JP4388925B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4388925B2 JP4388925B2 JP2005329914A JP2005329914A JP4388925B2 JP 4388925 B2 JP4388925 B2 JP 4388925B2 JP 2005329914 A JP2005329914 A JP 2005329914A JP 2005329914 A JP2005329914 A JP 2005329914A JP 4388925 B2 JP4388925 B2 JP 4388925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- layer
- lithographic apparatus
- bonding layer
- recesses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/06—Embossing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
- B32B2315/02—Ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/0012—Mechanical treatment, e.g. roughening, deforming, stretching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1.ステップ・モード:ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
C 基板の目標部分
IF1、IF2 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS、23 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W、21 基板
WT 基板テーブル
1、1’ ウェハ・テーブル(物品サポート部材、静電クランプ・ウェハ・テーブル)
2、2’、36 突起(節)
3 中央層(中間剛直層)
3’ より分厚い層
4、4’ 電極層(結合層、下部電極、下部電極アルミニウム層)
5、5’ 電極層(電極、結合層)
6、6’ 底部層(誘電体層)
7 層(誘電体層、頂部剛直層、ULE層)
7’ 誘電体層(頂部層)
8’ 含有物を含む領域
9 粒子
9’ 含有物
10’ ベース・プレート
11 凹所
12、29 内部節構造(内部節構造レイアウト)
13 結合表面
14 誘電体層の下部側面
15 中央充填ガス通路
16 内部節構造のドレーン
17 シール
18 環境
19 導電材料(一時層)
20 充填プレート構造(充填プレート)
22 位置決めデバイス
24 液体膜
25 頂部表面
26 センサ・エレメント(センサ)
27 カバー・プレート
28 懸垂構成
30 ダクト構造
31 積層エレメント
32 剛直カラム
32 第1のカラム(剛直カラム)
33 第1のカラムの第1の側面
34 第2のカラム
35 第2のカラムの第2の側面
37 第1の側面と第2の側面を結合している結合層
38 フレームワーク
39 ミラー
Claims (12)
- 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、前記放射ビームのビーム光路に配置すべき物品を支持するようになされた複数の結合層を有する物品サポートと、を備えたリソグラフィ装置であって、
前記複数の結合層のうちの少なくとも1つの結合層(3、6)が、前記複数の結合層のうちの他の結合層(5、4)と対向する複数の凹所(11)を有し、それにより前記1つの結合層(3、6)と前記他の結合層(5、4)との間の結合表面を小さくし、
前記他の結合層(5、4)は、静電クランプ電極を形成し、
前記複数の凹所が相互接続され、且つ、共通ドレーンにドレーンされ、
前記共通ドレーンが、前記リソグラフィ装置内に提供される充填ガス圧力環境又は真空圧力環境と連絡するようになされた、
リソグラフィ装置。 - 前記複数の結合層のうちの第1の結合層(6、3)が、前記複数の結合層のうちの第2の結合層(3、7)と前記他の結合層(4、5)を介して対向する前記複数の凹所(11)を形成する複数の突起を備え、前記第1の結合層(6、3)及び前記第2の結合層(3、7)が前記他の結合層(4、5)によって結合された、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記複数の結合層が平らな結合表面を備えた、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記複数の結合層の各々が剛直材料を含む、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記他の結合層が、陽極結合層である、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記他の結合層(5)は、前記物品を前記物品サポートにクランプするための電極を形成し、前記複数の結合層のうちの1つが誘電体被覆層(7)を形成している、
請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置の放射ビームの光路に配置すべき物品を支持するようになされた複数の結合層を備えた物品サポートであって、
前記複数の結合層のうちの少なくとも1つの結合層(3、6)が、前記複数の結合層のうちの他の結合層(5、4)と対向する複数の凹所(11)を有し、それにより前記1つの結合層(3、6)と前記他の結合層(5、4)との間の結合表面を小さくし、
前記他の結合層(5、4)は、静電クランプ電極を形成し、
前記複数の凹所が相互接続され、且つ、共通ドレーンにドレーンされ、
前記共通ドレーンが、前記リソグラフィ装置内に提供される充填ガス圧力環境又は真空圧力環境と連絡するようになされた、
物品サポート。 - 前記物品サポートが、製造デバイス中で処理される基板、リソグラフィ投影マスク、マスク処理装置、マスク製造装置或いは光学エレメントを支持するようになされた、
請求項7に記載の物品サポート。 - リソグラフィ装置に使用するための複数の対象物を結合する方法であって、
剛直材料でできた、第1の側面を備えた第1の対象物(7)を提供するステップと、
前記第1の対象物(7)の前記第1の側面上に、静電クランプ電極を形成する金属層(5)を形成するステップと、
剛直材料でできた、第2の側面を備えた第2の対象物(3)を提供するステップと、
結合表面間の接触を少なくするために、前記第2の対象物(3)の少なくとも前記第2の側面に複数の凹所(11)のレイアウトを生成し、前記レイアウトが前記複数の凹所をドレーンするための共通ドレーンを提供するようになされたステップと、
前記第1の対象物(7)の前記第1の側面上に形成された前記金属層(5)と、前記第2の対象物(3)の前記第2の側面と、を結合することによって前記第1の対象物(7)と前記第2の対象物(3)とを結合するステップと、
前記複数の凹所をドレーンするステップと、
前記複数の凹所を密閉するステップと、を含み、
前記共通ドレーンが、前記リソグラフィ装置内に提供される充填ガス圧力環境又は真空圧力環境と連絡するようになされた、
方法。 - 前記結合するステップが陽極結合ステップを含む、
請求項9に記載の方法。 - 結合剛直材料でできた、リソグラフィ装置に使用するための結合構造であって、
剛直材料でできた、第1の側面を備えた第1の対象物(7)と、
剛直材料でできた、前記第1の側面と対向する突起が形成された第2の側面を備えた第2の対象物(3)と、
前記第1及び第2の側面を結合する結合材料と、を備え、
前記結合材料は、静電クランプ電極を形成する金属層(5)を形成し、
前記第2の対象物(3)の前記第2の側面が、前記金属層(5)と対向する複数の凹所(11)を有し、
前記複数の凹所が相互接続され、且つ、共通ドレーンにドレーンされ、
前記共通ドレーンが、前記リソグラフィ装置内に提供される充填ガス圧力環境又は真空圧力環境と連絡するようになされた、
結合構造。 - 放射ビームを生成するステップと、物品サポートを使用して物品を前記放射ビームのビーム光路中で支持するステップと、前記放射ビームをパターン化するステップと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップと、を含むデバイス製造方法であって、
前記物品サポートが複数の結合層を備え、前記複数の結合層のうちの少なくとも1つの結合層(3、6)が、前記複数の結合層のうちの他の結合層(5、4)と対向する複数の凹所(11)を有し、それにより前記1つの結合層(3、6)と前記他の結合層(5、4)との間の結合表面を小さくし、前記他の結合層(5、4)は、静電クランプ電極を形成し、前記複数の凹所が相互接続され、且つ、共通ドレーンにドレーンされ、前記共通ドレーンが、前記リソグラフィ装置内に提供される充填ガス圧力環境又は真空圧力環境と連絡するようになされた、
方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/988,832 US7327439B2 (en) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006148101A JP2006148101A (ja) | 2006-06-08 |
JP4388925B2 true JP4388925B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=36384945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005329914A Expired - Fee Related JP4388925B2 (ja) | 2004-11-16 | 2005-11-15 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7327439B2 (ja) |
JP (1) | JP4388925B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI261308B (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-01 | Ind Tech Res Inst | Micro-nanometer transfer printer |
US7420188B2 (en) * | 2005-10-14 | 2008-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Exposure method and apparatus for immersion lithography |
US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
EP1840657A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-03 | Carl Zeiss SMT AG | Support structure for temporarily supporting a substrate |
US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US8325321B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-12-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of heat dissipation and frame |
US8760621B2 (en) * | 2007-03-12 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2003364A (en) * | 2008-09-26 | 2010-03-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
EP2490073B1 (en) | 2011-02-18 | 2015-09-23 | ASML Netherlands BV | Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder |
NL2008630A (en) * | 2011-04-27 | 2012-10-30 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
NL2008751A (en) * | 2011-06-06 | 2012-12-10 | Asml Netherlands Bv | Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method. |
NL2009487A (en) * | 2011-10-14 | 2013-04-16 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
NL2010140A (en) | 2012-02-03 | 2013-08-06 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
JP6151284B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-06-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 静電クランプ |
US9407746B2 (en) * | 2012-12-27 | 2016-08-02 | Gtat Corporation | Mobile electronic device comprising a sapphire cover plate having a low level of inclusions |
CN108139684B (zh) * | 2015-10-06 | 2021-06-18 | Asml控股股份有限公司 | 用于保持光刻设备的物体的卡盘和夹具和用于控制光刻设备的夹具保持的物体的温度的方法 |
WO2021136628A1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for manufacturing a double-sided electrostatic clamp |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
EP0947884B1 (en) | 1998-03-31 | 2004-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with substrate holder |
US6803780B2 (en) * | 2001-07-10 | 2004-10-12 | Solid State Measurements, Inc. | Sample chuck with compound construction |
JP2003282685A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 冷却プレート |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US7532310B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
-
2004
- 2004-11-16 US US10/988,832 patent/US7327439B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-15 JP JP2005329914A patent/JP4388925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006148101A (ja) | 2006-06-08 |
US20060102277A1 (en) | 2006-05-18 |
US7327439B2 (en) | 2008-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4388925B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR100883610B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치용 정전기 클램프를제조하는 방법 | |
KR101164983B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4459194B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR102307023B1 (ko) | 기판, 기판 홀더, 기판 코팅 장치, 기판 코팅 방법 및 코팅 제거 방법 | |
KR100801952B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2005054955A2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US8913225B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2006186367A (ja) | 接合基板を形成するシステム及び方法並びに接合基板製品 | |
JP2007110106A (ja) | マイクロデバイスへの接続 | |
JP5702347B2 (ja) | 放射ビーム溶接方法、本体及びリソグラフィ装置 | |
JP4418790B2 (ja) | ペリクルをパターン付与装置に接合する方法 | |
JP4700076B2 (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
KR100945566B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2006146234A5 (ja) | ||
JP4332146B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 | |
JP4972126B2 (ja) | リソグラフィ装置、複合材料、可動コンポーネント及び製造方法 | |
JP2007251133A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2007189217A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090928 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |