CN215186738U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种制造工序被简化的小型的高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；以及第一电路部件和第二电路部件，其中，在俯视主面(91b)的情况下，模块基板(91)包括以从主面(91b)向主面(91a)侧凹陷的主面(91c)为底面的凹部区域(91R)以及位于凹部区域(91R)的外周的凸部区域(91S)，在凸部区域(91S)配置有沿主面(91b)的垂直方向延伸的、一端暴露于主面(91b)的通路导体(95v)，在主面(91a)配置有第一电路部件，在凹部区域(91R)的主面(91c)上配置有第二电路部件。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

在专利文献1中公开了在电路基板的两面安装有构成高频前端电路的电子部件的高频模块(电子部件模块)。安装于电路基板的电子部件被密封树脂层所覆盖，在该密封树脂层的内部形成有用于将电路基板与外部基板电连接的导电性柱。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-33885号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在专利文献1所公开的高频模块中，导电性柱是通过与电路基板的形成工序不同的工序形成的，因此高频模块的制造工时会增加。另外，需要在电路基板的外部确保形成导电性柱的区域，因此高频模块的小型化变得困难。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种简化了制造工序的小型的高频模块和通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及第一电路部件和第二电路部件，其中，在俯视所述第二主面的情况下，所述模块基板包括以从所述第二主面向所述第一主面侧凹陷的第三主面为底面的凹部区域、以及位于所述凹部区域的外周的凸部区域，在所述凸部区域配置有通路导体，所述通路导体沿所述第二主面的垂直方向延伸，所述通路导体的一端暴露于所述第二主面，在所述第一主面配置有所述第一电路部件，在所述凹部区域的所述第三主面上配置有所述第二电路部件。

优选地，所述高频模块还具备配置于所述凹部区域的树脂构件，在所述凸部区域，所述模块基板在所述第二主面侧暴露出来，在所述凹部区域，所述树脂构件在所述第二主面侧暴露出来。

优选地，所述第一电路部件是功率放大器，所述通路导体的一端暴露于所述第二主面，所述通路导体的另一端在所述第一主面处与所述功率放大器的地电极接合。

优选地，所述第二电路部件是低噪声放大器。

优选地，所述高频模块还具备：天线连接端子；以及第一开关，其与所述天线连接端子连接，对所述天线连接端子与所述低噪声放大器的连接和非连接进行切换。

优选地，所述第一开关配置于所述凹部区域。

优选地，所述低噪声放大器和所述第一开关包括在1个半导体集成电路中。

优选地，所述高频模块还具备：发送滤波器和接收滤波器；第二开关，其对所述发送滤波器与所述功率放大器的连接和非连接进行切换；以及第三开关，其对所述接收滤波器与所述低噪声放大器的连接和非连接进行切换，其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器配置于所述第一主面，所述第二开关和所述第三开关配置于所述第三主面。

优选地，在俯视所述第二主面的情况下，所述凹部区域包括被所述凸部区域划分出的第一凹部区域和第二凹部区域，在所述凸部区域的配置于所述第一凹部区域与所述第二凹部区域之间的部分，形成有屏蔽电极层或地通路导体，在所述第一凹部区域配置有所述低噪声放大器，在所述第二凹部区域配置有所述第二开关。

优选地，所述高频模块还具备与所述功率放大器的输出端子连接的第一匹配电路，所述第一匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

优选地，所述高频模块还具备与所述低噪声放大器的输入端子连接的第二匹配电路，所述第二匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

优选地，所述高频模块还具备与所述第一开关连接的第三匹配电路，所述第三匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

为了实现上述目的，本实用新型的另一个方式所涉及的通信装置具备：天线；射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

实用新型的效果

根据本实用新型的优选的实施方式，能够提供简化了制造工序的小型的高频模块和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2A是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图2B是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图2C是变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。

附图标记说明

1、1A、1B：高频模块；2：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；5：通信装置；10：功率放大器；20：低噪声放大器；31、32、33：开关；31a、32a、33a：公共端子；31b、31c、32b、32c、33b、33c：选择端子；40：半导体IC；51、52、53：匹配电路；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；91、91X：模块基板；91a、91b、91c、91d、91e：主面；91R、91R1、91R2：凹部区域；91S：凸部区域；92、93：树脂构件；94G：屏蔽壁；95v：通路导体；95v1：地通路导体；100：天线连接端子；110：发送输入端子；120：接收输出端子。

具体实施方式

下面，详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

另外，下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”表示：在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段经过C的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。

另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“发送接收路径”表示由传播高频发送信号和高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

(实施方式)

[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]

图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2以及RF(Radio Frequency：射频)信号处理电路(RFIC)3。

RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到基带信号处理电路(未图示)。另外，RFIC 3对从基带信号处理电路输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。

另外，RFIC 3还具有基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关31、32及33的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关31～33的连接。另外，RFIC 3还具有对高频模块1所具有的功率放大器10的增益、向功率放大器10提供的电源电压Vcc和偏置电压Vbias进行控制的作为控制部的功能。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1的详细结构。

如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、功率放大器10、低噪声放大器20、发送滤波器61T及62T、接收滤波器61R及62R、匹配电路51、52及53、以及开关31、32及33。

天线连接端子100与天线2连接。

功率放大器10是能够对从发送输入端子110输入的通信频段A和通信频段B的发送信号进行放大的放大电路。此外，高频模块1也可以具备放大通信频段A的高频信号的第一功率放大器和放大通信频段B的高频信号的第二功率放大器，来代替功率放大器10。

低噪声放大器20是能够将通信频段A及B的高频信号以低噪声进行放大并输出到接收输出端子120的放大器。此外，高频模块1也可以具备多个低噪声放大器。例如，高频模块1也可以具备放大通信频段A的高频信号的第一低噪声放大器以及放大通信频段B的高频信号的第二低噪声放大器。

功率放大器10和低噪声放大器20例如由以Si系的CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)或GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)或异质结双极型晶体管(HBT)等构成。

发送滤波器61T配置于将发送输入端子110与天线连接端子100连结的发送路径，使被功率放大器10放大后的发送信号中的通信频段A的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送输入端子110与天线连接端子100连结的发送路径，使被功率放大器10放大后的发送信号中的通信频段B的发送带的发送信号通过。

接收滤波器61R配置于将接收输出端子120与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段A的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器62R配置于将接收输出端子120与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段B的接收带的接收信号通过。

发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。双工器61将通信频段A的发送信号和接收信号以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式进行传输。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。双工器62将通信频段B的发送信号和接收信号以FDD方式进行传输。

此外，双工器61及62中的各双工器也可以是仅由多个发送滤波器构成的多工器、仅由多个接收滤波器构成的多工器、由多个双工器构成的多工器。另外，发送滤波器61T和接收滤波器61R也可以不构成双工器61，也可以是以时分双工(TDD：Time DivisionDuplex)方式进行传输的1个滤波器。在该情况下，在上述1个滤波器的前级和后级中的至少一方配置对发送和接收进行切换的开关。另外，同样地，发送滤波器62T和接收滤波器62R也可以不构成双工器62，也可以是以TDD方式进行传输的1个滤波器。

另外，发送滤波器61T及62T以及接收滤波器61R及62R例如也可以是使用SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)的弹性波滤波器、使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一个，并且不限定于它们。

匹配电路53是第三匹配电路的一例，配置于将天线连接端子100与开关33连结的路径，取得开关33、双工器61及62与天线2的阻抗匹配。匹配电路51是第一匹配电路的一例，配置于将功率放大器10与开关31连结的发送路径，取得功率放大器10与开关31、双工器61及62的阻抗匹配。匹配电路52是第二匹配电路的一例，配置于将低噪声放大器20与开关32连结的接收路径，取得低噪声放大器20与开关32、双工器61及62的阻抗匹配。

开关33经由匹配电路53来与天线连接端子100连接，是对天线连接端子100与低噪声放大器20的连接和非连接进行切换的第一开关的一例，具有公共端子33a、选择端子33b及33c。公共端子33a与匹配电路53连接，选择端子33b与双工器61连接，选择端子33c与双工器62连接。在该连接结构中，开关33对天线连接端子100与双工器61的连接和非连接进行切换，对天线连接端子100与双工器62的连接和非连接进行切换。开关33例如由SPDT(SinglePole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关31是经由匹配电路51来与功率放大器10的输出端子连接的第二开关，具有公共端子31a、选择端子31b及31c。公共端子31a经由匹配电路51来与功率放大器10的输出端子连接。选择端子31b与发送滤波器61T连接，选择端子31c与发送滤波器62T连接。在该连接结构中，开关31对功率放大器10与发送滤波器61T的连接和非连接进行切换，对功率放大器10与发送滤波器62T的连接和非连接进行切换。开关31例如由SPDT型的开关电路构成。

开关32是经由匹配电路52来与低噪声放大器20的输入端子连接的第三开关，具有公共端子32a、选择端子32b及32c。公共端子32a经由匹配电路52来与低噪声放大器20的输入端子连接。选择端子32b与接收滤波器61R连接，选择端子32c与接收滤波器62R连接。在该连接结构中，开关32对低噪声放大器20与接收滤波器61R的连接和非连接进行切换，对低噪声放大器20与接收滤波器62R的连接和非连接进行切换。开关32例如由SPDT型的开关电路构成。

此外，开关31～33所具有的公共端子和选择端子的数量是根据高频模块1所具有的信号路径的数量来适当设定的。

在高频模块1的结构中，功率放大器10、匹配电路51、开关31、发送滤波器61T、开关33以及匹配电路53构成向天线连接端子100传输通信频段A的发送信号的第一发送电路。另外，匹配电路53、开关33、接收滤波器61R、开关32、匹配电路52以及低噪声放大器20构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段A的接收信号的第一接收电路。

另外，功率放大器10、匹配电路51、开关31、发送滤波器62T、开关33以及匹配电路53构成向天线连接端子100传输通信频段B的发送信号的第二发送电路。另外，匹配电路53、开关33、接收滤波器62R、开关32、匹配电路52以及低噪声放大器20构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段B的接收信号的第二接收电路。

根据上述电路结构，高频模块1能够对通信频段A和通信频段B中的任一个通信频段的高频信号执行发送、接收以及发送接收中的至少任一个。并且，高频模块1还能够对通信频段A和通信频段B的高频信号执行同时发送、同时接收以及同时发送接收中的至少任一个。

此外，在本实用新型的一个实施方式所涉及的高频模块中，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以不是经由开关33来与天线连接端子100连接，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。

另外，也可以是，低噪声放大器20和开关31～33中的至少1个开关形成于1个半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)。半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，是通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上的硅)工艺来形成的。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

在此，在要使高频模块1小型化的情况下，能够列举出将构成高频模块1的各电路部件配置于模块基板的两面。在该情况下，在模块基板的单侧形成用于将高频模块1与外部基板电连接的连接端子。然而，当通过与形成模块基板的工序不同的工序形成上述连接端子时，高频模块1的制造工时会增加。另外，需要在高频模块1中确保形成上述连接端子的区域，因此高频模块1的小型化变得困难。

与此相对，下面，说明在简化用于将高频模块1与外部基板电连接的连接端子的形成工序的同时实现小型化的高频模块1的结构。

[2.实施例所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]

图2A是实施例所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图2B是实施例所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。此外，图2A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图2A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b和主面91c的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93、以及通路导体95v及地通路导体95v1。

模块基板91是具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)且安装上述发送电路和上述接收电路的基板。另外，模块基板91具有在俯视主面91b的情况下从主面91b向主面91a侧凹陷的主面91c(第三主面)。根据主面91b和主面91c的配置关系，如图2B所示，模块基板91包括以主面91c为底面的凹部区域91R以及位于凹部区域91R的外周的凸部区域91S。

作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置在模块基板91的主面91c上且配置于凹部区域91R，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91c，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频模块所必需的结构要素。另外，也可以在主面91c配置有与安装于主面91c的电路部件的连接电极接触的底部填充件，来取代树脂构件93。

如图2A和图2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，功率放大器10、双工器61及62是第一电路部件的一例，配置于主面91a(第一主面)。另一方面，低噪声放大器20和开关31～33是第二电路部件的一例，配置于凹部区域91R的主面91c(第三主面)。另外，匹配电路51～53配置于模块基板91的内部的凸部区域91S。

此外，虽然在图2A中未图示，但是构成图1中示出的将电路部件之间连结的发送路径和接收路径的布线形成于模块基板91的内部、主面91a、91b及91c。另外，上述布线既可以是两端与主面91a、91b、91c及构成高频模块1A的电路元件中的任一个接合的接合线，另外也可以是在构成高频模块1A的电路元件的表面形成的端子、电极或布线。

另外，在凸部区域91S配置有通路导体95v，该通路导体95v沿主面91a及91b的垂直方向延伸，该通路导体95v的一端暴露于主面91b。

高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由通路导体95v来进行电信号的交换。如图2A的(b)所示，通路导体95v包括天线连接端子100、发送输入端子110以及接收输出端子120。另外，通路导体95v中的几个是被设定为外部基板的地电位的地通路导体95v1。

此外，也可以是，如图2A的(b)和图2B所示，通路导体95v的两端或一端终止于沿x轴方向延伸的平面导体。另外，也可以是，暴露于主面91b的上述平面导体的侧面与模块基板91接触，另外，也可以是，暴露于主面91b的上述平面导体从模块基板91向z轴负方向突出。另外，暴露于主面91b的平面导体的形状与设置于外部基板的表面的连接电极的形状对应。

根据高频模块1A的上述结构，在模块基板91的凸部区域91S形成有通路导体95v，由此，不需要在模块基板91的外部形成将高频模块1A与外部基板电连接的端子。由此，能够在模块基板91的形成工序中形成能够与外部基板取得电连接的通路导体95v，因此不再需要利用与模块基板91的形成工序不同的工序形成该通路导体95v。因此，能够简化高频模块1A的制造工序。另外，构成高频模块1A的第一电路部件和第二电路部件以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够使高频模块1A小型化。另外，不需要在模块基板91的外部确保形成用于与外部基板连接的端子的区域，因此能够进一步使高频模块1A小型化。另外，能够在模块基板91的凹部区域91R配置低噪声放大器20和开关31～33等第二电路部件，因此能够使高频模块1A的高度降低。

此外，配置于主面91a的第一电路部件只要是功率放大器10、双工器61及62中的至少1个即可。另外，配置于主面91a的第一电路部件也可以是低噪声放大器20、开关31～33以及匹配电路51～53中的至少1个。

另外，配置于主面91c的第二电路部件只要是低噪声放大器20和开关31～33中的至少1个即可。另外，配置于主面91c的第二电路部件也可以是功率放大器10、双工器61及62以及匹配电路51～53中的至少1个。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在凸部区域91S，模块基板91在主面91b侧暴露出来，在凹部区域91R，树脂构件93在主面91b侧暴露出来。

据此，在高频模块1A安装于外部基板的情况下，由于模块基板91的主面91b与外部基板接合，因此与经由树脂构件或凸块电极来与外部基板接合的以往的高频模块相比，能够提高高频模块1A的机械强度。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，功率放大器10配置于主面91a。另外，如图2B所示，地通路导体95v1的一端暴露于主面91b，地通路导体95v1的另一端在主面91a处与功率放大器10的地电极接合。

功率放大器10是高频模块1A所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1A的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将功率放大器10的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将功率放大器10安装到主面91b或91c的情况下，与功率放大器10连接的电极布线被配置在主面91b或91c上。因此，作为散热路径，会包括仅经由主面91b上或91c上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将功率放大器10配置在主面91b上或91c上的情况下，散热性会下降。

与此相对，在功率放大器10配置于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的地通路导体95v1将功率放大器10与外部基板连接。因此，作为功率放大器10的散热路径，能够排除仅经由热阻大的沿xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器10向外部基板的散热性的小型的高频模块1A。

此外，期望的是，在功率放大器10的1个地电极上接合多个地通路导体95v1。由此，能够减少功率放大器10的散热路径的热阻，因此散热性更进一步提高。此外，如图2B所示，多个地通路导体95v1中的各地通路导体也可以被与主面91a及91b平行地延伸的平面导体连接。

另外，在本实施例中，地通路导体95v1形成为沿主面91a及91b的垂直方向贯通模块基板91，但是也可以具有如以下那样的形状。即，地通路导体95v1具有将沿主面91a及91b的垂直方向延伸的多个柱状导体在该垂直方向上进行级联连接的结构，在俯视模块基板91的情况下，多个柱状导体之间具有重叠的区域。具有上述区域的地通路导体95v1也包括在形成为沿上述垂直方向贯通的地通路导体95v1中。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，低噪声放大器20配置于主面91c。

据此，放大发送信号的功率放大器10与放大接收信号的低噪声放大器20分开地配置在模块基板91的两个面，因此发送接收之间的隔离度提高。

此外，期望的是，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，该多个电介质层中的至少1个电介质层形成有地电极图案。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能提高。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，开关33配置于凹部区域91R。据此，开关33与低噪声放大器20同为低高度部件，因此通过开关33与低噪声放大器20一起配置于凹部区域91R，能够降低高频模块1A的高度。

另外，低噪声放大器20和开关33包括在1个半导体IC 40中。由此，能够使高频模块1A小型化。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，双工器61及62配置于主面91a，开关31及32配置于主面91c。也就是说，与低噪声放大器20同为低高度部件的开关31及32与低噪声放大器20一起配置于凹部区域91R，难以与功率放大器10一起降低高度的双工器61及62配置于主面91a。据此，配置于主面91a的第一电路部件的高度一致，配置于主面91c的第二电路部件的高度一致，因此能够综合地降低高频模块1A的高度。

另外，也可以是，在凹部区域91R配置有将多个第二电路部件进行区隔的屏蔽壁94G。屏蔽壁94G例如也可以形成于树脂构件93的内部，将低噪声放大器20与开关31隔离。据此，能够抑制以将屏蔽壁94G夹在中间的方式配置于凹部区域91R的2个第二电路部件的电磁场耦合。例如，能够抑制开关31与低噪声放大器20的电磁场耦合，因此能够抑制以下情况：在发送路径中传输的高输出的发送信号的谐波或者该发送信号与其它高频信号的互调失真经由上述电磁场耦合流入到低噪声放大器20，接收电路的接收灵敏度劣化。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，匹配电路51、52及53中的各匹配电路由在模块基板91的内部的凸部区域91S形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

据此，匹配电路51、52及53不配置在模块基板91的主面上，而是形成于模块基板91的内部的凸部区域91S，因此不需要在模块基板91的外部确保用于以表面安装方式安装匹配电路51、52及53的空间，能够促进高频模块1A的小型化。

[3.变形例所涉及的高频模块1B的电路元件配置结构]

图2C是变形例所涉及的高频模块1B的截面结构概要图。

变形例所涉及的高频模块1B具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

本变形例所涉及的高频模块1B与实施例所涉及的高频模块1A相比，模块基板91X的构造不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略其与实施例所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

模块基板91X是具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)且安装上述发送电路和上述接收电路的基板。另外，模块基板91X具有在俯视主面91b的情况下从主面91b向主面91a侧凹陷的主面91d及91e。根据主面91b、主面91d和主面91e的配置关系，如图2C所示，模块基板91X包括以主面91d为底面的凹部区域91R1(第一凹部区域)、以主面91e为底面的凹部区域91R2(第二凹部区域)以及包围凹部区域91R1及91R2的凸部区域91S。

树脂构件92配置于模块基板91X的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91X的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置在模块基板91X的主面91d上及91e上且配置于凹部区域91R1及91R2，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91X的主面91d及91e，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型的一个实施方式所涉及的高频模块所必需的结构要素。

如图2C所示，在本变形例所涉及的高频模块1B中，功率放大器10、双工器61及62是第一电路部件的一例，配置于主面91a(第一主面)。另一方面，低噪声放大器20和开关31～33是第二电路部件的一例，开关31(图2C中未图示)及32配置于凹部区域91R2的主面91e，低噪声放大器20和开关33配置于凹部区域91R1的主面91d。另外，匹配电路51～53配置于模块基板91X的内部的凸部区域91S。

在凸部区域91S的配置于凹部区域91R1与凹部区域91R2之间的部分，形成有屏蔽电极层。

据此，能够抑制配置于凹部区域91R1的第二电路部件与配置于凹部区域91R2的第二电路部件的电磁场耦合。例如，能够抑制开关31与低噪声放大器20的电磁场耦合，因此能够抑制以下情况：在发送路径中传输的高输出的发送信号的谐波或者该发送信号与其它高频信号的互调失真经由上述电磁场耦合流入到低噪声放大器20，接收电路的接收灵敏度劣化。

此外，也可以是，在凸部区域91S的配置于凹部区域91R1与凹部区域91R2之间的内部，形成有沿主面91b的垂直方向延伸的地通路导体来代替屏蔽电极层。由此，能够抑制配置于凹部区域91R1的第二电路部件与配置于凹部区域91R2的第二电路部件的电磁场耦合。

[4.效果等]

以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；以及第一电路部件和第二电路部件，在俯视主面91b的情况下，模块基板91包括以从主面91b向主面91a侧凹陷的主面91c为底面的凹部区域91R、以及位于凹部区域91R的外周的凸部区域91S，在凸部区域91S配置有通路导体95v，该通路导体95v沿主面91b的垂直方向延伸，该通路导体95v的一端暴露于主面91b，在主面91a配置有第一电路部件，在凹部区域91R的主面91c上配置有第二电路部件。

根据上述结构，通过在凸部区域91S形成有通路导体95v，不需要在模块基板91的外部形成将高频模块1与外部基板电连接的端子。由此，能够在模块基板91的形成工序中形成能够与外部基板取得电连接的通路导体95v，因此不再需要利用与模块基板91的形成工序不同的工序形成该通路导体95v。因此，能够简化高频模块1的制造工序。另外，构成高频模块1的第一电路部件和第二电路部件以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够使高频模块1小型化。另外，不需要在模块基板91的外部确保形成用于与外部基板连接的端子的区域，因此能够进一步使高频模块1小型化。另外，能够在模块基板的凹部区域91R配置第二电路部件，因此能够使高频模块1降低高度。

另外，也可以是，高频模块1还具备配置于凹部区域91R的树脂构件93，在凸部区域91S中，模块基板91在主面91a及91b中的主面91b侧暴露出来，在凹部区域91R中，树脂构件93在主面91a及91b中的主面91b侧暴露出来。

据此，在高频模块1安装于外部基板的情况下，由于模块基板91的主面91b与外部基板接合，因此同经由树脂构件来与外部基板接合的以往的高频模块相比，能够提高高频模块1的机械强度。

另外，也可以是，在高频模块1中，第一电路部件是功率放大器10，地通路导体95v1的一端暴露于主面91b，地通路导体95v1的另一端在主面91a处与功率放大器10的地电极接合。

据此，将功率放大器10配置于主面91a，因此能够借助贯通主面91a与主面91b之间的地通路导体95v1将功率放大器10与外部基板连接。因此，作为功率放大器10的散热路径，能够排除仅经由热阻大的沿xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器10向外部基板的散热性的小型的高频模块1。

另外，也可以是，在高频模块1中，第二电路部件是低噪声放大器20。

据此，放大发送信号的功率放大器10与放大接收信号的低噪声放大器20分开地配置在模块基板91的两个面，因此发送接收之间的隔离度提高。

另外，也可以是，高频模块1还具备：天线连接端子100；以及开关33，其与天线连接端子100连接，对天线连接端子100与低噪声放大器20的连接和非连接进行切换。

另外，也可以是，在高频模块1中，开关33配置于凹部区域91R。

据此，开关33与低噪声放大器20同为低高度部件，因此通过开关33与低噪声放大器20一起配置于凹部区域91R，能够降低高频模块1的高度。

另外，也可以是，在高频模块1中，低噪声放大器20和开关33包括在1个半导体IC40中。

由此，能够使高频模块1小型化。

另外，也可以是，高频模块1还具备：发送滤波器61T和接收滤波器61R；开关31，其对发送滤波器61T与功率放大器10的连接和非连接进行切换；以及开关32，其对接收滤波器61R与低噪声放大器20的连接和非连接进行切换，其中，发送滤波器61T和接收滤波器61R配置于主面91a，开关31及32配置于主面91c。

据此，与低噪声放大器20同为低高度部件的开关31及32与低噪声放大器20一起配置于凹部区域91R，难以与功率放大器10一起降低高度的双工器61配置于主面91a。因此，配置于主面91a的第一电路部件的高度一致，配置于主面91c的第二电路部件的高度一致，因此能够综合地降低高频模块1的高度。

另外，也可以是，在高频模块1B中，在俯视主面91b的情况下，凹部区域包括被凸部区域91S划分出的凹部区域91R1及91R2，在凸部区域91S的配置于凹部区域91R1与凹部区域91R2之间的部分，形成有屏蔽电极层或地通路导体，在凹部区域91R1配置有低噪声放大器20，在凹部区域91R2配置有开关31。

据此，能够抑制开关31与低噪声放大器20的电磁场耦合，因此能够抑制以下情况：在发送路径中传输的高输出的发送信号的谐波或者该发送信号与其它高频信号的互调失真经由上述电磁场耦合流入到低噪声放大器20，接收电路的接收灵敏度劣化。

另外，也可以是，高频模块1还具备与功率放大器10的输出端子连接的匹配电路51，匹配电路51由在模块基板91的内部的凸部区域91S形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

另外，也可以是，高频模块1还具备与低噪声放大器20的输入端子连接的匹配电路52，匹配电路52由在模块基板91的内部的凸部区域91S形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

另外，也可以是，高频模块1还具备与开关33连接的匹配电路53，匹配电路53由在模块基板91的内部的凸部区域91S形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

据此，匹配电路51、52及53不配置在模块基板91的主面上，而是形成于模块基板91的凸部区域91S，因此不需要在模块基板91的外部确保用于以表面安装的方式安装匹配电路51、52及53的空间，能够促进高频模块1的小型化。

另外，通信装置5具备天线2、对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RFIC3、以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的高频模块1。

由此，能够提供简化了制造工序的小型的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式、实施例以及变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。

例如，在上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间***其它的电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本实用新型的一个实施方式作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (13)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；以及

第一电路部件和第二电路部件，

其中，在俯视所述第二主面的情况下，所述模块基板包括以从所述第二主面向所述第一主面侧凹陷的第三主面为底面的凹部区域、以及位于所述凹部区域的外周的凸部区域，

在所述凸部区域配置有通路导体，所述通路导体沿所述第二主面的垂直方向延伸，所述通路导体的一端暴露于所述第二主面，

在所述第一主面配置有所述第一电路部件，

在所述凹部区域的所述第三主面上配置有所述第二电路部件。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

还具备配置于所述凹部区域的树脂构件，

在所述凸部区域，所述模块基板在所述第二主面侧暴露出来，

在所述凹部区域，所述树脂构件在所述第二主面侧暴露出来。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一电路部件是功率放大器，

所述通路导体的一端暴露于所述第二主面，所述通路导体的另一端在所述第一主面处与所述功率放大器的地电极接合。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，

所述第二电路部件是低噪声放大器。

5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，还具备：

天线连接端子；以及

第一开关，其与所述天线连接端子连接，对所述天线连接端子与所述低噪声放大器的连接和非连接进行切换。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，

所述第一开关配置于所述凹部区域。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，

所述低噪声放大器和所述第一开关包括在1个半导体集成电路中。

8.根据权利要求4～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：

发送滤波器和接收滤波器；

第二开关，其对所述发送滤波器与所述功率放大器的连接和非连接进行切换；以及

第三开关，其对所述接收滤波器与所述低噪声放大器的连接和非连接进行切换，

其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器配置于所述第一主面，

所述第二开关和所述第三开关配置于所述第三主面。

9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述第二主面的情况下，所述凹部区域包括被所述凸部区域划分出的第一凹部区域和第二凹部区域，

在所述凸部区域的配置于所述第一凹部区域与所述第二凹部区域之间的部分，形成有屏蔽电极层或地通路导体，

在所述第一凹部区域配置有所述低噪声放大器，

在所述第二凹部区域配置有所述第二开关。

10.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，

还具备与所述功率放大器的输出端子连接的第一匹配电路，

所述第一匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

11.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，

还具备与所述低噪声放大器的输入端子连接的第二匹配电路，

所述第二匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

12.根据权利要求5～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

还具备与所述第一开关连接的第三匹配电路，

所述第三匹配电路由在所述模块基板的内部的所述凸部区域形成的电感器和电容器中的至少一方构成。

13.一种通信装置，其特征在于，具备：

天线；

射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

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