JP3881041B2 - 化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は化合物半導体素子の製造方法に関し、特に詳細には、基板のエッチング残厚を精度良く制御できるようにした化合物半導体素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、多くの半導体発光素子においてビーム品質の向上が望まれており、そのような要求を満たす素子として単一横モード半導体レーザが挙げられる。単一横モード半導体レーザとしては様々なものが知られているが、最も代表的なものとして、屈折率導波型レーザが挙げられる。
【0003】
図4は、この屈折率導波型レーザの一例を示すものである。図中の1はGaAs基板、2はn型AlGaAsクラッド層、3は活性層、4はp型AlGaAsクラッド層、7はp型GaAsコンタクト層、9はp型InGaPブロック層、10はn型InGaPブロック層、13はp型電極、14はn型電極である。図示されている通りこの種の屈折率導波型レーザは、活性層3の発光領域に対応するクラッド層4の左右両側が、該クラッド層4よりも屈折率の小さい半導体層(ブロック層9および10)で埋め込まれた構造を有し、光が屈折率の大きい層に集まる性質を利用して単一横モード発振させるものである。
【0004】
従来、この種の半導体素子を作製するには、まず活性層3の上に全面的にクラッド層4を形成した後、このクラッド層4の左右両側部分を上面から活性層3の近傍までエッチングし、このエッチングされた部分にブロック層9および10を埋め込み再成長させる方法が採用されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、クラッド層のエッチングによる残厚t、すなわち活性層から埋め込み層までの厚さは一般に数十〜百nmとされ、この厚さが素子特性に大きく影響する。このエッチングは通常ウェットエッチングによってなされているが、その際のエッチング残厚tの制御は非常に難しく、このため、所望の素子特性が得られ難くて、素子作製の歩留りが非常に低くなっていた。
【0006】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、選択エッチングによる残厚を再現性良く制御可能な化合物半導体素子の製造方法を得ることを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明による化合物半導体素子の製造方法は、有機金属気相成長により基板上に化合物半導体を結晶成長させて発光素子である半導体素子を製造する方法において、
有機金属気相成長を行う反応装置内で、GaAs基板上に、少なくとも第1導電型AlGaAsクラッド層、活性層、第2導電型AlGaAsクラッド層および第2導電型GaAsコンタクト層を結晶成長させる工程と、
前記第2導電型GaAsコンタクト層上の一部に絶縁膜を形成する工程と、
有機金属気相成長を行う反応装置内で、前記第2導電型GaAsコンタクト層および第2導電型AlGaAsクラッド層の一部を、該第2導電型AlGaAsクラッド層の所望残厚に対応した値に流量を制御したトリスジメチルアミノアルシンを用いて選択的にガスエッチングしてリッジを形成する工程と、
該反応装置内において引き続き、前記導電型GaAsコンタクト層および第2導電型AlGaAsクラッド層のガスエッチングされた部分を含む領域に、第1導電型電流InGaPブロック層を選択的に結晶成長させる工程とを含むことを特徴とするものである。
【0008】
なお上記有機V族原料の代表的なものとしては、例えばトリスジメチルアミノアルシン[((CH3 )2 N)3 As:以下、TDMAAと称する]が挙げられる。
【0009】
【発明の効果】
TDMAAに代表される有機V族原料は、熱分解によりジメチルアミノ基やジエチルアミノ基を遊離し、それらの基は化合物半導体をエッチングすることが知られている。
【0010】
そして本発明者の研究によると、このような有機V族原料により化合物半導体基板(基板材料そのものも、また前述のクラッド層など基板と一体化されたものも含む)をエッチングする際には、その流量や基板温度等とエッチング速度との間に顕著な相関関係があることが判明した。そこで、この有機V族原料を用いて、基板上に形成された化合物半導体をエッチングすれば、ガス流量や基板温度等を制御することにより、再現性良くエッチング量を(つまりはエッチング残厚を)制御可能となる。
【0011】
また本発明では、エッチングから化合物半導体層の選択成長までを、反応装置内で基板を大気中にさらすことなく連続して行なうようにしているので、良好な結晶界面、結晶性が得られて、素子特性が格段に向上するという効果も得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態により化合物半導体素子を製造する様子を概略的に示すものである。なおこの実施の形態は、屈折率導波型の単一横モード半導体レーザを製造する場合に本発明を適用したものである。
【0013】
まずMOVPE装置で有機金属気相成長法により、n型GaAs基板1の上にn型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層2、活性層3、p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4、p型GaAsコンタクト層7を連続成長させる。続いて基板1をMOVPE装置から取り出し、公知の膜形成技術により上記コンタクト層7の上にSiO2 等の絶縁膜8を作製した後、図1(a)に示すように、フォトリソグラフィ技術により、発光領域から左右両側に外れている部分の絶縁膜8をエッチングにより除去する。
【0014】
次に基板1を再びMOVPE装置内に入れ、基板温度を600 ℃にしてTDMAAを流し、絶縁膜8に覆われていない部分を上側からエッチングする。このエッチングが完了した状態を図1(b)に示す。ここで、図2にTDMAA流量とGaAsのエッチング速度との関係を示すが、このようにエッチング速度はガスの流量により容易に制御可能であるので、エッチング時間を制御することでエッチング量を、つまりは活性層3の上のエッチング残厚tを再現性良く正確に制御できる。
【0015】
このエッチングが完了した後、基板1をMOVPE装置内に入れたまま、図1(c)に示すように、p型InGaPブロック層9、n型InGaPブロック層10、p型GaAsコンタクト層11を選択再成長させる。次に基板1をMOVPE装置から取り出し、最後に電極を形成して単一横モード半導体レーザ素子が得られる。
【0016】
上述したようにこの実施の形態では、活性層3の上のエッチング残厚t、つまり活性層3から埋め込み層であるp型InGaPブロック層9までの厚さを正確に制御できるので、この厚さに左右される素子特性を、容易に所望のものとすることができる。
【0017】
次に図3を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。なおこの第2の実施の形態も、屈折率導波型の単一横モード半導体レーザを製造する場合に本発明を適用したものである。
【0018】
まずMOVPE装置で有機金属気相成長法により、n型GaAs基板1の上にn型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層2、活性層3、p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4、p型GaAsコンタクト層7を連続成長させる。続いて基板1をMOVPE装置から取り出し、公知の膜形成技術により上記コンタクト層7の上にSiO2 等の絶縁膜8を作製した後、図3(a)に示すように、フォトリソグラフィ技術により、発光領域から左右両側に外れている部分の絶縁膜8をエッチングにより除去する。
【0019】
次に図3(b)に示すように、上記絶縁膜8をマスクとしてドライエッチングにより、p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層4の途中までエッチングする。なおドライエッチング法では、エッチング速度をガス流量や印加電圧により容易かつ安定に制御できるので、エッチング時間を制御することにより、エッチング残厚t’を比較的容易に所望の値にすることが可能である。
【0020】
ここでは、絶縁膜8を頭に垂直なリッジが形成される。そのため、この形状のまま第1の実施の形態におけるのと同様の選択埋め込み成長を行なうと、マスクのひさしが無いためにマスク近傍では異常成長が起こり、図3(e)に示すようにマスク脇の部分だけ盛り上がった形状になり、表面が平坦な素子が得られなくなる。この盛り上がりは素子をヒートシンク等に融着する際の妨げとなり、素子特性上問題となる。
【0021】
しかしここで、基板1を再びMOVPE装置内に入れ、基板温度を600 ℃としてTDMAAを流し、ガスによるエッチングを行なうことにより、図3(c)に示すように絶縁膜8のひさしを形成することができる。
【0022】
そしてこのエッチングが完了した後、基板1をMOVPE装置内に入れたまま、図3(d)に示すように、p型InGaPブロック層9、n型InGaPブロック層10、p型GaAsコンタクト層11を選択再成長させる。次に基板1をMOVPE装置から取り出し、最後に電極を形成して単一横モード半導体レーザ素子が得られる。この場合は、TDMAAによるエッチングを行なうことにより、上記マスク近傍での異常成長を防止して、表面が平坦な埋め込み構造を形成することができる。
【0023】
TDMAAを用いたエッチングにより上述の効果が得られても、その際のエッチング残厚tを正確に制御できなければ、所望の素子特性を得ることは難しくなる。しかしこの場合も、TDMAAによるエッチングを行なう前のエッチング残厚t’は前述の通り所望値に制御可能であるし、TDMAAによるエッチング後の残厚tも、第1の実施の形態におけるのと同様にエッチング時間を制御することで正確に制御できるから、容易に所望の素子特性が得られるようになる。
【0024】
なお、以上説明した2つの実施の形態では、ガスエッチングにTDMAAを用いたが、その他の有機V族原料、例えばトリスジメチルアミノホスフィン、トリスジメチルアミノアンチモン、トリスジエチルアミノアルシン等を用いても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による化合物半導体素子の製造方法を説明する概略図
【図2】TDMAA流量とエッチング速度との関係の一例を示すグラフ
【図3】本発明の第2の実施の形態による化合物半導体素子の製造方法を説明する概略図
【図4】屈折率導波型レーザの一例を示す概略立断面図
【符号の説明】
1 GaAs基板
2 n型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層
3 活性層
4 p型Al0.5 Ga0.5 Asクラッド層
7 p型GaAsコンタクト層
8 SiO2 絶縁膜
9 p型InGaPブロック層
10 n型InGaPブロック層
11 p型GaAsコンタクト層
13 p型電極
14 n型電極
Claims (1)
- 有機金属気相成長により基板上に化合物半導体を結晶成長させて発光素子である半導体素子を製造する方法において、
有機金属気相成長を行う反応装置内で、GaAs基板上に、少なくとも第1導電型AlGaAsクラッド層、活性層、第2導電型AlGaAsクラッド層および第2導電型GaAsコンタクト層を結晶成長させる工程と、
前記第2導電型GaAsコンタクト層上の一部に絶縁膜を形成する工程と、
有機金属気相成長を行う反応装置内で、前記第2導電型GaAsコンタクト層および第2導電型AlGaAsクラッド層の一部を、該第2導電型AlGaAsクラッド層の所望残厚に対応した値に流量を制御したトリスジメチルアミノアルシンを用いて選択的にガスエッチングしてリッジを形成する工程と、
該反応装置内において引き続き、前記第2導電型GaAsコンタクト層および第2導電型AlGaAsクラッド層のガスエッチングされた部分を含む領域に、第1導電型InGaP電流ブロック層を選択的に結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
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JP17061695A JP3881041B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 化合物半導体素子の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH0922894A JPH0922894A (ja) | 1997-01-21 |
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JP4653124B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2011-03-16 | 古河電気工業株式会社 | 半導体素子製造方法 |
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1995
- 1995-07-06 JP JP17061695A patent/JP3881041B2/ja not_active Expired - Fee Related
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