を主体とする基板上の、窒化ガリウムを主体とする発光ダイオードを参照して説明する。
【００４２】
ただし、放射される光に対して非吸収性または透明な基板と、屈折率整合（ｉｎｄｅｘ−ｍａｔｃｈｅｄ）発光ダイオードエピタキシャル層とを任意に組み合わせて使用することができることは、当業者に理解される。
【００４３】
基板の屈折率は、ダイオードの屈折率より大きい。したがって、組合せには、ＧａＰ基板上のＡｌＧａＩｎＰダイオード、ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓダイオード、ＧａＡｓ基板上のＡｌＧａＡｓダイオード、ＳｉＣ基板上のＳｉＣダイオード、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上のＳｉＣダイオード、および／または窒化ガリウム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、および／または他の基板上の窒化物を主体とするダイオードを含むことができる。
【００４４】
はんだ付けおよび／または熱音波スクラブボンディングによるダイ接着に最適の、ＬＥＤデバイス上のボンディング領域を画定する周囲上に、パッシベーション層を有する金属スタックを提供する。
【００４５】
はんだ付けおよび／または熱音波ボンディングを使用してフリップチップ取り付けが可能で、ＬＥＤの金属および／または半導体層の望ましくない劣化を減少させ、または排除することができるバリア層を含むＬＥＤを提供する。
【００４６】
パッシベーション層とバリア層の両方を提供することができる。
【００４７】
本例は、これらのＬＥＤデバイスの製法を提供する。
【００４８】
パッシベーション層は、ダイオード領域両端の短絡を防止する手段を提供することができる。
【００４９】
バリア層は、スズおよび／または好ましくない材料がＬＥＤに移行するのを減少させる手段を提供することができる。
【００５０】
従来のサファイアを主体とする方法では、チップまたはダイとも呼ばれるＬＥＤを透明なエポキシでサブマウントに接着する。導電性のＳｉＣ基板を有するＬＥＤの場合、一般に銀を混合した導電性エポキシを使用して、ＬＥＤとサブマウントを相互に接着する。従来のＳｉＣまたはサファイア基板上の窒化物を主体とするＬＥＤは、一般にエピタキシャル側を上にして、サブマウントに接着した基板とともにパッケージングされる。
【００５１】
従来のＳｉＣを主体とするＬＥＤのいくつかの実施形態は、ｎ型導電性基板と、ダイオード領域を画定する１つまたは複数のｎ型エピタキシャル層と、１つまたは複数のｐ型エピタキシャル層を含むエピタキシャル領域を基板上に有する。ｐ型エピタキシャルＬＥＤの表面に、透明なオーミック接点を形成することができる。特許文献１に記載されているように、薄い透明なオーミック接点上に反射層を形成することは、デバイスからの光の抽出を改善するのに役立つことがある。この反射層は、薄い接点全体に均一に電流を供給し、さらに光を反射してサブマウントから離れた基板に戻すのに有用である。
【００５２】
不幸にして、はんだまたは熱音波／熱圧着ボンドからのＳｎおよび／または他の汚染物質が接着面から反射層に移行した場合には、反射層の反射が弱くなる場合がある。さらに、汚染物質が反射層を越えて透明なオーミック接点まで移行すると、透明なオーミック接点の接触比抵抗が高くなり、デバイスの順電圧（ＶF）が増大する。これらはともに、デバイスを劣化させる特徴となりうる。
【００５３】
反射層は、Ａｇおよび／またはＡｌを含み、薄い透明なオーミック層はＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕまたはこれらの元素を組み合わせたものを含む。不幸にして、ＳｎはＡｇ、Ｐｔ、Ａｕ、および半導体製造に使用する他の多くの金属と、容易に合金を生成する。
【００５４】
ＬＥＤのｐ型の表面上に形成される、一連の導電層（本明細書では「多層導電性スタック」と称する）の第１の部分は、オーミック層、反射層、およびバリア層を含む。
【００５５】
バリア層はチタン、チタン／タングステン（ＴｉＷ）および／または窒化チタン／タングステン（ＴｉＮＷ）の薄い層を含む。
【００５６】
バリア層はチタン／タングステンの第１の層と、第１の層上のニッケルを含む第２の層を含む。
【００５７】
多層導電性スタックのこの部分、およびデバイスの上部は、はんだまたは共融ダイ接着材料によって濡れを生じない絶縁層などのパッシベーション層により不動態化されている。パッシベーション層は、従来のスピンオン、または化学蒸着（ＣＶＤ）および／または反応性スパッタリングなどの堆積技術により形成することができ、二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素などの酸化物および／または窒化物で形成することができる。
【００５８】
次に、バリア層の表面の一部だけが露出するように、横方向の寸法（すなわち表面積）がバリア層の横方向の寸法より小さいパッシベーション層に開口を形成する。このような開口は、従来のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて形成することができる。Ｔｉを含む任意の接着層を開口中に形成し、Ａｕ、Ｓｎおよび／またはＡｕＳｎを含む厚いボンディング層も形成する。他の実施形態では、任意のはんだ湿潤層を、接着層とボンディング層の間に形成する。はんだ湿潤層は、はんだとＬＥＤとの間の機械的接続を強化し、接続点の剪断強さを増大させる。
【００５９】
電気的試験の時にプローブの先端によって機械的応力が多層導電性スタックに加えられた場合、バリア層を保護するのに役立つ。
【００６０】
ボンディング層中のＡｕは、バリア層を酸化から保護するのに役立つ。
【００６１】
また、はんだ付けの代替として熱音波ボンディングまたは熱圧着によりＬＥＤとサブマウントを相互に接着するのに使用する共融ダイ接着材料として、ボンディング層中にＡｕＳｎを使用することができる。
【００６２】
多層導電性スタックは、ＮｉまたはＮｉＶを使用してはんだバリアを形成した場合に得られるものより大幅に薄いスタックを提供できることから、ソリッドステートデバイスに好適である。
【００６３】
Ｗ、ＴｉＷ、および／またはＴｉＮＷ、および／またはＷおよびＮｉ層は、厚みを、バリア層としてＮｉのみを使用した場合の厚みの、半分未満にすることができる。このことは、一般に横方向の寸法が小さいソリッドステートデバイスを考慮した場合、および立体的寸法が大きい場合に従来の製造技術の使用に伴う困難さの可能性を考慮した場合に有利である。バリア層はまた、Ｓｎおよび／または他の望ましくない移行に対する、望ましい垂直のバリアを提供することができる。
【００６４】
パッシベーション層は、バリア層を露出する面積を減少した部分の開口部を除いて、ＬＥＤの全エピタキシャル表面を被覆することができ、反射鏡層もしくはオーミック接点、または金属スタックの縁部への、Ｓｎおよび／または他の望ましくない移行を減少または防止するダムを形成する。導電性基板を有するＬＥＤの場合、パッシベーション層は、ダイ接着材料が基板と接触して、寄生ショットキーダイオードの形成などの、望ましくない影響を生じないようにすることもできる。
【００６５】
高電力レベルで作動する大面積ＬＥＤは、デバイスの劣化を減少させ、または防止するため、熱抵抗の低いパッケージングを使用することができる。エポキシを主体とするダイ接着材料は、金属のダイ接着材料と比較して、熱抵抗が高い場合が多い。フリップチップ構成では、ＬＥＤのｐ−ｎ接合領域は、ヒートシンクパッケージにきわめて近い位置に取り付けられ、基板の熱抵抗をバイパスすることができる。このことは、ＳｉＣの熱抵抗が低いのにかかわらず、ＳｉＣを主体とする大面積ＬＥＤに使用することができる。
【００６６】
形成される金属−金属ボンドも、サファイアの熱抵抗が高いため、サファイア基板を有するＬＥＤに使用することができる。
【００６７】
したがって、大面積ＬＥＤに使用することができ、接合部を下にした（フリップチップ）金属−金属ダイ接着構成を使用する利点が得られる。
【００６８】
本例では、小面積ＬＥＤに使用することができる。
【００６９】
また、後のパッケージングおよび組み立て工程中に、デバイスが耐えることのできる許容温度範囲を広くすることもできる。金属−金属ボンドは、後の熱サイクル、たとえばＬＥＤが印刷配線板に取り付けられる場合に対応できるように設計することができる。ＬＥＤダイが３００℃でのＡｕＳｎ熱音波ボンドもしくは熱圧着、または２３０℃でのＳｎＡｇはんだによりサブマウントに取り付けられれば、後の２００℃でのＳｎＰｂはんだを使用する加工サイクルによって、ダイ接着ボンドのリフローのために機械的な故障を生じることはない。すなわち、高温での後の加工によって、ＬＥＤダイがサブマウントから外れることはない。反対に、エポキシを主体とするダイ接着方法を使用するＬＥＤは高温の熱サイクルに耐えない場合がある。
【００７０】
さらに、透明なエポキシは熱加工中に変色して、好ましくない光の減衰を生じることがある。
【００７１】
ＬＥＤサブマウント間のボンドの剪断強さも増大させることができる。スズおよび／または他の望ましくない材料がデバイスのエピタキシャル層に到達するのを減少させ、または防止するはんだバリア層を含ませることにより、金属と半導体との界面の接着強さを保持し、さらに強靱で機械的に安定したデバイスを得ることができる。特に、金のボンディング層の下にニッケルのはんだ湿潤層を含む実施形態は、優れた剪断強さを示す。
【００７２】
さらに、デバイスの熱伝導を改善することができる。この効果は、従来のＬＥＤよりかなり大電流を流すことができる、いわゆる「パワー」または大面積ＬＥＤで特に顕著である。そのようなＬＥＤでは、金属層中の「ボイディング」を防止し、または減少させることができる。ボイディングとは、金属領域中に物理的な空隙またはスペースを形成することである。
【００７３】
そのような金属層中に緻密な粒状組織を維持し、これにより高電力レベルで作動し、それに伴って接合部の温度が高くなるにもかかわらず、デバイスが高い熱伝導率を保つことができる。熱伝導率が改善されることは、ＬＥＤ、特にパワーＬＥＤがパッケージングされる封止材料の劣化を減少させるのに役立つ。このような封止材料は通常熱に弱く、高温に長時間曝露すると、黄色く変色したり、透明度を失ったりする。ＬＥＤマウント境界面の熱伝導を改善することにより、封止材料を通って放散される熱が少なくなり、その結果劣化が減少する。
【００７４】
図１は、第１および第２の相対する面２０ａと２０ｂを有する基板２０、および基板２０の第１の面２０ａ上に形成されたエピタキシャル領域２２を含む、本発明のいくつかの実施形態によるＬＥＤデバイスの前駆物質１０を示す。基板２０は、炭化ケイ素、サファイア、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、または他のあらゆる導電性もしくは非導電性の基板材料を含むものでよい。
【００７５】
基板２０は、ドーピングにより導電性にしたＳｉＣを含む。基板２０は、所定の波長範囲の光学的放射に対して透明である。
【００７６】
エピタキシャル領域２２は、導電性のバッファー層、および少なくともいくつかがダイオード領域を形成する、第ＩＩＩ族元素の窒化物で形成した複数のエピタキシャル層を含む。図１から１０に示す基板、エピタキシャル層、および金属層の寸法は、縮尺どおりではなく、説明の目的で誇張されている。薄いＳｉＯ2および／または他の層（図示されていない）は、後の加工および洗浄工程中に、エピタキシャル領域２２を保護するために、エピタキシャル領域２２の表面上に、たとえばプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により任意に形成することができる。
【００７７】
エピタキシャル領域２２の堆積に引き続いて、図２に示すように、エピタキシャル領域２２をパターニングして、それぞれが側壁３０ａ、３０ｂを有する複数のメサ３０を形成する。図２には示されていないが、メサ３０は基板２０内部にまで延びていてもよい。
【００７８】
さらに、メサ３０はブランケットエピタキシャル成長およびエッチングではなく、マスクの開口を介しての選択的エピタキシャル成長により形成してもよい。
【００７９】
さらに図２を参照して、フォトレジスト２４および／または他の材料の層を前駆物質１０の表面上に形成し、パターニングしてメサ３０の表面を露出させることにより、メサ３０の表面上に第１の狭小領域３０ｃを画定する。任意のＳｉＯ2層が存在する場合には、フォトレジスト２４の開口を介してエッチングを行い、メサ３０中のエピタキシャル領域２２の、エピタキシャル層上の第１の狭小領域３０ｃを露出させる。
【００８０】
次に、多層導電性スタック３５を、たとえば従来のリフトオフ技術を使用して、メサ３０の第１の狭小領域３０ｃ上に形成する。図３に示すように、多層導電性スタック３５は、オーミック層３２、反射層３４、およびバリア層３６を含む。
【００８１】
オーミック層３２は白金を含むが、他の実施形態では、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含むものでもよい。
【００８２】
オーミック層の他の例については、上に引用した特許文献１に記載されている。
【００８３】
オーミック層３２がＰｔを含む場合は、その厚みは約２５Åである。反射層３４は、いかなる適当な反射性金属を含むものでよく、ＡｌまたはＡｇを含むものでよい。
【００８４】
反射層３４は、その厚みは約１０００Åである。
【００８５】
反射層の他の例については、上に引用した特許文献１に記載されている。
【００８６】
バリア層３６は、スズなどのはんだ金属が反射層３４および／またはオーミック層３２と反応することを防止するための、はんだバリア層とすることができる。
【００８７】
また、他の例では、バリア層３６は、Ｗ、ＴｉＷ、および／またはＴｉＮＷを含み、厚みは約５００Åから約５００００Åであり、また、他の例では、約５０００Åである。バリア層３６は、Ｔｉ約５％、Ｗ約９５％の組成を有するＴｉＷを含むものとすることができる。
【００８８】
タングステンまたはチタン／タングステンを含み、厚みが約５００Åから約３０００Åであるバリア層３６の他の例を、約２１０℃未満のリフロー温度ではんだ付け操作（下記）を行う場合に使用することができる。
【００８９】
例えば、共融金／鉛／スズはんだを、約１９０℃から約２１０℃のリフロー温度で使用する場合、約５００Åから約３０００Åのチタン／タングステンを含むバリア層を使用することができる。
【００９０】
リフロー温度が約２２０℃から約２６０℃の、スズ、銀およびアンチモンを含むはんだ等の、他のはんだに対応するため、これより高いリフロー温度を使用することができる。これらのはんだの一例に、スズ約９６．５％、銀約３．５％の、ケスター社の銀／スズはんだペーストＲ２７６ＡＣがある。
【００９１】
したがって、バリア層３６は厚みが約５０００Åのタングステンまたはチタン／タングステンの第１の層３６ａと、第１の層３６ａ上の厚みが約２０００Åのニッケルを含む第２の層３６ｂを含む。
【００９２】
順方向電圧（ＶF）が増大したり、ＬＥＤの光の出力が低下したりすることなく、約３２５℃から約３５０℃の温度に、約５分間耐えることができる。
【００９３】
このように、タングステンまたはチタン／タングステンの層３６ａとニッケルの層３６ｂを含む多層バリア層３６は、リフロー温度が約２００℃を超えるはんだと共に使用することができる。
【００９４】
これらの多層バリア層は、リフロー温度が約２５０℃を超えるはんだと共に使用することができる。
【００９５】
タングステン、銀、および白金を、たとえば電子線技術を用いて堆積させることができる。ＴｉＷを電子線技術を用いて堆積させることができるが、他の例では、ＴｉとＷを同時にスパッタリングで堆積させる。
【００９６】
さらに、ＴｉＷを窒素の存在下でスパッタリングにより堆積させて、ＴｉＮ／ＴｉＷ層を形成することができ、これはＳｎ拡散に対するバリアを形成する。
【００９７】
