JPWO2014083965A1 - 静電チャック，ガラス基板処理方法及びそのガラス基板 - Google Patents

Abstract

【課題】基材を軽量化且つ強度化することにより、基材の平面度を維持して、被加工板体の落下等を防止すると共に、被加工板体に対する高速且つ高品質な処理を可能にした静電チャック，ガラス基板処理方法及びそのガラス基板を提供する。【解決手段】静電チャック１は基材２と静電吸着層３とを備える。基材２は下面板２０と側面板２１〜２４と上面板２５とで形成され、多巣構造部４が基材２の内部に構成されている。多巣構造部４は正六角形筒状体４０によるハニカム構造体であり、基材２の軽量化と強度化とが図られている。静電吸着層３は誘電体３１と吸着電極３２とで構成され、接着材３０で基材２上面に接着されている。誘電体３１は、表面をガラス基板Ｗの吸着面とする誘電体であり、吸着電極３２を内部に収納する。【選択図】図１

Description

この発明は、ガラス基板等の被加工板体を保持するための静電チャック，ガラス基板処理方法及びそのガラス基板に関するものである。

近年、FPD(フラット・パネル・ディスプレイ)分野では、ディスプレイの大型化に伴い、ディスプレイのプロセス処理工程において、例えば、Ｇ８（第８世代）で２２００ｍｍ×２５００ｍｍという大型のガラス基板を搬送、加工処理することができる装置が必要となってきている。
従来、静電吸着技術を用いて大型のガラス基板を搬送等する装置では、例えば、ガラス基板の表面を蒸着するインライン蒸着装置において、数ｍ〜１０数ｍ程の長さになってしまう。
このような蒸着装置は、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されているように、煮沸した蒸着材料を、下方の蒸着源から大型ガラス基板の表面に向けて放射することで、ガラス基板表面に所望の回路パターン等を蒸着させるようになっている。このため、ガラス基板を吸着した静電吸着装置全体を下側に回転させて、ガラス基板を下方に位置させた状態で、ガラス基板を蒸着源の真上まで搬送する。そして、蒸着処理後、ガラス基板を吸着装置から解放して、次の工程に受け渡すようになっている。

特開２０１１−０９４１９６号公報 特開２０１０−１３２９７８号公報

しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
蒸着装置で用いられる静電吸着装置は、中実の重いアルミ等で成る基材上に、溶射等によって形成された静電吸着層を設けた構造をしている。この静電吸着装置は、ガラス基板を装置上面で吸着した状態で搬送されるが、搬送は、装置の基材の両端部を支持したシャフトを移動させることで行われる。そして、蒸着源の手前で、シャフトを回転させることで、静電吸着装置とガラス基板を一体に下側に回転させ、かかる状態のまま、蒸着源真上を通過させる。
つまり、蒸着装置等のプロセス処理装置においては、非常に重い静電吸着装置をシャフトで支持して、搬送や回転をさせる構造が必要なため、装置全体がさらに大型化してしまうという問題があった。
また、静電吸着装置が非常に重いため、これをシャフトで支持して、搬送や回転をさせる際に、非常に大きな負荷が、シャフトと基材の支持ポイントに加わる。このため、基材が歪んで、静電吸着装置全体の平面度が悪くなり、ガラス基板を所望の平面度を保った状態で搬送できないという問題もあった。
さらに、静電吸着装置の平面度が悪い状態で、静電吸着装置及びガラス基板を一体に下側に回転させると、高価なガラス基板が静電吸着装置から剥がれ落ちるおそれがある。ガラス基板が落下して割れると、ガラス片がパーティクルとなって飛散する。この結果、蒸着装置内が汚染されて、装置停止が余儀なくされ、生産性の低下を招くおそれがあった。また、ガラス基板が落下しない場合でも、平面度に劣るガラス基板に蒸着が実行されるため、蒸着（膜厚含む）ムラ、回路パターンずれ等が発生するおそれがあった。

