JPH11121803A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH11121803A JPH11121803A JP28382797A JP28382797A JPH11121803A JP H11121803 A JPH11121803 A JP H11121803A JP 28382797 A JP28382797 A JP 28382797A JP 28382797 A JP28382797 A JP 28382797A JP H11121803 A JPH11121803 A JP H11121803A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンダビリティが良好でしかも密着性に優れ
た電極を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供
する。 【解決手段】 第一電極11を形成した後、第二電極12用
フォトパターン形成時に第一電極11よりも小さな電極径
のパターンを形成することで、第二電極13がエピ層５と
接触することがない。このためボンダビリティが良好で
しかも密着性に優れた電極11，12を形成することができ
る。第二電極12用の密着材料12ａを検討する場合、半導
体表面だけでなく、ガラス面等他の表面との密着性まで
考える必要が無くなり、第一電極11との密着性だけを考
えればよいので、電極材料の選択の枠が広がる。第一電
極11用の金属材料の蒸着膜の上に第二電極12用の密着材
料12ａの蒸着膜を形成し、エッチングによって同時に第
一電極11及び第二電極12を形成しても第二電極12がエピ
層５と接触することがない。
た電極を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供
する。 【解決手段】 第一電極11を形成した後、第二電極12用
フォトパターン形成時に第一電極11よりも小さな電極径
のパターンを形成することで、第二電極13がエピ層５と
接触することがない。このためボンダビリティが良好で
しかも密着性に優れた電極11，12を形成することができ
る。第二電極12用の密着材料12ａを検討する場合、半導
体表面だけでなく、ガラス面等他の表面との密着性まで
考える必要が無くなり、第一電極11との密着性だけを考
えればよいので、電極材料の選択の枠が広がる。第一電
極11用の金属材料の蒸着膜の上に第二電極12用の密着材
料12ａの蒸着膜を形成し、エッチングによって同時に第
一電極11及び第二電極12を形成しても第二電極12がエピ
層５と接触することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の品質を左右する要素として
ボンダビリティがある。ボンダビリティとは、例えば発
光ダイオードを基板に実装する際の発光ダイオードの電
極と、基板との間のワイヤボンディングの強度（剥離
性）や位置精度をいう。ボンダビリティは電極上にワイ
ヤボンディングに適した金属からなる密着材料の層を形
成することにより向上する。
ボンダビリティがある。ボンダビリティとは、例えば発
光ダイオードを基板に実装する際の発光ダイオードの電
極と、基板との間のワイヤボンディングの強度（剥離
性）や位置精度をいう。ボンダビリティは電極上にワイ
ヤボンディングに適した金属からなる密着材料の層を形
成することにより向上する。
【０００３】図４はＡｌＧａＡｓ系のダブルヘテロ構造
の発光ダイオードの断面図である。
の発光ダイオードの断面図である。
【０００４】同図に示すｐ型ＧａＡｓ基板１の上にエピ
タキシャル成長によりｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンド
層４の三層のエピタキシャル層（以下「エピ層」とい
う）５が形成されている。基板１の裏面全面にはＡｕＺ
ｎ／Ｎｉ／Ａｕ裏面電極６が形成され、エピ層５の表面
中央には第一電極７が形成され、第一電極７を覆うよう
に第二電極８が形成されている。これら基板１、エピ層
５及び電極６，７，８で発光ダイオード９が構成されて
いる。ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３及びｎ型ＡｌＧａＡｓ
ウィンド層４のｐｎ界面が発光層となっている。
タキシャル成長によりｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、
ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンド
層４の三層のエピタキシャル層（以下「エピ層」とい
う）５が形成されている。基板１の裏面全面にはＡｕＺ
ｎ／Ｎｉ／Ａｕ裏面電極６が形成され、エピ層５の表面
中央には第一電極７が形成され、第一電極７を覆うよう
に第二電極８が形成されている。これら基板１、エピ層
５及び電極６，７，８で発光ダイオード９が構成されて
いる。ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３及びｎ型ＡｌＧａＡｓ
ウィンド層４のｐｎ界面が発光層となっている。
【０００５】この発光ダイオード９は、第一電極７によ
りオーミック接触が確保され、第二電極８により良好な
ボンダビリティが得られる。
りオーミック接触が確保され、第二電極８により良好な
ボンダビリティが得られる。
【０００６】第一電極（円形ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電
極）７は、エピ層５の表面（以下「エピ表面」という）
に熱処理によって形成することができ、第二電極（円形
Ｔｉ／Ａｕ若しくはＣｒ／Ａｕ等の電極）８は、第一電
極７の上に非熱処理によってＴｉ若しくはＣｒ等の第一
電極との密着性のよい金属からなる密着材料を用いて形
成することができる。
極）７は、エピ層５の表面（以下「エピ表面」という）
に熱処理によって形成することができ、第二電極（円形
Ｔｉ／Ａｕ若しくはＣｒ／Ａｕ等の電極）８は、第一電
極７の上に非熱処理によってＴｉ若しくはＣｒ等の第一
電極との密着性のよい金属からなる密着材料を用いて形
成することができる。
【０００７】一般に、第二電極は図５（ａ）〜（ｄ）に
示すようにリフトオフ法を用いた方法で行われる。図５
（ａ）〜（ｄ）は図４に示した発光ダイオードの製造方
法を示す工程図である。
示すようにリフトオフ法を用いた方法で行われる。図５
（ａ）〜（ｄ）は図４に示した発光ダイオードの製造方
法を示す工程図である。
【０００８】エピ層（ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンド層４）
５の上に第一電極７を形成し（図５（ａ））、第一電極
７の周囲にフォトパターン１０を形成する（図５
（ｂ））。エピ層５、第一電極７及びフォトパターン１
０の上から第二電極８用の金属からなる密着材料（Ｔｉ
若しくはＣｒ等の密着材料）８ａ、８を蒸着により密着
させる（図５（ｃ））。剥離剤でフォトパターン１０を
剥離することによりフォトパターン１０上に蒸着された
余分な密着材料８ａが剥離されて第一電極７を覆うよう
に第二電極８が形成される。（図５（ｄ））。
５の上に第一電極７を形成し（図５（ａ））、第一電極
７の周囲にフォトパターン１０を形成する（図５
（ｂ））。エピ層５、第一電極７及びフォトパターン１
０の上から第二電極８用の金属からなる密着材料（Ｔｉ
若しくはＣｒ等の密着材料）８ａ、８を蒸着により密着
させる（図５（ｃ））。剥離剤でフォトパターン１０を
剥離することによりフォトパターン１０上に蒸着された
余分な密着材料８ａが剥離されて第一電極７を覆うよう
に第二電極８が形成される。（図５（ｄ））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の方法では第一電極７を覆うように第二電極８が形成
されるので、第一電極７の表面からはみ出した部分は、
エピ層５と第二電極８とが直接接触することになる。
来の方法では第一電極７を覆うように第二電極８が形成
されるので、第一電極７の表面からはみ出した部分は、
エピ層５と第二電極８とが直接接触することになる。
【００１０】しかし、第二電極８の密着材料は必ずしも
発光ダイオードのエピ表面と密着性が良いとは限らず、
エピ表面との密着性が悪い場合は第一電極上とは良好な
密着性があるものの、電極外周部における第二電極８の
密着材料とエピ表面との界面での剥離が起こり、この剥
離した部分がボンディング用電極上に付着し、ボンディ
ングを阻害するという問題があった。
発光ダイオードのエピ表面と密着性が良いとは限らず、
エピ表面との密着性が悪い場合は第一電極上とは良好な
密着性があるものの、電極外周部における第二電極８の
密着材料とエピ表面との界面での剥離が起こり、この剥
離した部分がボンディング用電極上に付着し、ボンディ
ングを阻害するという問題があった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ボンダビリティが良好でしかも密着性に優れた電極
を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供するこ
とにある。
し、ボンダビリティが良好でしかも密着性に優れた電極
を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の発光ダイオードは、ｐ型半導体層及びｎ型半
導体層のｐｎ界面からなる発光層と、いずれかの半導体
層上に形成されオーミック接触を確保するための第一電
極と、第一電極の上に形成されボンダビリティを向上さ
せるための第二電極とを備えた発光ダイオードにおい
て、第二電極が第一電極の表面からはみ出さないように
形成されているものである。
に本発明の発光ダイオードは、ｐ型半導体層及びｎ型半
導体層のｐｎ界面からなる発光層と、いずれかの半導体
層上に形成されオーミック接触を確保するための第一電
極と、第一電極の上に形成されボンダビリティを向上さ
せるための第二電極とを備えた発光ダイオードにおい
て、第二電極が第一電極の表面からはみ出さないように
形成されているものである。
【００１３】また本発明の発光ダイオードの製造方法
は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界面からなる
発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオーミック接
触を確保するための第一電極を形成し、第一電極の上に
ボンダビリティを向上させるための第二電極を形成する
発光ダイオードの製造方法において、ｐ型半導体層上に
第一電極を形成した後、第一電極を該第一電極よりも小
さな開口部を有する第二電極用フォトパターンで取り囲
み、第二電極用の金属からなる密着材料を蒸着させた
後、第二電極用フォトパターンを剥離するリフトオフ法
を用いて第一電極の上に第二電極を形成するものであ
る。
は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界面からなる
発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオーミック接
触を確保するための第一電極を形成し、第一電極の上に
ボンダビリティを向上させるための第二電極を形成する
発光ダイオードの製造方法において、ｐ型半導体層上に
第一電極を形成した後、第一電極を該第一電極よりも小
さな開口部を有する第二電極用フォトパターンで取り囲
み、第二電極用の金属からなる密着材料を蒸着させた
後、第二電極用フォトパターンを剥離するリフトオフ法
を用いて第一電極の上に第二電極を形成するものであ
る。
【００１４】さらに本発明の発光ダイオードの製造方法
は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界面からなる
発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオーミック接
触を確保するための第一電極を形成し、第一電極の上に
ボンダビリティを向上させるための第二電極を形成する
発光ダイオードの製造方法において、ｐ型半導体層上に
第一電極用の金属からなる密着材料を蒸着し、熱処理を
行い、さらに第二電極用の金属からなる密着材料を全面
蒸着した後、エッチングによって第一電極及び第二電極
を形成するものである。
は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界面からなる
発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオーミック接
触を確保するための第一電極を形成し、第一電極の上に
ボンダビリティを向上させるための第二電極を形成する
発光ダイオードの製造方法において、ｐ型半導体層上に
第一電極用の金属からなる密着材料を蒸着し、熱処理を
行い、さらに第二電極用の金属からなる密着材料を全面
蒸着した後、エッチングによって第一電極及び第二電極
を形成するものである。
【００１５】本発明によれば、いずれかの半導体層の上
に第一電極を形成した後、第二電極用フォトパターン形
成時にリフトオフ法により第一電極よりも小さな電極径
のパターンを形成することで、第二電極用の金属からな
る密着材料を蒸着する際に第一電極表面以外の部分へ回
り込むこと、すなわち第二電極が半導体層と接触するこ
とが防止される。このためボンダビリティが良好でしか
も密着性に優れた電極を形成することができる。また、
第二電極用の金属からなる密着材料を検討する場合、半
導体表面だけでなく、ガラス面等他の表面との密着性ま
でを考える必要が無く、第一電極との密着性だけを考え
ればよいので、電極材料の選択の枠が広がる。さらに、
第一電極用の金属からなる密着材料の蒸着膜の上に第二
電極用の金属からなる密着材料の蒸着膜を形成し、エッ
チングによって同時に第一電極及び第二電極を形成して
も第二電極が半導体層と接触することがない。
に第一電極を形成した後、第二電極用フォトパターン形
成時にリフトオフ法により第一電極よりも小さな電極径
のパターンを形成することで、第二電極用の金属からな
る密着材料を蒸着する際に第一電極表面以外の部分へ回
り込むこと、すなわち第二電極が半導体層と接触するこ
とが防止される。このためボンダビリティが良好でしか
も密着性に優れた電極を形成することができる。また、
第二電極用の金属からなる密着材料を検討する場合、半
導体表面だけでなく、ガラス面等他の表面との密着性ま
でを考える必要が無く、第一電極との密着性だけを考え
ればよいので、電極材料の選択の枠が広がる。さらに、
第一電極用の金属からなる密着材料の蒸着膜の上に第二
電極用の金属からなる密着材料の蒸着膜を形成し、エッ
チングによって同時に第一電極及び第二電極を形成して
も第二電極が半導体層と接触することがない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１７】図１（ａ）は本発明の発光ダイオードの一
実施の形態を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）の平面図である。尚、図４に示した従来例と同様
の部材には共通の符号を用いた。
実施の形態を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）の平面図である。尚、図４に示した従来例と同様
の部材には共通の符号を用いた。
【００１８】ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３及びｎ型Ａ
ｌＧａＡｓウィンドウ層４からなる三層のエピ層５が形
成されている。エピ層５の表面中央には円形の第一電極
１１が形成され、第一電極１１の上には第二電極１２が
形成されている。基板１の裏面には裏面電極６が形成さ
れている。これら基板１、エピ層５及び各電極６，１
１，１２で発光ダイオード１３が構成されている。
ｓクラッド層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３及びｎ型Ａ
ｌＧａＡｓウィンドウ層４からなる三層のエピ層５が形
成されている。エピ層５の表面中央には円形の第一電極
１１が形成され、第一電極１１の上には第二電極１２が
形成されている。基板１の裏面には裏面電極６が形成さ
れている。これら基板１、エピ層５及び各電極６，１
１，１２で発光ダイオード１３が構成されている。
【００１９】次にこの発光ダイオードの製造方法につい
て述べる。
て述べる。
【００２０】図２（ａ）〜（ｄ）は図１（ａ）、（ｂ）
に示した発光ダイオードの製造方法を示す工程図であ
る。
に示した発光ダイオードの製造方法を示す工程図であ
る。
【００２１】まず、ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３、ｎ
型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層４の三層をエピタキシャル
成長させてエピ層５を形成する。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層２は、例えば混晶比が０．３、膜厚が４０μｍ、
キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層３は、混晶比が０．０３、膜厚が１．０μ
ｍ、キャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3である。
ＧａＡｓクラッド層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層３、ｎ
型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層４の三層をエピタキシャル
成長させてエピ層５を形成する。ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層２は、例えば混晶比が０．３、膜厚が４０μｍ、
キャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3である。ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ活性層３は、混晶比が０．０３、膜厚が１．０μ
ｍ、キャリア濃度が２×１０18ｃｍ-3である。
【００２２】このエピ層５の表面に電極径約１３０μ
ｍ、厚さ約２０００オングストロームの第一電極（円形
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極）１１をリフトオフ法若しく
はエッチングにより形成する。基板１の裏面全面には裏
面電極（ＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕ電極）６を形成する（図
１、図２（ａ））。
ｍ、厚さ約２０００オングストロームの第一電極（円形
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極）１１をリフトオフ法若しく
はエッチングにより形成する。基板１の裏面全面には裏
面電極（ＡｕＺｎ／Ｎｉ／Ａｕ電極）６を形成する（図
１、図２（ａ））。
【００２３】エピ層５の表面にリフトオフ用第一電極パ
ターン（フォトパターン、図示せず）を形成し、全面に
第一電極１１用の密着材料を蒸着し、熱処理を行った後
フォトパターンを除去することによりオーミック接触を
確保した第一電極（円形ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極）１
１が形成される（図２（ａ））。
ターン（フォトパターン、図示せず）を形成し、全面に
第一電極１１用の密着材料を蒸着し、熱処理を行った後
フォトパターンを除去することによりオーミック接触を
確保した第一電極（円形ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極）１
１が形成される（図２（ａ））。
【００２４】第一電極１１の形成後、エピ層５の表面に
電極径が５０μｍから１５０μｍの間で、かつ、第一電
極１１の電極径より小さな大きさのリフトオフ用第二電
極パターン（フォトパターン）１４を形成する（図２
（ｂ））。
電極径が５０μｍから１５０μｍの間で、かつ、第一電
極１１の電極径より小さな大きさのリフトオフ用第二電
極パターン（フォトパターン）１４を形成する（図２
（ｂ））。
【００２５】フォトパターン１４を形成した後、第二電
極１２用の密着材料１２ａとなるＣｒを、厚さ約１００
０オングストロームになるまで蒸着し、さらにＡｕを厚
さ約１００００オングストロームになるまで蒸着する
（図２（ｃ））。
極１２用の密着材料１２ａとなるＣｒを、厚さ約１００
０オングストロームになるまで蒸着し、さらにＡｕを厚
さ約１００００オングストロームになるまで蒸着する
（図２（ｃ））。
【００２６】第二電極１２用の密着材料１２ａを蒸着し
た後、リフトオフ法を用いて第二電極１２となる部分以
外の部分のフォトパターン１４を密着材料１２ａごと剥
離することにより、第一電極１１上に電極径が５０μｍ
から１５０μｍの間の大きさの第二電極１２が形成され
る。この結果、第二電極１２とエピ層５とが接触しない
発光ダイオードが得られる（図２（ｄ））。
た後、リフトオフ法を用いて第二電極１２となる部分以
外の部分のフォトパターン１４を密着材料１２ａごと剥
離することにより、第一電極１１上に電極径が５０μｍ
から１５０μｍの間の大きさの第二電極１２が形成され
る。この結果、第二電極１２とエピ層５とが接触しない
発光ダイオードが得られる（図２（ｄ））。
【００２７】図３は発光ダイオードにおける第二電極の
電極径と、ワイヤーボンディング時のボンディング不良
数と、不良原因との相関関係を示す図である。
電極径と、ワイヤーボンディング時のボンディング不良
数と、不良原因との相関関係を示す図である。
【００２８】同図において横軸はボンディングパッドの
電極径を示し、縦軸はワイヤーボンディング不良発生率
を示す。図中、丸印はボールシェアテストによる不良を
示し、三角印はボンディング阻害による不良を示す。
電極径を示し、縦軸はワイヤーボンディング不良発生率
を示す。図中、丸印はボールシェアテストによる不良を
示し、三角印はボンディング阻害による不良を示す。
【００２９】同図より、第二電極の電極径が５０μｍの
場合にはボール打ち込み時のボンディングパッド上から
の位置ずれによるボンダビリティ不良が３０％発生した
が、第二電極の電極径が８０μｍの場合には１０％に減
少した。第二電極の電極径が１００μｍの場合にはボン
ダビリティ不良が１〜２％と略無視できる程度になっ
た。因みに、第二電極の電極径が１３０μｍ以上の場合
には、第二電極外周部のエピ面との密着不良部分がボン
ディング電極上へ付着し、ボンディングが阻害されると
いったケースが５０％もあった。尚、ボンディング不良
は、ボールシェアテストによって７０ｇ以下となったも
のをいい、ワイヤーボンディング不良発生率は、ボンデ
ィングシェアテストを行った発光ダイオードのチップ数
に対するボンディング不良となったチップ数のパーセン
テージである。
場合にはボール打ち込み時のボンディングパッド上から
の位置ずれによるボンダビリティ不良が３０％発生した
が、第二電極の電極径が８０μｍの場合には１０％に減
少した。第二電極の電極径が１００μｍの場合にはボン
ダビリティ不良が１〜２％と略無視できる程度になっ
た。因みに、第二電極の電極径が１３０μｍ以上の場合
には、第二電極外周部のエピ面との密着不良部分がボン
ディング電極上へ付着し、ボンディングが阻害されると
いったケースが５０％もあった。尚、ボンディング不良
は、ボールシェアテストによって７０ｇ以下となったも
のをいい、ワイヤーボンディング不良発生率は、ボンデ
ィングシェアテストを行った発光ダイオードのチップ数
に対するボンディング不良となったチップ数のパーセン
テージである。
【００３０】本実施の形態における最適条件については
第二電極の電極径が１００μｍ以上であり、かつ、第一
電極の電極径よりも小さいことである。
第二電極の電極径が１００μｍ以上であり、かつ、第一
電極の電極径よりも小さいことである。
【００３１】尚、本実施の形態ではリフトオフ法を用い
たが、これに限定されることはなく、エピ表面全面に第
一電極用の金属からなる密着材料を蒸着し、熱処理を行
い、さらに第二電極用の金属からなる密着材料を全面蒸
着した後、エッチングによって電極パターンを形成して
も、第二電極が第一電極表面以外の部分へ回り込むこと
がないので同様の効果が得られる。
たが、これに限定されることはなく、エピ表面全面に第
一電極用の金属からなる密着材料を蒸着し、熱処理を行
い、さらに第二電極用の金属からなる密着材料を全面蒸
着した後、エッチングによって電極パターンを形成して
も、第二電極が第一電極表面以外の部分へ回り込むこと
がないので同様の効果が得られる。
【００３２】以上において本発明によれば、第二電極が
第一電極の表面からはみ出さないように形成することに
より、ボンダビリティが良好でしかも第二電極の剥離が
ない発光ダイオード及びその製造方法を提供することが
でき、このような電極構造は、発光ダイオードだけでな
く、レーザダイオードやＩＣ等の電極を必要とするあら
ゆるデバイスにおける電極パッド形成に利用することが
できる。また、発光ダイオードや他のデバイスに対する
電極材料の選択枠が広がる。
第一電極の表面からはみ出さないように形成することに
より、ボンダビリティが良好でしかも第二電極の剥離が
ない発光ダイオード及びその製造方法を提供することが
でき、このような電極構造は、発光ダイオードだけでな
く、レーザダイオードやＩＣ等の電極を必要とするあら
ゆるデバイスにおける電極パッド形成に利用することが
できる。また、発光ダイオードや他のデバイスに対する
電極材料の選択枠が広がる。
【００３３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３４】ボンダビリティが良好でしかも密着性に優
れた電極を有する発光ダイオード及びその製造方法の提
供を実現できる。
れた電極を有する発光ダイオード及びその製造方法の提
供を実現できる。
【図１】（ａ）は本発明の発光ダイオードの一実施の形
態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の平面図であ
る。
態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の平面図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１（ａ）、（ｂ）に示し
た発光ダイオードの製造方法を示す工程図である。
た発光ダイオードの製造方法を示す工程図である。
【図３】発光ダイオードにおける第二電極の電極径と、
ワイヤーボンディング時のボンディング不良数と、不良
原因との相関関係を示す図である。
ワイヤーボンディング時のボンディング不良数と、不良
原因との相関関係を示す図である。
【図４】ＡｌＧａＡｓ系のダブルヘテロ構造の発光ダイ
オードの断面図である。
オードの断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は図４に示した発光ダイオード
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
１ 基板（ｐ型ＧａＡｓ基板） ５ エピタキシャル層（エピ層） ６ 裏面電極 １１ 第一電極 １２ 第二電極 １２ａ 密着材料
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界
面からなる発光層と、いずれかの半導体層上に形成され
オーミック接触を確保するための第一電極と、該第一電
極の上に形成されボンダビリティを向上させるための第
二電極とを備えた発光ダイオードにおいて、上記第二電
極が上記第一電極の表面からはみ出さないように形成さ
れていることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界
面からなる発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオ
ーミック接触を確保するための第一電極を形成し、該第
一電極の上にボンダビリティを向上させるための第二電
極を形成する発光ダイオードの製造方法において、上記
ｐ型半導体層上に第一電極を形成した後、該第一電極を
該第一電極よりも小さな開口部を有する第二電極用フォ
トパターンで取り囲み、第二電極用の金属からなる密着
材料を蒸着させた後、上記第二電極用フォトパターンを
剥離するリフトオフ法を用いて上記第一電極の上に第二
電極を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造
方法。 - 【請求項３】 ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のｐｎ界
面からなる発光層を形成し、いずれかの半導体層上にオ
ーミック接触を確保するための第一電極を形成し、該第
一電極の上にボンダビリティを向上させるための第二電
極を形成する発光ダイオードの製造方法において、上記
ｐ型半導体層上に第一電極用の金属からなる密着材料を
蒸着し、熱処理を行い、さらに第二電極用の金属からな
る密着材料を全面蒸着した後、エッチングによって第一
電極及び第二電極を形成することを特徴とする発光ダイ
オードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28382797A JPH11121803A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28382797A JPH11121803A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121803A true JPH11121803A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17670678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28382797A Pending JPH11121803A (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121803A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004010509A3 (en) * | 2002-07-22 | 2004-09-23 | Cree Inc | Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor |
| US7026659B2 (en) | 2001-02-01 | 2006-04-11 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including pedestals |
| US7037742B2 (en) | 2001-07-23 | 2006-05-02 | Cree, Inc. | Methods of fabricating light emitting devices using mesa regions and passivation layers |
| US7211833B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-05-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including barrier layers/sublayers |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP28382797A patent/JPH11121803A/ja active Pending
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