さらに、バリア層３６は、主としてニッケルまたはＮｉＶを含む。
【００９８】
他の例では、バリア層３６は、約５００Åから１０，０００Åの金の層で完全に被覆された２５００Åのニッケルのはんだバリアを含む。この金の層は、ニッケル層が酸化されるのを防止する。しかし、ニッケルのバリア層を使用すると、高温または大電流レベルでは、スズの移行のため、光学的、電気的性能の劣化が容認できないほど高くなる。
【００９９】
さらに、ニッケルの膜が厚くなると、皮膜の応力が高くなるため、使用が困難になる。このことにより、ニッケルが隣接の反射層および／またはオーミック層から剥離する懸念が生じる。
【０１００】
さらに、バリア層の縁部にＡｕが存在すると、Ｓｎがバリア縁部の下および周囲に移行する経路をつくることがある。
【０１０１】
次に、図４を参照して、パッシベーション層４０を、堆積または他の方法で、デバイスの前駆物質１０の第１の（すなわちエピタキシャル側の）面２０ａ上に形成する。
【０１０２】
パッシベーション層４０はＳｉＯ2および／またはＳｉＮ（化学量論的な量でも非化学量論的な量でも堆積させることができる）を含み、ＰＥＣＶＤおよび／または反応性スパッタリングなどの従来の技術を用いて堆積させることができる。
【０１０３】
パッシベーション層４０の厚みは約１５００Åである。図４に示すように、このブランケット堆積により、パッシベーション層は、メサ３０および多層導電性スタック３５の側壁上にも、バリア層３６の露出面上にも形成される。
【０１０４】
次に、図５を参照して、パッシベーション層４０を（フォトレジストなどの）エッチマスクとともにパターニングして、第１のパターン形成されたパッシベーション層４０ａを形成し、バリア層３６の表面の第２の狭小部分３６ｃを選択的に露出させる。
【０１０５】
リフトオフ技術を用いて、バリア層３６の表面の第２の狭小部分３６ｃを露出させることができる。
【０１０６】
さらに、個別のパターニングステップを用いる必要がないように、パッシベーション層４０ａの選択的堆積を利用することができる。
【０１０７】
さらに、図５を参照して、次に、たとえばＴｉを含む任意の接着層５５をバリア層３６の第２の狭小部分３６ｃ上に堆積させ、ボンディング層６０を接着層５５上に堆積させる。これらの堆積は、パターン形成されたパッシベーション層４０ａをマスクとして使用し、および／またはリフトオフ技術を使用して行うことができる。
【０１０８】
接着層５５の厚みは約１０００Åである。
【０１０９】
ボンディング層６０はＡｕ、Ｓｎ、および／またはＡｕＳｎを含み、厚みは約１０００Åである。
【０１１０】
ボンディング層６０の厚みは約１μｍ（Ａｕの場合）以内、または約１．７μｍ（ＡｕＳｎの場合）以内である。
【０１１１】
しかし、約１０００Åより厚いＡｕ層を使用すると、はんだのリフロー処理に一貫性がなくなったり、はんだ付けのＡｕがぜい化することがあり、この結果、剪断強さが低下することがある。
【０１１２】
図５に示すように、パターン形成されたパッシベーション層４０ａは、接着層５５およびボンディング層の側壁にも存在する。
【０１１３】
他の例では、パターン形成されたパッシベーション層４０ａは、接着層５５およびボンディング層６０の側壁まで延びていない。
【０１１４】
これらの例では、パッシベーション層は導電性スタック３５の側壁上に延びていてもよい。
【０１１５】
他の例では、ボンディング層６０は多層導電性スタック３５から離れて、パッシベーション層４０ａの外側まで延びている。
【０１１６】
さらに他の例では、ボンディング層６０は、パターン形成されたパッシベーション層４０ａの外面の外側まで延びていない。
【０１１７】
導電性基板上に形成されたデバイスに関しては、オーミック接点およびワイヤボンドパッド（図示されていない）をエピタキシャル領域と反対側の、第２の基板面２０ｂ上に形成して、垂直方向に導電性のあるデバイスを形成する。このような例の多くは、特許文献１に記載されている。
【０１１８】
非導電性基板上に形成されたデバイスに関しては、オーミック接点および金属のボンディング層（図示されていない）を、デバイスのｎ型エピタキシャル領域上に形成して、水平方向に導電性のあるデバイスを形成することができる。このような例の多くも、特許文献１に記載されている。
【０１１９】
次に、図６を参照して、前駆物質１０を個々の発光ダイオード１００にダイシングする。図６はさらに、ＬＥＤ１００を、光の抽出を増大させるために、面取りをした側壁構成７０を有するように、のこぎりで切断してもよいことを示している。基板の形削りの、他の多くの実施形態は、特許文献１に記載されている。
【０１２０】
したがって、図６は、基板２０、ダイオード領域を含む基板２０のエピタキシャル領域（以前はメサと称した）３０、基板２０と反対側のエピタキシャル領域３０上の多層導電性スタック３５、少なくとも一部がエピタキシャル領域３０と反対側の多層導電性スタック３５上に延び、エピタキシャル領域３０と反対側の多層導電性スタック３５上に面積が縮小されたボンディング領域３６ｃを画定するパッシベーション層４０ｂを含む、発光ダイオード１００を示す。
【０１２１】
パッシベーション層４０ｂは、多層導電性スタック３５を越え、エピタキシャル領域３０を越えて、第１の基板面２０ａまで延びている。
【０１２２】
図６に示すように、多層導電性スタック３５およびエピタキシャル領域３０の両方が側壁を含み、パッシベーション層４０ｂが多層導電性スタック３５およびエピタキシャル領域３０の側壁上に延びている。
【０１２３】
図６に示すように、ボンディング層６０がボンディング領域３６ｃ上に形成されている。ボンディング層６０は、ボンディング層の側壁を含み、パッシベーション層４０ｂは、ボンディング層の側壁の上まで延びている場合と延びていない場合がある。
【０１２４】
最後に、接着層５５を多層導電性スタック３５とボンディング層６０の間に形成してもよく、パッシベーション層４０ｂも接着層５５および／またはボンディング層６０の側壁の上まで延びている場合と延びていない場合がある。
【０１２５】
さらに、図６を参照して、基板２０は、エピタキシャル領域３０に隣接する第１の面２０ａと、エピタキシャル領域と反対側の第２の面２０ｂを含む。図６に示すように、ボンディング層６０は多層導電性スタック３５より小さい表面積を有し、多層導電性スタック３５はエピタキシャル領域３０より小さい表面積を有する。エピタキシャル領域３０は第１の面２０ａより小さい表面積を有する。第２の面２０ｂも第１の面２０ａより小さい表面積を有する。
【０１２６】
図６は、さらに、第１および第２の相対する面２０ａ、２０ｂをそれぞれ有し、第２の面２０ｂが第１の面より小さい表面積を有する基板２０を含む、発光ダイオードを示す。エピタキシャル領域３０は第１の面２０ａ上にあり、ダイオード領域を含んでいる。オーミック層３２は、基板２０と反対側のエピタキシャル領域３０上にある。反射層３４は、エピタキシャル領域３０と反対側のオーミック層３２上にある。バリア層３６は、オーミック層３２と反対側の反射層３４上にある。接着層５５は、反射層３４と反対側のバリア層３６上にある。
【０１２７】
最後に、ボンディング層６０は、バリア層３６と反対側の接着層５５上にある。
【０１２８】
また、図６に示すように、バリア層３６は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含む。
【０１２９】
スズのバリア層３６は、タングステンを含む第１の層３６ａと、タングステンを含む第１の層３６ａ上にニッケルを含む第２の層３６ｂを有する。
【０１３０】
また、図６に示すように、エピタキシャル領域３０は、第１の面２０ａより小さい表面積を有する。バリア層３６、反射層３４、およびオーミック層３２は同一の表面積を有し、この表面積はエピタキシャル領域３０の表面積より小さい。
【０１３１】
接着層５５およびボンディング層６０は同一の表面積を有し、この表面積はバリア層３６、反射層３４、およびオーミック層３２の表面積より小さい。
【０１３２】
最後に、図６に示すように、エピタキシャル領域３０、オーミック層３２、反射層３４、バリア層３６、接着層５５、およびボンディング層６０は、それぞれ側壁を含み、発光ダイオード１００は、さらにエピタキシャル領域３０、オーミック層３２、反射層３４、およびバリア層３６の側壁上にパッシベーション層４０ｂを含む。
【０１３３】
パッシベーション層は、接着層５５および／またはボンディング層６０の側壁上に延びていても延びていなくてもよい。パッシベーション層４０ｂは、基板２０の第１の面２０ａ上に延びていてもよい。
【０１３４】
図７は、ボンディング層６０がはんだ湿潤層６２と、濡れパッシベーション層６４を含む例を示す。
【０１３５】
はんだ湿潤層６２はニッケルを含み、厚みは約２０００Åである。
【０１３６】
濡れパッシベーション層６４はＡｕを含み、厚みは約５００Åである。
【０１３７】
ニッケルのはんだ湿潤層６２を使用すると、はんだへの機械的接着が強化され、これにより接続の剪断強さを増大させ、機械的故障を減少させることができる。
【０１３８】
図８は、ボンディング層６０および任意の接着層５５が、パッシベーション層４０ｂの外縁４０ｃを越えて延びていない例を示す。
【０１３９】
この構成は、ＬＥＤをリードフレームに取り付けるのにはんだ付けを使用する場合に用いることができる。
【０１４０】
図１から図８は、複数の発光ダイオードを作製する方法も示す。
【０１４１】
これらの方法は、基板２０上に、ダイオード領域を含む、間隔を空けた複数のメサ領域３０を、エピタキシャル形成させる工程を含む（図２参照）。第１の狭小領域３０ｃを、メサ領域上に画定する（図２参照）。バリア層を含む多層導電性スタック３５を、メサ領域３０の第１の狭小領域３０ｃ上に形成する（図３参照）。
【０１４２】
パッシベーション層４０ａを、メサ領域３０間の基板２０上、およびメサ領域の露出部分および多層スタック３５の露出部分に形成し、パッシベーション層４０ａは多層導電性スタック３５上に第２の狭小領域３６ｃを画定する（図４および図５参照）。
【０１４３】
次に、ボンディング層６０を多層導電性スタック３５上の第２の狭小領域３６ｃ上に形成する（図５参照）。基板２０をメサ３０間でダイシングして、複数の発光ダイオード１００を製造する（図６参照）。
【０１４４】
次に、図９および図１０を参照して、ＬＥＤ１００をダイシングした後、図９および１０に示すように、ＬＥＤと導電性のサブマウント７５を相互に接着する。
【０１４５】
図９は、熱音波および／または熱圧着ボンディングによりＬＥＤ１００を、エピタキシャル側を下にして、「フリップチップ」構成に取り付ける本発明の実施形態を示している。
【０１４６】
すなわち、たとえば特許文献２に記載されているように、エポキシまたははんだを使用してＬＥＤ１００とサブマウント７５の間に機械的接続またはボンドを形成する代わりに、ＬＥＤ１００のボンディング層６０を熱音波または熱圧着ボンディングにより直接サブマウント７５に接着する。
【０１４７】
熱音波または熱圧着ボンディングは、ＬＥＤチップ１００をサブマウントに機械的に接触させ、ボンディングメタルの共融温度より高い温度で機械的および／または音響の刺激を与える。これにより、ボンディングメタルが金属サブマウントとボンドを形成し、ＬＥＤとサブマウントの間に電気機械的接続を生じる。
【０１４８】
ボンディング層６０が約８０％／２０％のＡｕ／Ｓｎ組成を有する本発明の実施形態では、熱音波ボンディングに使用する温度は、約３００℃とすることができる。
【０１４９】
バリア層３６および／またはパッシベーション層４０ｂが存在すると、ボンディング層６０の金属と、反射層３４および／またはオーミック層３２との間の不必要な相互作用が減少または防止される。
【０１５０】
バリア層３６および／またはパッシベーション層４０はまた、金属スタック３５の縁部に沿っての金属の望ましくない移行を遅延または抑制するのにも役立つ。
【０１５１】
ＬＥＤ１００は、図１０に示すように、ＳｎＡｇ、ＳｎＰｂ、および／または他のはんだ等の金属はんだ８０を用いて、サブマウント７５上に取り付けることができる。
【０１５２】
パッシベーション層４０ｂは、はんだ８０からのスズが、反射層３４および／またはオーミック層３２に移行し（これにより劣化の可能性を生じるのを）減少させ、または防止することができる。
【０１５３】
パッシベーション層４０ｂはまた、導電性のはんだ８０が、基板２０およびメサの側壁に接触し、その他にデバイス１００のｎ型領域への望ましくない寄生ショットキー接点の形成を減少させ、または防止することができる。
【０１５４】
他のボンディング技術は、上に引用した特許文献３に開示されている。
【０１５５】
＜試験結果＞
下記の試験結果は、説明のためのもので、本発明の範囲を限定すると解釈されるべきではない。図１１Ａ〜図１１Ｄは、２５００ÅのＮｉはんだバリアの試験結果をグラフで表したもの、図１２Ａ〜図１２Ｄは、５０００ÅのＴｉＷバリアの試験結果をグラフで表したものである。
【０１５６】
第１の試験では、いくつかのＬＥＤサンプルの高温作動寿命（ＨＴＯＬ）を測定した。この試験では、ＴｉＷはんだバリア３６、ＳｉＮのパッシベーション層４０ｂ、および金のボンディング層６０を有する２０個のＬＥＤを作製した。Ｎｉはんだバリアを使用した以外は同様の構造を有する２０個のＬＥＤも作製した。デバイスを銀メッキした半径５ｍｍのリードフレームにはんだ付けで取り付けた。
【０１５７】
次に、デバイスを、温度８５℃に維持しながら２０ｍＡの順電流で作動させた。２４、１６８、３３６、５０４、６７２、８６４、および１００８時間後に、光の出力およびＶFを測定した。図１１Ａおよび図１２Ａに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスは、ＴｉＷバリアを有するデバイスと比較して、光の出力に大きい劣化を示した。
【０１５８】
さらに、ＶFはＴｉＷバリアを有するデバイス（図１２Ｂ）よりＮｉバリアを有するデバイス（図１１Ｂ参照）の方が増大した。
【０１５９】
第２の試験では、ＴｉＷはんだバリア３６、ＳｉＮのパッシベーション層４０ｂ、および金のボンディング層６０を有する２０個のＬＥＤと、Ｎｉバリアを使用した以外は同様の構造を有する２０個のＬＥＤを作製した。
【０１６０】
これらのデバイスを上述のＨＴＯＬ試験と同様に取り付け、温度８５℃、相対湿度８５％に維持しながら、７０ｍＡのパルス順電流（４ｋＨｚで２５％負荷サイクル）で５０４時間作動させた。２４、１６８、３３６、５０４、６７２、８６４、および１００８時間後に、光の出力およびＶFを測定した。図１１Ｃおよび図１２Ｃに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスは、光の出力に大きい劣化が生じ、図１１Ｄおよび図１２Ｄに示すように、Ｎｉバリアを有するデバイスの方が大きいＶFの増大を生じた。
【０１６１】
なお、図面および本明細書で、本発明の代表的な実施形態を開示し、特定の用語を使用したが、これらは包括的および説明的意味のみに使用したものであって、何ら制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図５】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図６】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図７】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図９】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態である、中間工程における発光ダイオードの断面図である。
【図１１Ａ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｂ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｃ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１１Ｄ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ａ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｂ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｃ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
【図１２Ｄ】本発明の一実施形態である、発光ダイオードの試験結果を示す説明図である。
Claims (78)
- 基板と、
前記基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、
前記基板と反対側のエピタキシャル領域上にある、バリア層を含む多層導電性スタックと、
少なくとも一部が前記エピタキシャル領域と反対側の前記多層導電性スタック上に延び、前記エピタキシャル領域と反対側の前記多層導電性スタック上にボンディング領域を画定し、さらに、前記多層導電性スタックを跨いで、前記エピタキシャル領域を跨いで、前記基板上にも延びているパッシベーション層と
を具えたことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記パッシベーション層は、前記ボンディング領域をサブマウントに接着させるのに使用するボンディング材料に対して濡れ性がないことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記多層導電性スタックは多層導電性スタックの側壁を含み、前記エピタキシャル領域はエピタキシャル領域の側壁を含み、前記パッシベーション層は前記多層導電性スタックの側壁上と前記エピタキシャル領域の側壁上に延びていることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記ボンディング領域上にボンディング層をさらに有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記ボンディング層はボンディング層の側壁を含み、前記パッシベーション層は前記ボンディング層の側壁にも延びていることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記ボンディング層はボンディング層の側壁を含み、前記パッシベーション層は前記ボンディング層の側壁には延びていないことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記多層導電性スタックと前記ボンディング層の間に接着層をさらに有することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記多層導電性スタックと前記ボンディング層の間にはんだ湿潤層をさらに有することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記はんだ湿潤層はニッケルを含むことを特徴とする請求項８記載の発光ダイオード。
- 前記接着層は接着層の側壁を含み、前記パッシベーション層は前記接着層の側壁にも延びていることを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
- 前記接着層は接着層の側壁を含み、前記パッシベーション層は前記接着層の側壁には延びていないことを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
- 前記基板は、前記エピタキシャル領域に隣接する第１の面と、前記エピタキシャル領域と反対側の第２の面を含み、前記ボンディング層は前記多層導電性スタックより小さい表面積を有し、前記多層導電性スタックは前記エピタキシャル領域より小さい表面積を有し、前記エピタキシャル領域は前記第１の面より小さい表面積を有することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記第２の面は前記第１の面より小さい表面積を有することを特徴とする請求項１２記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、前記ボンディング領域と前記サブマウントの間のボンドとをさらに有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記ボンドは、熱圧着ボンドであることを特徴とする請求項１４記載の発光ダイオード。
- 前記ボンドは、はんだを含むことを特徴とする請求項１４記載の発光ダイオード。
- 前記ボンディング層は、前記多層導電性スタックから離れ、前記パッシベーション層の外側まで延びていることを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記ボンディング層は、前記多層導電性スタックから離れずに、前記パッシベーション層の外側まで延びていることを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記基板は炭化ケイ素を含み、前記エピタキシャル領域は窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記多層導電性スタックは、オーミック層、反射層、および前記バリア層を含むことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記オーミック層は、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含み、前記反射層は、アルミニウムおよび／または銀を含むことを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステン約９５％とチタン約５％を含むことを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステン約９５％とチタン約５％を含むことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
- 前記第１の層は、チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項２６記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記第１の層は、チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項２８記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、前記バリア層と前記サブマウントの間のはんだ層とをさらに有することを特徴とする請求項２２記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、前記バリア層と前記サブマウントの間のはんだ層とをさらに有することを特徴とする請求項２４記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、ニッケルを含む前記第２の層と前記サブマウントの間のはんだ層とをさらに有することを特徴とする請求項２６記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、ニッケルを含む前記第２の層とサブマウントの間のはんだ層とをさらに有することを特徴とする請求項２８記載の発光ダイオード。
- 前記多層導電性スタックと前記ボンディング層の間に剪断強さ強化層をさらに有することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオード。
- 前記剪断強さ強化層はニッケルを含むことを特徴とする請求項３４記載の発光ダイオード。
- 第１の面と、第１の面と反対側の、第１の面より小さい表面積を有する第２の面とを有する基板と、
ダイオード領域を含む前記第１の面上に形成されたエピタキシャル領域と、
前記基板と反対側の前記エピタキシャル領域上に形成されたオーミック層と、
前記エピタキシャル領域と反対側の前記オーミック層上に形成された反射層と、
前記オーミック層と反対側の前記反射層上に形成されたバリア層と、
前記反射層と反対側の前記バリア層上に形成された接着層と、
前記バリア層と反対側の前記接着層上に形成されたボンディング層と
を具えたことを特徴とする発光ダイオード。 - サブマウントと、前記ボンディング層と前記サブマウントの間のボンドとをさらに有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記ボンドは、熱圧着ボンドであることを特徴とする請求項３７記載の発光ダイオード。
- 前記ボンドは、はんだを含むことを特徴とする請求項３７記載の発光ダイオード。
- 前記はんだは、スズおよび／または金を含むことを特徴とする請求項３９記載の発光ダイオード。
- 前記基板は炭化ケイ素を含み、前記エピタキシャル領域は窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記オーミック層は、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含み、前記反射層は、アルミニウムおよび／または銀を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、チタン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステン約９５％とチタン約５％を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記第１の層は、チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項４５記載の発光ダイオード。
- 前記はんだのリフロー温度は約２１０℃未満であり、前記バリア層は厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含むことを特徴とする請求項３９記載の発光ダイオード。
- 前記はんだのリフロー温度は約２１０℃より高く、前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項３９記載の発光ダイオード。
- 前記はんだのリフロー温度が約２５０℃より高く、前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項３９記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル領域は前記第１の面より小さい表面積を有し、前記バリア層、前記反射層、および前記オーミック層は、前記エピタキシャル領域の表面積より小さい同一の表面積を有し、前記接着層および前記ボンディング層は、前記バリア層、前記反射層、および前記オーミック層表面積より小さい同一の表面積を有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層はそれぞれ側壁を含み、前記発光ダイオードはさらに、前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層の側壁上にパッシベーション層を有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層はそれぞれ側壁を含み、前記発光ダイオードはさらに、前記エピタキシャル領域、前記オーミック層、前記反射層、前記バリア層、前記接着層、および前記ボンディング層の側壁上にパッシベーション層を有することを特徴とする請求項５０記載の発光ダイオード。
- 前記パッシベーション層も前記基板の前記第１の面上にあることを特徴とする請求項５２記載の発光ダイオード。
- サブマウントと、前記ボンディング層と前記サブマウントの間のはんだ層とをさらに有し、前記パッシベーション層は、前記はんだ層に対して濡れ性がないことを特徴とする請求項５２記載の発光ダイオード。
- 前記接着層と前記ボンディング層の間に、はんだ湿潤層をさらに有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 前記接着層と前記ボンディング層の間に、剪断強さ強化層をさらに有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
- 基板と、
前記基板上にある、ダイオード領域を含むエピタキシャル領域と、
前記基板と反対側の前記エピタキシャル領域上にある、多層導電性スタックと、
前記多層導電性スタックへの汚染物質の移行を減少させる手段と
を具えたことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記減少させる手段は、タングステンの層を含むことを特徴とする請求項５７記載の発光ダイオード。
- 複数の発光ダイオードを製造する方法であって、
基板上に、ダイオード領域を含む複数の間隙を介したメサ領域をエピタキシャル形成する工程と、
前記メサ領域上に、第１の狭小領域を画定する工程と、
前記メサ領域の前記第１の狭小領域上に、バリア層を含む多層導電性スタックを形成する工程と、
前記メサ領域間の前記基板上、前記メサ領域の露出部分上、および前記多層導電性スタックの露出部分上に、前記多層導電性スタック上に第２の狭小領域を画定するパッシベーション層を形成する工程と、
前記多層導電性スタック上の前記第２の狭小領域上に、ボンディング層を形成する工程と、
前記メサ間の前記基板をダイシングすることを含む前記複数の発光ダイオードを製造する工程と
を具えたことを特徴とする方法。 - 前記ダイシングの後に、前記ボンディング層をサブマウントにボンディングする工程を有することを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに熱圧着する工程を含むことを特徴とする請求項６０記載の方法。
- 前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントにはんだ付けする工程を含むことを特徴とする請求項６０記載の方法。
- 前記パッシベーション層は、前記ボンディング層を前記サブマウントにはんだ付けするときに使用するはんだに対して、濡れ性がないことを特徴とする請求項６２記載の方法。
- 前記多層導電性スタックは、多層導電性スタックの側壁を含み、前記エピタキシャル領域は、エピタキシャル領域の側壁を含み、
前記パッシベーション層の形成は、前記多層導電性スタックの側壁および前記エピタキシャル領域の側壁上への前記パッシベーション層の形成であることを特徴とする請求項５９記載の方法。 - 前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上に接着層を形成することを特徴とする請求項５９記載の方法。 - 前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上にはんだ湿潤層を形成することを特徴とする請求項５９記載の方法。 - 前記パッシベーション層の形成と、前記ボンディング層の形成との間に、
前記多層導電性スタックの前記第２の狭小領域上に剪断強さ強化層を形成することを特徴とする請求項５９記載の方法。 - 前記基板は、前記メサ領域に隣接する第１の面と、前記メサ領域と反対側の第２の面とを含み、
