JP2003249542A - 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板をその平坦度を高く維持した状態で支持
できるとともに、その軽量化を実現する基板保持装置を
提供する。 【解決手段】 ホルダ本体７０を構成する本体部２６上
面には、複数のピン部３２と、ピン部の先端面とその上
端面がほぼ同一高さに設定されたリム部２８とが設けら
れている。また、本体部２６は、ハニカムサンドイッチ
構造体によって構成されている。また、ハニカムコアの
貫通孔６３ａは、複数のピン部の配置に対応する配置で
形成されている。そして、真空吸着機構によって、複数
のピン部３２それぞれの先端部分及びリム部２８の先端
部に対してウエハＷが真空吸着される。従って、ウエハ
Ｗを平坦度を高く維持した状態で吸着保持することがで
きるとともに、その軽量化を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板保持装置、露
光装置及びデバイス製造方法に係り、さらに詳しくは、
平板状の基板を保持する基板保持装置、該基板保持装置
を被露光基板の保持装置として備える露光装置、及び該
露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子等
を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレ
チクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパ
ターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウ
エハ又はガラスプレート等の基板（以下、「ウエハ」と
総称する）上に転写する露光装置が用いられている。近
年では、半導体素子の高集積化に伴い、ステップ・アン
ド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッ
パ）や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド
・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャ
ニング・ステッパ）等の逐次移動型の投影露光装置が主
流となっている。

【０００３】このような投影露光装置においては、２次
元面内を移動可能なウエハステージが設けられており、
このウエハステージ上に固定されたウエハホルダによ
り、ウエハが真空吸着或いは静電吸着等により保持され
ている。

【０００４】しかるに、ウエハやレチクルなどは基板保
持装置で保持され、この基板保持装置がステージ等の可
動体に搭載されるので、基板保持装置や可動体などを含
む全体の質量が、可動体の移動時の位置制御性（位置決
め制御性を含む）に大きく影響を与える。このため、レ
チクルが搭載される可動体の表面側、裏面側、あるいは
内部に穴（ポケット）を設けて軽量化を図ることが提案
されている（例えば特許文献１参照）。

【０００５】また、近時における露光波長の短波長化及
び高Ｎ．Ａ．化はともに投影光学系の焦点深度の狭小化
を招いており、異物の挟み込みが生じた場合、それに起
因してウエハ表面に凹凸が生じ、これが焦点ずれ、ひい
ては転写精度の劣化の要因となる可能性が極めて高い。

【０００６】かかる異物の挟み込み問題を極力回避すべ
く、最近では多数のピン状の支持部材（以下、「ピン」
という）によりウエハを支持するピンチャック式のウエ
ハホルダが比較的多く用いられるようになってきた。か
かるピンチャック式のウエハホルダによれば、前述の異
物挟み込みの発生をほぼ確実に抑制することが可能であ
る（例えば特許文献２参照）。

【０００７】図１８（Ａ）に、上記特許文献２などに開
示されるのと同様の従来のウエハホルダの一例が平面図
にて示されている。この図１８（Ａ）のウエハホルダ２
５’は、円板状のベース部材２６’と、該ベース部材２
６’の上面（紙面手前側の面）に等間隔で配置された多
数のピン部３２’と、多数のピン部３２’を取り囲む環
状の凸部（以下、「リム部」と総称する）２８’とを備
えている。そして、多数のピン部３２’及びリム部２
８’によって下方からウエハを支持するとともに、真空
吸着等によってウエハを吸着保持するようになってい
た。

【０００８】上述した従来のピンチャック式のウエハホ
ルダでは、例えば真空吸着等によってウエハをピン部で
支持したとき、ピン部以外の不支持位置でのウエハの変
形量が所定の許容範囲内に収まるようにピン部の配置、
間隔等が決定されていた。

【０００９】

【特許文献１】特許第３０００３６１号明細書

【特許文献２】特開平１−１２９４３８号公報

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、レチクルはそ
の両端のみがレチクルホルダにて保持されるので、レチ
クルホルダが設けられる可動体を軽量化する上記特許文
献１に開示される技術を、そのままウエハホルダに適用
することは困難である。ウエハホルダでは、ウエハを保
持固定するため主として真空吸着方式が採用されてい
る。このため、従来のウエハホルダでは、穴を空ける場
合には、必然的にその穴は、表面側に設けざるを得な
い。裏面側、あるいは内部に穴を設けたのでは、ウエハ
を真空吸着することが困難となり、あるいは真空吸着に
影響を与えない程度の穴を内部に設けたのでは、軽量化
の効果は僅かになる。すなわち、ウエハホルダに穴を空
ける場合には、その穴を真空吸着用の穴と兼用すること
が、軽量化のためには必然的に要請される。

【００１１】また、ウエハをその平坦度を維持して吸着
保持するためには、ウエハホルダの表面は、平坦度が極
めて高いことが要請される。このため、ウエハホルダの
製造工程では、最終段階として、その表面を研磨する工
程が含まれている。

【００１２】しかるに、どのように精度良く表面を平坦
に研磨加工しても、その吸着穴の形状大きさが、真空吸
着を考慮していない形状では、ウエハを真空吸着した際
にウエハが撓む、あるいは、ウエハ表面にウエハホルダ
の表面の凹凸形状がそのまま反映されて、ウエハの面精
度が確保できない、さらには、剛性が低下するなどの不
都合が発生する。また、軽量化を目的として形成される
穴による剛性不均一が加工むらや段差むらの要因とな
り、更には断面リング状の穴若しくは剛性低下の少ない
穴しか形成できず、軽量化の効果は少ない。

【００１３】また、ピンチャック式のウエハホルダにお
いては、ウエハ（基板）の平面度を確保するため、ウエ
ハホルダのウエハとの接触部分は、出来るだけ同一平面
上にあることが望ましく、そのためウエハホルダの製造
段階では、ピン部とリム部の上面を研磨装置を用いて精
密研磨加工している。

【００１４】図１８（Ａ）に示されるウエハホルダ２
５’、あるいは上記特許文献２などに開示されるウエハ
ホルダでは、ピン部とウエハとの間の異物の挟み込みを
極力避けるために上述した変形量が許容範囲内となる限
りで、最小限の接触率となるように、ピン部の接触率が
設定されていた。一方、リム部は、その加工技術の限界
により、ある一定幅以上になる。従って、上述した許容
変形量に基づいて決定されたピン部の接触率が小さいと
き、全体接触率に占めるリム部の接触面積の割合が大き
くなる。

【００１５】また、上記従来技術に係るピン部の接触率
の決定方法を採用した場合、製造段階における研磨加工
の際に、ピン部は、研磨装置の研磨部（加工部）に対す
る単位面積当たりの接触圧力が、リム部に比べて大きく
なる。また、ピン部は、研磨時に用いられる砥粒の回り
込みが十分であるのに対し、リム部は、砥粒の回り込み
が不十分となる傾向がある。このため、ピン部の加工速
度は、リム部の加工速度に比べて速くなる。この加工速
度の差により、ピン部とリム部との間には、ウエハＷを
吸着保持した図１８（Ａ）のウエハホルダ２５’の縦断
面を端面図にて示す図１８（Ｂ）に示されるように、リ
ム部２８’とピン部３２’との間に加工段差Δａが生じ
ていた。かかる理由により、ウエハＷの外縁部近傍の自
由端部には図１８（Ｂ）に示されるような傾斜角度θの
変形が生じ、これが露光時のデフォーカスの要因となっ
てしまっていた。特に、最近では、ウエハの外縁部近傍
からもチップを得ようとする傾向があることから、上記
のようなウエハ外縁部の変形は、最終製品であるデバイ
スの歩留まり低下の要因となりかねない。

【００１６】この一方、露光装置は、半導体素子などの
マイクロデバイスの量産に用いられるものであることか
ら、露光精度の向上と同等、あるいはそれ以上にスルー
プット（処理能力）の向上が要請され、そのためのキー
ポイントの一つがウエハステージの性能向上、特に高速
化、高加速度化、位置決め精度を含む位置制御性の向上
であることは疑いない。

【００１７】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その第１の目的は、基板をその平坦度を高く維持し
た状態で支持することができるとともに、その軽量化を
実現することができる基板保持装置を提供することにあ
る。

【００１８】本発明の第２の目的は、スループットの向
上が可能な露光装置を提供することにある。

【００１９】本発明の第３の目的は、高集積度のデバイ
スの生産性を向上させることができるデバイス製造方法
を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】一般に、ピンチャック式
の基板保持装置は、ピンの配置に応じた凹凸がウエハな
どの基板表面の凹凸形状にそのまま反映されやすいとい
う不利な点はあるものの、ピンの配置の工夫等により、
基板表面の凹凸を効果的に抑制することは可能と思われ
る。また、ピンチャック式の基板保持装置は、ピン自体
の高さ寸法は、基板保持装置全体の高さ寸法と比べて十
分に小さくて足りる。従って、ピンが配置された基板保
持装置の保持装置本体は、その剛性が維持できれば、そ
の軽量化が十分に可能である。本発明は、発明者がかか
る点に着目して鋭意研究を重ねた結果、なされたもので
あり、以下のような構成を採用する。

【００２１】請求項１に記載の発明は、平板状の基板を
保持する基板保持装置であって、その一方の面の所定面
積の領域内に、それぞれの先端部分がほぼ同一面上に位
置するように配置された前記基板を支持する複数の突起
状の第１支持部を有する保持装置本体を備え、前記保持
装置本体の前記一方の面側の表層部を除く部分のうち、
少なくとも前記表層部と他方の面側の表層部との間の部
分に、前記複数の第１支持部の配置に対応した配置で複
数の空所が形成されていることを特徴とする基板保持装
置である。

【００２２】本明細書において、「一方の面側の表層部
を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側
の表層部との間の部分」とは、一方の面側の表層部と他
方の面側の表層部との間の部分、及び一方の面側の表層
部を除く残りの全ての部分のいずれをも含む。また、
「空所」とは、中空部及び他方の面側が開口した所定深
さの穴（開口）のいずれをも含む概念である。さらに、
「複数の第１支持部の配置に対応した配置」とは、複数
の第１支持部の配置と複数の空所の配置との間に何らか
の対応関係があれば足りるという意味である。本発明で
は、この対応関係は、基板を平坦度良く支持できるよう
な第１支持部の配置を採用すると共に、それを基として
複数の空所の配置が定められたものであれば良い。

【００２３】請求項１に記載の基板保持装置によれば、
保持装置本体には、その一方の面にそれぞれの先端部分
がほぼ同一面上に位置するように設定された複数の突起
状の第１支持部が突設され、前記一方の面側の表層部を
除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面側の
表層部との間の部分に、複数の第１支持部の配置に対応
した配置で複数の空所が形成されている。このため、複
数の突起状の第１支持部の先端により基板をほぼ平坦な
状態で支持することができる。また、一方の面側の表層
部と他方の面側の表層部との間の部分、及び一方の面側
の表層部を除く残りの全ての部分のいずれかに、複数の
空所が形成されているので、それらの空所の分だけ軽量
化が可能である。また、複数の空所は、前述した複数の
第１支持部の配置に対応した配置で保持装置本体に形成
されているので、複数の空所の存在が複数の第１支持部
の基板支持機能を大きく損なうこともない。従って、基
板を平坦度を高く維持した状態で支持することができる
とともに、その軽量化を実現することができる。

【００２４】この場合において、請求項２に記載の基板
保持装置の如く、前記第１支持部は、前記保持装置本体
の前記一方の面に前記各空所に個別に対応して少なくと
も１つずつ配置されていることとすることができる。

【００２５】この場合において、請求項３に記載の基板
保持装置の如く、前記複数の空所は、前記保持装置本体
に一定間隔で２次元的に配置され、前記各空所に対応し
て少なくとも１つずつ配置される前記第１支持部は全体
として等間隔で配置されていることとすることとしても
良いし、請求項４に記載の基板保持装置の如く、前記複
数の第１支持部は前記保持装置本体の前記一方の面上に
部分的に間隔が異なるように配置されるとともに、前記
複数の空所は前記保持装置本体の前記部分（一方の面側
の表層部と他方の面側の表層部との間の部分、又は一方
の面側の表層部を除く残りの全ての部分）に間隔と大き
さとの少なくとも一方を異ならせて配置されていること
としても良い。後者の場合には、複数の第１支持部を例
えば中心から周辺に向かうに従ってその間隔を密にす
る、あるいはその反対にするなど種々の配置が採用可能
である。

【００２６】請求項１〜４に記載の各基板保持装置にお
いて、保持装置本体を１つの部材によって構成すること
もできるが、これに限らず、例えば、請求項５に記載の
基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、前記複数の
第１支持部が形成される第１部材と、前記他方の面側の
第２部材とを含んで一体に構成され、前記第１及び第２
部材の少なくとも一方に前記複数の空所が形成されるこ
ととすることができる。

【００２７】この場合において、例えば請求項６に記載
の基板保持装置の如く、前記保持装置本体は、少なくと
も前記第１部材と同一材料による融着で一体に構成され
ることとしても良いし、例えば請求項７に記載の基板保
持装置の如く、前記保持装置本体は少なくとも前記第１
部材と異なる材料による融着で一体に構成されることと
しても良い。更には、請求項８に記載の基板保持装置の
如く、前記保持装置本体は接着剤にて一体にて構成され
ることとしても良い。異なる材料による融着で一体に構
成される場合の、「異なる材料」としては、一例として
金属、特にアルミニウムを用いることができる。

【００２８】上記請求項１〜８に記載の各基板保持装置
において、請求項９に記載の基板保持装置の如く、前記
保持装置本体は、前記一方の面側の第１部材と、前記他
方の面側の第２部材と、これら両部材に狭持される、前
記複数の空所が形成されたコア部材とから成るサンドイ
ッチ構造体であることとすることができる。

【００２９】この場合において、請求項１０に記載の基
板保持装置の如く、前記コア部材は、ハニカムコアであ
ることとすることができる。

【００３０】上記請求項１，２，４に記載の各基板保持
装置において、請求項１１に記載の基板保持装置の如
く、前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積
の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、
前記複数の第１支持部とともに前記基板をその平坦度を
ほぼ維持した状態で支持する第２支持部を、更に有する
こととすることができる。

【００３１】この場合において、請求項１２に記載の基
板保持装置の如く、前記複数の第１支持部のうち、少な
くとも前記第２支持部近傍に位置する第１支持部は、他
の部分に位置する第１支持部に比べて密な間隔で配置さ
れていることとすることができる。

【００３２】この場合において、複数の第１支持部は、
例えば隣接する第１支持部間の間隔が、第２支持部の近
傍と前記領域の中央部近傍とその間の部分とで段階的に
変化するように配置されていることとすることもできる
が、これに限らず、前記複数の第１支持部は、隣接する
第１支持部間の間隔が前記第２支持部から離れるほど広
くなるような配置とされていることとすることもでき
る。

【００３３】この場合において、請求項１３に記載の保
持装置の如く、前記複数の第１支持部は、前記基板の中
心位置に対応する前記保持装置本体上の基準点を中心と
した複数の同心円上に配置されていることとすることが
できる。

【００３４】上記請求項３，５〜１０に記載の各基板保
持装置において、請求項１４に記載の基板保持装置の如
く、前記保持装置本体は、前記一方の面の前記所定面積
の領域の外側に配置され、前記領域の外側を取り囲み、
前記複数の第１支持部とともに前記基板をその平坦度を
ほぼ維持した状態で支持する第２支持部を、更に有する
こととすることができる。

【００３５】上記請求項１１〜１４に記載の各基板保持
装置において、請求項１５に記載の基板保持装置の如
く、前記複数の第１支持部それぞれの先端部分及び前記
第２支持部の先端部に対して前記基板を吸着する吸着機
構を更に備えることとすることができる。

【００３６】この場合において、請求項１６に記載の基
板保持装置の如く、前記第２支持部は、前記複数の第１
支持部が配置された領域を完全に取り囲む環状の内周面
を有する場合、前記吸着機構は、前記基板が前記保持装
置本体に支持された状態で、前記基板と前記保持装置本
体とによって前記第２支持部の内周面の内側に形成され
る空間を真空状態とする真空吸着機構であることとする
ことができる。

【００３７】この場合において、請求項１７に記載の基
板保持装置の如く、前記第２支持部は、同心円状に配置
された環状凸部と該環状凸部の外周側の環状凹部とを有
し、前記真空吸着機構は、前記環状凹部をも真空状態と
することとすることができる。

【００３８】この場合において、請求項１８に記載の基
板保持装置の如く、前記環状凸部は、同心円状に二重以
上設けられ、前記真空吸着機構は、隣接する環状凸部相
互間の空間をも真空状態とすることとすることができ
る。

【００３９】上記請求項１１〜１８に記載の各基板保持
装置において、請求項１９に記載の基板保持装置の如
く、前記第２支持部と前記基板との接触面積は、前記複
数の第１支持部及び前記第２支持部と前記基板との総接
触面積の２０％以下に設定されていることとすることが
できる。

【００４０】この場合において、請求項２０に記載の基
板保持装置の如く、前記基板の前記第１及び第２支持部
によって支持される側の面の全面積に占める、前記複数
の第１支持部及び前記第２支持部と前記基板との接触面
積の割合が、３％以下に設定されていることとすること
ができる。

【００４１】請求項２１に記載の発明は、エネルギビー
ムにより基板を露光して所定のパターンを形成する露光
装置であって、前記基板を保持する請求項１〜２０のい
ずれか一項に記載の基板保持装置と；前記基板保持装置
が搭載され、２次元面内で少なくとも一方向に移動可能
な基板ステージと；を備える露光装置である。

【００４２】これによれば、請求項１〜２０のいずれか
一項に記載の基板保持装置により基板がその平坦度を高
く維持した状態で支持（又は保持）される。そして、こ
の基板保持装置が、基板ステージ上に搭載されているの
で、基板保持装置が軽量化されている分、基板保持装置
及び基板ステージを含む基板側可動部の全体が軽量化さ
れている。このため、基板側可動部の位置制御性（位置
決め性能を含む）が向上し、例えば露光時における基板
の位置決め整定時間の短縮により、露光処理工程におけ
るスループットの向上が可能となる。

【００４３】この場合において、請求項２２に記載の露
光装置の如く、前記パターンが形成されたマスクを保持
するマスクステージと；前記マスクから射出された前記
エネルギビームを前記基板上に投射する投影光学系と；
前記基板保持装置により保持された前記基板表面の前記
投影光学系の光軸方向に関する位置及び前記光軸方向に
直交する面に対する傾斜量を検出する焦点位置検出系
と；前記焦点位置検出系の検出結果に基づいて、前記基
板保持装置を前記光軸方向及び前記光軸方向に直交する
面に対する傾斜方向の少なくとも一方に駆動する駆動装
置と；を更に備えることとすることができる。

【００４４】この場合において、請求項２３に記載の露
光装置の如く、前記マスクステージと前記基板ステージ
とを同期して、前記一方向に駆動する同期駆動装置を更
に備えることとすることができる。

【００４５】請求項２４に記載の発明は、リソグラフィ
工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフ
ィ工程では、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の
露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス
製造方法である。

【００４６】

【発明の実施の形態】《第１の実施形態》以下、本発明
の第１の実施形態について、図１〜図６に基づいて説明
する。

【００４７】図１には、第１の実施形態に係る露光装置
１００の概略構成が示されている。この露光装置１００
は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置
（いわゆるスキャニング・ステッパ）である。この露光
装置１００は、照明系１０、マスクとしてのレチクルＲ
を保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、
基板としてのウエハＷが搭載されるステージ装置５０、
及びこれらの制御系等を備えている。

【００４８】前記照明系１０は、例えば特開平６−３４
９７０１号公報及びこれに対応する米国特許第５，５３
４，９７０号公報などに開示されるように、光源、オプ
ティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、リ
レーレンズ、可変ＮＤフィルタ、レチクルブラインド等
（いずれも不図示）を含んで構成されている。この照明
系１０では、回路パターン等が描かれたレチクルＲ上の
レチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域
をエネルギビームとしての照明光ＩＬによりほぼ均一な
照度で照明する。

【００４９】ここで、照明光ＩＬとしては、ＫｒＦエキ
シマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの遠紫外光、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、あるいはＦ₂
レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光などが用
いられる。照明光ＩＬとして、超高圧水銀ランプからの
紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）を用いることも可能であ
る。また、オプティカルインテグレータとしては、フラ
イアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型イン
テグレータ）あるいは回折光学素子などを用いることが
できる。

【００５０】前記レチクルステージＲＳＴ上には、レチ
クルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチ
クルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む不
図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系１０の
光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂
直なＸＹ平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の
走査方向（ここではＹ軸方向とする）に指定された走査
速度で駆動可能となっている。

【００５１】レチクルステージＲＳＴのステージ移動面
内の位置は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル
干渉計」という）１６によって、移動鏡１５を介して、
例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。
ここで、実際には、レチクルステージＲＳＴ上にはＹ軸
方向に直交する反射面を有する移動鏡とＸ軸方向に直交
する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これらの移動
鏡に対応してレチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計とが
設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１
５、レチクル干渉計１６として示されている。なお、例
えば、レチクルステージＲＳＴの端面を鏡面加工して反
射面（移動鏡１５の反射面に相当）を形成しても良い。
また、レチクルステージＲＳＴの走査方向（本実施形態
ではＹ軸方向）の位置検出に用いられるＸ軸方向に伸び
た反射面の代わりに、少なくとも１つのレトロリフレク
タを用いても良い。ここで、レチクルＹ干渉計とレチク
ルＸ干渉計の一方、例えばレチクルＹ干渉計は、測長軸
を２軸有する２軸干渉計であり、このレチクルＹ干渉計
の計測値に基づきレチクルステージＲＳＴのＹ位置に加
え、Ｚ軸回りの回転方向（θｚ方向）の回転も計測でき
るようになっている。

【００５２】レチクル干渉計１６からのレチクルステー
ジＲＳＴの位置情報はステージ制御装置１９及びこれを
介して主制御装置２０に供給される。ステージ制御装置
１９では、主制御装置２０からの指示に応じ、レチクル
ステージＲＳＴの位置情報に基づいて不図示のレチクル
ステージ駆動部を介してレチクルステージＲＳＴを駆動
制御する。

【００５３】前記投影光学系ＰＬは、レチクルステージ
ＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸの
方向がＺ軸方向とされている。投影光学系ＰＬとして
は、例えば両側テレセントリックで所定の縮小倍率（例
えば１／５、又は１／４）を有する屈折光学系が使用さ
れている。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによ
ってレチクルＲの照明領域が照明されると、このレチク
ルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介
してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小
像（部分倒立像）が表面にレジスト（感光剤）が塗布さ
れたウエハＷ上に形成される。

【００５４】前記ステージ装置５０は、基板ステージと
してのウエハステージＷＳＴ、該ウエハステージＷＳＴ
上に設けられた保持装置本体としてのホルダ本体７０、
これらウエハステージＷＳＴ及びホルダ本体７０を駆動
するウエハステージ駆動部２４等を備えている。前記ウ
エハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における
下方で、不図示のベース上に配置され、ウエハステージ
駆動部２４を構成する不図示のリニアモータ等によって
ＸＹ方向へ駆動されるＸＹステージ３１と、該ＸＹステ
ージ３１上に載置され、ウエハステージ駆動部２４を構
成する不図示のＺ・チルト駆動機構によって、Ｚ軸方
向、及びＸＹ面に対する傾斜方向（Ｘ軸回りの回転方向
（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向））へ
微小駆動されるＺ・チルトステージ３０とを備えてい
る。このＺ・チルトステージ３０上にウエハＷを保持す
る前記ホルダ本体７０が搭載されている。

【００５５】前記ホルダ本体７０は、低熱膨張率の材
料、例えばセラミックス（一例としてはショット社のゼ
ロデュア（商品名））等によって構成されている。この
ホルダ本体７０は、図２の平面図に示されるように、そ
の外観が所定肉厚の円形板状の本体部２６、該本体部２
６の上面（図２における紙面手前側の面）の外周部近傍
の所定幅の環状領域を除く中央部の所定面積の領域に所
定の間隔で設けられた複数の第１支持部としての突起状
のピン部３２，３２，……、これら複数のピン部３２が
配置された前記領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設け
られた第２支持部としての環状の凸部（以下、「リム
部」と称する）２８等を備えている。

【００５６】ホルダ本体７０の本体部２６は、ホルダ本
体７０の分解斜視図である図３に示されるように、実際
には、三層構造のハニカムサンドイッチ構造体が用いら
れている。すなわち、本体部２６は、厚さｔ１（ｔ１
は、例えば２〜５ｍｍ程度）のセラミックス板から成る
第１部材６１と、厚さｔ１のセラミックス板から成る第
２部材６２との間に、セラミックス製のハニカム構造体
から成るコア部材（ハニカムコア）６３をコアとして挟
み込み、これら３者を相互に接合、たとえば溶着した三
層構造となっている。この場合、ハニカムコア６３の厚
さ寸法は、約１２〜１５ｍｍ程度となっている。

【００５７】ハニカムコア６３は、空所としての中空部
６３ａが多いので、全体的に非常に軽量である。この反
面、ハニカムサンドイッチ構造体は、航空機の尾翼等に
採用されていることからもわかるように、圧縮剛性が非
常に高い構造体として知られている。

【００５８】従って、ホルダ本体７０は、剛性を十分に
確保しつつ、その大幅な軽量化が可能となっている。

【００５９】前記第１部材６１は、全体として円盤状の
セラミックス材料の表面をエッチングすることによっ
て、円形板状のベース部６４と、このベース部６４上面
に凸設されたリム部２８及び複数のピン部３２が一体的
に形成されている。

【００６０】前記リム部２８は、その外径がウエハＷの
外径よりも僅かに小さく、例えば１〜２ｍｍ程度小さく
設定され、その上面は、ウエハＷが載置された際に、ウ
エハＷの裏面との間に隙間が生じないよう、水平且つ平
坦に加工されている。リム部２８のベース部６４上面か
らの高さ寸法は、０．０１〜０．３ｍｍ程度とされてい
る。

【００６１】前記ピン部３２は、それぞれの先端部分が
リム部２８とほぼ同一面上に位置するようにされた突起
状の形状を有している。これらピン部３２は、ホルダ本
体７０の平面図である図４に示されるように、Ｙ軸方向
に対して±３０°を成す２軸方向に沿って一定間隔Ｌ
（Ｌは例えば３ｍｍ）で配置されている。すなわち、ピ
ン部３２は、近接する３本が、正三角形の頂点にそれぞ
れ位置する配置となっている。この場合のピン部の配置
間隔Ｌは真空吸着した際のウエハＷの変形量が許容範囲
に収まるように設定されている。

【００６２】このようにして構成される第１部材６１で
は、その製造段階において、前述の如く、ベース部６
４、ピン部３２及びリム部２８を一体成形した後に、最
終的にウエハＷとの接触面となる、複数のピン部３２の
上端面及びリム部２８の上面に、研磨装置、砥粒等を用
いて、研磨加工が施されている。この結果、それらの複
数のピン部２８の上端面とリム部２８の上面とはほぼ同
一平面上に位置している。

【００６３】前記ハニカムコア６３は、本実施形態で
は、図４及びその円Ａ内の拡大図である図５に示される
ように、各ピン部３２が、それぞれの中心に位置するよ
うな平面視（上方から見て）同一面積の正六角形の空所
としての中空部６３ａ、すなわち上下方向の貫通孔６３
ａが形成されている。隣接する貫通孔６３ａ同士は、所
定厚さｄ（ｄは例えば１ｍｍ）の仕切り壁としてのリム
６３ｂにより仕切られている。従って、各貫通孔６３ａ
の対角線（中心を通る）の長さは、例えば２．３ｍｍと
されている。このような、ハニカムコア６３は、例えば
粘土（セラミックスの材料）を押し出し型を用いて押し
出し成形した後に、焼成する。そして、焼成の結果物の
両端面が、平坦になるように、研磨装置等を用いて、研
磨加工を行うことにより製造することができる。あるい
は、全体として所定厚さの円盤状のセラミックス材料に
前述のエッチングを施すことによってハニカムコア状物
体を形成し、そのハニカムコア状物体の両端面が、平坦
になるように、研磨装置等を用いて、研磨加工を行うこ
とにより製造する。

【００６４】図２に戻り、本体部２６の中央部近傍に
は、ほぼ正三角形の各頂点の位置に上下方向（紙面直交
方向）の３つの貫通孔（図２では不図示）が、ピン部３
２と機械的に干渉しない状態で形成されている。これら
の貫通孔それぞれには、円柱形状を有する上下動ピン
（センタアップ）３４ａ，３４ｂ，３４ｃがそれぞれ挿
入され、これら３つのセンタアップ３４ａ〜３４ｃは、
図１のウエハステージ駆動部２４を構成する不図示の上
下動機構を介して、上下方向（Ｚ軸方向）に同時に同一
量だけ、昇降自在となっている。後述するウエハロー
ド、ウエハアンロード時には、センタアップ３４ａ〜３
４ｃが上下動機構により駆動されることで、３本のセン
タアップ３４ａ〜３４ｃによってウエハＷを下方から支
持したり、ウエハＷを支持した状態で上下動させたりす
ることができるようになっている。

【００６５】なお、本実施形態ではウエハのロード及び
アンロード時に３本の上下動ピンを用いるものとした
が、ウエハのロード及びアンロードは上下動ピンを用い
なくても可能である。例えばリム部２８の直径と同程度
だけＸ軸方向に離れ、かつＹ軸方向に延びる一対の溝部
をＺ・チルトステージ３０の表面に形成するとともに、
ホルダ本体７０を形成するリム部２８の前記一対の溝部
に対向する位置に合計３箇所（一方の溝部に対向する位
置に１箇所、他方の溝部に対向する位置に２箇所）の爪
部挿入用の切り欠きをそれぞれ形成する。そして、ホル
ダ本体（ウエハホルダ）とロード又はアンロード用の搬
送アームとをＹ軸方向に相対移動することにより、前記
搬送アームの下端部に前記リム部２８の直径と同程度だ
けＸ軸方向に離れて設けられた３つの爪部を前記一対の
溝部に挿入あるいは溝部から離脱する動作と、ホルダ本
体と搬送アームとをＺ軸方向に相対移動することによ
り、３つの爪部のそれぞれを対応する切り欠きを介して
溝部内に挿入あるいは溝部及びホルダ本体から離脱する
動作とを行うことにより、ウエハのロード及びアンロー
ドを行うようにしても良い。

【００６６】また、本体部２６の上面には、図２に示さ
れるように、複数の給排気口３６が、本体部２６上面の
中心部近傍から放射方向（ほぼ１２０°の中心角の間隔
を有する３つの半径の方向）に沿って、所定間隔で形成
されている。これら給排気口３６も、ピン部３２と機械
的に干渉しない位置に形成されている。給排気口３６
は、本体部２６内部に形成された給排気路３８Ａ，３８
Ｂ，３８Ｃを介して、本体部２６の外周面に接続された
後述する給排気機構８０を構成する給排気枝管４０ａ、
４０ｂ、４０ｃと連通状態とされている。

【００６７】前記給排気路３８Ａ〜３８Ｃについて、図
２のＡ−Ａ線断面図である図６に示される給排気路３８
Ａを代表的に採り上げて簡単に説明する。この給排気路
３８Ａは、本体部２６（より正確には、ハニカムコア６
３）の外周面から本体部２６の中心部近傍にかけて半径
方向（Ｘ軸方向）に沿って形成された幹路８８Ａと、該
幹路８８Ａから半径方向に所定間隔を隔てて、それぞれ
＋Ｚ方向に分岐された複数（ここでは６つ）の分岐路８
６Ａ₁〜８６Ａ₆とから成る通路である。この場合、分岐
路８６Ａ₁〜８６Ａ₆の上端の開口端それぞれが、前述し
た給排気口３６となっている。なお、残りの２つの給排
気路３８Ｂ，３８Ｃも給排気路３８Ａと同様の構成とな
っている。

【００６８】上記の如く構成されたホルダ本体７０に
は、図２に示されるように、ホルダ本体７０上に載置さ
れ、複数のピン部３２及びリム部２８によって下方から
支持されたウエハＷを、複数のピン部３２及びリム部２
８それぞれの上端面（上端部）に対して吸着保持する吸
着機構としての真空吸着機構を含む給排気機構８０が接
続されている。

【００６９】前記給排気機構８０は、第１真空ポンプ４
６Ａ、真空室４６Ｂａ及び第２真空ポンプ４６Ｂｂ、並
びに給気装置４６Ｃと、これらの第１真空ポンプ４６
Ａ、真空室４６Ｂａ及び第２真空ポンプ４６Ｂｂ、並び
に給気装置４６Ｃを前記給排気路３８Ａ〜３８Ｃにそれ
ぞれ接続する給排気管４０とを備えている。

【００７０】前記給排気管４０は、給排気本管４０ｄ
と、該給排気本管４０ｄの一端から３つに枝分かれした
前述の給排気枝管４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、給排気本
管４０ｄの他端から３つに枝分かれした第１排気枝管４
０ｅ、第２排気枝管４０ｆ、給気枝管４０ｇとから構成
されている。

【００７１】前記第１排気枝管４０ｅの給排気本管４０
ｄとは反対側の端部には、電磁弁（電磁バルブ）Ｖ１を
介して第１真空ポンプ４６Ａが接続されており、前記第
２排気枝管４０ｆの給排気本管４０ｄとは反対側の端部
には電磁弁Ｖ２を介して真空室４６Ｂａの一側が接続さ
れている。この真空室４６Ｂａの他側には、第２真空ポ
ンプ４６Ｂｂが接続されている。また、前記給気枝管４
０ｇの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、電磁弁
Ｖ３を介して給気装置４６Ｃが接続されている。

【００７２】また、図示は省略されているが、給排気本
管４０ｄの一部には、給排気管４０内部の気圧を計測す
るための気圧計が接続されている。この気圧計による計
測値は図１の主制御装置２０に供給され、主制御装置２
０は、気圧計による計測値とウエハのロード、アンロー
ドの制御情報とに基づいて、各電磁弁Ｖ１〜Ｖ３の開閉
と、真空ポンプ４６Ａ，４６Ｂｂ及び給気装置４６Ｃの
動作とを制御するようになっている。なお、これらの動
作については、後に更に詳述する。

【００７３】図１に戻り、ＸＹステージ３１は、走査方
向（Ｙ軸方向）の移動のみならず、ウエハＷ上の複数の
ショット領域を、投影光学系ＰＬに関して前記照明領域
と共役な露光領域に位置させることができるように、走
査方向に直交する非走査方向（Ｘ軸方向）にも移動可能
に構成されており、ウエハＷ上の各ショット領域を走査
（スキャン）露光する動作と、次ショット領域の露光の
ための加速開始位置まで移動する動作とを繰り返すステ
ップ・アンド・スキャン動作を行う。

【００７４】ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位
置（Ｚ軸回りの回転（θｚ回転）を含む）は、Ｚ・チル
トステージ３０の上面に設けられた移動鏡１７を介し
て、ウエハレーザ干渉計システム１８によって、例えば
０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。こ
こで、実際には、Ｚ・チルトステージ３０上には、例え
ば図２に示されるように、非走査方向（Ｘ軸方向）に直
交する反射面を有するＸ移動鏡１７Ｘと走査方向（Ｙ軸
方向）に直交する反射面を有するＹ移動鏡１７Ｙとが設
けられ、これに対応してウエハレーザ干渉計システム１
８もＸ移動鏡１７Ｘに垂直に干渉計ビームを照射するＸ
干渉計と、Ｙ移動鏡１７Ｙに垂直に干渉計ビームを照射
するＹ干渉計とが設けられているが、図１ではこれらが
代表的に移動鏡１７、ウエハレーザ干渉計システム１８
として示されている。なお、ウエハレーザ干渉計システ
ム１８のＸ干渉計及びＹ干渉計は、ともに測長軸を複数
有する多軸干渉計であり、これらの干渉計によって、ウ
エハステージＷＳＴ（より正確には、Ｚ・チルトステー
ジ３０）のＸ、Ｙ位置の他、回転（ヨーイング（Ｚ軸回
りの回転であるθｚ回転）、ピッチング（Ｘ軸回りの回
転であるθｘ回転）、ローリング（Ｙ軸回りの回転であ
るθｙ回転））も計測可能となっている。なお、例え
ば、Ｚ・チルトステージ３０端面を鏡面加工して反射面
（移動鏡１７Ｘ、１７Ｙの反射面に相当）を形成しても
良い。また、多軸干渉計は４５°傾いてＺ・チルトステ
ージ３０に設置される反射面を介して、投影光学系ＰＬ
が載置される架台（不図示）に設置される反射面にレー
ザビームを照射し、投影光学系ＰＬの光軸方向（Ｚ軸方
向）に関する相対位置情報を検出するようにしても良
い。