この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、基材を軽量化且つ強度化することにより、基材の平面度を維持して、被加工板体の落下等を防止すると共に、被加工板体に対する高速且つ高品質な処理を可能にした静電チャック，ガラス基板処理方法及びそのガラス基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１の発明は、表面を上記被加工板体の吸着面とする誘電体，及びこの誘電体内部に配置された吸着電極を有した静電吸着層と、この静電吸着層が上面に配設された基材とを備える静電チャックであって、基材は、下面板と、複数の多角形筒状体又は円形筒状体をこの下面板上に直立させた状態で敷き詰めて成る多巣構造部と、この多巣構造部の側面を覆う側面板とを備える構成とした。
かかる構成により、ガラス基板等の被加工板体を静電吸着層の表面に載置して、吸着電極に通電すると、被加工板体と静電吸着層表面に発生した静電気力によって、被加工板体が静電吸着層表面に吸着される。
この状態で、基材の両端部をシャフト等の支持部材で支持することにより、被加工板体を静電チャックと一体に搬送することができる。
ところで、静電チャックの基材が中実の重いアルミニュウム等で形成されていると、シャフトに支持されている両端部の部分に大きな負荷がかかり、基材に歪みが生じるおそれがある。
しかし、この発明では、基材が、下面板と、複数の多角形筒状体又は円形筒状体をこの下面板上に敷き詰めて成る多巣構造部と、この多巣構造部の側面を覆う側面板とで構成され、非常に軽量で且つ強度のある構造になっているので、静電チャック自体が軽い。
このため、被加工板体を吸着した静電チャックを、基材の両端部をシャフトで支持した状態で搬送したり、回転させたりした場合においても、負荷が、シャフトに支持されている基材両端部の部分にほとんど加わらない。このため、基材に歪みが生じるおそれは、ほとんどない。

請求項２の発明は、請求項１に記載の静電チャックにおいて、多巣構造部は、三角形筒状体，四角形筒状体又は六角形筒状体のいずれかを下面板上に隙間なく敷き詰めた構造を成す構成とした。
かかる構成により、基材の軽量性を維持しつつ強度を高めることができる。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の静電チャックにおいて、静電吸着層を、基材の多巣構造部の上面に直接貼り付けた構成とする。

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の静電チャックにおいて、基材の下面板に、複数の多角形筒状体又は円形筒状体における少なくとも１つの多角形筒状体又は円形筒状体の下開口と連通する流体供給口を設け、下面板であって流体供給口とは異なる位置に、少なくとも１つの多角形筒状体又は円形筒状体の下開口と連通する流体排出口を設け、下開口が流体供給口と連通した多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、流体供給口からの流体を隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出させるための連通孔を設けると共に、下開口が流体排出口と連通した多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、流体を隣の多角形筒状体又は円形筒状体から流入するための連通孔を設け、且つ他の多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、隣の多角形筒状体又は円形筒状体からの流体を流入するための１の連通孔と、流体を他の隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出させるための他の連通孔とを設けることにより、流体供給口から流体排出口に至る流路を形成した構成とする。
かかる構成により、冷却用の流体を流体供給口から供給すると、流体は、下開口が流体供給口と連通した多角形筒状体又は円形筒状体に流入する。そして、流体は、この多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に設けられた連通孔から隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出する。しかる後、流体は、隣の多角形筒状体又は円形筒状体から１の連通孔を通じて他の多角形筒状体又は円形筒状体に流入し、他の連通孔を通じて他の隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出する。流体は、複数の他の多角形筒状体又は円形筒状体に対して流入、流出を繰り返し、最後に、下開口が流体排出口と連通した多角形筒状体又は円形筒状体に流入して、流体排出口から外部に排出される。
つまり、この発明の静電チャックによれば、流体が、流体供給口から複数の多角形筒状体又は円形筒状体を通じて流体排出口に至る流路内を流れ、基材上面の静電吸着層がこの流体によって冷却されることとなる。

請求項５の発明は、請求項４に記載の静電チャックにおいて、連通孔を、各多角形筒状体又は円形筒状体の周壁の最上部に設けた構成とする。
かかる構成により、流体供給口から供給された流体は、連通孔を通じて複数の多角形筒状体又は円形筒状体間を流れる。このとき、空気が多角形筒状体又は円形筒状体内に存在すると、空気が流体によって多角形筒状体又は円形筒状体の上部に押し上げられ、滞留するおそれがある。空気が多角形筒状体又は円形筒状体の上部に滞留すると、空気が静電吸着層と流体との間に介在した状態になり、流体による静電吸着層への冷却作用が低下する。
しかし、この発明の静電チャックでは、連通孔を各多角形筒状体又は円形筒状体の周壁の最上部に設けたので、多角形筒状体又は円形筒状体上部の空気は、流体と共に連通孔を通じて流体排出口側に押し流される。このため、空気が多角形筒状体又は円形筒状体の上部に滞留するという事態は生ぜず、静電吸着層を効果的に冷却することができる。

請求項６の発明に係るガラス基板処理方法は、ガラス基板を請求項１ないし請求項５２のいずれかに記載の静電チャックの表面で吸着する第１過程と、ガラス基板を吸着した静電チャックの基材の両側端部を支持する第２過程と、静電チャックを支持した状態で、ガラス基板が下側を向くように、静電チャック全体を下方に回転させる第３過程と、ガラス基板の下方から、ガラス基板表面の処理を行う第４過程とを備える構成とした。
かかる構成により、第１過程を実行することにより、ガラス基板が静電チャックの表面で吸着され、しかる後、第２過程を実行することにより、ガラス基板を吸着した静電チャックの基材の両側端部が支持される。
このように、静電チャックの基材両端部が支持されると、その部分に大きな負荷が加わり、基材に歪みが生じるおそれがある。しかし、この発明では、ガラス基板を吸着する静電チャックとして、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の静電チャックを用いているので、静電チャック自体が非常に軽い。このため、静電チャック基材の両端部をシャフトで支持した状態で搬送等しても、負荷がほとんどかからず、基材に歪みが生じるおそれがない。
そして、第３過程を実行することにより、静電チャックが支持された状態で、ガラス基板が下側を向くように、静電チャック全体が下方に回転させられる。
このとき、基材に歪みがなく、静電チャックの平面度が所望値に維持されているので、回転時に、ガラス基板が、静電チャックから剥がれ落ちることはない。この結果、ガラス基板も所望の平面度を保ちながら下側を向く。
かかる状態で、第４過程を実行することにより、ガラス基板の下方から、ガラス基板表面の処理が行われる。
このとき、ガラス基板が所望の平面度を保っているので、蒸着（膜厚含む）ムラ、回路パターンずれ等を起こさずに、蒸着等の正確な処理を行うことができる。

請求項７の発明に係るガラス基板は、請求項６に記載のガラス基板処理方法によって処理された構成とする。

以上詳しく説明したように、請求項１の発明に係る静電チャックによれば、基材を軽量化且つ強度化したので、被加工板体吸着状態の静電チャックをシャフトで支持して、搬送及び回転させても、静電チャックの基材には、歪みがほとんど生じず、この結果、基材の平面度を所望値に保持することができるという優れた効果がある。
これにより、蒸着装置等の装置全体の小型化や構造簡易化をも図ることができる。
そして、静電チャック回転時における被加工板体の落下を防止することができるので、被加工板体の破壊による装置内汚染や装置停止等をも防止することができる。
また、基材の平面度を所望値に保持して、被加工板体の平面度を維持することができるので、蒸着等の処理における蒸着（膜厚含む）ムラ、回路パターンずれ等の発生を防止することができる。
さらに、静電チャック自体の軽量化により、被加工板体の搬送や回転等の動作も高速化することができ、この結果、タクトタイムの高速化や生産性の向上を図ることができるという効果もある。