前記ダイシングは前記メサ領域間の前記基板をダイシングして、前記第１の面より表面積が小さい前記第２の面を含む複数の発光ダイオードを形成することを特徴とする請求項５９記載の方法。 - 前記基板は炭化ケイ素を含み、前記エピタキシャル領域は窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記多層導電性スタックは、オーミック層、反射層、および前記バリア層を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記オーミック層は、白金、パラジウム、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／白金、チタン、および／またはチタン／金を含み、前記反射層は、アルミニウムおよび／または銀を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記バリア層は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記バリア層は、タングステン、チタン／タングステン、および／または窒化チタン／タングステンを含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項７０記載の方法。
- 前記バリア層は、タングステンを含む第１の層と、ニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２１０℃未満で行うはんだ付けであり、前記バリア層は厚み約５００Åから厚み約５０，０００Åのチタン／タングステンの層を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２１０℃未満で行うはんだ付けであり、前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
- 前記ボンディングは、前記ボンディング層を前記サブマウントに約２５０℃未満で行うはんだ付けであり、前記バリア層は、厚み約５０００Åのチタン／タングステンを含む第１の層と、第１の層上に形成された厚み約２０００Åのニッケルを含む第２の層を含むことを特徴とする請求項５９記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30723401P | 2001-07-23 | 2001-07-23 | |
| US30731101P | 2001-07-23 | 2001-07-23 | |
| US10/057,821 US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2002-01-25 | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| US35294102P | 2002-01-30 | 2002-01-30 | |
| PCT/US2002/023266 WO2003010817A2 (en) | 2001-07-23 | 2002-07-23 | Light emitting diodes including modifications for submount bonding and manufacturing methods therefor |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004537171A true JP2004537171A (ja) | 2004-12-09 |
| JP2004537171A5 JP2004537171A5 (ja) | 2007-07-05 |
| JP4654372B2 JP4654372B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=27489930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003516101A Expired - Lifetime JP4654372B2 (ja) | 2001-07-23 | 2002-07-23 | サブマウントボンディングのための修正を含む発光デバイス、および、その製法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6740906B2 (ja) |
| EP (2) | EP1412989B1 (ja) |
| JP (1) | JP4654372B2 (ja) |
| KR (1) | KR101028965B1 (ja) |
| CN (1) | CN1330008C (ja) |
| AT (1) | ATE511705T1 (ja) |
| AU (1) | AU2002355138A1 (ja) |
| CA (1) | CA2453581A1 (ja) |
| TW (1) | TW563262B (ja) |
| WO (1) | WO2003010817A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300063A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP4904604B1 (ja) * | 2011-02-17 | 2012-03-28 | 国立大学法人九州工業大学 | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (173)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794684B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-21 | Cree, Inc. | Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same |
| US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| US6747298B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-06-08 | Cree, Inc. | Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| US7211833B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-05-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including barrier layers/sublayers |
| US6740906B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
| JP4023121B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2007-12-19 | 豊田合成株式会社 | ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| DE10148227B4 (de) * | 2001-09-28 | 2015-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
| JP3982284B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-09-26 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| JP3705791B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2005-10-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
| DE10214210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2011-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6995032B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
| AU2003263779A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor |
| JP3882712B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-02-21 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| US7592636B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting semiconductor component and method for the production thereof |
| US7009199B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
| AU2003280878A1 (en) * | 2002-11-16 | 2004-06-15 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device and fabrication method thereof |
| WO2004059809A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices |
| EP1450414A3 (en) * | 2003-02-19 | 2008-12-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| TWI243488B (en) * | 2003-02-26 | 2005-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method |
| US7141828B2 (en) * | 2003-03-19 | 2006-11-28 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact |
| US7521854B2 (en) * | 2003-04-15 | 2009-04-21 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same |
| US7098589B2 (en) | 2003-04-15 | 2006-08-29 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with high light collimation |
| US20040259279A1 (en) * | 2003-04-15 | 2004-12-23 | Erchak Alexei A. | Light emitting device methods |
| US7074631B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-07-11 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device methods |
| US7211831B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-05-01 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device with patterned surfaces |
| US7262550B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-08-28 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting diode utilizing a physical pattern |
| US7083993B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-08-01 | Luminus Devices, Inc. | Methods of making multi-layer light emitting devices |
| US7084434B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-08-01 | Luminus Devices, Inc. | Uniform color phosphor-coated light-emitting diode |
| US7105861B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-09-12 | Luminus Devices, Inc. | Electronic device contact structures |
| US7667238B2 (en) * | 2003-04-15 | 2010-02-23 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices for liquid crystal displays |
| US6831302B2 (en) | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
| US7274043B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-25 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting diode systems |
| US7166871B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-01-23 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting systems |
| CN1802755B (zh) * | 2003-05-09 | 2012-05-16 | 克里公司 | 通过离子注入进行隔离的led制造方法 |
| JP3813599B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2006-08-23 | ローム株式会社 | 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法 |
| US7223617B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and a method of mounting a semiconductor laser component on a submount |
| JP4598767B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 |
| WO2005029185A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lighting source and led lighting apparatus |
| US7344903B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-18 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| US7341880B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-11 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| JP2007511106A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-04-26 | クリー インコーポレイテッド | 自己位置合わせされたオーミックコンタクトを有する発光デバイスおよびそれの製造方法 |
