JP2003086890A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JP2003086890A JP2003086890A JP2001274851A JP2001274851A JP2003086890A JP 2003086890 A JP2003086890 A JP 2003086890A JP 2001274851 A JP2001274851 A JP 2001274851A JP 2001274851 A JP2001274851 A JP 2001274851A JP 2003086890 A JP2003086890 A JP 2003086890A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導
体発光素子を製造する。 【解決手段】 半導体基板上に回折格子を複数列形成す
る回折格子形成工程と、回折格子を備える半導体基板に
対して結晶成長させる際に、半導体基板と半導体基板を
加熱する発熱体との間に、半導体基板と発熱体との間の
熱伝導度を半導体基板の区分領域毎に異ならせる熱伝導
度変異部５０を介在させて、半導体基板を加熱する加熱
工程とを、半導体発光素子の製造プロセスに用いる。
体発光素子を製造する。 【解決手段】 半導体基板上に回折格子を複数列形成す
る回折格子形成工程と、回折格子を備える半導体基板に
対して結晶成長させる際に、半導体基板と半導体基板を
加熱する発熱体との間に、半導体基板と発熱体との間の
熱伝導度を半導体基板の区分領域毎に異ならせる熱伝導
度変異部５０を介在させて、半導体基板を加熱する加熱
工程とを、半導体発光素子の製造プロセスに用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザに適用
して好適な、半導体発光素子とその製造方法に関するも
のである。
して好適な、半導体発光素子とその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、主に光ファイバー通信
の分野で使用されており、特に半導体レーザアレイは、
波長分割多重（ＷＤＭ：Wavelength division multiple
xing)光伝送システム用の光源として使用されている。
これまで、広範囲な発振波長をもちかつ所望の発振波長
を精度良く発振させる半導体レーザアレイの研究が進め
られている。そこで、半導体基板上に隣り合う素子同士
でピッチの異なる複数の回折格子を形成するとともに、
隣り合う素子同士でマスク幅が異なる選択成長用マスク
を設けて結晶構造の異なる結晶成長層、例えば多重量子
井戸構造を選択成長させる方法が提案されている（特開
平８−１５３９２８号公報に記載）。この方法で作られ
た各半導体レーザにおいては、回折格子ピッチで決まる
発振波長と結晶構造で決まる利得ピーク波長をそれぞれ
独立に制御することができる。よって、ディチューニン
グ量（発振波長と利得ピーク波長との差）を常に一定範
囲に収めることができ、複数の所望の発振波長を得るこ
とができる。
の分野で使用されており、特に半導体レーザアレイは、
波長分割多重（ＷＤＭ：Wavelength division multiple
xing)光伝送システム用の光源として使用されている。
これまで、広範囲な発振波長をもちかつ所望の発振波長
を精度良く発振させる半導体レーザアレイの研究が進め
られている。そこで、半導体基板上に隣り合う素子同士
でピッチの異なる複数の回折格子を形成するとともに、
隣り合う素子同士でマスク幅が異なる選択成長用マスク
を設けて結晶構造の異なる結晶成長層、例えば多重量子
井戸構造を選択成長させる方法が提案されている（特開
平８−１５３９２８号公報に記載）。この方法で作られ
た各半導体レーザにおいては、回折格子ピッチで決まる
発振波長と結晶構造で決まる利得ピーク波長をそれぞれ
独立に制御することができる。よって、ディチューニン
グ量（発振波長と利得ピーク波長との差）を常に一定範
囲に収めることができ、複数の所望の発振波長を得るこ
とができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
の幅を変えることによって利得ピーク波長を変える上記
従来方法では、隣り合うマスクの影響が不可避な構成で
あるため、結晶成長時における結晶種ガスの濃度分布の
制御が困難となる。この困難な状況下で、設計値通りの
利得ピーク波長をもつ結晶構造を形成させるためのマス
ク設計は複雑となる。
の幅を変えることによって利得ピーク波長を変える上記
従来方法では、隣り合うマスクの影響が不可避な構成で
あるため、結晶成長時における結晶種ガスの濃度分布の
制御が困難となる。この困難な状況下で、設計値通りの
利得ピーク波長をもつ結晶構造を形成させるためのマス
ク設計は複雑となる。
【０００４】また、多重量子井戸構造を形成する井戸層
及び障壁層を、それぞれの膜厚が各素子同士で実質的に
同一となるように、形成できないうえに、各層の組成を
個別に制御することが困難となる。
及び障壁層を、それぞれの膜厚が各素子同士で実質的に
同一となるように、形成できないうえに、各層の組成を
個別に制御することが困難となる。
【０００５】層の膜厚及び組成を設計値通りに形成でき
ないと、得られる半導体発光素子の閾値電流、スロープ
効率及び温度特性等の各種特性が所望の設計値となら
ず、そのため製品歩留まりが低下する。
ないと、得られる半導体発光素子の閾値電流、スロープ
効率及び温度特性等の各種特性が所望の設計値となら
ず、そのため製品歩留まりが低下する。
【０００６】そこで、上述の種々の問題点を技術的に解
決する手法の出現が望まれていた。
決する手法の出現が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は下記
のような構成上の特徴を有する。
のような構成上の特徴を有する。
【０００８】すなわち、この発明の半導体レーザアレイ
の製造方法では、半導体基板上に、回折格子を複数区分
領域に形成し、回折格子を備える半導体基板上に結晶成
長させる際に、半導体基板と半導体基板を加熱する発熱
体との間に、半導体基板と発熱体との間の熱伝導度を、
半導体基板の区分領域毎に異なる熱伝導度変異部を介在
させて半導体基板を加熱する。
の製造方法では、半導体基板上に、回折格子を複数区分
領域に形成し、回折格子を備える半導体基板上に結晶成
長させる際に、半導体基板と半導体基板を加熱する発熱
体との間に、半導体基板と発熱体との間の熱伝導度を、
半導体基板の区分領域毎に異なる熱伝導度変異部を介在
させて半導体基板を加熱する。
【０００９】このように熱伝導度を変えると、半導体基
板の区分領域毎に温度が異なる。
板の区分領域毎に温度が異なる。
【００１０】従って、半導体基板の温度分布と結晶構造
との関係を予め調べておけば、所望の結晶構造に応じた
熱伝導度を設定すれば良い。このように熱伝導度を設定
することにより、半導体基板上に、複数の結晶構造（組
成）の異なる成長結晶層、例えば、多重量子井戸構造と
なる井戸層及び障壁層を設計値通りに形成でき、製品歩
留まりが向上する。また、選択成長用マスクが不要とな
り製造工程が減るため、従来よりも安価に各半導体発光
素子を製造することができる。
との関係を予め調べておけば、所望の結晶構造に応じた
熱伝導度を設定すれば良い。このように熱伝導度を設定
することにより、半導体基板上に、複数の結晶構造（組
成）の異なる成長結晶層、例えば、多重量子井戸構造と
なる井戸層及び障壁層を設計値通りに形成でき、製品歩
留まりが向上する。また、選択成長用マスクが不要とな
り製造工程が減るため、従来よりも安価に各半導体発光
素子を製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態につき説明する。尚、各図は、この発明が
理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関
係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、この発明を
図示例に限定するものではない。また、図を分かり易く
するために、断面を示すハッチング（斜線）は一部分を
除き省略してある。尚、以下の説明は、好適例であるに
過ぎないので、数値的条件は例示された値に何ら限定さ
れない。
の実施の形態につき説明する。尚、各図は、この発明が
理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関
係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、この発明を
図示例に限定するものではない。また、図を分かり易く
するために、断面を示すハッチング（斜線）は一部分を
除き省略してある。尚、以下の説明は、好適例であるに
過ぎないので、数値的条件は例示された値に何ら限定さ
れない。
【００１２】＜第１の実施の形態＞図１〜図４を参照し
て、この発明の半導体発光素子の製造方法につき、半導
体レーザを例に挙げて、説明する。ここでは、一例とし
て、先ず、ＢＨ構造を有する分布帰還型半導体レーザア
レイの製造方法につき説明する。
て、この発明の半導体発光素子の製造方法につき、半導
体レーザを例に挙げて、説明する。ここでは、一例とし
て、先ず、ＢＨ構造を有する分布帰還型半導体レーザア
レイの製造方法につき説明する。
【００１３】第１の実施の形態によれば、半導体基板上
に、回折格子を複数列形成する。
に、回折格子を複数列形成する。
【００１４】先ず、図１の概略斜視図に示すように、ｎ
型ＩｎＰ基板１０上に、回折格子１２を、電子ビーム露
光等を用いて、複数区分領域に形成する。この構成で
は、これら回折格子における格子間隔（ピッチ）は、隣
り合う区分領域内の回折格子毎に異ならせてある。これ
らピッチは、最小２０２ｎｍから最大２０３．２ｎｍま
での値とし、ピッチ差は０．４ｎｍとしてある。これら
各列の回折格子毎に、１つの半導体レーザが形成され
る。
型ＩｎＰ基板１０上に、回折格子１２を、電子ビーム露
光等を用いて、複数区分領域に形成する。この構成で
は、これら回折格子における格子間隔（ピッチ）は、隣
り合う区分領域内の回折格子毎に異ならせてある。これ
らピッチは、最小２０２ｎｍから最大２０３．２ｎｍま
での値とし、ピッチ差は０．４ｎｍとしてある。これら
各列の回折格子毎に、１つの半導体レーザが形成され
る。
【００１５】このように回折格子の格子間隔を各列毎に
異ならせることによって、得られる半導体レーザの各々
の発振波長を、所望の波長となるように制御することが
できる。尚、ｎ型ＩｎＰ基板１０は、直径２インチ（１
インチは、約２．５４ｃｍ）及び厚さ３．５×１０5ｎ
ｍの円形基板（ウェハ）とし、ｎ型ＩｎＰ基板１０のド
ーパントは、例えばスズ（Ｓｎ）である。
異ならせることによって、得られる半導体レーザの各々
の発振波長を、所望の波長となるように制御することが
できる。尚、ｎ型ＩｎＰ基板１０は、直径２インチ（１
インチは、約２．５４ｃｍ）及び厚さ３．５×１０5ｎ
ｍの円形基板（ウェハ）とし、ｎ型ＩｎＰ基板１０のド
ーパントは、例えばスズ（Ｓｎ）である。
【００１６】そして、表面に回折格子構造を備えている
ｎ型ＩｎＰ基板１０を、気相結晶成長装置内に設置す
る。尚、気相成長法としては、例えば、有機金属気相成
長（ＭＯＶＰＥ）法などを用いることができる。
ｎ型ＩｎＰ基板１０を、気相結晶成長装置内に設置す
る。尚、気相成長法としては、例えば、有機金属気相成
長（ＭＯＶＰＥ）法などを用いることができる。
【００１７】気相結晶成長装置として、高速回転型気相
結晶成長装置１４の処理室（チャンバ）内の一構成例の
要部の概略的平面図を図２（Ａ）に示す。気相結晶成長
装置１４には、ｎ型ＩｎＰ基板１０を、第１主面（表
面）側に設置するためのウェハキャリア１６が設けられ
ている。ウェハキャリア１６の表面には、ｎ型ＩｎＰ基
板１０を個別に格納するためのウェハポケット１８が３
つ設けられている。尚、ウェハポケット１８の数は上述
に限定されず、気相結晶成長装置の構成や規模に応じて
任意に変更できるものとする。また、ウェハキャリア１
６の材料としては、カーボングラファイト（Ｃ）やモリ
ブデン（Ｍｏ）などの熱を伝導し易く、かつ結晶成長を
行う際の材料ガス等によって腐食しにくい安定な材料が
好ましい。
結晶成長装置１４の処理室（チャンバ）内の一構成例の
要部の概略的平面図を図２（Ａ）に示す。気相結晶成長
装置１４には、ｎ型ＩｎＰ基板１０を、第１主面（表
面）側に設置するためのウェハキャリア１６が設けられ
ている。ウェハキャリア１６の表面には、ｎ型ＩｎＰ基
板１０を個別に格納するためのウェハポケット１８が３
つ設けられている。尚、ウェハポケット１８の数は上述
に限定されず、気相結晶成長装置の構成や規模に応じて
任意に変更できるものとする。また、ウェハキャリア１
６の材料としては、カーボングラファイト（Ｃ）やモリ
ブデン（Ｍｏ）などの熱を伝導し易く、かつ結晶成長を
行う際の材料ガス等によって腐食しにくい安定な材料が
好ましい。