【００７５】ウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速
度情報）はステージ制御装置１９、及びこれを介して主
制御装置２０に供給される。ステージ制御装置１９で
は、主制御装置２０の指示に応じ、ウエハステージＷＳ
Ｔの上記位置情報（又は速度情報）に基づき、ウエハス
テージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴを制御
する。

【００７６】本実施形態の露光装置１００では、図１に
示されるように、主制御装置２０によってオンオフが制
御される光源を有し、投影光学系ＰＬの結像面に向けて
多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結
像光束を、光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射
系６０ａと、それらの結像光束のウエハＷ表面での反射
光束を受光する受光系６０ｂとから成る斜入射方式の多
点焦点位置検出系から成る焦点位置検出系が設けられて
いる。なお、本実施形態の焦点位置検出系（６０ａ、６
０ｂ）と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例
えば特開平６−２８３４０３号公報及びこれに対応する
米国特許第５，４４８，３３２号等に開示されている。

【００７７】主制御装置２０の指示の下、ステージ制御
装置１９では、後述する走査露光時等に、受光系６０ｂ
からの焦点ずれ信号（デフォーカス信号）、例えばＳカ
ーブ信号に基づいて焦点ずれが零となるように、ウエハ
ステージ駆動部２４を介してＺ・チルトステージ３０及
びホルダ本体７０のＺ軸方向への移動、及び２次元的な
傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）を制御する、
すなわち焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）を用いてＺ
・チルトステージ３０及びホルダ本体７０の移動を制御
することにより、照明光ＩＬの照射領域（照明領域と結
像関係となる前述の露光領域）内で投影光学系ＰＬの結
像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフ
ォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実
行する。すなわち、本実施形態では、主制御装置２０、
ステージ制御装置１９及びウエハステージ駆動部２４に
よって、焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の検出結果
に基づいて、ホルダ本体７０を光軸ＡＸ方向及び光軸に
直交する面に対する傾斜方向に駆動する駆動装置が構成
されている。

【００７８】次に、本実施形態の露光装置におけるホル
ダ本体７０に対するウエハＷのロード時及びアンロード
時における動作について説明する。

【００７９】ウエハＷのロードに際しては、図２の電磁
弁Ｖ１〜Ｖ３は全て閉じられており、給排気機構８０に
よる給気動作及び排気動作はオフされている。

【００８０】不図示のウエハローダにより、ウエハＷが
ホルダ本体７０上方に搬送されると、主制御装置２０の
指示の下、ステージ制御装置１９が不図示の上下動機構
を介してセンタアップ３４ａ〜３４ｃを上昇する。ここ
でセンタアップ３４ａ〜３４ｃの上昇量が所定量に達す
ると、ウエハローダ（ロード用の搬送アーム）上のウエ
ハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡され、ウエ
ハローダがホルダ本体７０上方から待避する。その後、
ステージ制御装置１９がセンタアップ３４ａ〜３４ｃを
下降することにより、ホルダ本体７０上にウエハＷが載
置される。

【００８１】上記のようにしてホルダ本体７０上にウエ
ハＷが載置されると、主制御装置２０は、図２の高速排
気用の真空室４６Ｂａに通じる電磁弁Ｖ２を開いて、ベ
ース部６４、リム部２８、及びウエハＷで囲まれた空間
内の気体を高速に吸引（排気）する。この際、本実施形
態では、スループットの向上を図るため、真空室４６Ｂ
ａを使用することによって吸引圧力を、例えば−８００
ｈＰａ程度と高く（高度の真空状態に）設定している。

【００８２】このようにして、ウエハＷを高速に吸着保
持することでウエハロードが終了する。その後、主制御
装置２０は、図２の電磁弁Ｖ２を閉じ、通常時に使用す
る第１真空ポンプ４６Ａに通じる電磁弁Ｖ１を開く。こ
れ以降は第１真空ポンプ４６Ａの吸引力によりウエハＷ
が吸着保持されることとなる。

【００８３】ここで、ウエハＷをホルダ本体７０上で吸
着保持してから、ウエハＷを取り出すまでの間は、ウエ
ハステージＷＳＴの移動等によりウエハＷが横ずれして
アライメント精度等に悪影響を与えない程度の吸引圧力
（吸着力）があれば良く、本実施形態では、真空吸着に
よるウエハＷの変形を最小限に抑えるように、通常使用
する第１真空ポンプ４６Ａによる吸引圧力を、例えば−
２６６．５ｈＰａ〜−３３３．２ｈＰａ程度と低く（低
度の真空状態に）設定している。また、ウエハＷをホル
ダ本体７０上に載置する場合とそれ以外の動作を行う場
合とで吸引圧力を異ならせることで、ウエハロードに要
する時間を短縮できる。

【００８４】一方、ウエハＷをアンロードするに際して
は、主制御装置２０は、まず、図２の電磁弁Ｖ１を閉
じ、吸着動作をオフする。次いで、主制御装置２０は、
センタアップ３４ａ〜３４ｃを所定量上昇するととも
に、給気弁Ｖ３を開き、ウエハＷの底面に向けて気体を
吹き付ける。これにより、上述の真空状態が直ちに解除
される。

【００８５】センタアップ３４ａ〜３４ｃが所定量上昇
すると、ピン部３２、リム部２８にて支持されているウ
エハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡されるの
で、不図示のウエハローダ（アンロード用の搬送アー
ム）がウエハＷの下側に入り込むとともに、センタアッ
プ３４ａ〜３４ｃが下降することで、センタアップ３４
ａ〜３４ｃからウエハローダにウエハＷが受け渡され
る。そして、ウエハローダがホルダ本体７０上から退避
することにより、ウエハアンロードが終了する。

【００８６】このように、ウエハＷをホルダ本体７０か
らアンロードする際にウエハの底面に気体を吹き付ける
ことにより、ウエハのアンロード時間が短縮されること
になる。

【００８７】なお、照明光ＩＬとして真空紫外光等を使
用する場合には、照明光の光路上の気体をヘリウム等の
照明光に対して透過性の高い気体で置換するが、このよ
うな場合には、ウエハの底面に吹き付ける気体も、照明
光に対して透過性の高い気体（例えば、照明光路に供給
される気体と同じ気体）とすることが望ましい。また、
ウエハの底面に吹き付ける気体の量は、ウエハが浮き上
がらないように微小量とすることが望ましい。

【００８８】なお、これまでの説明から明らかなよう
に、ホルダ本体７０と給排気機構８０とにより基板保持
装置が構成されている。また、第１真空ポンプ４６Ａ、
電磁弁Ｖ１、給排気管４０及び給排気路３８Ａ〜３８Ｃ
によって、吸着機構としての真空吸着機構が構成されて
いる。

【００８９】本実施形態の露光装置１００によると、通
常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライ
メント、不図示のアライメント系のベースライン計測、
並びにＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメン
ト）等のウエハアライメント等の所定の準備作業の後、
以下のようにしてステップ・アンド・スキャン方式の露
光動作が行なわれる。なお、上記のレチクルアライメン
ト、ベースライン計測等の準備作業については、例えば
特開平７−１７６４６８号公報及びこれに対応する米国
特許第５，６４６，４１３号に詳細に開示されており、
また、これに続くＥＧＡについては、特開昭６１−４４
４２９号公報及びこれに対応する米国特許第４，７８
０，６１７号等に詳細に開示されている。

【００９０】すなわち、ステージ制御装置１９では、主
制御装置２０の指示の下、ウエハアライメントの結果に
基づいて、ホルダ本体７０に保持されたウエハＷ上の、
被露光領域としての第１ショット領域（ファーストショ
ット）の露光のための加速開始位置にウエハＷが位置す
るように、ウエハステージ駆動部２４を介してウエハス
テージＷＳＴを移動する。そして、ステージ制御装置１
９では、不図示のレチクルステージ駆動部及びウエハス
テージ駆動部２４を介してレチクルステージＲＳＴとウ
エハステージＷＳＴとのＹ軸方向の相対走査（同期移
動）を開始して、ウエハＷ上のファーストショットの走
査露光を行い、ファーストショットにレチクルＲの回路
パターンを投影光学系ＰＬを介して縮小転写する。

【００９１】ここで、上記の走査露光中には、照明光Ｉ
Ｌが照射される前記露光領域内で、ウエハＷ（各ショッ
ト領域）の表面が投影光学系ＰＬの結像面に実質的に一
致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した
焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の出力に基づくオー
トフォーカス、オートレベリングが主制御装置２０によ
り実行されている。

【００９２】このようにして、ファーストショットの走
査露光が終了すると、主制御装置２０からの指示に応
じ、ステージ制御装置１９により、ウエハステージ駆動
部２４を介してウエハステージＷＳＴがＸ軸方向にステ
ップ移動され、セカンドショット（第２番目のショット
領域）の露光のための加速開始位置にウエハが移動され
る。そして、主制御装置２０の管理の下、セカンドショ
ットに対して上記と同様の走査露光が行われる。

【００９３】このようにして、ウエハＷ上のショット領
域の走査露光とショット領域間のステッピング動作とが
繰り返し行われ、ウエハＷ上の全ての露光対象ショット
領域にレチクルＲの回路パターンが順次転写される。

【００９４】これまでの説明から明らかなように、本実
施形態では、不図示のレチクルステージ駆動部、ウエハ
ステージ駆動部２４及びこれらを制御するステージ制御
装置１９によって、レチクルステージＲＳＴとウエハス
テージＷＳＴとを同期して、走査方向に駆動する同期駆
動装置が構成されている。

【００９５】以上詳細に説明したように、本実施形態に
よると、ホルダ本体７０を構成する本体部２６上面に
は、それぞれの先端部分がほぼ同一面上に位置するよう
に設定された複数のピン部３２が突設され、これらのピ
ン部３２が配置された領域の外側に、該領域の外側を取
り囲む、ピン部３２の先端面とその上端面がほぼ同一高
さに設定されたリム部２８が設けられている。このた
め、複数のピン部３２とリム部２８とによって、ウエハ
Ｗがその平坦度をほぼ維持した状態で支持される。そし
て、前述の真空吸着機構によって、複数のピン部３２そ
れぞれの先端部分及びリム部２８の先端部で支持された
ウエハＷが真空吸着される。

【００９６】また、本体部２６は、その上面（一方の
面）側の表層部を構成する第１部材６１と下面（他方の
面）側の表層部を構成する第２部材６２とでハニカムコ
ア６３を狭持したハニカムサンドイッチ構造体によって
構成されている。この場合、ハニカムコア６３には複数
の貫通孔６３ａが形成されているので、その分だけ軽量
化が可能である。

【００９７】また、複数の貫通孔６３ａは、複数のピン
部３２に１対１で対応する配置でハニカムコア６３に形
成されているので、複数の貫通孔６３ａの存在が複数の
ピン部３２のウエハＷの支持機能を大きく損なうことも
ない。従って、ホルダ本体７０及び真空吸着機構を含む
基板保持装置（７０、８０）では、ウエハＷを平坦度を
高く維持した状態で吸着保持することができるととも
に、その軽量化を実現することができる。

【００９８】また、本実施形態に係る露光装置１００に
よると、前述の基板保持装置が、ウエハステージＷＳＴ
上に搭載されているので、基板保持装置が軽量化されて
いる分、基板保持装置及びウエハステージを含むウエハ
側可動部の全体が軽量化されている。このため、ウエハ
ステージＷＳＴ（ウエハＷ、基板保持装置を含む）の位
置制御性が向上する。さらに、例えば、前述のショット
間ステッピング時、ウエハアライメント時のウエハステ
ージＷＳＴ（ウエハＷ）の位置決め整定時間の短縮が可
能となる。また、走査露光時のレチクルステージＲＳＴ
とウエハステージＷＳＴとの加速終了時の同期整定時間
の短縮も可能である。従って、露光処理工程におけるス
ループットの向上が可能となる。

【００９９】さらに、本実施形態に係る露光装置１００
によると、ウエハＷは、ある程度の平坦度を保って、す
なわち極端な凹凸のない状態でホルダ本体７０上に保持
される。そして、この保持されたウエハＷのＺ軸方向に
関する位置、及びＸＹ平面に対する傾斜量が、焦点位置
検出系（６０ａ，６０ｂ）により検出され、該検出結果
に基づいて、主制御装置２０によりステージ制御装置１
９及びウエハステージ駆動部２４を介してホルダ本体７
０がＺ軸方向及びＸＹ面に対する傾斜方向に駆動され
る。すなわち、ウエハＷのフォーカス・レベリング制御
が行われる。これにより、ウエハ上に緩やかな傾斜が存
在しても、ホルダ本体７０を介してウエハ全体の傾斜及
びＺ軸方向の位置を調整することにより、投影光学系Ｐ
Ｌの像面にウエハ（ショット領域）の表面をほぼ合致さ
せた状態で、レチクルパターンをウエハ上に転写するこ
とが可能となる。従って、デフォーカスに起因するパタ
ーンの転写精度の劣化が殆どない、高精度な露光が可能
となる。

【０１００】なお、上記実施形態で説明したピン部３２
の配置、コア部の構成などは、一例であって、本発明が
これに限定されるものではない。図７には、第１変形例
に係るホルダ本体の一部が示されている。この図７は、
前述の図５に対応する部分を示す。この図７に示される
変形例に係るホルダ本体７０Ａは、各ピン部３２をハニ
カムコア６３のリム部６３ｂに対応して、かつ全体とし
て等間隔で配置したものである。その他の部分の構成
は、前述した第１の実施形態と同一である。従って、こ
の第１変形例によっても前述の第１の実施形態と同等の
効果を得ることができる。

【０１０１】また、図８には、第２変形例に係るホルダ
本体の一部が示されている。この図８は、前述の図５に
対応する部分を示す。この図８に示される変形例に係る
ホルダ本体７０Ｂは、前述のホルダ本体７０の本体部２
６を構成するハニカムコア６３に代えて、円形開口６３
ａ’が、ピン部３２の配置に１：１で対応して等間隔で
形成されたコア部材が用いられたサンドイッチ構造のホ
ルダ本体である。その他の部分の構成は、前述した第１
の実施形態と同一である。従って、この第２変形例によ
っても前述の第１の実施形態と同等の効果を得ることが
できる。

【０１０２】また、図９には、第３変形例に係るホルダ
本体の一部が示されている。この図９は、前述の図５に
対応する部分を示す。この図９に示される変形例に係る
ホルダ本体７０Ｃは、各ピン部３２をコア部材のリム部
６３ｂ’に対応して、かつ全体として等間隔で配置した
ものである。その他の部分の構成は、前述した第１の実
施形態と同一である。従って、この第３変形例によって
も前述の第１の実施形態と同等の効果を得ることができ
る。

【０１０３】前述の第１変形例〜第３変形例に係るホル
ダ本体を、前述のホルダ本体７０に代えて、前述のウエ
ハステージＷＳＴ上に搭載することにより、前述した実
施形態と同等の効果を得ることができる。

【０１０４】なお、上記実施形態及び各変形例では、コ
ア部材に一定間隔で同一面積の六角形、又は円形の貫通
孔が形成されているものとしたが、本発明がこれに限定
されるものではない。例えば、コア部材には、必ずしも
貫通孔を空ける必要はなく、一方の面のみが開口した穴
を中空部（空所）として設けても良い。また、各空所の
面積（大きさ）も、全て等しくなくても良い。例えば、
ピン部３２とリム部２８との接触率を最適化する場合に
は、ピン部３２の配置は、本体部の中心近傍の間隔を粗
く、リム部近傍を細かくした方が良いことが、本発明者
の実験により確認されている（これについては後述す
る）。従って、このピン部３２の配置の最適化に合わせ
て、コア部に設ける空所も、本体部の中心近傍では大き
く（大面積に）し、リム部近傍では小さく（小面積に）
しても良い。また、空所の大きさ（面積）を空所が設け
られる本体部での位置に応じて変更する代わりに、ある
いはそれと組み合わせて空所と空所の間隔をその位置に
応じて変更することとしても良い。要は、ピン部の配置
と何らかの対応関係があるような配置となるように、コ
ア部の空所を形成すれば良い。コア部は、押し出し成形
と、焼成とによって製造されるので、このようなことは
容易に実現できる。

【０１０５】《第２の実施形態》次に、本発明の第２の
実施形態について図１０〜図１２（Ｂ）に基づいて説明
する。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは
同等の構成部分については同一の符号を用いるととも
に、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。

【０１０６】この第２の実施形態に係る露光装置は、前
述した第１の実施形態に係る露光装置と比べ、ホルダ本
体の構成が異なるのみであり、その他の部分の構成等
は、前述した第１の実施形態と同様になっている。従っ
て、以下において、これらの相違点を中心として説明す
る。

【０１０７】図１０には、本第２の実施形態に係るホル
ダ本体１７０が平面図にて示されている。このホルダ本
体１７０は、前述のホルダ本体７０と、基本的には同様
にして製造され、同様に構成されているが、以下の点に
おいて相違している。

【０１０８】すなわち、本体部２６にリム部２８ととも
に設けられた複数のピン部３２は、本体部２６上の基準
点、ここでは中心点を中心とする多重の同心円に沿って
配置されているが、隣接する同心円同士の間隔は、リム
部２８の近傍ほど狭く、リム部２８から離れ中心点に近
づくほど次第に広くなるように設定されている。すなわ
ち、複数のピン部３２は、隣接するピン部３２同士の間
隔が、リム部２８から離れるほど広くなるような配置と
されている。

【０１０９】このため、リム部２８の近傍に位置するピ
ン部３２は、その局部的な接触率（より具体的には、所
定面積の単位領域内に占めるピン部３２とウエハＷ裏面
との接触面の面積の割合）がリム部２８の局部的な接触
率（より具体的には、上記の単位領域内に占めるリム部
２８とウエハＷ裏面との接触面の面積の割合）に極力近
づくように密な配置とされている。また、ホルダ本体１
７０全体では、リム部２８の上面とウエハＷの裏面との
接触面の総面積が、ウエハＷの裏面とリム部２８及びピ
ン部３２との接触面全体の面積の２０％以下となるよう
に、ピン部３２の本数、先端面（上端面）の面積や、リ
ム部２８の上端面の形状などが設定されている。

【０１１０】また、本第２の実施形態では、図示は省略
されているが、コア部に設ける空所が、本体部２６の中
心近傍では大きく、リム部２８近傍では小さくなるよう
に形成されている。

【０１１１】次に、本第２の実施形態のホルダ本体１７
０において、ピン部３２の配置を上述したような構成と
した理由について図１１（Ａ）〜図１２（Ａ）に基づい
て説明する。

【０１１２】まず、リム部２８近傍に位置するピン部３
２の間隔を狭くし、リム部近傍に位置するピン部の局部
的な接触率をリム部の局部的な接触率に近づけた理由に
ついて、図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）に基づいて説明す
る。図１１（Ａ）は、ホルダ本体１７０の外縁部近傍を
拡大して示す平面図であり、図１１（Ｂ）は、ウエハＷ
を吸着保持した図１１（Ａ）のホルダ本体１７０の縦断
面を模式的に示す図である。

【０１１３】上述したように、ホルダ本体１７０の製造
段階においては、ピン部３２の上端部とリム部２８の上
面とにより規定される面の平坦度を確保するため、本体
部２６を構成する第１部材６１のベース部６４上にピン
部３２及びリム部２８を形成した後、それらの上端部及
び上面を研磨加工することとしている。この際、本実施
形態では、リム部２８の局部的な接触率とピン部の局部
的な接触率を近づけているため、研磨加工時のリム部２
８に対する研磨部（加工部）の接触圧とリム部近傍に位
置するピン部に対する研磨部（加工部）の接触圧との差
を小さくすることができる。このため、図１１（Ｂ）に
示されるピン部３２とリム部２８の加工段差Δｂは、図
１８（Ｂ）に示される従来のウエハホルダ２５’のピン
部３２’とリム部２８’の加工段差Δａよりも小さくす
ることができる。

【０１１４】ここで、リム部２８は、ウエハＷと本体部
２６（ベース部６４）との間の真空を維持する為のシー
ル部材としての役割を果たしていることから、リム部２
８より外側に位置するウエハ部分は大気圧下に位置して
いる。このため、ウエハＷの外縁部（ｃ部）は自由端と
なっている。この場合、ウエハＷの外縁部（ｃ部）の高
さは、加工段差Δｂと、真空吸着により生じるウエハＷ
の変形量の２つの物理量により決まる角度θ₁に依存し
ている。すなわち、図１１（Ｂ）に示されるように、ピ
ン部３２とリム部２８との加工段差Δｂが小さく設定さ
れた本第２の実施形態のホルダ本体１７０においては、
このホルダ本体１７０上で保持されるウエハＷの外縁部
（ｃ部）の高さを低くすることが可能となっている。従
って、リム部２８近傍に位置するピン部３２の間隔を狭
くし、リム部２８近傍に位置するピン部の局部的な接触
率をリム部の局部的な接触率に近づけることにより、ウ
エハＷの外縁部近傍のショット領域に対する露光時のデ
フォーカス要因を排除、あるいは軽減することが可能と
なる。

【０１１５】次に、本実施形態において、隣接するピン
部３２同士の間隔を、本体部２６の中心点近傍ほど広く
し、リム部２８近傍ほど狭く設定した理由について図１
２（Ａ）に基づいて説明する。

【０１１６】図１２（Ａ）は、図１０に示されるショッ
ト領域ＳＡと同一のウエハＷの裏面の領域を、ショット
領域ＳＡ’の位置まで＋Ｘ方向に移動させたと仮定した
際の、そのウエハＷの裏面の領域とホルダ本体１７０
（ピン部３２及びリム部２８）との接触率の変化を模式
的に示す線図である。この図１２（Ａ）において、一点
鎖線で示される曲線Ｃ１は従来（図１８（Ａ）参照）の
ようにピン部３２を等間隔で配置した場合（以下、適宜
「一定ピン配置」という）のホルダ本体の接触率の変化
を示しており、実線で示される曲線Ｃ２は、本第２の実
施形態の如くピン部３２を本体部２６の上面の中心から
リム部２８の近傍にかけて密に配置した場合（以下、適
宜「連続ピン配置」という）の接触率の変化を示してい
る。この場合、曲線Ｃ１で表される一定ピン配置のホル
ダ本体とウエハ全体との総接触率、及び曲線Ｃ２で表さ
れる連続ピン配置のホルダ本体とウエハ全体との接触率
はほぼ等しいものとされている。なお、ウエハＷとして
は、ＳＥＭＩ規格の８インチウエハ（直径＝約２００ｍ
ｍ）を用いており、図１２（Ａ）の横軸は、ショット領
域ＳＡ（図１０参照）の中心ＳＣの位置を示している。

【０１１７】この図１２（Ａ）において、ショット領域
がリム部２８上に位置する状態（図１０のショット領域
ＳＡ’参照）、すなわち、ショット領域の中心がホルダ
中心から約８５ｍｍ離れた位置にある場合（図１０のシ
ョット領域ＳＡ’の中心ＳＣ’参照）に着目すると、曲
線Ｃ１で示される一定ピン配置においては接触率が急激
に上昇している。しかるに、本第２の実施形態のように
連続ピン配置を採用すると、曲線Ｃ２で示されるよう
に、ショット領域の中心がウエハＷの中心から離れるに
つれ、接触率が徐々に上昇している。このため、ウエハ
中心から約８５ｍｍ離れた位置（図１０のショット領域
ＳＡ’参照）での接触率の上昇をわずかなものに抑える
ことができる。このウエハ中心から約８５ｍｍ離れた位
置における接触率の上昇量は、一定ピン配置（曲線Ｃ
１）に比べはるかに小さくなっている。

【０１１８】すなわち、ホルダの表面形状は、研磨加工
の性質上、接触率の変化にほぼ対応して変化するため，
本第２の実施形態のような連続ピン配置を採用すること
により、リム部２８とピン部３２との間には極端な加工
段差は生じない。

【０１１９】このため、連続ピン配置のホルダ本体１７
０（曲線Ｃ２）では、ウエハＷ全体のホルダ本体１７０
との接触率を、一定ピン配置のホルダ本体（曲線Ｃ１）
の接触率とほぼ等しく設定した上で、リム部２８とピン
部３２との間の加工段差を低減することが可能となって
いる。従って、連続ピン配置のホルダ本体１７０に載置
されるウエハは、ウエハとホルダ本体１７０との間に異
物が挟み込まれる可能性を増加させることなく、加工段
差に起因するウエハ周縁部の変形を抑制することが可能
となっている。

【０１２０】この場合、上記のような連続ピン配置を採
用することで、ホルダ本体１７０（及びこれに保持され
るウエハＷ）の表面形状は、従来に比べ緩やかな変化を
有することになるが、ショット領域ＳＡはウエハＷに比
べて十分に小さく、且つ露光の際に、前述したように焦
点位置検出系（６０ａ，６０ｂ）の計測値に基づいて、
Ｚ・チルトステージ３０をＺ軸方向及びＸＹ面に対する
傾斜方向に駆動することにより、ウエハ表面の高さ及び
傾きを補正することが可能であることから、ホルダ本体
及びウエハ表面の変化が、露光時のデフォーカス要因と
なることは殆どない。

【０１２１】なお、この場合のホルダ本体中心付近のピ
ン部の配置間隔（接触率）は真空吸着した際のウエハの
変形量が許容範囲に収まるように設定されている。

【０１２２】なお、図１２（Ａ）に二点鎖線で示される
曲線Ｃ３は、リム部２８を取り去り、リム部２８の位置
まで連続ピン配置とする仮想的なホルダ本体の接触率を
示すものであるが、リム部２８近傍に位置するピン部３
２の接触率を、リム部２８の接触率に完全に合わせるこ
とにより、曲線Ｃ３のように、加工段差を完全に排除す
ることは理論上可能である。

【０１２３】次に、ホルダ本体１７０におけるリム部２
８の幅（以下、「リム幅」という）の具体的な設計方法
について説明する。

【０１２４】ここで、全体接触率（ピン部３２及びリム
部２８とウエハＷとの接触面の総面積がウエハＷ裏面全
体の面積に対して占める割合）をρ、ピン部接触率（ピ
ン部３２とウエハＷとの接触面の総面積がウエハＷ裏面
全体の面積に対して占める割合）ρｐ、ウエハの半径を
Ｒ〔ｍｍ〕、リム部の幅をｂ〔ｍｍ〕とし、ピン部接触
率と全体接触率の誤差を２０％以内に設定、すなわちリ
ム部とウエハＷとの接触面積を、リム部及びピン部とウ
エハとの接触面積の２０％以内に設定しようとすると、
次式（１）のように表すことができる。

【０１２５】 （ρ−ρｐ）／ρ≦０．２ ……（１） ここで、２０％以内とは、本発明者が、複数のピン部と
ウエハとが接触する面積、リム部とウエハとが接触する
面積、及び複数のピン部及びリム部とウエハとの接触面
積（総接触面積）に着目し、これらの面積と加工段差と
の関係について、シミュレーション及び実験等を種々行
った結果、十分に実用的であるとの結果が得られた範囲
である。

【０１２６】一方、ウエハＷとホルダ本体１７０を構成
する本体部２６との間のシール部材としての役割を果た
しているリム部２８はウエハＷの外周と同じ径には設定
できない。このため、仮にリム部２８がウエハ外周部の
１ｍｍ内側を保持するものとし、ピン部接触面積をＡと
すると、通常ｂ≪Ｒの関係があるから、全体接触率ρは
次式（２）のように表される。

【０１２７】 ρ＝｛Ａ＋π(Ｒ−１)²−π(Ｒ−１−ｂ)²｝／πＲ² ≒｛Ａ＋２π（Ｒ−１）・ｂ｝／πＲ² ……（２） また、ピン部接触率ρｐは、次式（３）にて表わされ
る。

【０１２８】 ρｐ＝Ａ／πＲ² ……（３） 従って、上式（１）は、上式（２）、（３）より、次式
（４）にて表される。 (ρ-ρｐ)/ρ≒[{Ａ+２π(Ｒ-１)ｂ}/πＲ²−(Ａ/πＲ²)]/ρ≦０．２…（４） この式（４）を整理して変形すると、次式（４）’のよ
うになる。

【０１２９】 ｛２π(Ｒ-１)・ｂ｝／πＲ²≦０．２ρ ……（４）’ すなわち、式（４）’より、リム部の幅ｂは、次式
（５）で表される範囲内にすることが望ましいことがわ
かる。

【０１３０】 ｂ≦（０．１ρＲ²）／（Ｒ−１） ……（５） ここで、例えばＳＥＭＩ規格の８インチウエハ（直径＝
約２００ｍｍ）を用いる場合、全体接触率を３％以下に
設定したいとすると、上式（５）より、リム部の幅ｂ
は、次式（６）の範囲とすれば良い。 ｂ≦(０．１×０．０３×１００²)／(１００−１)≒０．３０(ｍｍ) …（６）

【０１３１】また、同様の条件で例えばＳＥＭＩ規格の
１２インチウエハ（直径＝約３００ｍｍ）を用いる場合
には、リム部の幅ｂは、次式（７）の範囲とすれば良
い。 ｂ≦(０．１×０．０３×１５０²)／(１５０−１)≒０．４５(ｍｍ) …（７）

【０１３２】このようなリム部の設計方法を採用し、ホ
ルダ本体とウエハの全体接触率を３％以下に抑え、且つ
リム部の接触面積を全体接触面積の２０％以内とするこ
とにより、加工段差及びウエハとの間の異物の挟み込み
が抑制された良好なホルダ本体を得ることができる。

【０１３３】以上説明した本第２の実施形態の露光装置
によると、前述した第１の実施形態の露光装置１００と
同等の効果が得られる他、次のような効果も得ることが
できる。

【０１３４】すなわち、ホルダ本体１７０が有する複数
のピン部３２と、リム部２８とによって、ウエハＷがそ
の平坦度をほぼ維持した状態で支持される。この場合、
複数のピン部３２は、隣接するピン部３２間の間隔がリ
ム部２８から離れるほど広くなるような配置とされてい
るので、図１２（Ａ）を用いて先に説明したように、リ
ム部とウエハとの局部的な接触率に、リム部近傍のピン
部とウエハとの局部的な接触率を近づけることができ
る。従って、本第２の実施形態によると、ホルダ本体１
７０の製造段階において、ホルダ本体１７０のウエハ接
触面側の平坦度を出すために研磨装置等を用いて研磨加
工する場合に、リム部及びリム部近傍のピン部の各部に
かかる研磨部（加工部）からの接触圧の差を小さくする
ことができ、これにより研磨加工の際に生じる両者間の
加工段差を極力小さくすることが可能となる。すなわ
ち、ホルダ本体のウエハとの接触面に生じる加工段差を
極力小さくすることができ、この結果、ウエハの外縁部
近傍の自由端部に生じる変形（傾斜角度）を小さくする
ことが可能となる。

【０１３５】また、本第２の実施形態によると、リム部
とウエハとの接触面積が、複数のピン部３２及びリム部
２８とウエハとの総接触面積の２０％以下となるように
設定されている。この点においても、前述したように、
製造段階における研磨加工における各ピン部３２とリム
部２８との間の加工段差を極力小さくすることができ
る。

【０１３６】なお、上記第２の実施形態では、ピン部３
２がリム部２８から離れるにつれてその間隔が徐々に大
きくなるような配置とされている場合について説明した
が、本発明がこれに限定されるものではない。すなわ
ち、複数のピン部３２は、例えば隣接するピン部３２間
の間隔が、リム部２８の近傍とホルダ本体１７０の中央
部近傍とその間の部分とで段階的に変化するように配置
されていることとすることもできる。かかる場合であっ
ても、リム部２８近傍に位置するピン部３２が、他の部
分に位置するピン部３２に比べて密な間隔で配置され
る。このため、リム部２８とウエハとの局部的な接触率
に、リム部近傍のピン部とウエハとの局部的な接触率を
近づけることができる。従って、上記第２の実施形態と
同様に、研磨加工の際に生じる両者間の加工段差を極力
小さくすることが可能となり、結果的に、ウエハの外縁
部近傍の自由端部に生じる変形（傾斜角度）を小さくす
ることが可能となる。

【０１３７】また、ピン部とリム部が上述した設計条件
（リム部と基板との接触面積が、全体の接触面積の２０
％以内）を満たし、異物の挟み込みが許容される範囲
（例えば、ウエハとホルダ本体全体との接触率が３％以
下）であれば、ピン部を前述の第１の実施形態と同様に
一定ピン配置とすることとしても良い。すなわち、前述
した第１の実施形態の露光装置１００においても、ホル
ダ本体７０が、上記の設計条件を満たし、ウエハとホル
ダ本体全体との接触率が例えば３％以下となるようにす
ることが望ましい。

【０１３８】このようにすれば、図１２（Ｂ）に示され
る曲線Ｃ４のようにピン部及びリム部を設定することに
より、従来の一定ピン配置（曲線Ｃ１）と比べ、リム部
での加工段差が低減されるので、このようなホルダ本体
により保持されるウエハも外縁部での変形を抑制するこ
とができる。従って、ウエハＷの外周部近傍におけるデ
フォーカス要因を排除、或いは軽減することができる。

【０１３９】また、上記第２の実施形態では、複数のピ
ン部３２は、ウエハＷの中心位置に対応するホルダ本体
１７０上の基準点（中心点）を中心とした多重の同心円
に沿って配置された場合について説明したが、これに限
らず、その配置は、比較的自由である。すなわち、リム
部２８近傍に位置するピン部３２が、他の部分に位置す
るピン部３２に比べて密な間隔で配置され、他の部分が
ウエハの変形を許容できる程度に抑えることができる間
隔配置であれば足りる。

【０１４０】《第３の実施形態》次に、本発明の第３の
実施形態について図１３（Ａ），図１３（Ｂ）に基づい
て説明する。ここで、前述した第１、第２の実施形態と
同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用
いるとともに、その説明を簡略化し若しくは省略するも
のとする。

【０１４１】この第３の実施形態に係る露光装置は、前
述した第１の実施形態に係る露光装置と比べ、ホルダ本
体の構成が異なるのみであり、その他の部分の構成等
は、前述した第１の実施形態と同様になっている。従っ
て、以下において、これらの相違点を中心として説明す
る。

【０１４２】図１３（Ａ）は、本第３の実施形態に係る
ホルダ本体１７０Ａを示す平面図である。

【０１４３】この図１３（Ａ）から分かるように、本第
３の実施形態では、ホルダ本体１７０Ａを構成する本体
部２６上の外縁部に、２重のリム部２８ａ、２８ｂが形
成されている。これらリム部２８ａ，２８ｂは、同一幅
を有し、半径差が１〜３ｍｍ程度の同心円状に配置され
ている。また、リム部２８ａ，２８ｂ相互の空間５１
（図１３（Ｂ）参照）内の気体は、本体部２６上面のリ
ム部２８ａ，２８ｂ間に形成された不図示の給排気口を
介して、上記第１の実施形態の給排気機構８０と同様の
給排気機構により吸引される。ホルダ本体１７０Ａのそ
の他の構成は第２の実施形態のホルダ本体１７０と同様
となっている。

【０１４４】以下、ホルダ本体１７０Ａ上に２つのリム
部２８ａ，２８ｂを設けた理由について図１３（Ａ）の
縦断面図である図１３（Ｂ）に基づいて説明する。

【０１４５】前述の第２の実施形態において説明したよ
うに、ウエハＷの外縁部（ｃ部）の高さは、加工段差、
及び真空吸着により生じるウエハＷの変形量の２つの物
理量により決定する角度に依存している。

【０１４６】ここで、上述したようにリム部２８ａ，２
８ｂ間の距離を１〜３ｍｍ程度とすることにより、その
面積をほぼ等しいとみなすことができるので、各リム部
２８ａ，２８ｂの加工速度はほぼ等しくなり、リム部２
８ａ，２８ｂには加工段差がほとんど発生しない。従っ
て、図１３（Ｂ）に示されるウエハの自由端（ｃ部）の
傾斜角度θ₂は真空吸着によるウエハＷの変形量にのみ
起因することになる。

【０１４７】このため、一重のリム部を採用した場合
（図１３（Ｂ）に点線にて示されるウエハＷ’）の自由
端の角度θ₁に比べ角度θ₂を小さくすることが可能とな
っている。

【０１４８】すなわち、このようなホルダ本体１７０Ａ
によりウエハＷを保持することにより、ウエハＷの外縁
部の変形（反り返り）を極力抑制することが可能となっ
ている。このとき、リム部が二重に設けられているた
め、リム部の接触面積がピン部に比べ大きくなることが
予想される。このため、ピン部と二重のリム部の接触率
が前述した第２の実施形態と同様の条件を満たすように
設計することが望ましい。

【０１４９】以上説明した本第３の実施形態によると、
前述した第２の実施形態と同等の効果を得ることができ
る他、ウエハの自由端の変形を一層抑制することができ
る。

【０１５０】なお、上記第３の実施形態では、リム部を
二重に設けた場合について説明したが、三重、四重…と
いうようにリム部を多数設けるようにしても良い。この
場合、リム部での接触率を低減すべく、外側のリム部か
ら内側のリム部にかけてリム幅を徐々に狭くすることと
しても良い。

【０１５１】なお、上記各実施形態では、リム部２８、
ピン部３２及びベース部６４が、一体成形された場合に
ついて説明したが、本発明がこれに限定されないことは
勿論である。すなわち、ベース部、ピン部（第１の支持
部材）、リム部（第２の支持部材）の全てを、あるいは
任意の１つを別の部材により構成しても良い。この場
合、ピン部及びリム部のうちベース部と別部材で構成さ
れる少なくとも一方を、接着剤等を用いてベース部６４
上面に固定することとしても良い。

【０１５２】また、上記各実施形態は、基板としてウエ
ハ（円形基板）を用いる場合について説明したが、基板
は、四角形やその他の多角形であっても良い。かかる場
合には、その基板の形状に合わせてリム部の形状を設定
することにより、上記実施形態と同等の効果を得ること
ができる。また、ベース部の形状（上記各実施形態では
円板状）についても、特に限定されるものではない。

【０１５３】また、一般的にリム部は、真空を維持する
必要から、ウエハに連続的に接触をするため、局部的な
接触率が高く（すなわち加工速度が遅く）ピン部よりも
突出する傾向にあるが、リム部の接触面積を小さく設定
することが可能な場合には、逆にリム部に凹段差が生じ
てしまうことがある。従って、上記各実施形態でリム部
の接触率を全体の接触率の２０％以内というような上限
を設定したのと同様、リム部の接触率に下限を設定する
ことが望ましい。

【０１５４】なお、上記各実施形態では、リム部の上面
のほぼ全面がウエハＷの裏面に直接接触する場合につい
て説明したが、これに限らず、リム部の上端面に更に背
の低い突起部を複数設けた第２支持部を採用しても良
い。かかる場合には、ウエハとの接触面が突起部となる
ため、リム部上面とウエハとの間に突起部の高さ分の隙
間が生じ、真空吸引力はわずかに落ちることになるが、
接触面が突起部であることから、図１２（Ａ）に示され
る曲線Ｃ３と同様の接触率を実現することができ、この
点の効果は上述したように非常に大きい。なお、リム部
の上端面に複数の突起部を設けるとき、その複数の突起
部によって規定される平面を、多数のピン３２によって
規定される平面とほぼ同一の高さとしても良いし、ある
いはリム部の上端面に設けられる複数の突起部によって
規定される平面を、多数のピン３２によって規定される
平面よりも僅かに低くしても良い。

【０１５５】また、上記各実施形態では、リム部の上端
面を、多数のピン３２によって規定される平面とほぼ同
一の高さとするものとしたが、リム部の上端面を、多数
のピン３２によって規定される平面よりも僅かに低くし
ても良い。

【０１５６】なお、上記各実施形態では、第２支持部と
しては、上端部がその周辺部よりも高く形成されたリム
部（凸部）を指すものとしたが、第２支持部の概念とし
てはこれに限定されるものではなく、例えば、図１４
（Ａ）に示される第４変形例に係るホルダ本体２７０の
ように、本体部１２６上面の中央部を外縁部よりも低く
掘り下げた状態とし、該掘り下げた凹部の内部底面１２
７を基準面として、該基準面よりも高い位置にある部分
１２８の内周面近傍の環状の部分を第２支持部とするこ
ともできる。この場合、部分１２８とウエハＷとの接触
面の幅（すなわち、ウエハＷの外縁部から内周面までの
距離）が上式（６）、（７）を満たすように、内周面の
直径を設定することが望ましい。

【０１５７】また、図１４（Ｂ）に示される第５変形例
に係るホルダ本体３７０のように、凹部の内部底面１２
７に、更に環状の凸部２２８を設けるとともに、ウエハ
Ｗを保持する際には、部分１２８と環状の凸部２２８と
の間に形成された環状凹部１３４内の気体を前述した第
２の実施形態と同様の給排気機構により吸引することと
しても良い。

【０１５８】また、上記各実施形態では、図２に示され
ているように、本体部２６の中心近傍から放射方向に沿
って配列される複数の給排気口３６をほぼ１２０°間隔
で設けるものとしたが、本発明がこれに限定されるもの
ではない。図１５（Ａ）には、上記各実施形態に適用可
能な第６変形例に係るホルダ本体が示されている。な
お、図１５（Ａ）に示されるホルダ本体は、本体部２６
に形成される複数の給排気口３６が井桁状に配列され、
かつ１本の上下動ピン（センタアップ）３４ｄが採用さ
れたものである。その他の部分の構成は、上記各実施形
態と同一である。従って、この第４変形例によっても上
記各実施形態と同等の効果を得ることができるととも
に、真空吸着時に生じるウエハの部分的な変形、すなわ
ちレチクルのパターンが転写されるウエハ上のショット
領域の配列誤差を大幅に低減でき、ひいては露光精度
（転写精度）を向上させることが可能となる。

【０１５９】ここで、図１５（Ｂ）を参照して、図１５
（Ａ）に示される本体部２６に形成される給排気口３６
の配置について説明する。図１５（Ａ）では、複数の給
排気口３６を井桁状に配列するものとしているが、実際
には、ほぼ紙面内上下方向に延びる一対のラインに沿っ
て所定間隔で配列された複数の給排気口３６の列から成
る第１の組と、ほぼ紙面内左右方向に延びる一対のライ
ンに沿って所定間隔で配列された複数の給排気口３６の
列から成る第２の組とがあり、第１の組及び第２の組の
いずれかに対応する一対のラインが非平行となってい
る。具体的には、図１５（Ｂ）に示されるように、第１
の組に対応する紙面内上下方向に延びる一対のラインＬ
Ｙ１、ＬＹ２が非平行であるものとし、本体部２６の中
心を原点とする直交座標系ＸＹを仮定し、ラインＬＹ
１、ＬＹ２の傾きに対応するパラーメータを台形度Δと
呼び、Δ＝（ａ／ΔＹ）／ΔＸ〔ｐｐｍ／ｍ〕と規定す
るものとすると、例えば台形度Δが１以下となるように
ラインＬＹ１、ＬＹ２が設定される。例えば、ＳＥＭＩ
規格の１２インチウエハ（直径＝３００ｍｍ）では、Δ
Ｘ＝ΔＹ＝１００ｍｍとして台形度Δを１に設定するた
めには、ａ＝１０ｎｍとすれば良い。これにより、真空
吸着時のウエハの変形を大幅に低減して露光精度を向上
させることができる。

【０１６０】なお、前述の図２に示されている複数の給
排気口３６が放射状に配列されるホルダ本体７０では、
本体部２６の中心付近に形成される一部の給排気口３６
のみを用いることで、図１５（Ａ）に示される複数の給
排気口３６が井桁状に配列されるホルダ本体と同様の効
果を得ることができる。

【０１６１】また、上記各実施形態では、ウエハをホル
ダ本体上に吸着する吸着機構が真空吸着機構である場合
について説明したが、本発明がこれに限定されるもので
はない。すなわち、吸着機構として、静電チャック等を
採用しても良い。かかる場合には、第２支持部は、シー
ル部材としての機能が不要となるので、環状あるいは無
端形状である必要はなく、一部が欠けた全体形状が環状
の凸部などにより構成することができる。あるいは、ピ
ン部の先端に静電チャックの機能を持たせれば、第２支
持部そのものを設けなくても良い。

【０１６２】なお、上記各実施形態において、ホルダ本
体の表面を加工してピン部やリム部を形成した後、例え
ばホルダ本体と同一又は異なる材料でその表面をコーテ
ィングした上で最終仕上げを行うようにしても良い。

【０１６３】また、これまでの説明では、ホルダ本体の
本体部をサンドイッチ構造体で構成する場合について説
明したが、本発明がこれに限定されるものではない。す
なわち、ホルダ本体（あるいは基板保持装置の本体）を
一体成形品により形成しても良い。この場合、ピン部な
どが形成される一方の面側の外観形状は、前述の実施形
態と同様になるが、他方の面側には、所定深さの穴（空
所）をピン部の配置と何らかの対応関係をもって所定間
隔で形成することもできる。この場合、前述の第１部材
と同様の手法で、本体部が製造される。このようにして
も、ウエハの平坦度を維持した状態で、ホルダ本体の軽
量化を図ることができ、ひいては、ウエハステージの位
置制御性を向上させることができる。

【０１６４】なお、上記各実施形態ではホルダ本体が３
層構造である場合について説明したが、これに限らず、
ホルダ本体は複数のピン部が形成される第１部材と第１
部材のピン部が形成されるのとは反対の面側の第２部材
とから構成される２層構造であっても良い。この場合、
空所は第１部材及び第２部材の少なくとも一方（すなわ
ち、いずれか一方又は両方）に形成することができる。
また、空所は、上記正六角形、円形の開口に限らず、様
々な形状の開口を形成することができる。

【０１６５】また、上記各実施形態では本発明の基板保
持装置が、ウエハホルダに採用された場合について説明
したが、本発明の基板保持装置はこれに限られるもので
はなく、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチク
ルホルダにて保持するので、このようなレチクルホルダ
に対して本発明を適用することとしても良い。

【０１６６】また、これまでの説明では、ホルダ本体と
して３層構造や２層構造等の多層構造を採用するものと
したが、各層を構成する材料は同一でなくても良く、互
いに異なる材料を用いることができる。例えば、３層構
造では第１部材を構成する材料と、ハニカムコア及び第
２部材を構成する材料とを異ならせても良い。更にホル
ダ本体を第１部材と同一材料による融着にて一体に構成
しても良いし、第１部材と異なる材料（例えばアルミニ
ウムなどの金属等）による融着にて一体に構成しても良
い。また、接着剤を用いて一体に構成しても良い。

【０１６７】また、上記各実施形態では３本の上下動ピ
ン（センタアップ）を用いるものとしたが、例えば特開
２０００−１００８９５号公報及び対応する米国特許第
６，１８４，９７２号に開示されている１本の上下動ピ
ンを採用しても良い。

【０１６８】なお、上記各実施形態では、光源としてＫ
ｒＦエキシマレーザ光源（出力波長２４８ｎｍ）などの
紫外光源、Ｆ₂レーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等の真空
紫外域のパルスレーザ光源などを用いるものとしたが、
これに限らず、Ａｒ₂レーザ光源（出力波長１２６ｎ
ｍ）などの他の真空紫外光源、あるいは水銀ランプなど
の紫外光源などを用いても良い。また、例えば、真空紫
外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限ら
ず、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振
される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例え
ばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウ
ム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで
増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した
高調波を用いても良い。さらに、ＥＵＶ光、Ｘ線、ある
いは電子線及びイオンビームなどの荷電粒子線を露光ビ
ームとして用いても良い。

【０１６９】なお、上記各実施形態では、ステップ・ア
ンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用
された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこ
れに限定されないことは勿論である。すなわちステップ
・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、ミラープ
ロジェクション・アライナー、あるいはプロキシミティ
方式の露光装置などにも本発明は好適に適用できる。

【０１７０】なお、複数のレンズから構成される照明光
学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整
をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステ
ージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線
や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認
等）をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製
造することができる。なお、露光装置の製造は温度及び
クリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが
望ましい。

【０１７１】また、上記各実施形態では、本発明が半導
体製造用の露光装置に適用された場合について説明した
が、これに限らず、例えば、角型のガラスプレートに液
晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄
膜磁気ヘッド、撮像素子、有機ＥＬ、マイクロマシン、
ＤＮＡチップなどを製造するための露光装置などにも本
発明は広く適用できる。

【０１７２】また、半導体素子などのマイクロデバイス
だけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装
置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又は
マスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエ
ハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を
適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真
空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レ
チクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、
フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネ
シウム、又は水晶などが用いられる。

【０１７３】《デバイス製造方法》次に上述した露光装
置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の
実施形態について説明する。

【０１７４】図１６には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示され
ている。図１６に示されるように、まず、ステップ２０
１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設
計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、そ
の機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続
き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、
シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。

【０１７５】次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステッ
プ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意
したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソ
グラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成
する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立てステッ
プ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用
いてデバイス組立てを行う。このステップ２０５には、
ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージン
グ工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれ
る。

【０１７６】最後に、ステップ２０６（検査ステップ）
において、ステップ２０５で作成されたデバイスの動作
確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程
を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。

【０１７７】図１７には、半導体デバイスにおける、上
記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図
１７において、ステップ２１１（酸化ステップ）におい
てはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶ
Ｄステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成す
る。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４
（イオン打ち込みステップ）においてはウエハにイオン
を打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４そ
れぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成して
おり、各段階において必要な処理に応じて選択されて実
行される。

【０１７８】ウエハプロセスの各段階において、上述の
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２
１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光
剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステッ
プ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露
光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンを
ウエハに転写する。次に、ステップ２１８（エッチング
ステップ）において、レジストが残存している部分以外
の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そし
て、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）におい
て、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。

【０１７９】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。

【０１８０】以上説明した本実施形態のデバイス製造方
法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上
記実施形態の露光装置が用いられるので、高スループッ
トでかつ精度良くレチクルのパターンをウエハ上に転写
することができる。この結果、高集積度のデバイスの生
産性（歩留まりを含む）を向上させることが可能にな
る。

【０１８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
保持装置によれば、基板をその平坦度を高く維持した状
態で支持することができるとともに、その軽量化を実現
することができるという効果がある。

【０１８２】本発明に係る露光装置によれば、スループ
ットの向上を図ることができるという効果がある。

【０１８３】本発明に係るデバイス製造方法によれば、
高集積度のデバイスの生産性を向上させることができる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光装置の構成
を概略的に示す図である。

【図２】図１のホルダ本体及び給排気機構を示す平面図
である。

【図３】図２のホルダ本体を示す分解斜視図である。

【図４】図２のホルダ本体を示す平面図である。

【図５】図４の円Ａ内部分を拡大して示す図である。

【図６】ホルダ本体の本体部を示す断面図である。

【図７】第１変形例のホルダ本体の一部を示す図であ
る。

【図８】第２変形例のホルダ本体の一部を示す図であ
る。

【図９】第３変形例のホルダ本体の一部を示す図であ
る。

【図１０】本発明の第２の実施形態に係るホルダ本体を
示す平面図である。

【図１１】図１１（Ａ）は、図１０のホルダ本体のリム
部近傍（外縁部近傍）を拡大して示す平面図、図１１
（Ｂ）は、図１０のホルダ本体のリム部近傍を断面し模
式的に示す図である。

【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、ホルダ本体
のピン配置の効果を説明するための図である。

【図１３】図１３（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に
係るホルダ本体を示す平面図、図１３（Ｂ）は、図１３
（Ａ）のホルダ本体の外縁部近傍を示す縦断面図であ
る。

【図１４】図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）は、第４、第５
変形例に係るホルダ本体をそれぞれ説明するための図で
ある。

【図１５】図１５（Ａ）は、第６変形例に係るホルダ本
体を示す平面図、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示さ
れるホルダ本体の本体部に形成される給排気口の配置を
詳細に説明するための図である。

【図１６】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を
説明するためのフローチャートである。

【図１７】図１６のステップ２０４の詳細を示すフロー
チャートである。

【図１８】図１８（Ａ）は、従来のウエハホルダを示す
平面図、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のウエハホルダ
に対してウエハを載置した状態における縦断面を示す端
面図である。

【符号の説明】

１９…ステージ制御装置（駆動装置の一部、同期駆動装
置の一部）、２０…主制御装置（駆動装置の一部）、２
４…ウエハステージ駆動部（駆動装置の一部、同期駆動
装置の一部）、２６…本体部、２８…リム部（第２支持
部）、３２…ピン部（第１支持部）、３８Ａ〜３８Ｃ…
給排気路（吸着機構の一部）４０…給排気管（吸着機構
の一部）、４６Ａ…第１真空ポンプ（吸着機構の一
部）、６０ａ，６０ｂ…焦点位置検出系、７０…ホルダ
本体（基板保持装置の一部）、８０…給排気機構（基板
保持装置の一部）、１００…露光装置、ＰＬ…投影光学
系、Ｒ…レチクル（マスク）、Ｖ１…電磁弁（吸着機構
の一部）、Ｗ…ウエハ（基板）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA04 CA05 CA07 FA12 HA02 HA03 HA08 HA10 HA14 HA16 HA32 HA33 HA53 JA06 JA14 JA17 JA32 KA06 KA07 KA08 MA27 PA14 PA30 5F046 CC01 CC08 CC10

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状の基板を保持する基板保持装置で
   あって、 その一方の面の所定面積の領域内に、それぞれの先端部
   分がほぼ同一面上に位置するように配置された前記基板
   を支持する複数の突起状の第１支持部を有する保持装置
   本体を備え,前記保持装置本体の前記一方の面側の表層
   部を除く部分のうち、少なくとも前記表層部と他方の面
   側の表層部との間の部分に、前記複数の第１支持部の配
   置に対応した配置で複数の空所が形成されていることを
   特徴とする基板保持装置。
2. 【請求項２】 前記第１支持部は、前記保持装置本体の
   前記一方の面に前記各空所に個別に対応して少なくとも
   １つずつ配置されていることを特徴とする請求項１に記
   載の基板保持装置。
3. 【請求項３】 前記複数の空所は、前記保持装置本体に
   一定間隔で２次元的に配置され、前記各空所に対応して
   少なくとも１つずつ配置される前記第１支持部は全体と
   して等間隔で配置されていることを特徴とする請求項２
   に記載の基板保持装置。
4. 【請求項４】 前記複数の第１支持部は前記保持装置本
   体の前記一方の面上に部分的に間隔が異なるように配置
   されるとともに、前記複数の空所は前記保持装置本体の
   前記部分に間隔と大きさとの少なくとも一方を異ならせ
   て配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記
   載の基板保持装置。
5. 【請求項５】 前記保持装置本体は、前記複数の第１支
   持部が形成される第１部材と、前記他方の面側の第２部
   材とを含んで一体に構成され、前記第１及び第２部材の
   少なくとも一方に前記複数の空所が形成されることを特
   徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持
   装置。
6. 【請求項６】 前記保持装置本体は、少なくとも前記第
   １部材と同一材料による融着で一体に構成されることを
   特徴とする請求項５に記載の基板保持装置。
7. 【請求項７】 前記保持装置本体は、少なくとも前記第
   １部材と異なる材料による融着で一体に構成されること
   を特徴とする請求項５に記載の基板保持装置。
8. 【請求項８】 前記保持装置本体は接着剤にて一体に構
   成されることを特徴とする請求項５に記載の基板保持装
   置。
9. 【請求項９】 前記保持装置本体は、前記一方の面側の
   第１部材と、前記他方の面側の第２部材と、これら両部
   材に挟持される、前記複数の空所が形成されたコア部材
   とから成るサンドイッチ構造体であることを特徴とする
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板保持装置。
10. 【請求項１０】 前記コア部材は、ハニカムコアである
    ことを特徴とする請求項９に記載の基板保持装置。
11. 【請求項１１】 前記保持装置本体は、前記一方の面の
    前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側
    を取り囲み、前記複数の第１支持部とともに前記基板を
    その平坦度をほぼ維持した状態で支持する第２支持部
    を、更に有することを特徴とする請求項１，２，４のい
    ずれか一項に記載の基板保持装置。
12. 【請求項１２】 前記複数の第１支持部のうち、少なく
    とも前記第２支持部近傍に位置する第１支持部は、他の
    部分に位置する第１支持部に比べて密な間隔で配置され
    ていることを特徴とする請求項１１に記載の基板保持装
    置。
13. 【請求項１３】 前記複数の第１支持部は、前記基板の
    中心位置に対応する前記保持装置本体上の基準点を中心
    とした複数の同心円上に配置されていることを特徴とす
    る請求項１２に記載の基板保持装置。
14. 【請求項１４】 前記保持装置本体は、前記一方の面の
    前記所定面積の領域の外側に配置され、前記領域の外側
    を取り囲み、前記複数の第１支持部とともに前記基板を
    その平坦度をほぼ維持した状態で支持する第２支持部
    を、更に有することを特徴とする請求項３，５〜１０の
    いずれか一項に記載の基板保持装置。
15. 【請求項１５】 前記複数の第１支持部それぞれの先端
    部分及び前記第２支持部の先端部に対して前記基板を吸
    着する吸着機構を更に備えることを特徴とする請求項１
    １〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
16. 【請求項１６】 前記第２支持部は、前記複数の第１支
    持部が配置された領域を完全に取り囲む環状の内周面を
    有し、 前記吸着機構は、前記基板が前記保持装置本体に支持さ
    れた状態で、前記基板と前記保持装置本体とによって前
    記第２支持部の内周面の内側に形成される空間を真空状
    態とする真空吸着機構であることを特徴とする請求項１
    ５に記載の基板保持装置。
17. 【請求項１７】 前記第２支持部は、同心円状に配置さ
    れた環状凸部と該環状凸部の外周側の環状凹部とを有
    し、前記真空吸着機構は、前記環状凹部をも真空状態と
    することを特徴とする請求項１６に記載の基板保持装
    置。
18. 【請求項１８】 前記環状凸部は、同心円状に二重以上
    設けられ、前記真空吸着機構は、隣接する環状凸部相互
    間の空間をも真空状態とすることを特徴とする請求項１
    ７に記載の基板保持装置。
19. 【請求項１９】 前記第２支持部と前記基板との接触面
    積は、前記複数の第１支持部及び前記第２支持部と前記
    基板との総接触面積の２０％以下に設定されていること
    を特徴とする請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の
    基盤保持装置。
20. 【請求項２０】 前記基板の前記第１及び第２支持部に
    よって支持される側の面の全面積に占める、前記複数の
    第１支持部及び前記第２支持部と前記基板との接触面積
    の割合が、３％以下に設定されていることを特徴とする
    請求項１９に記載の基板保持装置。
21. 【請求項２１】 エネルギビームにより基板を露光して
    所定のパターンを形成する露光装置であって、 前記基板を保持する請求項１〜２０のいずれか一項に記
    載の基板保持装置と；前記基板保持装置が搭載され、２
    次元面内で少なくとも一方向に移動可能な基板ステージ
    と；を備える露光装置。
22. 【請求項２２】 前記パターンが形成されたマスクを保
    持するマスクステージと；前記マスクから射出された前
    記エネルギビームを前記基板上に投射する投影光学系
    と；前記基板保持装置により保持された前記基板表面の
    前記投影光学系の光軸方向に関する位置及び前記光軸方
    向に直交する面に対する傾斜量を検出する焦点位置検出
    系と；前記焦点位置検出系の検出結果に基づいて、前記
    基板保持装置を前記光軸方向及び前記光軸方向に直交す
    る面に対する傾斜方向の少なくとも一方に駆動する駆動
    装置と；を更に備えることを特徴とする請求項２１に記
    載の露光装置。
23. 【請求項２３】 前記マスクステージと前記基板ステー
    ジとを同期して、前記一方向に駆動する同期駆動装置を
    更に備えることを特徴とする請求項２２に記載の露光装
    置。
24. 【請求項２４】 リソグラフィ工程を含むデバイス製造
    方法であって、 前記リソグラフィ工程では、請求項２１〜２３のいずれ
    か一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴
    とするデバイス製造方法。