| US7291529B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-11-06 | Cree, Inc. | Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (LEDs) thereon |
| US20050194584A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-09-08 | Slater David B.Jr. | LED fabrication via ion implant isolation |
| US7008861B2 (en) | 2003-12-11 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same |
| US7450311B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-11-11 | Luminus Devices, Inc. | Optical display systems and methods |
| KR100585919B1 (ko) | 2004-01-15 | 2006-06-01 | 학교법인 포항공과대학교 | 질화갈륨계 ⅲⅴ족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| US20050174753A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Densen Cao | Mining light |
| JP2005228924A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2005317676A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法 |
| DE102004037868A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder -empfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur strukturierten Aufbringung eines Kontakts auf einen Halbleiterkörper |
| US7592634B2 (en) * | 2004-05-06 | 2009-09-22 | Cree, Inc. | LED fabrication via ion implant isolation |
| US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
| US7768023B2 (en) * | 2005-10-14 | 2010-08-03 | The Regents Of The University Of California | Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices |
| US7345298B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-03-18 | The Regents Of The University Of California | Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate |
| US7582910B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-09-01 | The Regents Of The University Of California | High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor |
| US7329905B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-12 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
| US7795623B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures |
| US20060002442A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kevin Haberern | Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures |
| JP2006024829A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20090023239A1 (en) * | 2004-07-22 | 2009-01-22 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| US7557380B2 (en) * | 2004-07-27 | 2009-07-07 | Cree, Inc. | Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads |
| TWI374552B (en) | 2004-07-27 | 2012-10-11 | Cree Inc | Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming |
| US8115212B2 (en) * | 2004-07-29 | 2012-02-14 | Showa Denko K.K. | Positive electrode for semiconductor light-emitting device |
| US20060038188A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Erchak Alexei A | Light emitting diode systems |
| US7737459B2 (en) * | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
| US8174037B2 (en) * | 2004-09-22 | 2012-05-08 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
| US8513686B2 (en) * | 2004-09-22 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High output small area group III nitride LEDs |
| US7259402B2 (en) * | 2004-09-22 | 2007-08-21 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode |
| US7081667B2 (en) | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
| JP2006100500A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2006043796A1 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Seoul Opto-Device Co., Ltd. | Gan compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
| US7432536B2 (en) * | 2004-11-04 | 2008-10-07 | Cree, Inc. | LED with self aligned bond pad |
| DE112005003841B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-03-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen |
| US8288942B2 (en) | 2004-12-28 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | High efficacy white LED |
| US20060151868A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Zhu Tinggang | Package for gallium nitride semiconductor devices |
| US20100140627A1 (en) * | 2005-01-10 | 2010-06-10 | Shelton Bryan S | Package for Semiconductor Devices |
| US7692207B2 (en) * | 2005-01-21 | 2010-04-06 | Luminus Devices, Inc. | Packaging designs for LEDs |
| US7170100B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-01-30 | Luminus Devices, Inc. | Packaging designs for LEDs |
| US7335920B2 (en) * | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
| CN100440552C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-12-03 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管制作方法 |
| US7932111B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-04-26 | Cree, Inc. | Substrate removal process for high light extraction LEDs |
| US7291864B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-11-06 | The Regents Of The University Of California | Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate |
| US20070045640A1 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Erchak Alexei A | Light emitting devices for liquid crystal displays |
| WO2006095949A1 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US7446345B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-11-04 | Cree, Inc. | Light emitting devices with active layers that extend into opened pits |
| KR101065076B1 (ko) * | 2005-05-07 | 2011-09-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지용 서브마운트 |
| DE102005027961A1 (de) * | 2005-06-16 | 2007-01-04 | Siemens Ag | Semitransparente Multilayer-Elektrode |
| US7525122B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-28 | Cree, Inc. | Passivation of wide band-gap based semiconductor devices with hydrogen-free sputtered nitrides |
| US7855401B2 (en) * | 2005-06-29 | 2010-12-21 | Cree, Inc. | Passivation of wide band-gap based semiconductor devices with hydrogen-free sputtered nitrides |
| TWI422044B (zh) * | 2005-06-30 | 2014-01-01 | Cree Inc | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 |
| SG130055A1 (en) | 2005-08-19 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Microelectronic devices, stacked microelectronic devices, and methods for manufacturing microelectronic devices |
| SG130066A1 (en) | 2005-08-26 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices |
| DE102005040686A1 (de) * | 2005-08-26 | 2006-11-16 | Infineon Technologies Ag | Verbindungselement zwischen Halbleiterchip und Schaltungsträger sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung des Verbindungselements |
| KR100635157B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2006-10-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| US20080099777A1 (en) * | 2005-10-19 | 2008-05-01 | Luminus Devices, Inc. | Light-emitting devices and related systems |
| US20070096120A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Gelcore Llc | Lateral current GaN flip chip LED with shaped transparent substrate |
| DE602006004834D1 (de) * | 2005-12-22 | 2009-03-05 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Verfahren zum selektiven Maskieren von III-N-Schichten und zur Herstellung von selbsttragenden III-N-Schichten oder Bauelementen |
| EP1974389A4 (en) | 2006-01-05 | 2010-12-29 | Illumitex Inc | SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED |
| US8097892B2 (en) * | 2006-02-14 | 2012-01-17 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode |
| US7696523B2 (en) * | 2006-03-14 | 2010-04-13 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same |
| US7923842B2 (en) * | 2006-03-16 | 2011-04-12 | Skyworks Solutions, Inc. | GaAs integrated circuit device and method of attaching same |
| US20070262341A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Wen-Huang Liu | Vertical led with eutectic layer |
| EP2029936B1 (en) | 2006-05-31 | 2015-07-29 | Cree, Inc. | Lighting device and method of lighting |
| EP2458653B1 (en) * | 2006-06-23 | 2023-08-30 | LG Electronics Inc. | Light emitting diode having vertical topology |
| US8643195B2 (en) | 2006-06-30 | 2014-02-04 | Cree, Inc. | Nickel tin bonding system for semiconductor wafers and devices |
| US7910945B2 (en) * | 2006-06-30 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices |
| JP4203087B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2008-12-24 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置、ｌｅｄプリントヘッド及び画像形成装置 |
| US20080042145A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Helmut Hagleitner | Diffusion barrier for light emitting diodes |
| KR20090064474A (ko) | 2006-10-02 | 2009-06-18 | 일루미텍스, 인크. | Ｌｅｄ 시스템 및 방법 |
| US20080121911A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Cree, Inc. | Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same |
| US9318327B2 (en) * | 2006-11-28 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same |
| US8110425B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-02-07 | Luminus Devices, Inc. | Laser liftoff structure and related methods |
| US20080283864A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Letoquin Ronan P | Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices |
| TWI447933B (zh) * | 2007-05-17 | 2014-08-01 | Semi Photonics Co Ltd | 具有共熔層之立式發光二極體 |
| WO2008153043A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| US7683380B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Dicon Fiberoptics, Inc. | High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same |
| US7551826B2 (en) * | 2007-06-26 | 2009-06-23 | The University Of Connecticut | Integrated circuit employing low loss spot-size converter |
| JP2009043913A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8441018B2 (en) | 2007-08-16 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Direct bandgap substrates and methods of making and using |
| US9461201B2 (en) * | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
| EP2240968A1 (en) | 2008-02-08 | 2010-10-20 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
| US8035984B2 (en) * | 2008-03-19 | 2011-10-11 | Ratcliffe William R | Substrate structures and methods for electronic circuits |
| WO2009117847A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Method for fabricating high-power light-emitting diode arrays |
| US7791101B2 (en) * | 2008-03-28 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices |
| JP2010526425A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、並びに、これを用いた光源装置及び照明システム |
| DE102008050538B4 (de) | 2008-06-06 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US9147812B2 (en) * | 2008-06-24 | 2015-09-29 | Cree, Inc. | Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package |
| KR100962898B1 (ko) | 2008-11-14 | 2010-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102008057350A1 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| USRE48774E1 (en) | 2008-11-14 | 2021-10-12 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP5359734B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-12-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR101064070B1 (ko) * | 2008-11-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 |
| TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
| CN102376841A (zh) * | 2008-12-22 | 2012-03-14 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管结构及其制作方法 |
| US8404499B2 (en) * | 2009-04-20 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | LED substrate processing |
| KR101092063B1 (ko) | 2009-04-28 | 2011-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US9437785B2 (en) * | 2009-08-10 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach |
| US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
| US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
| WO2011084478A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-07-14 | Lehigh University | Nitride based devices including a symmetrical quantum well active layer having a central low bandgap delta-layer |
| KR100999779B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
| DE102010009717A1 (de) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
| US9991427B2 (en) * | 2010-03-08 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices |
| US8604498B2 (en) * | 2010-03-26 | 2013-12-10 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Single phosphor layer photonic device for generating white light or color lights |
| US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
| JP2012080026A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| US8415805B2 (en) | 2010-12-17 | 2013-04-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Etched wafers and methods of forming the same |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| DE102011112000B4 (de) | 2011-08-31 | 2023-11-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
| JP2013105975A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| US8900969B2 (en) | 2012-01-27 | 2014-12-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods of stress balancing in gallium arsenide wafer processing |
| FR2988910B1 (fr) | 2012-03-28 | 2014-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Composant led a faible rth avec chemins electrique et thermique dissocies |
| US9093506B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-07-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Process for fabricating gallium arsenide devices with copper contact layer |
| US8735189B2 (en) * | 2012-05-17 | 2014-05-27 | Starlite LED Inc | Flip light emitting diode chip and method of fabricating the same |
| US9991399B2 (en) | 2012-10-04 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Passivation structure for semiconductor devices |
| US9812338B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-11-07 | Cree, Inc. | Encapsulation of advanced devices using novel PECVD and ALD schemes |
| US8994073B2 (en) | 2012-10-04 | 2015-03-31 | Cree, Inc. | Hydrogen mitigation schemes in the passivation of advanced devices |
| KR101976450B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2019-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| US9406653B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated solution for solid state light sources in a process chamber |
| US9754807B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | High density solid state light source array |