【００１８】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示した気相結
晶成長装置１４のＡ−Ａ’線に沿って切断して得られる
断面の切り口を示す概略図である。この装置１４は、さ
らにサセプタと発熱体とを具えている。このサセプタ２
０は、ウェハキャリア１６とは反対側に設けられた発熱
体としてのヒータ２２により加熱される。従って、基板
１０は、サセプタ２０を介して加熱処理される。サセプ
タ２０には回転軸２４が接続されており、この回転軸２
４に接続された不図示の回転駆動源を駆動させることに
より、ｎ型ＩｎＰ基板１０をヒータ２２によって加熱さ
せる間、ウェハキャリア１６を一定速度で回転させる。
尚、サセプタ２０の材料としては、シリコンカーバイド
（ＳｉＣ）でコーティングされたカーボン（Ｃ）などが
好ましい。
晶成長装置１４のＡ−Ａ’線に沿って切断して得られる
断面の切り口を示す概略図である。この装置１４は、さ
らにサセプタと発熱体とを具えている。このサセプタ２
０は、ウェハキャリア１６とは反対側に設けられた発熱
体としてのヒータ２２により加熱される。従って、基板
１０は、サセプタ２０を介して加熱処理される。サセプ
タ２０には回転軸２４が接続されており、この回転軸２
４に接続された不図示の回転駆動源を駆動させることに
より、ｎ型ＩｎＰ基板１０をヒータ２２によって加熱さ
せる間、ウェハキャリア１６を一定速度で回転させる。
尚、サセプタ２０の材料としては、シリコンカーバイド
（ＳｉＣ）でコーティングされたカーボン（Ｃ）などが
好ましい。
【００１９】この気相結晶成長装置１４によって、回折
格子を備える半導体基板の第１主面（表面）に対して結
晶成長を行う際に、半導体基板を加熱する。この発明で
は、この加熱処理を、半導体基板とこの半導体基板を加
熱する発熱体との間に、熱伝導度変異部５０を介在させ
て、行なう。この熱伝導度変異部５０は、半導体基板と
発熱体との間の熱伝導度を、半導体基板の区分領域毎に
異ならせる作用を有している。このように、この熱伝導
度変異部５０は、区分領域毎の温度、従って、半導体基
板での温度分布を決める作用を有している。
格子を備える半導体基板の第１主面（表面）に対して結
晶成長を行う際に、半導体基板を加熱する。この発明で
は、この加熱処理を、半導体基板とこの半導体基板を加
熱する発熱体との間に、熱伝導度変異部５０を介在させ
て、行なう。この熱伝導度変異部５０は、半導体基板と
発熱体との間の熱伝導度を、半導体基板の区分領域毎に
異ならせる作用を有している。このように、この熱伝導
度変異部５０は、区分領域毎の温度、従って、半導体基
板での温度分布を決める作用を有している。
【００２０】この実施の形態によれば、半導体基板と発
熱体との間に熱伝導度変異部５０として、ウェハキャリ
ア１６の裏面に、互いに深さの異なる凹部を形成してい
る。すなわち、ウェハキャリア１６の第２主面（裏面）
に、深さの異なる凹部２６（点線で囲まれた領域）を連
続的に或いは不連続的に設けて、ウェハキャリア１６に
厚みが部分的に異なる構造部、すなわち厚み変異部を形
成してある。尚、空隙２７は、チャンバと同一圧力とし
ても良く、或いは、その他の圧力としても良い。また、
空隙２７には、適当なガスが存在していても良い。ま
た、熱伝導度変異部５０である凹部２６の形成によって
設けられる空隙２７と、連続するような空隙として空隙
２９が設けられていても良い。
熱体との間に熱伝導度変異部５０として、ウェハキャリ
ア１６の裏面に、互いに深さの異なる凹部を形成してい
る。すなわち、ウェハキャリア１６の第２主面（裏面）
に、深さの異なる凹部２６（点線で囲まれた領域）を連
続的に或いは不連続的に設けて、ウェハキャリア１６に
厚みが部分的に異なる構造部、すなわち厚み変異部を形
成してある。尚、空隙２７は、チャンバと同一圧力とし
ても良く、或いは、その他の圧力としても良い。また、
空隙２７には、適当なガスが存在していても良い。ま
た、熱伝導度変異部５０である凹部２６の形成によって
設けられる空隙２７と、連続するような空隙として空隙
２９が設けられていても良い。
【００２１】図３（Ａ）は、１つのウェハポケット１８
に着目して拡大して示した概略断面図である。ここで説
明する構成例では、この熱伝導度変異部５０を、ウェハ
キャリア１６の裏面に段差のある複数の区分領域とし
て、形成してある。これら区分領域は、円形状のウェハ
ポケット１８と対向する円形状領域を、厚みの異なる複
数の領域に分けて形成してある。例えば、この円形状領
域を、図３（Ｂ）に示すように、４つのセクタ領域（こ
こでは、象限）３０，３２，３４，３６に区分し、それ
ぞれのセクタ領域の厚みを、ウェハポケット１８の底部
２８から垂直方向に、それぞれａ，ｂ，ｃ及びｄとして
ある。
に着目して拡大して示した概略断面図である。ここで説
明する構成例では、この熱伝導度変異部５０を、ウェハ
キャリア１６の裏面に段差のある複数の区分領域とし
て、形成してある。これら区分領域は、円形状のウェハ
ポケット１８と対向する円形状領域を、厚みの異なる複
数の領域に分けて形成してある。例えば、この円形状領
域を、図３（Ｂ）に示すように、４つのセクタ領域（こ
こでは、象限）３０，３２，３４，３６に区分し、それ
ぞれのセクタ領域の厚みを、ウェハポケット１８の底部
２８から垂直方向に、それぞれａ，ｂ，ｃ及びｄとして
ある。
【００２２】図３（Ｃ）に、この熱伝導度変異部５０を
構成するウェハキャリア１６の凹部２６の領域部分を、
ウェハキャリア１６の裏面側から見た様子を概略的に斜
視図で示してある。ウェハポケット１８の底部２８から
の距離が異なる上述４つの領域は、図３（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すように、底部２８からの距離がａである領
域３０、ｂである領域３２、ｃである領域３４及びｄで
ある領域３６である。このように、ウェハポケット１８
の裏面側のウェハキャリア領域が、このように４つの領
域に分割されている。尚、ウェハキャリア１６に形成さ
れる熱伝導度変異部５０の形態は、底部２８からの距離
が異なる領域の数及び形状を、上述した構成例に限定す
るものではなく、また、回折格子の配列方向やピッチに
依存せずに他の適当な形態に変更することができる。す
なわち、熱伝導度変異部５０の形態は、半導体基板に成
長させる結晶層に所望の結晶構造を与えることが出来る
ように、半導体基板に温度分布を形成させる形態ならば
良い。
構成するウェハキャリア１６の凹部２６の領域部分を、
ウェハキャリア１６の裏面側から見た様子を概略的に斜
視図で示してある。ウェハポケット１８の底部２８から
の距離が異なる上述４つの領域は、図３（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すように、底部２８からの距離がａである領
域３０、ｂである領域３２、ｃである領域３４及びｄで
ある領域３６である。このように、ウェハポケット１８
の裏面側のウェハキャリア領域が、このように４つの領
域に分割されている。尚、ウェハキャリア１６に形成さ
れる熱伝導度変異部５０の形態は、底部２８からの距離
が異なる領域の数及び形状を、上述した構成例に限定す
るものではなく、また、回折格子の配列方向やピッチに
依存せずに他の適当な形態に変更することができる。す
なわち、熱伝導度変異部５０の形態は、半導体基板に成
長させる結晶層に所望の結晶構造を与えることが出来る
ように、半導体基板に温度分布を形成させる形態ならば
良い。
【００２３】上述した構成の高速回転型気相結晶成長装
置１４を用いて、所定の条件下において、ｎ型ＩｎＰ基
板１０上に順次所望の結晶成長を行い薄膜を累積形成す
る。但し、この形成方法は従来公知の方法であるため、
概略的に説明する。
置１４を用いて、所定の条件下において、ｎ型ＩｎＰ基
板１０上に順次所望の結晶成長を行い薄膜を累積形成す
る。但し、この形成方法は従来公知の方法であるため、
概略的に説明する。
【００２４】先ず、回折格子１２を備える各ｎ型ＩｎＰ
基板１０をその面のうち、結晶成長させる表面を上側に
して気相結晶成長装置１４内のウェハポケット１８に設
置する。
基板１０をその面のうち、結晶成長させる表面を上側に
して気相結晶成長装置１４内のウェハポケット１８に設
置する。
【００２５】そして、圧力５５Ｔｏｒｒ及びヒータ２２
の設定温度６１０℃という成膜条件下で、回折格子１２
を備えるｎ型ＩｎＰ基板１０上面に、分布帰還型レーザ
における光ガイド層用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）（図示せ
ず）を成長させた後、当該光ガイド層用膜上に多重量子
井戸構造用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）３８、光ガイド層用膜
（ＩｎＧａＡｓＰ）３９ａ及びクラッド層用膜（ｐ型Ｉ
ｎＰ）３９ｂを、Ａ3Ｈ3（アルシン）、（ＣＨ3）3Ｉｎ
（トリメチルインジウム）、（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ（トリエ
チルガリウム）及びＰＨ3（フォスフィン）の混合ガス
を、適時に適量だけそれぞれ供給することにより、順次
結晶成長させる（第１結晶成長工程）。尚、この実施の
形態における多重量子井戸構造用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）
は、一例として、７つの井戸層とこれら７つの井戸層を
隔てる６つの障壁層を備えた多重量子井戸構造（７井戸
構造）を構成しており、これら井戸層及び障壁層の膜厚
はそれぞれ６ｎｍ及び１０ｎｍとしてある。
の設定温度６１０℃という成膜条件下で、回折格子１２
を備えるｎ型ＩｎＰ基板１０上面に、分布帰還型レーザ
における光ガイド層用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）（図示せ
ず）を成長させた後、当該光ガイド層用膜上に多重量子
井戸構造用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）３８、光ガイド層用膜
（ＩｎＧａＡｓＰ）３９ａ及びクラッド層用膜（ｐ型Ｉ
ｎＰ）３９ｂを、Ａ3Ｈ3（アルシン）、（ＣＨ3）3Ｉｎ
（トリメチルインジウム）、（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ（トリエ
チルガリウム）及びＰＨ3（フォスフィン）の混合ガス
を、適時に適量だけそれぞれ供給することにより、順次
結晶成長させる（第１結晶成長工程）。尚、この実施の
形態における多重量子井戸構造用膜（ＩｎＧａＡｓＰ）
は、一例として、７つの井戸層とこれら７つの井戸層を
隔てる６つの障壁層を備えた多重量子井戸構造（７井戸
構造）を構成しており、これら井戸層及び障壁層の膜厚
はそれぞれ６ｎｍ及び１０ｎｍとしてある。
【００２６】次に、クラッド層用膜（ｐ型ＩｎＰ）３９
ｂの上側に、マスク幅が数μｍ程度であるストライプ状
のエッチングマスク４０を、各回折格子を覆うように、
形成する。マスク材料には酸化シリコン（ＳｉＯ2）な
どの酸化膜を用いて、ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技
術により形成する（図４（Ａ）参照）。
ｂの上側に、マスク幅が数μｍ程度であるストライプ状
のエッチングマスク４０を、各回折格子を覆うように、
形成する。マスク材料には酸化シリコン（ＳｉＯ2）な
どの酸化膜を用いて、ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技
術により形成する（図４（Ａ）参照）。
【００２７】そして、エッチングマスク４０から露出す
る領域に対して、少なくともｎ型ＩｎＰ基板１０に到達
する深さまでドライエッチングを行い、メサ（ｍｅｓ
ａ）構造（多重量子井戸構造３８’、光ガイド層３９
ａ’およびクラッド層３９ｂ’）を形成する。その後、
第１結晶成長工程と同条件下（圧力５５Ｔｏｒｒ及びヒ
ータ２２の設定温度６１０℃）で、エッチングマスクか
ら露出する領域（多重量子井戸層の両側に位置するｎ型
ＩｎＰ基板）に、ｐ型ＩｎＰ及びｎ型ＩｎＰからなる電
流狭窄層（電流ブロック層ともいう）４２を結晶成長さ
せる。尚、ｐ型電流狭窄層のドーパントに（ＣＨ3）2Ｚ
ｎ（ジメチル亜鉛）を用い、ｎ型電流狭窄層のドーパン
トにＳｉ2Ｈ6（ジシラン）を用いる。
る領域に対して、少なくともｎ型ＩｎＰ基板１０に到達
する深さまでドライエッチングを行い、メサ（ｍｅｓ
ａ）構造（多重量子井戸構造３８’、光ガイド層３９
ａ’およびクラッド層３９ｂ’）を形成する。その後、
第１結晶成長工程と同条件下（圧力５５Ｔｏｒｒ及びヒ
ータ２２の設定温度６１０℃）で、エッチングマスクか
ら露出する領域（多重量子井戸層の両側に位置するｎ型
ＩｎＰ基板）に、ｐ型ＩｎＰ及びｎ型ＩｎＰからなる電
流狭窄層（電流ブロック層ともいう）４２を結晶成長さ
せる。尚、ｐ型電流狭窄層のドーパントに（ＣＨ3）2Ｚ
ｎ（ジメチル亜鉛）を用い、ｎ型電流狭窄層のドーパン
トにＳｉ2Ｈ6（ジシラン）を用いる。
【００２８】その後、ストライプ状のエッチングマスク
を、酸性のエッチング溶液を用いてウェットエッチング
により除去する。然る後、第１及び第２結晶成長工程と
同条件下で、クラッド層（ｐ型ＩｎＰ）４３及びコンタ
クト層（ｐ型ＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ）４４
を結晶成長させた後、任意好適な方法によって電極等を
形成しＢＨ構造を有する分布帰還型半導体レーザアレイ
を形成する（図４（Ｂ）参照）。尚、双方の層のドーパ
ントには、（ＣＨ3）2Ｚｎ（ジメチル亜鉛）を用いる。
を、酸性のエッチング溶液を用いてウェットエッチング
により除去する。然る後、第１及び第２結晶成長工程と
同条件下で、クラッド層（ｐ型ＩｎＰ）４３及びコンタ
クト層（ｐ型ＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰ）４４
を結晶成長させた後、任意好適な方法によって電極等を
形成しＢＨ構造を有する分布帰還型半導体レーザアレイ
を形成する（図４（Ｂ）参照）。尚、双方の層のドーパ
ントには、（ＣＨ3）2Ｚｎ（ジメチル亜鉛）を用いる。
【００２９】上述した説明から明らかなように、この実
施の形態では、ウェハキャリア１６の裏面に加工を施し
て、ウェハポケット１８の底部２８からの距離を異なら
せる複数の領域（３０，３２，３４，３６）を形成した
ことにより、ウェハキャリア１６とサセプタ２０との間
に距離の異なる空隙が出来ている。これら空隙に起因し
て、ヒータ２２側からｎ型ＩｎＰ基板１０に向かう方向
の熱伝導度が、ｎ型ＩｎＰ基板１０の裏面の部分領域毎
に異なる。
施の形態では、ウェハキャリア１６の裏面に加工を施し
て、ウェハポケット１８の底部２８からの距離を異なら
せる複数の領域（３０，３２，３４，３６）を形成した
ことにより、ウェハキャリア１６とサセプタ２０との間
に距離の異なる空隙が出来ている。これら空隙に起因し
て、ヒータ２２側からｎ型ＩｎＰ基板１０に向かう方向
の熱伝導度が、ｎ型ＩｎＰ基板１０の裏面の部分領域毎
に異なる。
【００３０】このように、ヒータ２２から基板１０の第
２主面（裏面）への熱伝導度が、基板の裏面の部分領域
毎に変わると、基板の裏面から表面に至る区分領域毎に
温度差が生じる。すなわち、基板の表面での温度が区分
領域毎に異なってくる。
２主面（裏面）への熱伝導度が、基板の裏面の部分領域
毎に変わると、基板の裏面から表面に至る区分領域毎に
温度差が生じる。すなわち、基板の表面での温度が区分
領域毎に異なってくる。
【００３１】従って、基板１０表面の温度分布と基板表
面に成膜される各層の層厚及び組成との相関関係の実測
データを予め求めれば、成膜すべき結晶層の種類に応じ
た熱伝導度変異部５０が形成されたウェハキャリア１６
を用意することが出来る。
面に成膜される各層の層厚及び組成との相関関係の実測
データを予め求めれば、成膜すべき結晶層の種類に応じ
た熱伝導度変異部５０が形成されたウェハキャリア１６
を用意することが出来る。
【００３２】よって、形成しようとする多重量子井戸構
造に適した構造のウェハキャリア１６を用いて、ウェハ
に結晶構造（組成）の異なる多重量子井戸層を設計値通
りに複数形成できるため、各素子ごとに利得ピーク波長
を異ならせることができる。その上、各多重量子井戸層
の膜厚を実質的に同一に形成できることから、得られる
半導体発光素子の閾値電流、スロープ効率及び温度特性
等の各種特性を所望の設計値通りに形成でき、製品歩留
まりが向上する。
造に適した構造のウェハキャリア１６を用いて、ウェハ
に結晶構造（組成）の異なる多重量子井戸層を設計値通
りに複数形成できるため、各素子ごとに利得ピーク波長
を異ならせることができる。その上、各多重量子井戸層
の膜厚を実質的に同一に形成できることから、得られる
半導体発光素子の閾値電流、スロープ効率及び温度特性
等の各種特性を所望の設計値通りに形成でき、製品歩留
まりが向上する。
【００３３】従って、回折格子ピッチで決まる発振波長
と結晶構造で決まる利得ピーク波長との差（ディチュー
ニング量）を、従来よりも精度良く制御することができ
るので、高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導体
発光素子アレイを得ることができる。
と結晶構造で決まる利得ピーク波長との差（ディチュー
ニング量）を、従来よりも精度良く制御することができ
るので、高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導体
発光素子アレイを得ることができる。
【００３４】また、選択成長用マスクが不要なため製造
工程が減り、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造
することができる。
工程が減り、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造
することができる。
【００３５】尚、熱伝導度変異部５０となるウェハキャ
リア１６の裏面の加工形状は、上述のみに限られず、例
えば、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すような形状であって
も、この実施の形態と同様の効果を得ることが出来る。
リア１６の裏面の加工形状は、上述のみに限られず、例
えば、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すような形状であって
も、この実施の形態と同様の効果を得ることが出来る。
【００３６】図５（Ａ）に示す構成例では、熱伝導度変
異部５０を、ウェハポケット１８と同一の大きさの裏面
領域に、中心が山高で、周辺に向かって階段的に低くな
る同心リング状の形態に、形成している。
異部５０を、ウェハポケット１８と同一の大きさの裏面
領域に、中心が山高で、周辺に向かって階段的に低くな
る同心リング状の形態に、形成している。
【００３７】また、図５（Ｂ）に示す構成例では、熱伝
導度変異部５０を、円の直径の一端から他端に向けて、
当該直径に直交する方向にストライプ状に伸びているス
トライプを階段状の形態に、形成している。
導度変異部５０を、円の直径の一端から他端に向けて、
当該直径に直交する方向にストライプ状に伸びているス
トライプを階段状の形態に、形成している。
【００３８】＜第２の実施の形態＞第２の実施の形態に
よれば、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝
導度を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせる
熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうち
ヒータ２２と対向する側の面、すなわち第２主面（裏
面）自体に形成する。
よれば、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝
導度を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせる
熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうち
ヒータ２２と対向する側の面、すなわち第２主面（裏
面）自体に形成する。
【００３９】すなわち、この実施の形態では、ウェハキ
ャリア１６は、第１の実施の形態とは異なり、上述した
ような熱伝導度変異部を備えておらず、ウェハキャリア
１６の裏面は、例えば、平坦構造（図示せず）である。
しかし、この実施の形態での構成例では、ｎ型ＩｎＰ基
板１０のうち、ヒータ２２と対向する側の第２主面自体
に加工を施すことによって熱伝導度変異部５０を形成し
て、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝導度
を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせてい
る。
ャリア１６は、第１の実施の形態とは異なり、上述した
ような熱伝導度変異部を備えておらず、ウェハキャリア
１６の裏面は、例えば、平坦構造（図示せず）である。
しかし、この実施の形態での構成例では、ｎ型ＩｎＰ基
板１０のうち、ヒータ２２と対向する側の第２主面自体
に加工を施すことによって熱伝導度変異部５０を形成し
て、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝導度
を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせてい
る。
【００４０】図６（Ａ）は、第２の実施の形態における
熱伝導度変異部５０を説明するための、ｎ型ＩｎＰ基板
１０の第２主面（裏面）側からみた概略平面図である。
この実施の形態では、熱伝導度変異部５０として、ｎ型
ＩｎＰ基板１０のうち、ヒータ２２と対向する第２主面
すなわち裏面自体に、複数の厚みの異なる区分領域とし
て同心円状に形成してある。
熱伝導度変異部５０を説明するための、ｎ型ＩｎＰ基板
１０の第２主面（裏面）側からみた概略平面図である。
この実施の形態では、熱伝導度変異部５０として、ｎ型
ＩｎＰ基板１０のうち、ヒータ２２と対向する第２主面
すなわち裏面自体に、複数の厚みの異なる区分領域とし
て同心円状に形成してある。
【００４１】各区分領域間に段差４６ａ，４６ｂを設け
てある。尚、段差４６ａ，４６ｂは、任意好適なエッチ
ング等の切削加工によって、基板１０裏面側に底面まで
の距離の異なる貫通しない凹部４７ａ，４７ｂを形成す
ることによって、得ることが出来る。
てある。尚、段差４６ａ，４６ｂは、任意好適なエッチ
ング等の切削加工によって、基板１０裏面側に底面まで
の距離の異なる貫通しない凹部４７ａ，４７ｂを形成す
ることによって、得ることが出来る。
【００４２】また、ｎ型ＩｎＰ基板１０の裏面形状を同
心円状とすることにより、ウェハポケット１８内でのｎ
型ＩｎＰ基板１０を、安定な状態で支持させることがで
きる。
心円状とすることにより、ウェハポケット１８内でのｎ
型ＩｎＰ基板１０を、安定な状態で支持させることがで
きる。
【００４３】そして、この実施の形態では、この熱伝導
度変異部５０が形成されたウェハ上に、第１の実施の形
態と同様の工程を経て、半導体発光素子アレイを形成す
る。尚、切削加工によって形成された段差４６ａ，４６
ｂは、後工程において任意好適な研磨処理によって平坦
化することが出来る。尚、この場合も、熱伝導度変異部
５０の形態は、半導体基板に成長させる結晶層に所望の
結晶構造を与えることが出来るように、半導体基板に温
度分布を形成させる形態ならば良い。
度変異部５０が形成されたウェハ上に、第１の実施の形
態と同様の工程を経て、半導体発光素子アレイを形成す
る。尚、切削加工によって形成された段差４６ａ，４６
ｂは、後工程において任意好適な研磨処理によって平坦
化することが出来る。尚、この場合も、熱伝導度変異部
５０の形態は、半導体基板に成長させる結晶層に所望の
結晶構造を与えることが出来るように、半導体基板に温
度分布を形成させる形態ならば良い。
【００４４】上述した説明から明らかなように、この実
施の形態では、これまでの結晶成長装置をそのまま適用
させることができるとともに、第１の実施の形態と同様
の効果が得られる。
施の形態では、これまでの結晶成長装置をそのまま適用
させることができるとともに、第１の実施の形態と同様
の効果が得られる。
【００４５】＜第３の実施の形態＞第３の実施の形態に
よれば、第２の実施の形態と同様に、熱伝導度変異部５
０を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の第２主面上に形成する点が
第１の実施の形態と異なる。
よれば、第２の実施の形態と同様に、熱伝導度変異部５
０を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の第２主面上に形成する点が
第１の実施の形態と異なる。
【００４６】そこで、ｎ型ＩｎＰ基板１０の概略平面図
を図６（Ｂ）に示す。この実施の形態では、熱伝導度変
異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうちヒータ２２
と対向する第２主面すなわち裏面上に、複数の厚みの異
なる区分を同心円状に形成してある。各区分領域間に、
段差４８ａ，４８ｂを設けてある。これらの段差４８
ａ，４８ｂは、基板１０の裏面上に、熱的安定性を有す
る酸化膜及び窒化膜の双方またはいずれか一方によっ
て、円盤上の凸部４９ａ，４９ｂを順次に同心円状に重
ねた形態で形成する。この凸部４９ａ，４９ｂは、通常
の、ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技術によって設ける
ことが出来る。
を図６（Ｂ）に示す。この実施の形態では、熱伝導度変
異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうちヒータ２２
と対向する第２主面すなわち裏面上に、複数の厚みの異
なる区分を同心円状に形成してある。各区分領域間に、
段差４８ａ，４８ｂを設けてある。これらの段差４８
ａ，４８ｂは、基板１０の裏面上に、熱的安定性を有す
る酸化膜及び窒化膜の双方またはいずれか一方によっ
て、円盤上の凸部４９ａ，４９ｂを順次に同心円状に重
ねた形態で形成する。この凸部４９ａ，４９ｂは、通常
の、ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技術によって設ける
ことが出来る。
【００４７】そして、第１の実施の形態と同様の工程を
経て、この熱伝導度変異部５０が形成されたウェハ上に
半導体発光素子アレイを形成する。尚、設けられた段差
４８ａ，４８ｂは、後工程において任意好適なエッチン
グ処理によって平坦化することが出来る。尚、この場合
も、熱伝導度変異部５０の形態は、半導体基板に成長さ
せる結晶層に所望の結晶構造を与えることが出来るよう
に、半導体基板に温度分布を形成させる形態ならば良
い。
経て、この熱伝導度変異部５０が形成されたウェハ上に
半導体発光素子アレイを形成する。尚、設けられた段差
４８ａ，４８ｂは、後工程において任意好適なエッチン
グ処理によって平坦化することが出来る。尚、この場合
も、熱伝導度変異部５０の形態は、半導体基板に成長さ
せる結晶層に所望の結晶構造を与えることが出来るよう
に、半導体基板に温度分布を形成させる形態ならば良
い。
【００４８】上述した説明から明らかなように、この実
施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００４９】＜第４の実施の形態＞第４の実施の形態に
よれば、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝
導度変異部５０として、ウェハキャリア１６の裏面とヒ
ータ２２との間に、複数の熱伝導度変異領域をｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１０の区分領域毎に備えるとともに、実質的に均
一な厚みを有する熱伝導度変異部５０を形成している。
よれば、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝
導度変異部５０として、ウェハキャリア１６の裏面とヒ
ータ２２との間に、複数の熱伝導度変異領域をｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１０の区分領域毎に備えるとともに、実質的に均
一な厚みを有する熱伝導度変異部５０を形成している。
【００５０】図７（Ａ）は、この実施の形態における気
相結晶成長装置のうち、１つのウェハポケット１８に着
目して示した概略断面図及び概略平面図である。ここで
説明する構成例では、この熱伝導度変異部５０として、
例えば、４つの異なる材料から成る熱伝導度変異領域
（６０，６２，６４，６６）をｎ型ＩｎＰ基板１０の区
分領域毎に形成するとともに、この熱伝導度変異部５０
の厚みを実質的に均一となるように形成してある。尚、
領域６８には、適当なガスが存在していても良く、或い
は、熱伝導度変異部５０の一部として形成しても良い。
この実施の形態では、この熱伝導度変異部５０を、例え
ば、４つの縞状に区分してある。
相結晶成長装置のうち、１つのウェハポケット１８に着
目して示した概略断面図及び概略平面図である。ここで
説明する構成例では、この熱伝導度変異部５０として、
例えば、４つの異なる材料から成る熱伝導度変異領域
（６０，６２，６４，６６）をｎ型ＩｎＰ基板１０の区
分領域毎に形成するとともに、この熱伝導度変異部５０
の厚みを実質的に均一となるように形成してある。尚、
領域６８には、適当なガスが存在していても良く、或い
は、熱伝導度変異部５０の一部として形成しても良い。
この実施の形態では、この熱伝導度変異部５０を、例え
ば、４つの縞状に区分してある。
【００５１】そして、第１の実施の形態と同様の工程を
経て、ウェハ上に半導体発光素子アレイを形成する。
経て、ウェハ上に半導体発光素子アレイを形成する。
【００５２】上述した説明から明らかなように、この実
施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。尚、区分領域の形状は上述のみに限られず、半導体
基板に成長させる結晶層に所望の結晶構造を与えること
が出来るように、半導体基板に温度分布を形成させる形
態ならば良い。この熱伝導度変異部５０は、例えば、図
７（Ｂ）及び（Ｃ）に示す概略平面図のような同心リン
グ状の区分領域（図７（Ｂ）及びセクタ領域（図７
（Ｃ））とした形状であっても、この実施の形態と同様
の効果を得ることが出来る。
施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果が得られ
る。尚、区分領域の形状は上述のみに限られず、半導体
基板に成長させる結晶層に所望の結晶構造を与えること
が出来るように、半導体基板に温度分布を形成させる形
態ならば良い。この熱伝導度変異部５０は、例えば、図
７（Ｂ）及び（Ｃ）に示す概略平面図のような同心リン
グ状の区分領域（図７（Ｂ）及びセクタ領域（図７
（Ｃ））とした形状であっても、この実施の形態と同様
の効果を得ることが出来る。
【００５３】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明によれば、成長させるべき結晶層に応じて、基板の
結晶成長面の温度を、熱伝導度変異部を利用することに
より、より正確に制御できるので、半導体基板上に、複
数の結晶構造（組成）の異なる成長結晶層、例えば、多
重量子井戸構造となる井戸層及び障壁層を設計値通りに
形成でき、製品歩留まりを向上させることができる。
発明によれば、成長させるべき結晶層に応じて、基板の
結晶成長面の温度を、熱伝導度変異部を利用することに
より、より正確に制御できるので、半導体基板上に、複
数の結晶構造（組成）の異なる成長結晶層、例えば、多
重量子井戸構造となる井戸層及び障壁層を設計値通りに
形成でき、製品歩留まりを向上させることができる。
【００５４】従って、回折格子ピッチで決まる発振波長
と結晶構造で決まる利得ピーク波長との差（ディチュー
ニング量）を、従来よりも精度良く制御することができ
るので、高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導体
発光素子アレイを得ることができる。
と結晶構造で決まる利得ピーク波長との差（ディチュー
ニング量）を、従来よりも精度良く制御することができ
るので、高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導体
発光素子アレイを得ることができる。
【００５５】また、選択成長用マスクが不要なため製造
工程が減り、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造
することができる。
工程が減り、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造
することができる。
【図１】この発明に用いられる半導体基板を示す図であ
る。
る。
【図２】第１の実施の形態の説明図である。
【図３】第１の実施の形態の説明図である。
【図４】第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図５】第１の実施の形態における変形例の説明図であ
る。
る。
【図６】第２及び第３の実施の形態の説明図である。
【図７】第４の実施の形態の説明図である。
１０：ｎ型ＩｎＰ基板
１２：回折格子
１４：高速回転型気相結晶成長装置
１６：ウェハキャリア
１８：ウェハポケット
２０：サセプタ
２２：ヒータ
２４：回転軸
２６：凹部（＝熱伝導度変異部５０）
２７，２９：空隙
２８：ウェハポケット底部
３０，３２，３４，３６：領域
３８：多重量子井戸構造用膜
３８'：多重量子井戸構造
３９ａ：光ガイド層用膜
３９ａ'：光ガイド層
３９ｂ：クラッド層用膜
３９ｂ'，４３：クラッド層
４０：エッチングマスク
４２：電流狭窄層
４４：コンタクト層
４６ａ，４６ｂ：切削加工によって形成された段差
４７ａ，４７ｂ：切削加工によって形成された凹部
４８ａ，４８ｂ：ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技術に
よって形成された段差 ４９ａ，４９ｂ：ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技術に
よって形成された凸部 ５０：熱伝導度変異部 ６０，６２，６４，６６：熱伝導度変異領域（＝熱伝導
度変異部５０） ６８：領域
よって形成された段差 ４９ａ，４９ｂ：ＣＶＤ法及びホトリソグラフィ技術に
よって形成された凸部 ５０：熱伝導度変異部 ６０，６２，６４，６６：熱伝導度変異領域（＝熱伝導
度変異部５０） ６８：領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB12 AB18 AC01 AC08
AC09 AD10 AE23 AF01 AF04
AF12 CA12 DA53 DA55 DP15
DP27 EB02 EK07 EK27 EK30
EM02 EM06 EM09
5F073 AA63 AA72 BA01 CA12 DA05
EA03
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体発光素子を半導体基板上に複数配
列させて半導体発光素子を製造するに当たり、 半導体基板上に、回折格子を複数区分領域に形成し、 前記回折格子を備える前記半導体基板上に結晶成長させ
る際に、前記半導体基板と該半導体基板を加熱する発熱
体との間に、前記半導体基板と前記発熱体との間の熱伝
導度を、前記半導体基板の区分領域毎に異ならせる熱伝
導度変異部を介在させて、前記半導体基板を加熱するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記回折格子の各々の区分領域の格子ピ
ッチは、隣り合う区分領域内の前記回折格子ごとに異な
っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光
素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記発熱体を、前記半導体基板のうち前
記結晶成長させる第１主面とは反対側の第２主面側に設
けていることを特徴とする請求項１または２に記載の半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体基板が載置される第１主面
と、前記熱伝導度変異部が形成された第２主面とを有す
るウェハキャリアを用意し、 前記半導体基板を、該ウェハキャリアを介在させて前記
発熱体に対向配置して、前記半導体基板を加熱すること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の
半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記熱伝導度変異部を、前記ウェハキャ
リアの第２主面に、互いに深さの異なる複数の凹部を形
成して設けることを特徴とする請求項４に記載の半導体
発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記熱伝導度変異部を、前記半導体基板
のうち、前記結晶成長させる第１主面とは反対側の第２
主面に形成することを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記熱伝導度変異部を、前記半導体基板
の第２主面に、酸化膜及び窒化膜の双方またはいずれか
一方で、各区分領域ごとに厚みを変えて形成することを
特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項８】 前記熱伝導度変異部を、前記半導体基板
の第２主面自体に、各区分領域ごとに深さの異なる複数
の凹部を形成して設けることを特徴とする請求項６に記
載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記半導体基板が載置されるウェハキャ
リアの第１主面と、前記ウェハキャリアは、前記発熱体
と対向する第２主面を有し、 前記熱伝導度変異部を、前記ウェハキャリアの第２主面
と前記発熱体との間に、熱伝導度変異領域を前記半導体
基板の各区分領域毎に、前記熱伝導度が異なるように設
け、 前記半導体基板を、該ウェハキャリアの前記第１主面に
載置して、前記発熱体に対向配置する前記半導体基板の
第２主面を加熱することを特徴とする請求項１ないし３
のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001274851A JP2003086890A (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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