また、請求項２の発明に係る静電チャックによれば、多巣構造部を、三角形筒状体，四角形筒状体又は六角形筒状体のいずれかを下面板上に隙間なく敷き詰めた構造にしたので、基材の軽量性を維持しつつ強度を高めることができるという効果がある。

また、請求項３の発明に係る静電チャックによれば、静電チャックのさらなる軽量化を図ることができる。

さらに、請求項４及び請求項５の発明に係る静電チャックによれば、加熱された静電吸着層を、多角形筒状体又は円形筒状体内を流れる流体によって、効果的に冷却することができる。

また、請求項６の発明に係るガラス基板処理方法によれば、ガラス基板を所望の平面度に保ちながら、ガラス基板の処理することができるので、蒸着等の処理において、高速かつ正確な処理を行うことができるという効果がある。
さらに、軽量な静電チャックを用いることにより、ガラス基板の搬送や回転等の動作も高速化することができ、この結果、タクトタイムの高速化や生産性の向上を図ることができるという効果もある。

さらに、請求項７の発明に係るガラス基板によれば、請求項６に記載のガラス基板処理方法によって処理されるので、蒸着（膜厚含む）ムラ、回路パターンずれ等のない高品質のガラス基板を提供することができるという効果がある。

この発明の第１実施例に係る静電チャックを示す分解斜視図である。 静電チャックの断面図である。 基材を示す分解斜視図である。 正六角形筒状体を示す斜視図である。 静電チャックを用いたガラス基板処理を示す工程図である。 基材をシャフトで支持する過程を示す概略平面図である。 この発明の第２実施例に係る静電チャックを示す断面図である。 この発明の第３実施例に係る静電チャックを示す断面図である。 各正六角形筒状体の連通孔を説明するための概略平面図である。 流体の流れを示す断面図である。 流体の流れを示す概略平面図である。 筒状体の変形例を示す斜視図である。

以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

（実施例１）
図１は、この発明の第１実施例に係る静電チャックを示す分解斜視図であり、図２は、静電チャックの断面図である。
図１及び図２に示すように、この実施例の静電チャック１は、基材２と静電吸着層３とを備える。

図３は、基材２を示す分解斜視図であり、図４は、正六角形筒状体を示す斜視図である。
図３に示すように、基材２は、下面板２０と側面板２１〜２４と上面板２５とで形成された箱状体であり、この基材２の内部には、正六角形筒状体４０で構成された多巣構造部４が構成されている。
図４に示すように、正六角形筒状体４０は、上下に開口した正六角形の筒状体である。
多巣構造部４は、図３に示すように、このような正六角形筒状体４０を下面板２０上に直立させた状態で、隙間なく敷き詰めて構成したハニカム構造体である。
４枚の側面板２１〜２４は、このハニカム構造体の多巣構造部４の側面を気密に覆い、１枚の上面板２５は多巣構造部４の上面を気密に覆っている。
この実施例では、多巣構造部４と、多巣構造部４が載置された下面板２０と、側面板２１〜２４と、上面板２５とを、Ａｌ2Ｏ3の陽極酸化被膜処理（アルマイト処理）をしたアルミニュウムで形成した。
しかし、基材２は、ＳＵＳ、鉄、銅、チタン、セラミック（ＡＬＮ、ＳｉＣ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、ジルコニア、ＢＮ、ＴｉＣ、ＴｉＮを含む）といったアルミニュウム以外の素材で形成することもできることは勿論である。
なお、この実施例では、アルマイト処理で絶縁膜を被覆しているが、例えば、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックを溶射することにより、基材２全体に膜付して、その他の絶縁膜で絶縁を図ることもできる。

図１において、静電吸着層３は、被加工板体である大型のガラス基板Ｗを吸着する部分であり、図２にも示すように、この静電吸着層３は、接着材３０によって、基材２の上面に接着されている。
具体的には、接着材３０を、基材２の上面板２５（側面板２１〜２４の上面も）又は静電吸着層３の下面のいずれかに塗布した後、熱を加えて、接着材３０を硬化させることにより、静電吸着層３を基材２の上面に完全に接着させた。
このように、この実施例では、接着材３０として、熱硬化式のものを使用したが、紫外線硬化式のものを接着材３０として用いても、静電吸着層３を基材２に接着させることができる。

図１において、静電吸着層３は、誘電体３１と吸着電極３２とで構成されている。
誘電体３１は、表面をガラス基板Ｗの吸着面とする誘電体であり、吸着電極３２を内部に収納している。
誘電体３１内に配置された吸着電極３２は、図２に示すように、直流電源３３に接続されており、スイッチ３４をＯＮにすることで、通電されるようになっている。
この実施例では、誘電体３１を、カプトン（登録商標）等のポリイミドフィルムで形成した。また、吸着電極３２は、カーボンインクやＣｕ等で形成した。但し、吸着電極３２としては、これらの素材の他、ＳＵＳ、鉄、ニッケル、銀、白金等を主成分とした若しくは混ぜ込んだ導電性物質（箔又はペースト）を用いても形成することもできる。
また、誘電体として、セラミックを用い、このセラミック膜が付いた金属プレートを用いることにより、誘電体３１及び吸着電極３２を有した静電吸着層３を構成することもできる。
さらに、この実施例では、図１及び図２に示すように、吸着電極３２として、クーロン力タイプの電極を例示した。しかし、吸着電極３２を、グラディエント力タイプの櫛歯型電極にして、ガラス等の不導体に対する吸着力を高めるようにすることもできる。

次に、この実施例の静電チャックの使用例について説明する。
なお、この使用例は、この発明のガラス基板処理方法を具体的に実行するものでもある。
図５は、静電チャックを用いたガラス基板処理を示す工程図であり、図６は、基材をシャフトで支持する過程を示す概略平面図である。
図５の（ａ）に示すように、まず、ガラス基板Ｗを静電吸着層３の表面に載置して、図２に示したスイッチ３４をＯＮにすると、直流電源３３が吸着電極３２に印加され、吸着電極３２が通電状態になる。すると、ガラス基板Ｗと静電吸着層３に誘起された静電気力によって、ガラス基板Ｗが静電吸着層３の表面に吸着される（第１過程の実行）。

図５の（ａ）及び図６の（ａ）において、符号１００は、図示しない蒸着装置に装備された二股フォーク状のシャフトであり、その先端部を基材２の両端部に設けた孔２ａに差し込むことができるようになっている。
ガラス基板Ｗを静電吸着層３表面に吸着した状態で、図５の（ｂ）及び図６の（ｂ）に示すように、シャフト１００を基材２の両端部の孔２ａ内に差し込んで、静電チャック１をシャフト１００で支持することにより、ガラス基板Ｗを静電チャック１と一体に搬送することができる（第２過程の実行）。
このように、静電チャック１の基材２両端部をシャフト１００で支持すると、その部分に大きな負荷が加わり、基材２に歪みが生じるおそれがある。
しかし、この実施例の静電チャック１では、基材２の内部が、多巣構造部４を構成しており、しかも、この多巣構造部４が、正六角形筒状体４０を下面板２０上に隙間なく敷き詰めて構成したハニカム構造体であるので、極めて軽量でしかも横圧縦圧に対する強度も高い。
このため、基材２の両端部を１００で支持しても、負荷が、基材２にほとんど加わらないので、基材２が歪むことはない。

そして、図５の（ｃ）に示すように、静電チャック１を支持した状態で、シャフト１００を回転させることで、静電チャック１全体を下方にして、ガラス基板Ｗを下側に位置させる（第３過程の実行）。
このとき、上記したように、基材２に歪みがなく、静電チャック１の平面度が所望値に維持されているので、ガラス基板Ｗは静電吸着層３にしっかり吸着された状態にある。このため、ガラス基板が、静電チャック１から剥がれ落ちるということはない。つまり、ガラス基板は、所望の平面度を保ちながら下側を向いた状態になっている。

かかる状態で、図５の（ｄ）に示すように、静電チャック１を、シャフト１００で支持した状態で、蒸着源１１０の真上を通過させることにより、ガラス基板Ｗの蒸着処理を行う（第４過程を実行）。
具体的には、回路パターン等が抜かれたマスク１２０をガラス基板Ｗの真下に配置した状態で、蒸着材料１１１を、蒸着源１１０から静電チャック１のガラス基板Ｗに向けて、噴射する。
このとき、ガラス基板Ｗは、所望の平面度を保っているので、蒸着（膜厚含む）ムラ、回路パターンずれ等を起こさずに、ガラス基板Ｗに対して正確な蒸着処理を行うことができる。

以上のように、この実施例の静電チャック１によれば、基材２が軽量且つ強固な構造になっているので、基材２に加わった負荷によって歪むことなく、平面度を所望値に維持する。この結果、ガラス基板Ｗの破損や周囲環境の汚染等を防止することができるとともに、蒸着装置等の装置全体の小型化や構造簡易化を図ることができる。
さらに、静電チャック１自体の軽量化により、ガラス基板Ｗの搬送や回転等の動作も高速化することができ、この結果、タクトタイムの高速化や生産性の向上を図ることができる。

（実施例２）
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図７は、この発明の第２実施例に係る静電チャックを示す断面図である。

図７に示すように、この実施例の静電チャック１’では、基材２を、下面板２０、側面板２１〜２４及び多巣構造部４とで構成し、上面板２５を省いた。
そして、セラミックでできた静電吸着層３を、上面板２５が無い基材２の多巣構造部４の上面に接着材３０を用いて直接貼り付けた。

このように、基材２の構成に上面板２５を省略した分、部材点数の削減を図ることができ、この結果、静電チャックの更なる軽量化及び低廉化を図ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。

（実施例３）
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図８は、この発明の第３実施例に係る静電チャックを示す断面図であり、図９は、各正六角形筒状体の連通孔を説明するための概略平面図である。

図８に示すように、この実施例の静電チャック１”では、流路５が多巣構造部４内に形成されている。
流路５は、冷却用の流体を通す流路であり、流体供給口５０から多巣構造部４内を通って流体排出口５１，５２に至る。

具体的には、流体供給口５０を、基材２の下面板２０の中央部に設け、中央部の正六角形筒状体４０−１の下開口４０ａ−１と連通させた。
そして、流体排出口５１，５２を、下面板２０の両隅部に設け、両隅部の正六角形筒状体４０−２，４０−３の下開口４０ａ−２，４０ａ−３と連通させた。

流体供給口５０と連通した正六角形筒状体４０−１は、１対の連通孔６１，６２を有している。
図９にも示すように、連通孔６１，６２は、正六角形筒状体４０−１の周壁４０ｂ−１の最上部に設けられており、流体供給口５０からの流体Ｌを、連通孔６１，６２を通じて隣の正六角形筒状体４０，４０のそれぞれに流出させることができる。

流体排出口５１（５２）と連通した正六角形筒状体４０−２（４０−３）は、１つの連通孔６３（６４）を有している。
連通孔６３（６４）は、正六角形筒状体４０−２（４０−３）の周壁４０ｂ−２（４０ｂ−３）の最上部に設けられており、隣の正六角形筒状体４０からの流体Ｌを、この連通孔６３（６４）を通じて正六角形筒状体４０−２（４０−３）に流入させることができる。

正六角形筒状体４０−１〜４０−３以外の他の正六角形筒状体４０−ｎも、１対の連通孔６５，６６を有している。
これらの連通孔６５，６６も、正六角形筒状体４０−ｎの周壁４０ｂ−ｎの最上部に設けられている。連通孔６５は、隣の正六角形筒状体４０−ｎ−１からの流体Ｌを流入するための連通孔であり、連通孔６６は、隣の正六角形筒状体４０−ｎ＋１に流体Ｌを流出するための連通孔である。なお、図９上、正六角形筒状体４０−１〜４０−３に隣り合う正六角形筒状体４０も、任意の正六角形筒状体４０−ｎとみなすことができる。

次に、この実施例の静電チャック１”が示す作用及び効果について説明する。
図１０は、流体Ｌの流れを示す断面図であり、図１１は、流体Ｌの流れを示す概略平面図である。
図１０の矢印で示すように、冷却水や冷却ガス等の流体Ｌを、流体供給口５０から多巣構造部４の正六角形筒状体４０−１に供給すると、流体Ｌは、正六角形筒状体４０−１の連通孔６１，６２を通じて、隣の正六角形筒状体４０，４０に流出する。
しかる後、流体Ｌは、多数の正六角形筒状体４０の連通孔を通じて、流体排出口５１（５２）に至る。つまり、流体Ｌは、隣の正六角形筒状体４０−ｎ−１から連通孔６５を通じて任意の正六角形筒状体４０−ｎに流入し、連通孔６６を通じて隣の正六角形筒状体４０−ｎ＋１に流出する。そして、最後に、流体Ｌは、正六角形筒状体４０−２（４０−３）に至り、流体排出口５１（５２）から基材２の外部に排出される。
つまり、図１１に示すように、流体Ｌは、流体供給口５０からほとんどすべての正六角形筒状体４０を通って流体排出口５１（５２）に至り、下面板２０上面の静電吸着層３（図１０参照）を効果的に冷却する。

ところで、空気が正六角形筒状体４０内に存在すると、空気が流体Ｌによって正六角形筒状体４０の上部に押し上げられて滞留する。これにより、空気が静電吸着層３と流体Ｌとの間に介在した状態になり、静電吸着層３への冷却作用が低下してしまうおそれがある。
そこで、図８に示すように、この実施例では、連通孔６１〜６６を各正六角形筒状体４０の周壁の最上部に設けて、空気を連通孔６１〜６６を通じて流体排出口５１（５２）側に押し流すことができるようにしている。
したがって、空気が、正六角形筒状体４０の上部に滞留しない場合や、滞留しても静電吸着層３の冷却に影響を与えない場合には、連通孔６１〜６６を、正六角形筒状体４０の周壁の最上部に設ける必要がない。この場合には、例えば、周壁の中央部や最下部に設けることができることは勿論である。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、それらの記載は省略する。

なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、多巣構造部４をハニカム構造体としたが、多巣構造部としては、複数の多角形筒状体又は円形筒状体を基材２の下面板２０上に敷き詰めた構成であればよく、ハニカム構造体に限定されるものではない。したがって、六角形以外の多角形筒状体や、図１２の（ａ）で示す円形筒状体４１を蜂の巣の様に敷き詰めた多巣構造部も、この発明の範囲に含まれる。
しかし、多巣構造部としては、横圧縦圧に強く、且つ軽量化に貢献できるような構造体であることが好ましい。
かかる見地から考察すると、三角形筒状体，四角形筒状体又は六角形筒状体以外を蜂の巣の様に敷き詰めても、隣り合う筒状体間に隙間が生じるので、ハニカム構造体である実施例の多巣構造部４よりは強度的に劣る。したがって、図１２の（ｂ），（ｃ）に示すように、正三角形筒状体４２，正四角形筒状体４３や上記実施例の正六角形筒状体４０を用いて、これらの筒状体を隙間無く敷き詰めて多巣構造部を構成することが、強度上最も好ましい。

上記第３実施例では、１つ又は２つの連通孔を各正六角形筒状体４０の周壁に設けた例について説明したが、連通孔の数は、任意である。つまり、１つの正六角形筒状体４０と隣り合う正六角形筒状体４０の数は、６つであるので、当該１つの正六角形筒状体４０に３つ以上の連通孔を設けて、隣り合う６つの正六角形筒状体４０の内の３つ以上の正六角形筒状体４０と連通するようにすることもできる。

１，１’，１”…静電チャック、 ２…基材、 ３…静電吸着層、 ４…多巣構造部、 ５…流路、 ２０…下面板、 ２１〜２４…側面板、 ２５…上面板、 ３０…接着材、 ３１…誘電体、 ３２…吸着電極、 ３３…直流電源、 ３４…スイッチ、 ４０，４０−１〜４０−ｎ＋１…正六角形筒状体、 ４０ａ−１〜４０ａ−３…下開口、 ４０ｂ−１〜４０ｂ−ｎ…周壁、 ４１…円形筒状体、 ４２…正三角形筒状体、 ４３…正四角形筒状体、 ５０…流体供給口、 ５１，５２… 流体排出口、６１〜６６… 連通孔、 １００…シャフト、 １１０…蒸着源、 １１１…蒸着材料、 １２０…マスク、 Ｌ…流体、 Ｗ…ガラス基板。

Claims (7)

1. 表面を上記被加工板体の吸着面とする誘電体，及びこの誘電体内部に配置された吸着電極を有した静電吸着層と、この静電吸着層が上面に配設された基材とを備える静電チャックであって、
   上記基材は、下面板と、複数の多角形筒状体又は円形筒状体をこの下面板上に直立させた状態で敷き詰めて成る多巣構造部と、この多巣構造部の側面を覆う側面板とを備える、
   ことを特徴とする静電チャック。
2. 請求項１に記載の静電チャックにおいて、
   上記多巣構造部は、三角形筒状体，四角形筒状体又は六角形筒状体のいずれかを上記下面板上に隙間なく敷き詰めた構造を成す、
   ことを特徴とする静電チャック。
3. 請求項１又は請求項２に記載の静電チャックにおいて、
   上記静電吸着層を、上記基材の多巣構造部の上面に直接貼り付けた、
   ことを特徴とする静電チャック。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の静電チャックにおいて、
   上記基材の下面板に、上記複数の多角形筒状体又は円形筒状体における少なくとも１つの多角形筒状体又は円形筒状体の下開口と連通する流体供給口を設け、
   上記下面板であって上記流体供給口とは異なる位置に、少なくとも１つの多角形筒状体又は円形筒状体の下開口と連通する流体排出口を設け、
   下開口が上記流体供給口と連通した上記多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、流体供給口からの流体を隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出させるための連通孔を設けると共に、下開口が上記流体排出口と連通した上記多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、流体を隣の多角形筒状体又は円形筒状体から流入するための連通孔を設け、且つ他の多角形筒状体又は円形筒状体の周壁に、隣の多角形筒状体又は円形筒状体からの流体を流入するための１の連通孔と、流体を他の隣の多角形筒状体又は円形筒状体に流出させるための他の連通孔とを設けることにより、上記流体供給口から上記流体排出口に至る流路を形成した、
   ことを特徴とする静電チャック。
5. 請求項４に記載の静電チャックにおいて、
   上記連通孔を、上記各多角形筒状体又は円形筒状体の周壁の最上部に設けた、
   ことを特徴とする静電チャック。
6. ガラス基板を請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の静電チャックの表面で吸着する第１過程と、
   ガラス基板を吸着した上記静電チャックの基材の両側端部を支持する第２過程と、
   上記静電チャックを支持した状態で、ガラス基板が下側を向くように、静電チャック全体を下方に回転させる第３過程と、
   上記ガラス基板の下方から、ガラス基板表面の処理を行う第４過程と
   を備えることを特徴とするガラス基板処理方法。
7. 請求項６に記載のガラス基板処理方法によって処理された、
   ことを特徴とするガラス基板。

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