| US20140264865A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8896008B2 (en) | 2013-04-23 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes |
| CN103247736A (zh) * | 2013-04-26 | 2013-08-14 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 倒装led芯片焊接保护结构 |
| US9484504B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
| US9530719B2 (en) | 2014-06-13 | 2016-12-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Direct die solder of gallium arsenide integrated circuit dies and methods of manufacturing gallium arsenide wafers |
| CN107210337B (zh) | 2014-11-06 | 2021-06-29 | 亮锐控股有限公司 | 具有顶部接触件下方的沟槽的发光器件 |
| CN105552191B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-01-30 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的led芯片电极结构 |
| CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
| CN108167674A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-06-15 | 中国科学院工程热物理研究所 | 微米led芯片的灯丝灯 |
| US10643964B2 (en) * | 2018-07-02 | 2020-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structures for bonding a group III-V device to a substrate by stacked conductive bumps |
| JP7148792B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 |
Family Cites Families (94)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3894919A (en) * | 1974-05-09 | 1975-07-15 | Bell Telephone Labor Inc | Contacting semiconductors during electrolytic oxidation |
| FR2394894A1 (fr) * | 1977-06-17 | 1979-01-12 | Thomson Csf | Dispositif de prise de contact sur un element semiconducteur |
| JPS56131977A (en) | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of gan light emitting diode |
| FR2488049A1 (fr) * | 1980-07-31 | 1982-02-05 | Bouley Jean | Source lumineuse a jonction semiconductrice, notamment source-laser, utilisant des diodes schottky, et procede de fabrication |
| DE3041358A1 (de) | 1980-11-03 | 1982-06-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lichtreflektirender ohmscher kontakt fuer bauelemente |
| EP0061172B1 (en) | 1981-03-20 | 1985-06-19 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. | Phosphorus-containing oligopeptides, processes for preparation thereof and a pharmaceutical composition containing the same |
| JPS61110476A (ja) | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Nec Corp | 赤外発光ダイオ−ド |
| JPH01225377A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Ｌｅｄアレイ |
| US5187547A (en) | 1988-05-18 | 1993-02-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting diode device and method for producing same |
| US4918497A (en) | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
| US5027168A (en) | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
| JP2704181B2 (ja) | 1989-02-13 | 1998-01-26 | 日本電信電話株式会社 | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 |
| US5087949A (en) | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
| US5338994A (en) | 1989-07-20 | 1994-08-16 | General Electric Company | Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices |
| US4966862A (en) | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
| US5210051A (en) | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
| US5146342A (en) * | 1990-04-20 | 1992-09-08 | Pioneer Electronic Corporation | Rear projection television set with lenticular sheet and fresnel lens |
| JP2593960B2 (ja) | 1990-11-29 | 1997-03-26 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子とその製造方法 |
| JP3160914B2 (ja) | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| JP2666228B2 (ja) | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US5234153A (en) * | 1992-08-28 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Permanent metallic bonding method |
| JP2728190B2 (ja) | 1993-02-05 | 1998-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP0952617B1 (en) | 1993-04-28 | 2004-07-28 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
| US5416342A (en) | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
| US5422305A (en) * | 1993-10-29 | 1995-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming implanted silicon resonant tunneling barriers |
| US5393993A (en) | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
| JPH07235729A (ja) | 1994-02-21 | 1995-09-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 |
| US5604135A (en) | 1994-08-12 | 1997-02-18 | Cree Research, Inc. | Method of forming green light emitting diode in silicon carbide |
| US5523589A (en) | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
| US5631190A (en) | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
| US5777350A (en) | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
| US5585648A (en) | 1995-02-03 | 1996-12-17 | Tischler; Michael A. | High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same |
| US5739554A (en) | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
| JPH08321660A (ja) | 1995-05-25 | 1996-12-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JPH0982587A (ja) | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 非方形電子チップの製造方法 |
| US5917202A (en) | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
| US5718760A (en) | 1996-02-05 | 1998-02-17 | Cree Research, Inc. | Growth of colorless silicon carbide crystals |
| US5846694A (en) * | 1996-02-13 | 1998-12-08 | The Regents Of The University Of California | Microminiature optical waveguide structure and method for fabrication |
| JP3617565B2 (ja) | 1996-02-16 | 2005-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| US5760479A (en) | 1996-02-29 | 1998-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip die attachment for a high temperature die to substrate bond |
| US5779924A (en) | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
| US6031243A (en) * | 1996-10-16 | 2000-02-29 | Geoff W. Taylor | Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices |
| JP3087831B2 (ja) | 1996-11-27 | 2000-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP3309953B2 (ja) | 1997-02-21 | 2002-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザダイオード |
| JPH10256604A (ja) | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP3769872B2 (ja) | 1997-05-06 | 2006-04-26 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| US6229160B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-05-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping |
| US6121637A (en) | 1997-10-03 | 2000-09-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with increased luminous power |
| US6201262B1 (en) | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
| JP3130292B2 (ja) | 1997-10-14 | 2001-01-31 | 松下電子工業株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JPH11121803A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| US6015719A (en) | 1997-10-24 | 2000-01-18 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate light emitting diodes with directed light output |
| JP3356034B2 (ja) | 1997-11-14 | 2002-12-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| US5952681A (en) | 1997-11-24 | 1999-09-14 | Chen; Hsing | Light emitting diode emitting red, green and blue light |
| JPH11160302A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Kdk Corp | ３−デオキシグルコソンの分析方法 |
| JPH11220168A (ja) | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| US6091085A (en) | 1998-02-19 | 2000-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | GaN LEDs with improved output coupling efficiency |
| US6046465A (en) | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Hewlett-Packard Company | Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same |
| US6500257B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same |
| WO1999056504A1 (en) | 1998-04-29 | 1999-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit arrangement for a semiconductor light source |
| JP3531475B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2004-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | フリップチップ型光半導体素子 |
| JPH11340576A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体デバイス |
| US6194742B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-02-27 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices |
| JP2002520826A (ja) | 1998-07-01 | 2002-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 回路配置およびその回路配置が設けられた信号燈 |
| US6097041A (en) | 1998-08-24 | 2000-08-01 | Kingmax Technology Inc. | Light-emitting diode with anti-reflector |
| JP2000077713A (ja) | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6169294B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-01-02 | Epistar Co. | Inverted light emitting diode |
| US6884644B1 (en) * | 1998-09-16 | 2005-04-26 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
| US6459100B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-01 | Cree, Inc. | Vertical geometry ingan LED |
| US6803243B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-10-12 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
| US6204523B1 (en) | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
| US6177688B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-01-23 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates |
| DE19854915C2 (de) | 1998-11-27 | 2002-09-05 | Infineon Technologies Ag | MOS-Feldeffekttransistor mit Hilfselektrode |
| JP2000195827A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法ならびにダイシング装置 |
| US6201264B1 (en) | 1999-01-14 | 2001-03-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials |
| US6320206B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
| US20020145146A1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-10-10 | Kenji Shibata | LED of AlGaInP system and epitaxial wafer used for same |
| US6222207B1 (en) * | 1999-05-24 | 2001-04-24 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip |
| US6133589A (en) | 1999-06-08 | 2000-10-17 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
| US6139166A (en) | 1999-06-24 | 2000-10-31 | Lumileds Lighting B.V. | Luminaire having beam splitters for mixing light from different color ' LEDs |
| US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| CN1122318C (zh) * | 2000-01-24 | 2003-09-24 | 东南大学 | 硅基双势垒结构隧道发光二极管及其制造方法 |
| JP3975388B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2007-09-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4024994B2 (ja) | 2000-06-30 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| DE10112542B9 (de) | 2001-03-15 | 2013-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes optisches Bauelement |
| US6630689B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
| US6455878B1 (en) | 2001-05-15 | 2002-09-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| JP3912044B2 (ja) | 2001-06-06 | 2007-05-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| US6620642B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-09-16 | Xanoptix, Inc. | Opto-electronic device integration |
| US6740906B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
| AU2003263779A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor |
-
2002
- 2002-07-22 US US10/200,244 patent/US6740906B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 CN CNB028185196A patent/CN1330008C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 JP JP2003516101A patent/JP4654372B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 EP EP02752514A patent/EP1412989B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 WO PCT/US2002/023266 patent/WO2003010817A2/en active Application Filing
- 2002-07-23 EP EP10185862A patent/EP2320484A1/en not_active Withdrawn
- 2002-07-23 AT AT02752514T patent/ATE511705T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-23 AU AU2002355138A patent/AU2002355138A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-23 CA CA002453581A patent/CA2453581A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-23 TW TW091116373A patent/TW563262B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-15 KR KR1020057000878A patent/KR101028965B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-04-15 US US10/825,647 patent/US7037742B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300063A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP4904604B1 (ja) * | 2011-02-17 | 2012-03-28 | 国立大学法人九州工業大学 | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030015721A1 (en) | 2003-01-23 |
| KR101028965B1 (ko) | 2011-04-12 |
| CN1330008C (zh) | 2007-08-01 |
| CA2453581A1 (en) | 2003-02-06 |
| US6740906B2 (en) | 2004-05-25 |
| AU2002355138A1 (en) | 2003-02-17 |
| WO2003010817A3 (en) | 2003-07-10 |
| WO2003010817A2 (en) | 2003-02-06 |
| KR20050021503A (ko) | 2005-03-07 |
| CN1582503A (zh) | 2005-02-16 |
| US7037742B2 (en) | 2006-05-02 |
| TW563262B (en) | 2003-11-21 |
| EP1412989B1 (en) | 2011-06-01 |
| JP4654372B2 (ja) | 2011-03-16 |
| ATE511705T1 (de) | 2011-06-15 |
| EP2320484A1 (en) | 2011-05-11 |
| EP1412989A2 (en) | 2004-04-28 |
| US20050019971A1 (en) | 2005-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4654372B2 (ja) | サブマウントボンディングのための修正を含む発光デバイス、および、その製法 | |
| US8907366B2 (en) | Light emitting diodes including current spreading layer and barrier sublayers | |
| JP4602079B2 (ja) | バリア層を含む発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US6794684B2 (en) | Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same | |
| US7829911B2 (en) | Light emitting diode | |
| TWI292227B (en) | Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan | |
| KR20120027318A (ko) | 반사 구조를 갖는 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| US20090250713A1 (en) | Reflective Contact for a Semiconductor Light Emitting Device | |
| KR20040019363A (ko) | 서브마운트 결합을 위한 모디피케이션을 포함한 발광다이오드 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080711 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090304 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090522 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090910 |
|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20090911 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090911 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091013 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100205 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4654372 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101207 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
| RD15 | Notification of revocation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |