JPH08148757A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩留りを低下させることなく、容易に、かつ
再現性よく窓構造を有する半導体レーザを製造すること
ができる半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 ｎ−ＧａＡｓ基板１２ａ上にｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１１を成長させた後、ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１１上にＧａＩｎＰ層を、そのレーザ共振器端
面近傍領域３に形成される部分をレーザ光１５で加熱す
ると同時に、その全体をＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も
大きくなる成長温度以上の温度で成長させて、レーザ共
振器端面近傍に窓構造部１０ａを有する活性層１０を形
成する。
再現性よく窓構造を有する半導体レーザを製造すること
ができる半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 ｎ−ＧａＡｓ基板１２ａ上にｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１１を成長させた後、ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１１上にＧａＩｎＰ層を、そのレーザ共振器端
面近傍領域３に形成される部分をレーザ光１５で加熱す
ると同時に、その全体をＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も
大きくなる成長温度以上の温度で成長させて、レーザ共
振器端面近傍に窓構造部１０ａを有する活性層１０を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザの製造
方法に関し、特に窓構造を有する半導体レーザの製造方
法に関するものである。
方法に関し、特に窓構造を有する半導体レーザの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系レ
ーザにおいては、レーザ共振器端面近傍の活性層に窓構
造、即ち、バンドギャップを広げた構造を導入すること
により、レーザ共振器端面におけるレーザ光の吸収を低
減して、ＣＯＤ（CatastrophicOptical Damage:光学的
損傷）レベルを上げて、高出力で、長寿命な半導体レー
ザを得ようとする試みがなされている。この窓構造は、
例えば、自然超格子構造を有する活性層のレーザ共振器
端面近傍領域に不純物を拡散させ自然超格子をディスオ
ーダさせることによりレーザ共振器端面近傍のバンドギ
ャップを広げたり、レーザ共振器端面にバンドギャップ
の広い結晶を成長させることにより形成されている。
ーザにおいては、レーザ共振器端面近傍の活性層に窓構
造、即ち、バンドギャップを広げた構造を導入すること
により、レーザ共振器端面におけるレーザ光の吸収を低
減して、ＣＯＤ（CatastrophicOptical Damage:光学的
損傷）レベルを上げて、高出力で、長寿命な半導体レー
ザを得ようとする試みがなされている。この窓構造は、
例えば、自然超格子構造を有する活性層のレーザ共振器
端面近傍領域に不純物を拡散させ自然超格子をディスオ
ーダさせることによりレーザ共振器端面近傍のバンドギ
ャップを広げたり、レーザ共振器端面にバンドギャップ
の広い結晶を成長させることにより形成されている。
【０００３】図２９は従来の窓構造を有するＡｌＧａＩ
ｎＰ／ＧａＩｎＰ系半導体レーザの構造を示す斜視図
（図２９(a))，及びそのII−II線による断面図（図２９
(b))である。図において、３００は半導体レーザ，１２
はｎ−ＧａＡｓ基板，１１はｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層，１０はＧａＩｎＰ活性層、５５は窓構造部，９
ａ，９ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，４１はｐ−
ＧａＩｎＰエッチングストッパ層，８はｐ−ＧａＩｎＰ
バンド不連続層，７ａはｐ−ＧａＡｓキャップ層，７ｂ
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層，６ａはｎ側電極，６ｂは
ｐ側電極，４０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３ｂは
レーザ共振器端面である。
ｎＰ／ＧａＩｎＰ系半導体レーザの構造を示す斜視図
（図２９(a))，及びそのII−II線による断面図（図２９
(b))である。図において、３００は半導体レーザ，１２
はｎ−ＧａＡｓ基板，１１はｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層，１０はＧａＩｎＰ活性層、５５は窓構造部，９
ａ，９ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，４１はｐ−
ＧａＩｎＰエッチングストッパ層，８はｐ−ＧａＩｎＰ
バンド不連続層，７ａはｐ−ＧａＡｓキャップ層，７ｂ
はｐ−ＧａＡｓコンタクト層，６ａはｎ側電極，６ｂは
ｐ側電極，４０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３ｂは
レーザ共振器端面である。
【０００４】また、図３０は従来の半導体レーザの製造
方法を示す工程図であり、図において、図２９と同一符
号は同一または相当する部分を示しており、５０，５１
はＳｉＮや，ＳｉＯＮ等の材料により構成される第１，
第２の絶縁膜である。
方法を示す工程図であり、図において、図２９と同一符
号は同一または相当する部分を示しており、５０，５１
はＳｉＮや，ＳｉＯＮ等の材料により構成される第１，
第２の絶縁膜である。
【０００５】次に製造方法について説明する。まず、図
３０(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に順次
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１，ＧａＩｎＰ活性層
１０，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩ
ｎＰエッチングストッパ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層９ｂ，ｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続層８，ｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａをＭＯＣＶＤ法(Metal Organic
Chemical Vapor Deposition) を用いて結晶成長させ
る。このとき、活性層１０には自然超格子が形成される
ように約６５０℃の温度で成長させる。
３０(a) に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に順次
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１，ＧａＩｎＰ活性層
１０，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩ
ｎＰエッチングストッパ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層９ｂ，ｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続層８，ｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａをＭＯＣＶＤ法(Metal Organic
Chemical Vapor Deposition) を用いて結晶成長させ
る。このとき、活性層１０には自然超格子が形成される
ように約６５０℃の温度で成長させる。
【０００６】続いて、上記ＭＯＣＶＤ法で得られた半導
体積層構造上に第１の絶縁膜５０をＣＶＤ(Chemical Va
por Deposition) 法やスパッタ法等により成膜し、この
上にレジスト（図示せず）を塗布し、写真製版，及びＲ
ＩＥ(Reactive Ion Etching)等によるドライエッチング
又はバッファードフッ酸等によるウエットエッチングに
よりレーザ共振器端面近傍となる領域の第１の絶縁膜５
０を除去する。例えば、半導体レーザ３００の共振器長
方向の長さを６５０μｍとした場合、第１の絶縁膜５０
をレーザ共振器端面から共振器長方向に約２０μｍの位
置まで除去する。さらに第１の絶縁膜５０をマスクとし
て、酒石酸系のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層７ａを選択的にエッチングした後、ＣＶＤ法や，ス
パッタ法等によりＺｎＯ膜（図示せず）を全面に成膜
し、５５０℃，１時間程度の熱処理を行なうことによ
り、第１の絶縁膜５０，及びキャップ層７ａの開口部か
らＺｎを活性層に達するまで拡散させる。このＺｎが拡
散することにより、活性層１０の自然超格子がディスオ
ーダされ、レーザ共振器端面近傍となる領域の活性層１
０のバンドギャップエネルギーがその他の活性層１０の
バンドギャップに対して大きくなり、レーザ共振器端面
近傍に窓構造部５５が形成される。その後、上記ＺｎＯ
膜を除去する（図３０(b))。
体積層構造上に第１の絶縁膜５０をＣＶＤ(Chemical Va
por Deposition) 法やスパッタ法等により成膜し、この
上にレジスト（図示せず）を塗布し、写真製版，及びＲ
ＩＥ(Reactive Ion Etching)等によるドライエッチング
又はバッファードフッ酸等によるウエットエッチングに
よりレーザ共振器端面近傍となる領域の第１の絶縁膜５
０を除去する。例えば、半導体レーザ３００の共振器長
方向の長さを６５０μｍとした場合、第１の絶縁膜５０
をレーザ共振器端面から共振器長方向に約２０μｍの位
置まで除去する。さらに第１の絶縁膜５０をマスクとし
て、酒石酸系のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層７ａを選択的にエッチングした後、ＣＶＤ法や，ス
パッタ法等によりＺｎＯ膜（図示せず）を全面に成膜
し、５５０℃，１時間程度の熱処理を行なうことによ
り、第１の絶縁膜５０，及びキャップ層７ａの開口部か
らＺｎを活性層に達するまで拡散させる。このＺｎが拡
散することにより、活性層１０の自然超格子がディスオ
ーダされ、レーザ共振器端面近傍となる領域の活性層１
０のバンドギャップエネルギーがその他の活性層１０の
バンドギャップに対して大きくなり、レーザ共振器端面
近傍に窓構造部５５が形成される。その後、上記ＺｎＯ
膜を除去する（図３０(b))。
【０００７】次に、上記半導体積層構造上に第２の絶縁
膜５１を形成した後、これを写真製版技術等を用いるこ
とにより共振器長方向に伸びるストライプ状にパターニ
ングする。続いて、このストライプ状の第２の絶縁膜５
１をマスクとして、酒石酸系のエッチング液によりｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａを選択的にエッチングし、さら
に塩酸系のエッチング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続
緩和層８をエッチング除去し、次に硫酸系のエッチング
液でｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９をｐ−ＧａＩｎＰ
エッチングストッパ層４１に達するまでエッチング除去
してリッジ構造を形成する（図３０(c))。
膜５１を形成した後、これを写真製版技術等を用いるこ
とにより共振器長方向に伸びるストライプ状にパターニ
ングする。続いて、このストライプ状の第２の絶縁膜５
１をマスクとして、酒石酸系のエッチング液によりｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａを選択的にエッチングし、さら
に塩酸系のエッチング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続
緩和層８をエッチング除去し、次に硫酸系のエッチング
液でｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９をｐ−ＧａＩｎＰ
エッチングストッパ層４１に達するまでエッチング除去
してリッジ構造を形成する（図３０(c))。
【０００８】続いて、上記第２の絶縁膜５１をマスクと
して、上記リッジを埋め込むようにｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層４０を選択再成長させ、さらに上記第１，第２
の絶縁膜５０，５１を除去した後、上記半導体積層構造
上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂを形成する（図３０
(d))。この後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂ上にｎ側
電極６ｂを、またｎ−ＧａＡｓ基板１２の裏面側にｐ側
電極６ａを形成し、Ｚｎを拡散させて形成した窓構造部
５５のレーザ共振器端面を形成する位置においてへき開
を行なうことによりレーザ共振器端面３ｂを形成して図
２９に示すような半導体レーザ３００を得る。
して、上記リッジを埋め込むようにｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層４０を選択再成長させ、さらに上記第１，第２
の絶縁膜５０，５１を除去した後、上記半導体積層構造
上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂを形成する（図３０
(d))。この後、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂ上にｎ側
電極６ｂを、またｎ−ＧａＡｓ基板１２の裏面側にｐ側
電極６ａを形成し、Ｚｎを拡散させて形成した窓構造部
５５のレーザ共振器端面を形成する位置においてへき開
を行なうことによりレーザ共振器端面３ｂを形成して図
２９に示すような半導体レーザ３００を得る。
【０００９】図２９に示した従来の半導体レーザ３００
は、自然超格子が形成された活性層１０のレーザ共振器
端面近傍にＺｎ等の不純物を拡散させることにより、こ
のＺｎを拡散させた領域の自然超格子をディスオーダさ
せて均一な組成の混晶とし、バンドギャップが活性層１
０の他の部分よりも大きくなるようにして、このＺｎを
拡散させた領域を光の吸収の起こらない窓構造５５とし
たものである。このような窓構造をレーザ共振器端面３
ｂに備えた従来の半導体レーザ３００においては、活性
層１０において発生した光がこの窓構造において吸収さ
れず、共振器端面における光学損傷（ＣＯＤ）を抑える
ことができる。
は、自然超格子が形成された活性層１０のレーザ共振器
端面近傍にＺｎ等の不純物を拡散させることにより、こ
のＺｎを拡散させた領域の自然超格子をディスオーダさ
せて均一な組成の混晶とし、バンドギャップが活性層１
０の他の部分よりも大きくなるようにして、このＺｎを
拡散させた領域を光の吸収の起こらない窓構造５５とし
たものである。このような窓構造をレーザ共振器端面３
ｂに備えた従来の半導体レーザ３００においては、活性
層１０において発生した光がこの窓構造において吸収さ
れず、共振器端面における光学損傷（ＣＯＤ）を抑える
ことができる。
【００１０】しかし、上記のような従来の半導体レーザ
の製造方法においては、活性層のレーザ共振器端面近傍
をディスオーダして窓構造を形成するためには、Ｚｎの
拡散を行なう必要があるが、拡散の制御は非常に難しい
ため、共振器端面近傍にＺｎが過剰に拡散されてしまう
場合がある。このような場合においてはＺｎが拡散され
た領域の抵抗がＺｎによって低くなるため、このＺｎを
拡散させたレーザ共振器端面近傍，即ち窓構造部５５に
レーザ発振に寄与しないリーク電流が発生して、しきい
値電流や動作電流が高くなってしまい、再現性よく所望
の特性を備えた半導体レーザを得ることができないとい
う問題があった。
の製造方法においては、活性層のレーザ共振器端面近傍
をディスオーダして窓構造を形成するためには、Ｚｎの
拡散を行なう必要があるが、拡散の制御は非常に難しい
ため、共振器端面近傍にＺｎが過剰に拡散されてしまう
場合がある。このような場合においてはＺｎが拡散され
た領域の抵抗がＺｎによって低くなるため、このＺｎを
拡散させたレーザ共振器端面近傍，即ち窓構造部５５に
レーザ発振に寄与しないリーク電流が発生して、しきい
値電流や動作電流が高くなってしまい、再現性よく所望
の特性を備えた半導体レーザを得ることができないとい
う問題があった。
【００１１】一方、図３１は従来の他の半導体レーザの
構造を示す斜視図（図３１(a))，そのIII-III 線による
断面図（図３１(b))，及びそのIV−IV線による断面図
（図３１(c))であり、この従来の他の半導体レーザはレ
ーザ共振器端面上に活性層１０よりもバンドギャップの
大きいＡｌＧａＩｎＰ層を設けるようにしたものであ
る。図において、図２９と同一符号は同一または相当す
る部分を示しており、４００は半導体レーザ，３ｃはレ
ーザ共振器端面，５２はＡｌＧａＩｎＰ窓構造層であ
る。
構造を示す斜視図（図３１(a))，そのIII-III 線による
断面図（図３１(b))，及びそのIV−IV線による断面図
（図３１(c))であり、この従来の他の半導体レーザはレ
ーザ共振器端面上に活性層１０よりもバンドギャップの
大きいＡｌＧａＩｎＰ層を設けるようにしたものであ
る。図において、図２９と同一符号は同一または相当す
る部分を示しており、４００は半導体レーザ，３ｃはレ
ーザ共振器端面，５２はＡｌＧａＩｎＰ窓構造層であ
る。
【００１２】次に従来の他の半導体レーザの製造方法に
ついて図３１を用いて説明する。まず、ＭＯＣＶＤ法に
よりｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１１，ＧａＩｎＰ活性層１０，ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストッ
パ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ｂ，ｐ−Ｇ
ａＩｎＰバンド不連続緩和層８，ｐ−ＧａＡｓキャップ
層７ａを順次結晶成長させた後、ＳｉＮ膜や，ＳｉＯＮ
等の絶縁膜（図示せず）をＣＶＤ法，スパッタ法等によ
り成膜し、写真製版技術等を利用してレーザ共振器長方
向に伸びるストライプマスク（図示せず）を形成する。
次にこれをマスクとして、酒石酸系のエッチング液によ
りｐ−ＧａＡｓキャップ層７を選択エッチングし、塩酸
系のエッチング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層
８をエッチングし、次に硫酸系のエッチング液でｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層９をｐ−ＧａＩｎＰエッチング
ストッパ層４１に達するまでエッチングしてリッジスト
ライプ構造を形成し、さらにこのリッジを埋め込むよう
にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層４０を成長した後、上記
絶縁膜を除去し、全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を
成長させ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７上にｐ側電極６
ｂを形成し、ｎ−ＧａＡｓ基板１２の裏面側にｎ側電極
６ａを形成した後、基板１２をへき開してレーザ共振器
端面３ｃを形成し、最後にレーザ共振器端面３ｃ上にレ
ーザ光を吸収しない程度にバンドギャップの大きい、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなる窓構造層５２を結晶成長さ
せて図３１に示すような半導体レーザを得る。
ついて図３１を用いて説明する。まず、ＭＯＣＶＤ法に
よりｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１１，ＧａＩｎＰ活性層１０，ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストッ
パ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ｂ，ｐ−Ｇ
ａＩｎＰバンド不連続緩和層８，ｐ−ＧａＡｓキャップ
層７ａを順次結晶成長させた後、ＳｉＮ膜や，ＳｉＯＮ
等の絶縁膜（図示せず）をＣＶＤ法，スパッタ法等によ
り成膜し、写真製版技術等を利用してレーザ共振器長方
向に伸びるストライプマスク（図示せず）を形成する。
次にこれをマスクとして、酒石酸系のエッチング液によ
りｐ−ＧａＡｓキャップ層７を選択エッチングし、塩酸
系のエッチング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層
８をエッチングし、次に硫酸系のエッチング液でｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層９をｐ−ＧａＩｎＰエッチング
ストッパ層４１に達するまでエッチングしてリッジスト
ライプ構造を形成し、さらにこのリッジを埋め込むよう
にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層４０を成長した後、上記
絶縁膜を除去し、全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層７を
成長させ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７上にｐ側電極６
ｂを形成し、ｎ−ＧａＡｓ基板１２の裏面側にｎ側電極
６ａを形成した後、基板１２をへき開してレーザ共振器
端面３ｃを形成し、最後にレーザ共振器端面３ｃ上にレ
ーザ光を吸収しない程度にバンドギャップの大きい、例
えばＡｌＧａＩｎＰからなる窓構造層５２を結晶成長さ
せて図３１に示すような半導体レーザを得る。
【００１３】上記のような従来の他の半導体レーザ４０
０においても、レーザ共振器端面３ｃ上に活性層１０よ
りもバンドギャップの大きい窓構造層５２を設けたこと
により、該窓構造層５２において活性層１０の導波路に
おいて発生した光が吸収されず、これによりレーザ共振
器端面３ｃにおける光学損傷を防ぐことができる。
０においても、レーザ共振器端面３ｃ上に活性層１０よ
りもバンドギャップの大きい窓構造層５２を設けたこと
により、該窓構造層５２において活性層１０の導波路に
おいて発生した光が吸収されず、これによりレーザ共振
器端面３ｃにおける光学損傷を防ぐことができる。
【００１４】しかし、このような半導体レーザの製造方
法においては、へき開後のレーザ共振器端面にＡｌＧａ
ＩｎＰ等からなる窓構造層を結晶成長させる必要がある
が、へき開後の半導体レーザは、非常に微細なものであ
るため、取り扱いが非常に難しく、取り扱い中にレーザ
共振器端面を傷つけたりして歩留りが低下するという問
題があった。また、へき開後に新たに結晶成長を行なう
必要があるため、製造工程が複雑化して生産性が低下す
るというような問題があった。
法においては、へき開後のレーザ共振器端面にＡｌＧａ
ＩｎＰ等からなる窓構造層を結晶成長させる必要がある
が、へき開後の半導体レーザは、非常に微細なものであ
るため、取り扱いが非常に難しく、取り扱い中にレーザ
共振器端面を傷つけたりして歩留りが低下するという問
題があった。また、へき開後に新たに結晶成長を行なう
必要があるため、製造工程が複雑化して生産性が低下す
るというような問題があった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の半
導体レーザの製造方法においては、Ｚｎを自然超格子が
形成された活性層のレーザ共振器端面近傍に拡散させ、
レーザ共振器端面近傍の自然超格子をディスオーダさせ
ることにより、活性層のレーザ共振器端面近傍のバンド
ギャップを大きくし、レーザ光がレーザ共振器端面近傍
で吸収されないようにして窓構造を形成し、光学損傷が
起こりにくくしているが、Ｚｎの拡散の制御が非常に難
しいために、上述したように共振器端面近傍にＺｎが過
剰に拡散されてしまい、このレーザ共振器端面近傍にレ
ーザ発振に寄与しないリーク電流が発生し、しきい値電
流や動作電流が高くなり、再現性よく所定の特性を備え
た半導体レーザを得ることができないという問題があっ
た。
導体レーザの製造方法においては、Ｚｎを自然超格子が
形成された活性層のレーザ共振器端面近傍に拡散させ、
レーザ共振器端面近傍の自然超格子をディスオーダさせ
ることにより、活性層のレーザ共振器端面近傍のバンド
ギャップを大きくし、レーザ光がレーザ共振器端面近傍
で吸収されないようにして窓構造を形成し、光学損傷が
起こりにくくしているが、Ｚｎの拡散の制御が非常に難
しいために、上述したように共振器端面近傍にＺｎが過
剰に拡散されてしまい、このレーザ共振器端面近傍にレ
ーザ発振に寄与しないリーク電流が発生し、しきい値電
流や動作電流が高くなり、再現性よく所定の特性を備え
た半導体レーザを得ることができないという問題があっ
た。
【００１６】また、従来の他の半導体レーザの製造方法
においては、レーザ共振器端面に活性層よりもバンドギ
ャップの大きい窓構造層を設けることにより光学損傷を
防ぐようにしているが、へき開後の微細な半導体レーザ
の共振器端面に対して窓構造層を結晶成長させる必要が
あるため、半導体レーザの取り扱いが非常に難しく歩留
りが低下したり、製造工程が複雑化して生産性が低下し
てしまうというような問題があった。
においては、レーザ共振器端面に活性層よりもバンドギ
ャップの大きい窓構造層を設けることにより光学損傷を
防ぐようにしているが、へき開後の微細な半導体レーザ
の共振器端面に対して窓構造層を結晶成長させる必要が
あるため、半導体レーザの取り扱いが非常に難しく歩留
りが低下したり、製造工程が複雑化して生産性が低下し
てしまうというような問題があった。
【００１７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性良く窓構造を有する半導体レー
ザを製造することができる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的とする。
ためになされたものであり、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性良く窓構造を有する半導体レー
ザを製造することができる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザの製造方法は、所定の成長温度以上の温度では成長
温度が上昇するにしたがってバンドギャップが単調増加
するよう成長する性質を有する化合物半導体材料からな
る活性層を、上記所定の成長温度以上の温度で、そのレ
ーザ共振器端面近傍の少なくとも導波路となる領域を含
む窓構造部形成領域が、その該窓構造部形成領域以外の
領域よりも高温になるよう成長させて、その上記窓構造
部形成領域のバンドギャップが該窓構造部形成領域以外
の領域のバンドギャップよりも大きくなるよう形成する
ようにしたものである。
ーザの製造方法は、所定の成長温度以上の温度では成長
温度が上昇するにしたがってバンドギャップが単調増加
するよう成長する性質を有する化合物半導体材料からな
る活性層を、上記所定の成長温度以上の温度で、そのレ
ーザ共振器端面近傍の少なくとも導波路となる領域を含
む窓構造部形成領域が、その該窓構造部形成領域以外の
領域よりも高温になるよう成長させて、その上記窓構造
部形成領域のバンドギャップが該窓構造部形成領域以外
の領域のバンドギャップよりも大きくなるよう形成する
ようにしたものである。
【００１９】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層の材料をＧａＩｎＰとしたものである。
て、上記活性層の材料をＧａＩｎＰとしたものである。
【００２０】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造部
近傍領域を、レーザ光を照射することにより上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造部
近傍領域を、レーザ光を照射することにより上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
【００２１】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を点状とし、上
記レーザ光の照射を、上記窓構造部形成領域に上記点状
のレーザ光を走査させて行なうようにしたものである。
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を点状とし、上
記レーザ光の照射を、上記窓構造部形成領域に上記点状
のレーザ光を走査させて行なうようにしたものである。
【００２２】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー
成長する周期以下の周期としたものである。
て、上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー
成長する周期以下の周期としたものである。
【００２３】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を、上記窓構造
部形成領域の平面形状と同形状とし、上記レーザ光の照
射を、上記窓構造部形成領域に上記レーザ光の照射領域
を重ね合わせて行なうようにしたものである。
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を、上記窓構造
部形成領域の平面形状と同形状とし、上記レーザ光の照
射を、上記窓構造部形成領域に上記レーザ光の照射領域
を重ね合わせて行なうようにしたものである。
【００２４】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造部
形成領域を、これに光を照射することにより上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造部
形成領域を、これに光を照射することにより上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
【００２５】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さまでエッチ
ングにより除去して凹部を形成し、この凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形
成するようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板
を裏面側から加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さまでエッチ
ングにより除去して凹部を形成し、この凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形
成するようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板
を裏面側から加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて行なうようにしたものである。
【００２６】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定の深さ
までエッチングにより除去して凹部を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用い
て行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定の深さ
までエッチングにより除去して凹部を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用い
て行なうようにしたものである。
【００２７】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形
成するようにしたものである。
て、上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形
成するようにしたものである。
【００２８】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さまでエッチ
ングにより除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上
記半導体基板よりも反射率の低い低反射率膜を形成する
ようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面
側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を
用いて行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さまでエッチ
ングにより除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上
記半導体基板よりも反射率の低い低反射率膜を形成する
ようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面
側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を
用いて行なうようにしたものである。
【００２９】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定の深さ
までエッチングにより除去して凹部を形成し、この凹部
の底面に上記半導体基板よりも反射率の高い高反射率膜
を形成するようにし、上記活性層の成長を、上記半導体
基板を裏面側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣ
ＶＤ装置を用いて行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定の深さ
までエッチングにより除去して凹部を形成し、この凹部
の底面に上記半導体基板よりも反射率の高い高反射率膜
を形成するようにし、上記活性層の成長を、上記半導体
基板を裏面側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣ
ＶＤ装置を用いて行なうようにしたものである。
【００３０】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記半導体基板の窓構造部近傍領域の上部に、該半
導体基板に接しないよう、その平面形状が上記窓構造部
形成領域の平面形状と同形状であるヒータを配置するよ
うにし、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構
造部形成領域を、上記ヒータから発せられる熱により上
記活性層の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加
熱しながら行なうようにしたものである。
て、上記半導体基板の窓構造部近傍領域の上部に、該半
導体基板に接しないよう、その平面形状が上記窓構造部
形成領域の平面形状と同形状であるヒータを配置するよ
うにし、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構
造部形成領域を、上記ヒータから発せられる熱により上
記活性層の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加
熱しながら行なうようにしたものである。
【００３１】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記半導体基板の窓構造部形成領域に不純物を所定
の深さまで導入することにより、該半導体基板の導電型
と反対の導電型を有する導電型反転領域を形成するよう
にし、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造
部形成領域を、上記導電型反転領域に電流を流すことに
より上記導電型反転領域に発生する熱により上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
て、上記半導体基板の窓構造部形成領域に不純物を所定
の深さまで導入することにより、該半導体基板の導電型
と反対の導電型を有する導電型反転領域を形成するよう
にし、上記活性層を形成する工程を、該活性層の窓構造
部形成領域を、上記導電型反転領域に電流を流すことに
より上記導電型反転領域に発生する熱により上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうようにしたものである。
【００３２】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、該
ウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域に、
位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、上記
活性層を形成する工程以降の工程における位置合わせ
を、上記マーカを用いて行なうようにしたものである。
て、上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、該
ウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域に、
位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、上記
活性層を形成する工程以降の工程における位置合わせ
を、上記マーカを用いて行なうようにしたものである。
【００３３】また、この発明に係る半導体レーザの製造
方法は、所定の成長温度以下の温度では成長温度が上昇
するにしたがってバンドギャップが単調減少する性質を
有する化合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の
温度以下の成長温度で、その少なくとも発光に寄与する
発光部となる領域を含み、レーザ共振器端面近傍領域の
導波路となる領域を含まない活性領域が、その活性領域
以外の領域よりも高温になるよう成長させて、その活性
領域のバンドギャップが活性領域以外の領域のバンドギ
ャップよりも小さくなるよう形成するようにしたもので
ある。
方法は、所定の成長温度以下の温度では成長温度が上昇
するにしたがってバンドギャップが単調減少する性質を
有する化合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の
温度以下の成長温度で、その少なくとも発光に寄与する
発光部となる領域を含み、レーザ共振器端面近傍領域の
導波路となる領域を含まない活性領域が、その活性領域
以外の領域よりも高温になるよう成長させて、その活性
領域のバンドギャップが活性領域以外の領域のバンドギ
ャップよりも小さくなるよう形成するようにしたもので
ある。
【００３４】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層の材料をＧａＩｎＰとしたものである。
て、上記活性層の材料をＧａＩｎＰとしたものである。
【００３５】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の活性領域
を、レーザ光を照射することにより上記活性層の活性領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たものである。
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の活性領域
を、レーザ光を照射することにより上記活性層の活性領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たものである。
【００３６】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を点状とし、上
記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記点状のレーザ
光を走査させて行なうようにしたものである。
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を点状とし、上
記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記点状のレーザ
光を走査させて行なうようにしたものである。
【００３７】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー
成長する周期以下の周期としたものである。
て、上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー
成長する周期以下の周期としたものである。
【００３８】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を、上記活性領
域の平面形状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上
記活性領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行
なうようにしたものである。
て、上記レーザ光の照射領域の平面形状を、上記活性領
域の平面形状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上
記活性領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行
なうようにしたものである。
【００３９】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の活性領域
を、これに光を照射することにより上記活性層の活性領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たものである。
て、上記活性層を形成する工程を、該活性層の活性領域
を、これに光を照射することにより上記活性層の活性領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たものである。
【００４０】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よ
りも熱伝導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するよ
うにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側
から加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を
用いて行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よ
りも熱伝導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するよ
うにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側
から加熱体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を
用いて行なうようにしたものである。
【００４１】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッ
チングにより除去して凹部を形成するようにし、上記活
性層の成長を、加熱体により上記半導体基板を加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたも
のである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッ
チングにより除去して凹部を形成するようにし、上記活
性層の成長を、加熱体により上記半導体基板を加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたも
のである。
【００４２】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形
成するようにしたものである。
て、上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導
体基板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形
成するようにしたものである。
【００４３】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体
基板よりも反射率の低い低反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体
基板よりも反射率の低い低反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたものである。
【００４４】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッ
チングにより除去して凹部を形成し、この凹部の底面に
上記半導体基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成す
るようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏
面側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置
を用いて行なうようにしたものである。
て、上記活性層を成長させる前に、上記半導体基板の、
上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッ
チングにより除去して凹部を形成し、この凹部の底面に
上記半導体基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成す
るようにし、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏
面側から光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置
を用いて行なうようにしたものである。
【００４５】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記半導体基板の活性領域の上部に、該半導体基板
に接しないよう、その平面形状が上記活性領域の平面形
状と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性
層を形成する工程を、該活性層の活性領域を、上記ヒー
タから発せられる熱により上記活性層の活性領域以外の
領域よりも高温に加熱しながら行なうようにしたもので
ある。
て、上記半導体基板の活性領域の上部に、該半導体基板
に接しないよう、その平面形状が上記活性領域の平面形
状と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性
層を形成する工程を、該活性層の活性領域を、上記ヒー
タから発せられる熱により上記活性層の活性領域以外の
領域よりも高温に加熱しながら行なうようにしたもので
ある。
【００４６】また、上記半導体レーザの製造方法におい
て、上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、こ
のウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域
に、位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、
上記活性層を形成する工程以降の工程における位置合わ
せを、上記マーカを用いて行なうようにしたものであ
る。
て、上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、こ
のウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域
に、位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、
上記活性層を形成する工程以降の工程における位置合わ
せを、上記マーカを用いて行なうようにしたものであ
る。
【００４７】
【作用】この発明においては、所定の成長温度以上の温
度では成長温度が上昇するにしたがってバンドギャップ
が単調増加するよう成長する性質を有する化合物半導体
材料からなる活性層を、上記所定の成長温度以上の温度
で、そのレーザ共振器端面近傍の少なくとも導波路とな
る領域を含む窓構造部形成領域が、その該窓構造部形成
領域以外の領域よりも高温になるよう成長させて、その
上記窓構造部形成領域のバンドギャップが該窓構造部形
成領域以外の領域のバンドギャップよりも大きくなるよ
う形成するようにしたから、制御性の悪いＺｎ等の拡散
を行なうことなく、再現性よく所定の特性を備えた窓構
造を有する半導体レーザが得られるとともに、活性層の
成長工程において、窓構造を形成することができるか
ら、へき開後に窓構造形成のための加工を行なう必要が
なく、歩留りが低下することなく、容易に窓構造を備え
た半導体レーザを得ることができる。
度では成長温度が上昇するにしたがってバンドギャップ
が単調増加するよう成長する性質を有する化合物半導体
材料からなる活性層を、上記所定の成長温度以上の温度
で、そのレーザ共振器端面近傍の少なくとも導波路とな
る領域を含む窓構造部形成領域が、その該窓構造部形成
領域以外の領域よりも高温になるよう成長させて、その
上記窓構造部形成領域のバンドギャップが該窓構造部形
成領域以外の領域のバンドギャップよりも大きくなるよ
う形成するようにしたから、制御性の悪いＺｎ等の拡散
を行なうことなく、再現性よく所定の特性を備えた窓構
造を有する半導体レーザが得られるとともに、活性層の
成長工程において、窓構造を形成することができるか
ら、へき開後に窓構造形成のための加工を行なう必要が
なく、歩留りが低下することなく、容易に窓構造を備え
た半導体レーザを得ることができる。
【００４８】また、この発明においては、上記活性層の
材料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
材料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
【００４９】また、この発明においては、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の窓構造部近傍領域を、レー
ザ光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できる。
形成する工程を、該活性層の窓構造部近傍領域を、レー
ザ光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できる。
【００５０】また、この発明においては、上記レーザ光
の照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記窓構造部形成領域に上記点状のレーザ光を走査
させて行なうようにしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
の照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記窓構造部形成領域に上記点状のレーザ光を走査
させて行なうようにしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
【００５１】また、この発明においては、上記レーザ光
の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下
の周期としたから、１モノレイヤー単位で成長面を均一
に加熱しながら窓構造部形成領域に窓構造を形成するこ
とができ、窓構造のバンドギャップを均一にすることが
でき、より特性に優れた半導体レーザを提供することが
できる。
の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下
の周期としたから、１モノレイヤー単位で成長面を均一
に加熱しながら窓構造部形成領域に窓構造を形成するこ
とができ、窓構造のバンドギャップを均一にすることが
でき、より特性に優れた半導体レーザを提供することが
できる。
【００５２】また、この発明においては、上記レーザ光
の照射領域の平面形状を、上記窓構造部形成領域の平面
形状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上記窓構造
部形成領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行
なうようにしたから、レーザ光を出射するレーザ装置の
走査系が不要となり、簡単な構造の安価なレーザ装置を
用いて半導体レーザを形成することができる。
の照射領域の平面形状を、上記窓構造部形成領域の平面
形状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上記窓構造
部形成領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行
なうようにしたから、レーザ光を出射するレーザ装置の
走査系が不要となり、簡単な構造の安価なレーザ装置を
用いて半導体レーザを形成することができる。
【００５３】また、この発明においては、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、これ
に光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できる。
形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、これ
に光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できる。
【００５４】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、
上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱
体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行
なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置
により、窓構造部形成領域の成長表面への熱伝導率を向
上させてこの領域の成長温度を高くして活性層に窓構造
を形成することができ、容易に窓構造を有する半導体レ
ーザを形成することができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、
上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱
体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行
なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置
により、窓構造部形成領域の成長表面への熱伝導率を向
上させてこの領域の成長温度を高くして活性層に窓構造
を形成することができ、容易に窓構造を有する半導体レ
ーザを形成することができる。
【００５５】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングに
より除去して凹部を形成するようにし、上記活性層の成
長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加熱す
る基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、窓構造
部形成領域以外の成長表面への熱伝導を低下させて窓構
造部形成領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングに
より除去して凹部を形成するようにし、上記活性層の成
長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加熱す
る基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、窓構造
部形成領域以外の成長表面への熱伝導を低下させて窓構
造部形成領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
【００５６】また、この発明においては、上記凹部を形
成する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、窓構造
部形成領域以外の成長表面への熱伝導を低下させて窓構
造部形成領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
成する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、窓構造
部形成領域以外の成長表面への熱伝導を低下させて窓構
造部形成領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
【００５７】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板より
も反射率の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活
性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、
窓構造部形成領域の熱の吸収を向上させてこの領域の成
長温度を高くして活性層に窓構造を形成することがで
き、容易に窓構造を有する半導体レーザを形成すること
ができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板より
も反射率の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活
性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、
窓構造部形成領域の熱の吸収を向上させてこの領域の成
長温度を高くして活性層に窓構造を形成することがで
き、容易に窓構造を有する半導体レーザを形成すること
ができる。
【００５８】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングに
より除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導
体基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装
置により、窓構造部形成領域以外の領域の熱の吸収を低
下させて窓構造部形成領域の成長温度を高くして活性層
に窓構造を形成することができ、容易に窓構造を有する
半導体レーザを形成することができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成
領域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングに
より除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導
体基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装
置により、窓構造部形成領域以外の領域の熱の吸収を低
下させて窓構造部形成領域の成長温度を高くして活性層
に窓構造を形成することができ、容易に窓構造を有する
半導体レーザを形成することができる。
【００５９】また、この発明においては、上記半導体基
板の窓構造部近傍領域の上部に、該半導体基板に接しな
いよう、その平面形状が上記窓構造部形成領域の平面形
状と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性
層を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、
上記ヒータから発せられる熱により上記活性層の窓構造
部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なう
ようにしたから、歩留りを低下させることなく、容易
に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供
することができる。
板の窓構造部近傍領域の上部に、該半導体基板に接しな
いよう、その平面形状が上記窓構造部形成領域の平面形
状と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性
層を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、
上記ヒータから発せられる熱により上記活性層の窓構造
部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なう
ようにしたから、歩留りを低下させることなく、容易
に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供
することができる。
【００６０】また、この発明においては、上記半導体基
板の窓構造部形成領域に不純物を所定の深さまで導入す
ることにより、該半導体基板の導電型と反対の導電型を
有する導電型反転領域を形成するようにし、上記活性層
を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上
記導電型反転領域に電流を流すことにより上記導電型反
転領域に発生する熱により上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できるとともに、半導体レーザの窓構造が形成された領
域に流れるリーク電流を低減させることができる。
板の窓構造部形成領域に不純物を所定の深さまで導入す
ることにより、該半導体基板の導電型と反対の導電型を
有する導電型反転領域を形成するようにし、上記活性層
を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上
記導電型反転領域に電流を流すことにより上記導電型反
転領域に発生する熱により上記活性層の窓構造部形成領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにし
たから、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再
現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することが
できるとともに、半導体レーザの窓構造が形成された領
域に流れるリーク電流を低減させることができる。
【００６１】また、この発明においては、上記半導体基
板はウエハの一部を構成しており、該ウエハの一主面上
の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのため
のマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する
工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用
いて行なうようにしたから、窓構造が形成される領域の
位置精度を向上させることができ、半導体レーザの歩留
りを向上させることができる。
板はウエハの一部を構成しており、該ウエハの一主面上
の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのため
のマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する
工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用
いて行なうようにしたから、窓構造が形成される領域の
位置精度を向上させることができ、半導体レーザの歩留
りを向上させることができる。
【００６２】また、この発明においては、所定の成長温
度以下の温度では成長温度が上昇するにしたがってバン
ドギャップが単調減少する性質を有する化合物半導体材
料からなる活性層を、上記所定の温度以下の成長温度
で、その少なくとも発光に寄与する発光部となる領域を
含み、レーザ共振器端面近傍領域の導波路となる領域を
含まない活性領域が、その活性領域以外の領域よりも高
温になるよう成長させて、その活性領域のバンドギャッ
プが活性領域以外の領域のバンドギャップよりも小さく
なるよう形成するようにしたから、レーザ共振器端面近
傍の導波路となる領域のバンドギャップを活性領域のバ
ンドギャップよりも小さくして、制御性の悪いＺｎ等の
拡散を行なうことなく、再現性よく所定の特性を備えた
窓構造を有する半導体レーザが得られるとともに、活性
層の成長工程において、窓構造を形成することができる
から、へき開後に窓構造形成のための加工を行なう必要
がなく、歩留りが低下することなく、容易に窓構造を備
えた半導体レーザを得ることができる。さらに、活性層
をより低い温度で成長させることができるから、優れた
特性を備えた半導体レーザを得ることができる。
度以下の温度では成長温度が上昇するにしたがってバン
ドギャップが単調減少する性質を有する化合物半導体材
料からなる活性層を、上記所定の温度以下の成長温度
で、その少なくとも発光に寄与する発光部となる領域を
含み、レーザ共振器端面近傍領域の導波路となる領域を
含まない活性領域が、その活性領域以外の領域よりも高
温になるよう成長させて、その活性領域のバンドギャッ
プが活性領域以外の領域のバンドギャップよりも小さく
なるよう形成するようにしたから、レーザ共振器端面近
傍の導波路となる領域のバンドギャップを活性領域のバ
ンドギャップよりも小さくして、制御性の悪いＺｎ等の
拡散を行なうことなく、再現性よく所定の特性を備えた
窓構造を有する半導体レーザが得られるとともに、活性
層の成長工程において、窓構造を形成することができる
から、へき開後に窓構造形成のための加工を行なう必要
がなく、歩留りが低下することなく、容易に窓構造を備
えた半導体レーザを得ることができる。さらに、活性層
をより低い温度で成長させることができるから、優れた
特性を備えた半導体レーザを得ることができる。
【００６３】また、この発明においては、上記活性層の
材料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
材料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供することができる。
【００６４】また、この発明においては、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の活性領域を、レーザ光を照
射することにより上記活性層の活性領域以外の領域より
も高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供することができる。
形成する工程を、該活性層の活性領域を、レーザ光を照
射することにより上記活性層の活性領域以外の領域より
も高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供することができる。
【００６５】また、この発明においては、上記レーザ光
の照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記活性領域に上記点状のレーザ光を走査させて行
なうようにしたから、歩留りを低下させることなく、容
易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提
供することができる。
の照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記活性領域に上記点状のレーザ光を走査させて行
なうようにしたから、歩留りを低下させることなく、容
易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提
供することができる。
【００６６】また、この発明においては、上記レーザ光
の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下
の周期としたから、１モノレイヤー単位で成長面を均一
に加熱しながら窓構造部形成領域に窓構造を形成するこ
とができ、窓構造のバンドギャップを均一にすることが
でき、より特性に優れた半導体レーザを提供することが
できる。
の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下
の周期としたから、１モノレイヤー単位で成長面を均一
に加熱しながら窓構造部形成領域に窓構造を形成するこ
とができ、窓構造のバンドギャップを均一にすることが
でき、より特性に優れた半導体レーザを提供することが
できる。
【００６７】また、この発明においては、上記レーザ光
の照射領域の平面形状を、上記活性領域の平面形状と同
形状とし、上記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記
レーザ光の照射領域を重ね合わせて行なうようにしたか
ら、レーザ光を出射するレーザ装置の走査系が不要とな
り、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レー
ザを形成することができる。
の照射領域の平面形状を、上記活性領域の平面形状と同
形状とし、上記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記
レーザ光の照射領域を重ね合わせて行なうようにしたか
ら、レーザ光を出射するレーザ装置の走査系が不要とな
り、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レー
ザを形成することができる。
【００６８】また、この発明においては、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の活性領域を、これに光を照
射することにより上記活性層の活性領域以外の領域より
も高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供することができる。
形成する工程を、該活性層の活性領域を、これに光を照
射することにより上記活性層の活性領域以外の領域より
も高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供することができる。
【００６９】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏
面側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を
形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導率の高
い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上記活性
層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、
窓構造部形成領域の成長表面への熱伝導率を向上させて
この領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形成す
ることができ、容易に窓構造を有する半導体レーザを形
成することができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏
面側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を
形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導率の高
い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上記活性
層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、
窓構造部形成領域の成長表面への熱伝導率を向上させて
この領域の成長温度を高くして活性層に窓構造を形成す
ることができ、容易に窓構造を有する半導体レーザを形
成することができる。
【００７０】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外
の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去
して凹部を形成するようにし、上記活性層の成長を、加
熱体により上記半導体基板を加熱する基板加熱型ＭＯＣ
ＶＤ装置を用いて行なうようにしたから、従来の基板加
熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領域以外の領域の成長
表面への熱伝導率を劣化させてこの領域の活性層の成長
温度を低くして、そのレーザ共振器端面近傍の導波路と
なる領域のバンドギャップが活性領域のバンドギャップ
よりも大きくなるように活性層を形成することができ、
容易に窓構造を有する半導体レーザを形成することがで
きる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外
の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去
して凹部を形成するようにし、上記活性層の成長を、加
熱体により上記半導体基板を加熱する基板加熱型ＭＯＣ
ＶＤ装置を用いて行なうようにしたから、従来の基板加
熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領域以外の領域の成長
表面への熱伝導率を劣化させてこの領域の活性層の成長
温度を低くして、そのレーザ共振器端面近傍の導波路と
なる領域のバンドギャップが活性領域のバンドギャップ
よりも大きくなるように活性層を形成することができ、
容易に窓構造を有する半導体レーザを形成することがで
きる。
【００７１】また、この発明においては、上記凹部を形
成する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領
域以外の領域の成長表面への熱伝導率を劣化させてこの
領域の活性層の成長温度を低くして、そのレーザ共振器
端面近傍の導波路となる領域のバンドギャップが活性領
域のバンドギャップよりも大きくなるように活性層を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
成する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝
導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにした
から、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領
域以外の領域の成長表面への熱伝導率を劣化させてこの
領域の活性層の成長温度を低くして、そのレーザ共振器
端面近傍の導波路となる領域のバンドギャップが活性領
域のバンドギャップよりも大きくなるように活性層を形
成することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザ
を形成することができる。
【００７２】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏
面側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を
形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率
の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性層の成
長を、上記半導体基板を裏面側から光源により加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領域
以外の領域の熱の吸収を劣化させてこの領域の活性層の
成長温度を低くして、そのレーザ共振器端面近傍の導波
路となる領域のバンドギャップが活性領域のバンドギャ
ップよりも大きくなるように活性層を形成することがで
き、容易に窓構造を有する半導体レーザを形成すること
ができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏
面側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を
形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率
の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性層の成
長を、上記半導体基板を裏面側から光源により加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により、活性領域
以外の領域の熱の吸収を劣化させてこの領域の活性層の
成長温度を低くして、そのレーザ共振器端面近傍の導波
路となる領域のバンドギャップが活性領域のバンドギャ
ップよりも大きくなるように活性層を形成することがで
き、容易に窓構造を有する半導体レーザを形成すること
ができる。
【００７３】また、この発明においては、上記活性層を
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外
の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去
して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よ
りも反射率の高い高反射率膜を形成するようにし、上記
活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源によ
り加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよ
うにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置によ
り、活性領域以外の領域の熱の吸収を劣化させてこの領
域の活性層の成長温度を低くして、そのレーザ共振器端
面近傍の導波路となる領域のバンドギャップが活性領域
のバンドギャップよりも大きくなるように活性層を形成
することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザを
形成することができる。
成長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外
の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去
して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よ
りも反射率の高い高反射率膜を形成するようにし、上記
活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源によ
り加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよ
うにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置によ
り、活性領域以外の領域の熱の吸収を劣化させてこの領
域の活性層の成長温度を低くして、そのレーザ共振器端
面近傍の導波路となる領域のバンドギャップが活性領域
のバンドギャップよりも大きくなるように活性層を形成
することができ、容易に窓構造を有する半導体レーザを
形成することができる。
【００７４】また、この発明においては、上記半導体基
板の活性領域の上部に、該半導体基板に接しないよう、
その平面形状が上記活性領域の平面形状と同形状である
ヒータを配置するようにし、上記活性層を形成する工程
を、該活性層の活性領域を、上記ヒータから発せられる
熱により上記活性層の活性領域以外の領域よりも高温に
加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低下させ
ることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半
導体レーザを提供することができる。
板の活性領域の上部に、該半導体基板に接しないよう、
その平面形状が上記活性領域の平面形状と同形状である
ヒータを配置するようにし、上記活性層を形成する工程
を、該活性層の活性領域を、上記ヒータから発せられる
熱により上記活性層の活性領域以外の領域よりも高温に
加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低下させ
ることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半
導体レーザを提供することができる。
【００７５】また、この発明においては、上記半導体基
板はウエハの一部を構成しており、このウエハの一主面
上の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのた
めのマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成す
る工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを
用いて行なうようにしたから、窓構造が形成される領域
の位置精度を向上させることができ、半導体レーザの歩
留りを向上させることができる。
板はウエハの一部を構成しており、このウエハの一主面
上の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのた
めのマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成す
る工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを
用いて行なうようにしたから、窓構造が形成される領域
の位置精度を向上させることができ、半導体レーザの歩
留りを向上させることができる。
【００７６】
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による半導体レ
ーザの構造を示す斜視図であり、図において、１００は
半導体レーザ，１２はｎ−ＧａＡｓ基板，１１はｎ−Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層，１０はＧａＩｎＰ活性層で、
１０ａは該ＧａＩｎＰ活性層内の窓構造部を示してい
る。９ａ，９ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，４１
は厚さが約５０オングストロームと非常に薄いｐ−Ｇａ
ＩｎＰエッチングストッパ層，８はｐ−ＧａＩｎＰバン
ド不連続層，７ａはｐ−ＧａＡｓキャップ層，７ｂはｐ
−ＧａＡｓコンタクト層，６ａはｎ側電極，６ｂはｐ側
電極，４０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３ａはレー
ザ共振器端面である。
ーザの構造を示す斜視図であり、図において、１００は
半導体レーザ，１２はｎ−ＧａＡｓ基板，１１はｎ−Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層，１０はＧａＩｎＰ活性層で、
１０ａは該ＧａＩｎＰ活性層内の窓構造部を示してい
る。９ａ，９ｂはｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，４１
は厚さが約５０オングストロームと非常に薄いｐ−Ｇａ
ＩｎＰエッチングストッパ層，８はｐ−ＧａＩｎＰバン
ド不連続層，７ａはｐ−ＧａＡｓキャップ層，７ｂはｐ
−ＧａＡｓコンタクト層，６ａはｎ側電極，６ｂはｐ側
電極，４０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層，３ａはレー
ザ共振器端面である。
【００７７】また、図２は上記図１に示した半導体レー
ザのＩ−Ｉ線による断面図（図２(a))，及び該半導体レ
ーザの共振器長方向における活性層の位置とバンドギャ
ップとの関係を示した図（図２(b))であり、図において
図１と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。また、図２(b) において、横軸は活性層１０内にお
けるレーザ共振器長方向の位置を示しており、縦軸は活
性層１０のバンドギャップを示している。
ザのＩ−Ｉ線による断面図（図２(a))，及び該半導体レ
ーザの共振器長方向における活性層の位置とバンドギャ
ップとの関係を示した図（図２(b))であり、図において
図１と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。また、図２(b) において、横軸は活性層１０内にお
けるレーザ共振器長方向の位置を示しており、縦軸は活
性層１０のバンドギャップを示している。
【００７８】また、図５は本実施例１の半導体レーザの
製造に用いられるへき開前のウエハを摸式的に示した平
面図であり、図において１２ａはウエハ，１００ａは該
ウエハ上の一つの半導体レーザ１００が形成される半導
体レーザ素子形成領域であり、３は半導体レーザ素子形
成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域，５は半導
体レーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍
領域以外の領域で、このレーザ共振器端面近傍領域３
は、ウエハ１２ａ上において、半導体レーザ１００の共
振器長方向と垂直な方向に伸びるよう互いに平行なスト
ライプ状に形成されており、例えばその幅は約４０μｍ
で、上記レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５を介し
て隣接するレーザ共振器端面近傍領域３間の間隔は約６
５０μｍである。
製造に用いられるへき開前のウエハを摸式的に示した平
面図であり、図において１２ａはウエハ，１００ａは該
ウエハ上の一つの半導体レーザ１００が形成される半導
体レーザ素子形成領域であり、３は半導体レーザ素子形
成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域，５は半導
体レーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍
領域以外の領域で、このレーザ共振器端面近傍領域３
は、ウエハ１２ａ上において、半導体レーザ１００の共
振器長方向と垂直な方向に伸びるよう互いに平行なスト
ライプ状に形成されており、例えばその幅は約４０μｍ
で、上記レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５を介し
て隣接するレーザ共振器端面近傍領域３間の間隔は約６
５０μｍである。
【００７９】また、図３は本実施例１の半導体レーザの
製造方法を示す斜視図であり、図５に示したウエハ１２
ａの一つの半導体レーザ素子形成領域１００ａ近傍を拡
大して示した図である。図において、図１，図５と同一
符号は同一または相当する部分を示しており、４２は半
導体レーザ１００の共振器長方向に伸びる，ＳｉＮや，
ＳｉＯＮ等からなるストライプ状の絶縁膜マスクであ
る。
製造方法を示す斜視図であり、図５に示したウエハ１２
ａの一つの半導体レーザ素子形成領域１００ａ近傍を拡
大して示した図である。図において、図１，図５と同一
符号は同一または相当する部分を示しており、４２は半
導体レーザ１００の共振器長方向に伸びる，ＳｉＮや，
ＳｉＯＮ等からなるストライプ状の絶縁膜マスクであ
る。
【００８０】また、図６は本実施例１の半導体レーザの
製造方法の主要工程を説明するための図であり、図にお
いて、図３と同一符号は同一又は相当する部分を示して
おり、１４は照射領域が点状のレーザ光１５を出射する
レーザ装置で、このレーザ装置１４はレーザ光１５がウ
エハ１２ａ上を所定の方向に走査可能となるように走査
系（図示せず）を有している。
製造方法の主要工程を説明するための図であり、図にお
いて、図３と同一符号は同一又は相当する部分を示して
おり、１４は照射領域が点状のレーザ光１５を出射する
レーザ装置で、このレーザ装置１４はレーザ光１５がウ
エハ１２ａ上を所定の方向に走査可能となるように走査
系（図示せず）を有している。
【００８１】また、図４は本実施例１の半導体レーザの
製造方法を説明するための図であり、ＧａＩｎＰ層の成
長温度と該ＧａＩｎＰ層のＰＬ(photoluminescence) 波
長との関係を示した図であり、横軸はＧａＩｎＰ層の成
長温度（℃）を示し、縦軸はＧａＩｎＰ層のＰＬ波長
（ｎｍ）を示している。この成長温度とＰＬ波長との関
係は、ＧａＡｓ基板（図示せず）上に成長温度を変えて
ＧａＩｎＰ層（図示せず）を形成し、このＧａＩｎＰ層
のＰＬ波長を測定した実験結果から得られたものであ
る。
製造方法を説明するための図であり、ＧａＩｎＰ層の成
長温度と該ＧａＩｎＰ層のＰＬ(photoluminescence) 波
長との関係を示した図であり、横軸はＧａＩｎＰ層の成
長温度（℃）を示し、縦軸はＧａＩｎＰ層のＰＬ波長
（ｎｍ）を示している。この成長温度とＰＬ波長との関
係は、ＧａＡｓ基板（図示せず）上に成長温度を変えて
ＧａＩｎＰ層（図示せず）を形成し、このＧａＩｎＰ層
のＰＬ波長を測定した実験結果から得られたものであ
る。
【００８２】次に製造方法について図３，図６を用いて
説明する。まず、ウエハ１２ａ，即ちウエハ状態のｎ−
ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１１をＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)
法等の気相成長法により成長させる。
説明する。まず、ウエハ１２ａ，即ちウエハ状態のｎ−
ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１１をＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)
法等の気相成長法により成長させる。
【００８３】続いて、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等により
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１上にＧａＩｎＰ活性
層１０を成長させる。このＧａＩｎＰ活性層１０を成長
させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度よりも高い成長温度、例えば６５５℃以上の温
度でＧａＩｎＰ活性層１０を成長させるとともに、図６
に示すように、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領
域３上の活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
ようにする。
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１上にＧａＩｎＰ活性
層１０を成長させる。このＧａＩｎＰ活性層１０を成長
させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度よりも高い成長温度、例えば６５５℃以上の温
度でＧａＩｎＰ活性層１０を成長させるとともに、図６
に示すように、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領
域３上の活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
ようにする。
【００８４】ここで、図４に示したＧａＡｓ基板に格子
整合するＧａＩｎＰ層の成長温度とＰＬ波長との相関関
係より、ＰＬ波長が最も大きくなる温度以上の成長温
度、例えば６５５℃以上の成長温度では成長温度が高い
ほどＰＬ波長は短くなることがわかる。ＰＬ波長が短い
ということは、バンドギャップが大きいということを示
すので、これは成長温度の高い領域においてはバンドギ
ャップが大きくなることを示している。従って、この性
質から、上述したように、ＧａＩｎＰ活性層１０を成長
させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度よりも高い成長温度、例えば６５５℃以上の温
度で活性層１０を成長させるとともに、図６に示すよう
に、ウエハ１２ａのレーザ共振器端近傍領域３上のＧａ
ＩｎＰ活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
と、レーザ光１５が照射された領域においてＧａＩｎＰ
が他の領域のＧａＩｎＰよりも加熱されながら結晶成長
され、該加熱された領域のＧａＩｎＰ層のバンドギャッ
プはその他の領域のＧａＩｎＰ層よりもバンドギャップ
が大きくなる。例えば、通常ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎ
Ｐ系の半導体レーザの成長温度は７００℃付近であり、
上記レーザ光の走査領域と他の領域との温度差が約２０
℃であれば、バンドギャップ差は約１７ｍｅＶとなる。
したがって、レーザ光が照射されて加熱された領域のバ
ンドギャップは活性層１０の他の領域のバンドギャップ
よりも大きくなり、このレーザ光が照射された領域に窓
構造部１０ａが形成される（図３(a))。
整合するＧａＩｎＰ層の成長温度とＰＬ波長との相関関
係より、ＰＬ波長が最も大きくなる温度以上の成長温
度、例えば６５５℃以上の成長温度では成長温度が高い
ほどＰＬ波長は短くなることがわかる。ＰＬ波長が短い
ということは、バンドギャップが大きいということを示
すので、これは成長温度の高い領域においてはバンドギ
ャップが大きくなることを示している。従って、この性
質から、上述したように、ＧａＩｎＰ活性層１０を成長
させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度よりも高い成長温度、例えば６５５℃以上の温
度で活性層１０を成長させるとともに、図６に示すよう
に、ウエハ１２ａのレーザ共振器端近傍領域３上のＧａ
ＩｎＰ活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
と、レーザ光１５が照射された領域においてＧａＩｎＰ
が他の領域のＧａＩｎＰよりも加熱されながら結晶成長
され、該加熱された領域のＧａＩｎＰ層のバンドギャッ
プはその他の領域のＧａＩｎＰ層よりもバンドギャップ
が大きくなる。例えば、通常ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎ
Ｐ系の半導体レーザの成長温度は７００℃付近であり、
上記レーザ光の走査領域と他の領域との温度差が約２０
℃であれば、バンドギャップ差は約１７ｍｅＶとなる。
したがって、レーザ光が照射されて加熱された領域のバ
ンドギャップは活性層１０の他の領域のバンドギャップ
よりも大きくなり、このレーザ光が照射された領域に窓
構造部１０ａが形成される（図３(a))。
【００８５】続いて、図３(b) に示すように、ＧａＩｎ
Ｐ活性層１０上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等により、連
続的にｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩ
ｎＰエッチングストッパ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層９ｂ，ｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続層８，ｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａを結晶成長させた後、ＳｉＮ
膜、またはＳｉＯＮ膜等の絶縁膜をＣＶＤ法，スパッタ
法等により成膜し、レジストを塗布する工程と，写真製
版工程とを組み合わせてレーザ共振器長方向に伸びるス
トライプ状の絶縁膜マスク４２を形成する（図３(c))。
次にこのストライプ状の絶縁膜マスク４２をマスクとし
て、酒石酸系のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層７ａを選択エッチングし、その後、塩酸系のエッチ
ング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層８をエッチ
ングし、さらに硫酸系のエッチング液でｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層９ｂをエッチングしてリッジストライプ
を形成する。このとき、エッチングストッパ層４１によ
ってｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ｂのエッチングを
制御性よく止めることができる。その後、絶縁膜マスク
４２を選択成長のマスクとして上記リッジストライプを
埋め込むようにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層４０を成長
した後（図３(d))，絶縁膜マスク４１を除去し、電流ブ
ロック層４０上，及びｐ−ＧａＡｓキャップ層７ａ上に
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂを結晶成長させ、該コン
タクト層７ｂ上にｐ側電極６ｂを，またウエハ１２ａの
裏面側にｎ側電極６ａを形成した後（図３(e))、上記ス
トライプ状のレーザ共振器端面近傍領域３の半導体レー
ザの共振器長方向の中間位置においてへき開を行い、レ
ーザ共振器端面３ａを形成し（図３(f))、さらにレーザ
共振器幅方向において各素子を切り離して半導体レーザ
１００を得る。
Ｐ活性層１０上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等により、連
続的にｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ａ，ｐ−ＧａＩ
ｎＰエッチングストッパ層４１，ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層９ｂ，ｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続層８，ｐ−
ＧａＡｓキャップ層７ａを結晶成長させた後、ＳｉＮ
膜、またはＳｉＯＮ膜等の絶縁膜をＣＶＤ法，スパッタ
法等により成膜し、レジストを塗布する工程と，写真製
版工程とを組み合わせてレーザ共振器長方向に伸びるス
トライプ状の絶縁膜マスク４２を形成する（図３(c))。
次にこのストライプ状の絶縁膜マスク４２をマスクとし
て、酒石酸系のエッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層７ａを選択エッチングし、その後、塩酸系のエッチ
ング液でｐ−ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層８をエッチ
ングし、さらに硫酸系のエッチング液でｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層９ｂをエッチングしてリッジストライプ
を形成する。このとき、エッチングストッパ層４１によ
ってｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９ｂのエッチングを
制御性よく止めることができる。その後、絶縁膜マスク
４２を選択成長のマスクとして上記リッジストライプを
埋め込むようにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層４０を成長
した後（図３(d))，絶縁膜マスク４１を除去し、電流ブ
ロック層４０上，及びｐ−ＧａＡｓキャップ層７ａ上に
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７ｂを結晶成長させ、該コン
タクト層７ｂ上にｐ側電極６ｂを，またウエハ１２ａの
裏面側にｎ側電極６ａを形成した後（図３(e))、上記ス
トライプ状のレーザ共振器端面近傍領域３の半導体レー
ザの共振器長方向の中間位置においてへき開を行い、レ
ーザ共振器端面３ａを形成し（図３(f))、さらにレーザ
共振器幅方向において各素子を切り離して半導体レーザ
１００を得る。
【００８６】本実施例１の半導体レーザ１００は、活性
層１０形成時にレーザ光１５をレーザ共振器端面近傍領
域３に照射することにより、レーザ共振器端面近傍３の
温度を上げて成長させ、この領域の活性層１０のバンド
ギャップを大きくして窓構造部１０ａを形成し、活性層
１０のリッジストライプ下部の領域、つまり活性層１０
の発光に寄与する発光部において発生した光がレーザ共
振器端面３ａにおいて吸収されないようにしたものであ
る。本実施例１の半導体レーザは、図２９に示した従来
の半導体レーザ３００のように抵抗値を低下させるＺｎ
等の不純物を拡散させることによりレーザ共振器端面近
傍のバンドギャップを大きくして窓構造部を形成するも
のと異なり、活性層１０の成長時にレーザ光１５により
加熱してバンドギャップを大きくするものであり、この
加熱工程において、レーザ共振器端面近傍領域３の活性
層１０のバンドギャップが活性層１０の発光部のバンド
ギャップよりも十分に大きくなるように加熱してやれ
ば、この加熱が多少不均一であってもバンドギャップの
大きさが不均一となるのみであり、窓構造としては十分
機能し、半導体レーザ１００の特性に悪影響を与えるこ
とがない。つまり、従来のように不純物の拡散がばらつ
くことにより、レーザ共振器端面部分の抵抗値が下がっ
てしまい、リーク電流が発生することがなく、再現性よ
く所望の特性を備えた半導体レーザを得ることができ
る。
層１０形成時にレーザ光１５をレーザ共振器端面近傍領
域３に照射することにより、レーザ共振器端面近傍３の
温度を上げて成長させ、この領域の活性層１０のバンド
ギャップを大きくして窓構造部１０ａを形成し、活性層
１０のリッジストライプ下部の領域、つまり活性層１０
の発光に寄与する発光部において発生した光がレーザ共
振器端面３ａにおいて吸収されないようにしたものであ
る。本実施例１の半導体レーザは、図２９に示した従来
の半導体レーザ３００のように抵抗値を低下させるＺｎ
等の不純物を拡散させることによりレーザ共振器端面近
傍のバンドギャップを大きくして窓構造部を形成するも
のと異なり、活性層１０の成長時にレーザ光１５により
加熱してバンドギャップを大きくするものであり、この
加熱工程において、レーザ共振器端面近傍領域３の活性
層１０のバンドギャップが活性層１０の発光部のバンド
ギャップよりも十分に大きくなるように加熱してやれ
ば、この加熱が多少不均一であってもバンドギャップの
大きさが不均一となるのみであり、窓構造としては十分
機能し、半導体レーザ１００の特性に悪影響を与えるこ
とがない。つまり、従来のように不純物の拡散がばらつ
くことにより、レーザ共振器端面部分の抵抗値が下がっ
てしまい、リーク電流が発生することがなく、再現性よ
く所望の特性を備えた半導体レーザを得ることができ
る。
【００８７】また、図３１に示した従来の他の半導体レ
ーザ４００においては、窓構造部を設けるためにへき開
後にレーザ共振器端面上に窓構造層５２の結晶成長を行
なう必要があるため、取り扱いが難しく、歩留りが低下
するとともに、製造工程が複雑化するという問題があっ
た。しかし、本実施例１の半導体レーザにおいては、へ
き開前のウエハ１２ａ上に活性層１０を形成する工程に
おいて窓構造部１０ａを形成することができるため、窓
構造を形成する際にへき開した後の微細なウエハを取り
扱う必要がなく、さらに、活性層１０を形成する工程と
同時に窓構造部１０ａを形成することができるから、新
たに窓構造層５２を形成する工程が不要となり、半導体
レーザの製造工程を容易にすることができる。
ーザ４００においては、窓構造部を設けるためにへき開
後にレーザ共振器端面上に窓構造層５２の結晶成長を行
なう必要があるため、取り扱いが難しく、歩留りが低下
するとともに、製造工程が複雑化するという問題があっ
た。しかし、本実施例１の半導体レーザにおいては、へ
き開前のウエハ１２ａ上に活性層１０を形成する工程に
おいて窓構造部１０ａを形成することができるため、窓
構造を形成する際にへき開した後の微細なウエハを取り
扱う必要がなく、さらに、活性層１０を形成する工程と
同時に窓構造部１０ａを形成することができるから、新
たに窓構造層５２を形成する工程が不要となり、半導体
レーザの製造工程を容易にすることができる。
【００８８】以上のようにこの発明の第１の実施例によ
れば、活性層１０を結晶成長させる工程において、Ｇａ
ＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる成長温度以上の成
長温度でＧａＩｎＰ活性層１０を成長させるとともに、
活性層１０のレーザ共振器端面となる領域近傍の領域に
レーザ光を照射してさらに加熱するようにしたから、再
現性よく所望の特性を備えた半導体レーザを容易に形成
することができる。
れば、活性層１０を結晶成長させる工程において、Ｇａ
ＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大きくなる成長温度以上の成
長温度でＧａＩｎＰ活性層１０を成長させるとともに、
活性層１０のレーザ共振器端面となる領域近傍の領域に
レーザ光を照射してさらに加熱するようにしたから、再
現性よく所望の特性を備えた半導体レーザを容易に形成
することができる。
【００８９】なお、上記実施例１においては、活性層１
０のレーザ共振器端面近傍領域３を加熱する際に、照射
領域が点状のレーザ光１５を出射するレーザ装置１４を
用いるようにしたが、本発明はその他の形状の照射領域
を有するレーザ装置を用いるようにしてもよい。例え
ば、図９に示すように、レーザ光照射領域３１がウエハ
１２ａ上のレーザ共振器端面近傍領域３に沿って帯状に
広がるレーザ光１５ａを出射するレーザ装置１４ａを用
い、このレーザ光照射領域３１とレーザ共振器端面近傍
領域３とを重ね合わせるようにレーザ光１５ａを照射す
るようにしてもよく、このような場合においても上記実
施例１と同様の効果を奏するとともに、レーザ装置１４
ａにレーザ装置１４のような走査系が不要となり、簡単
な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レーザを形成
することができる。この時、図９において図６と同一符
号は同一または相当する部分を示している。
０のレーザ共振器端面近傍領域３を加熱する際に、照射
領域が点状のレーザ光１５を出射するレーザ装置１４を
用いるようにしたが、本発明はその他の形状の照射領域
を有するレーザ装置を用いるようにしてもよい。例え
ば、図９に示すように、レーザ光照射領域３１がウエハ
１２ａ上のレーザ共振器端面近傍領域３に沿って帯状に
広がるレーザ光１５ａを出射するレーザ装置１４ａを用
い、このレーザ光照射領域３１とレーザ共振器端面近傍
領域３とを重ね合わせるようにレーザ光１５ａを照射す
るようにしてもよく、このような場合においても上記実
施例１と同様の効果を奏するとともに、レーザ装置１４
ａにレーザ装置１４のような走査系が不要となり、簡単
な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レーザを形成
することができる。この時、図９において図６と同一符
号は同一または相当する部分を示している。
【００９０】また、上記実施例１において、活性層１０
を結晶成長させる際のレーザ共振器端面近傍領域３への
点状のレーザ光１５を走査させるサイクルを、活性層１
０が１モノレイヤー成長する時間と同程度，あるいはそ
れ以下とすることにより、１モノレイヤー単位で成長面
を均一に加熱しながらレーザ共振器端面近傍領域３の活
性層１０を形成することができ、活性層１０のレーザ光
１５を照射して形成した窓構造部１０ａのバンドギャッ
プを均一にすることができ、より特性に優れた半導体レ
ーザを得ることができる。
を結晶成長させる際のレーザ共振器端面近傍領域３への
点状のレーザ光１５を走査させるサイクルを、活性層１
０が１モノレイヤー成長する時間と同程度，あるいはそ
れ以下とすることにより、１モノレイヤー単位で成長面
を均一に加熱しながらレーザ共振器端面近傍領域３の活
性層１０を形成することができ、活性層１０のレーザ光
１５を照射して形成した窓構造部１０ａのバンドギャッ
プを均一にすることができ、より特性に優れた半導体レ
ーザを得ることができる。
【００９１】また、通常の半導体レーザの製造方法にお
いては、リッジストライプ形成の前後にリッジストライ
プの位置とへき開位置等との位置合わせのためのマーカ
をウエハ上に形成することが多いが、本実施例１におい
ては、レーザ光１５において加熱した活性層のレーザ共
振器近傍領域とリッジストライプ等との位置をあわせる
必要があるため、図１０に示すように、活性層形成前の
ウエハ１２ａ上にエッチング等により、位置合わせのた
めの、半導体レーザ素子形成領域１００ａの位置を示す
マーカ３５を形成するようにしても良く、このようなマ
ーカ３５を設けることによりレーザ光１５において加熱
して形成した窓構造部１０ａとリッジストライプ等との
位置合わせ精度を向上させ、半導体レーザの歩留りを向
上させることができる。
いては、リッジストライプ形成の前後にリッジストライ
プの位置とへき開位置等との位置合わせのためのマーカ
をウエハ上に形成することが多いが、本実施例１におい
ては、レーザ光１５において加熱した活性層のレーザ共
振器近傍領域とリッジストライプ等との位置をあわせる
必要があるため、図１０に示すように、活性層形成前の
ウエハ１２ａ上にエッチング等により、位置合わせのた
めの、半導体レーザ素子形成領域１００ａの位置を示す
マーカ３５を形成するようにしても良く、このようなマ
ーカ３５を設けることによりレーザ光１５において加熱
して形成した窓構造部１０ａとリッジストライプ等との
位置合わせ精度を向上させ、半導体レーザの歩留りを向
上させることができる。
【００９２】また、上記実施例１においてはレーザ共振
器端面近傍領域３をレーザ光１５を用いて加熱するよう
にしたが、本発明は加熱手段として、ＩＲ(Infrared Ra
ys)ランプやハロゲンランプ等から出射された光をレン
ズにより点状に絞り込んだ光を上記実施例１のレーザ光
１５の代わりに用い、これをレーザ共振器端面近傍領域
３に照射して加熱するようにしてもよく、このような場
合においても上記実施例１と同様の効果を奏する。
器端面近傍領域３をレーザ光１５を用いて加熱するよう
にしたが、本発明は加熱手段として、ＩＲ(Infrared Ra
ys)ランプやハロゲンランプ等から出射された光をレン
ズにより点状に絞り込んだ光を上記実施例１のレーザ光
１５の代わりに用い、これをレーザ共振器端面近傍領域
３に照射して加熱するようにしてもよく、このような場
合においても上記実施例１と同様の効果を奏する。
【００９３】なお、上記実施例１においては、レーザ共
振器端面近傍領域３をレーザ光１５を照射することによ
り加熱するようにしたが、半導体レーザ１００の成長装
置として、基板（ウエハ）を裏面側から加熱体により加
熱する基板加熱型のＭＯＣＶＤ法を用いる場合、半導体
レーザ１００の形成に用いられるウエハ１２ａのレーザ
共振器長方向による断面図である図１１に示すように、
予めウエハ１２ａの半導体レーザ素子形成領域１００ａ
のレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチングに
より所定の深さまで除去して凹部１７を形成しておき、
例えば、ウエハ１２ａの裏面に蒸着等によりウエハ１２
ａよりも熱伝導率のよいＡｌＮ（アルミナイトライ
ド），ＢＮ（ボロンナイトライド）等の材料からなる高
熱伝導率層３０をＣＶＤ等により形成した後、該凹部１
７の内部以外の領域に形成された高熱伝導率層３０をエ
ッチバック等により除去する方法を用いて、上記凹部１
７に高熱伝導率層３０を埋め込み形成しておくことによ
り、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３の成長
表面への加熱体１８からの熱伝導を良くして、成長表面
の温度低下を起こりにくくすることにより、レーザ共振
器端面近傍領域３の成長表面の温度を半導体レーザ素子
形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍以外の領域５
の成長表面の温度よりも高くして、レーザ共振器端面近
傍領域３に形成される活性層１０の成長温度をレーザ端
面近傍領域以外の領域５の活性層１０の成長温度よりも
高くするようにしてもよい。このような場合においても
活性層１０形成時にレーザ共振器端面近傍領域３の成長
温度をその他の領域５の成長温度よりも高くすることが
でき、上記実施例１と同様の効果を奏するとともに、半
導体レーザの製造装置として、上記実施例１のようにレ
ーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がなく、従来の
ＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導体レーザを
得ることができるから、上記実施例１の半導体レーザの
製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体レーザを得
ることができる。
振器端面近傍領域３をレーザ光１５を照射することによ
り加熱するようにしたが、半導体レーザ１００の成長装
置として、基板（ウエハ）を裏面側から加熱体により加
熱する基板加熱型のＭＯＣＶＤ法を用いる場合、半導体
レーザ１００の形成に用いられるウエハ１２ａのレーザ
共振器長方向による断面図である図１１に示すように、
予めウエハ１２ａの半導体レーザ素子形成領域１００ａ
のレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチングに
より所定の深さまで除去して凹部１７を形成しておき、
例えば、ウエハ１２ａの裏面に蒸着等によりウエハ１２
ａよりも熱伝導率のよいＡｌＮ（アルミナイトライ
ド），ＢＮ（ボロンナイトライド）等の材料からなる高
熱伝導率層３０をＣＶＤ等により形成した後、該凹部１
７の内部以外の領域に形成された高熱伝導率層３０をエ
ッチバック等により除去する方法を用いて、上記凹部１
７に高熱伝導率層３０を埋め込み形成しておくことによ
り、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３の成長
表面への加熱体１８からの熱伝導を良くして、成長表面
の温度低下を起こりにくくすることにより、レーザ共振
器端面近傍領域３の成長表面の温度を半導体レーザ素子
形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍以外の領域５
の成長表面の温度よりも高くして、レーザ共振器端面近
傍領域３に形成される活性層１０の成長温度をレーザ端
面近傍領域以外の領域５の活性層１０の成長温度よりも
高くするようにしてもよい。このような場合においても
活性層１０形成時にレーザ共振器端面近傍領域３の成長
温度をその他の領域５の成長温度よりも高くすることが
でき、上記実施例１と同様の効果を奏するとともに、半
導体レーザの製造装置として、上記実施例１のようにレ
ーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がなく、従来の
ＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導体レーザを
得ることができるから、上記実施例１の半導体レーザの
製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体レーザを得
ることができる。
【００９４】また、図１１と同様に、図１２に示すよう
にレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏面側をエ
ッチングにより除去して、凹部１９を形成することによ
り、該レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５と加熱体
１８との間の熱伝導率を下げ、レーザ共振器端面近傍領
域３に形成される活性層の成長温度をその他の領域５の
活性層の成長温度よりも高くするようにしてもよく、こ
のような場合においても上記実施例１と同様の効果を奏
する。なお、図１２において、図１１と同一符号は同一
または相当する部分を示している。
にレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏面側をエ
ッチングにより除去して、凹部１９を形成することによ
り、該レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５と加熱体
１８との間の熱伝導率を下げ、レーザ共振器端面近傍領
域３に形成される活性層の成長温度をその他の領域５の
活性層の成長温度よりも高くするようにしてもよく、こ
のような場合においても上記実施例１と同様の効果を奏
する。なお、図１２において、図１１と同一符号は同一
または相当する部分を示している。
【００９５】さらに、図１３に示すように、上記図１２
に示したウエハ１２ａの凹部１９にウエハ１２ａよりも
熱伝導率の低いＳｉＯ2 ，ＩｎＧａＡｓ等の材料を、上
記図１１に示した高熱伝導率層３０と同様に埋め込み形
成して低熱伝導率層２０を設け、このウエハ１２ａを用
いて半導体レーザ１００を形成することにより、レーザ
共振器端面近傍領域３の成長表面の温度をその他の領域
５の成長表面の温度よりも低くするようにしてもよく、
このような場合においても上記実施例１と同様の効果を
奏する。
に示したウエハ１２ａの凹部１９にウエハ１２ａよりも
熱伝導率の低いＳｉＯ2 ，ＩｎＧａＡｓ等の材料を、上
記図１１に示した高熱伝導率層３０と同様に埋め込み形
成して低熱伝導率層２０を設け、このウエハ１２ａを用
いて半導体レーザ１００を形成することにより、レーザ
共振器端面近傍領域３の成長表面の温度をその他の領域
５の成長表面の温度よりも低くするようにしてもよく、
このような場合においても上記実施例１と同様の効果を
奏する。
【００９６】また、上記実施例１において、半導体レー
ザ１００の製造に用いる装置として、ウエハを裏面側か
らＩＲランプ，ハロゲンランプ等の光源から出射される
光により加熱する基板加熱型のＭＯＣＶＤ法を用いる場
合、図１４に示すように、予めウエハ１２ａの半導体レ
ーザ素子形成領域１００ａのうちのレーザ共振器端面近
傍領域以外の領域５の裏面側をエッチングにより所定の
深さまで除去して凹部１９を形成しておき、該凹部１９
の底面に、厚さにより透過率が変化するＳｉＯ，ＳｉＯ
Ｎ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなる単層または多層の薄
膜をＩＲランプ，ハロゲンランプ等の光の反射率が基板
より高くなる厚さで形成した高反射率膜２１ａを設け、
この高反射率膜２１ａにより光源２３からウエハ１２ａ
の裏面側に照射される光２２のうち、レーザ共振器端面
近傍領域以外の領域５に入射される光を反射させて、レ
ーザ共振器端面近傍領域以外の領域５における光エネル
ギーの吸収を減少させて、レーザ共振器端面近傍領域３
に形成される活性層の成長温度をその他の領域５の活性
層の成長温度よりも高くするようにしてもよい。このよ
うな場合においても上記実施例１と同様の効果を奏する
とともに、半導体装置の製造装置として、上記実施例１
のようにレーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がな
く、従来のＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導
体レーザを得ることができるから、上記実施例１の半導
体レーザの製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体
レーザを得ることができる。ここで、凹部１９内に高反
射率膜２１ａを設けたのは、ウエハ１２ａの裏面側で得
られた光エネルギー吸収の分布がウエハ１２ａ表面に達
する過程で厚さが約６００μｍと厚いウエハ１２ａ内で
拡散することを防いで、ウエハ１２ａの表面において温
度分布が十分に得られるようにするためである。なお、
図１４は半導体レーザ１００の形成に用いられるウエハ
１２ａの主要部のレーザ共振器長方向による断面図であ
る。
ザ１００の製造に用いる装置として、ウエハを裏面側か
らＩＲランプ，ハロゲンランプ等の光源から出射される
光により加熱する基板加熱型のＭＯＣＶＤ法を用いる場
合、図１４に示すように、予めウエハ１２ａの半導体レ
ーザ素子形成領域１００ａのうちのレーザ共振器端面近
傍領域以外の領域５の裏面側をエッチングにより所定の
深さまで除去して凹部１９を形成しておき、該凹部１９
の底面に、厚さにより透過率が変化するＳｉＯ，ＳｉＯ
Ｎ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなる単層または多層の薄
膜をＩＲランプ，ハロゲンランプ等の光の反射率が基板
より高くなる厚さで形成した高反射率膜２１ａを設け、
この高反射率膜２１ａにより光源２３からウエハ１２ａ
の裏面側に照射される光２２のうち、レーザ共振器端面
近傍領域以外の領域５に入射される光を反射させて、レ
ーザ共振器端面近傍領域以外の領域５における光エネル
ギーの吸収を減少させて、レーザ共振器端面近傍領域３
に形成される活性層の成長温度をその他の領域５の活性
層の成長温度よりも高くするようにしてもよい。このよ
うな場合においても上記実施例１と同様の効果を奏する
とともに、半導体装置の製造装置として、上記実施例１
のようにレーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がな
く、従来のＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導
体レーザを得ることができるから、上記実施例１の半導
体レーザの製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体
レーザを得ることができる。ここで、凹部１９内に高反
射率膜２１ａを設けたのは、ウエハ１２ａの裏面側で得
られた光エネルギー吸収の分布がウエハ１２ａ表面に達
する過程で厚さが約６００μｍと厚いウエハ１２ａ内で
拡散することを防いで、ウエハ１２ａの表面において温
度分布が十分に得られるようにするためである。なお、
図１４は半導体レーザ１００の形成に用いられるウエハ
１２ａの主要部のレーザ共振器長方向による断面図であ
る。
【００９７】さらに、図１５に示すように、ウエハ１２
ａのレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチング
により所定の深さまで除去して凹部１７を形成し、該凹
部１７の底面に、ＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ
3 等からなる単層または多層の薄膜をＩＲランプ，ハロ
ゲンランプ等の光の反射率が基板より低くなる厚さで蒸
着等により形成した低反射率膜２１ｂを設け、レーザ共
振器端面近傍領域３のウエハ１２ａの裏面での光エネル
ギーの吸収を増加させて、レーザ共振器端面近傍領域３
のウエハ１２ａ上に形成される活性層１０の成長温度を
レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の活性層１０の
成長温度よりも高くするようにしてもよく、このような
場合においても上記実施例１と同様の効果を奏する。な
お、図１５は半導体レーザ１００の形成に用いられるウ
エハ１２ａの主要部のレーザ共振器長方向による断面図
である。
ａのレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチング
により所定の深さまで除去して凹部１７を形成し、該凹
部１７の底面に、ＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ
3 等からなる単層または多層の薄膜をＩＲランプ，ハロ
ゲンランプ等の光の反射率が基板より低くなる厚さで蒸
着等により形成した低反射率膜２１ｂを設け、レーザ共
振器端面近傍領域３のウエハ１２ａの裏面での光エネル
ギーの吸収を増加させて、レーザ共振器端面近傍領域３
のウエハ１２ａ上に形成される活性層１０の成長温度を
レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の活性層１０の
成長温度よりも高くするようにしてもよく、このような
場合においても上記実施例１と同様の効果を奏する。な
お、図１５は半導体レーザ１００の形成に用いられるウ
エハ１２ａの主要部のレーザ共振器長方向による断面図
である。
【００９８】また、図１６に示すように、ウエハ１２ａ
のレーザ共振器端面近傍領域３に沿って、ウエハ１２ａ
の上方に線状ヒータ２５を配置し、この線状ヒータ２５
により、レーザ共振器端面近傍領域３を加熱して、レー
ザ共振器端面近傍領域３に形成される活性層の成長温度
をレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に対して高く
するようにしてもよく、このような場合においても上記
実施例１と同様の効果を奏する。なお、図１６(a) はウ
エハ１２ａの上方にウエハ１２ａに接しないよう線状ヒ
ータ２５を配置した状態を示す斜視図であり、図１６
(b) は該ウエハ１２ａ及び線状ヒータ２５の主要部のレ
ーザ共振器長方向における断面図であり、図において１
００ａは半導体レーザ素子形成領域を示している。
のレーザ共振器端面近傍領域３に沿って、ウエハ１２ａ
の上方に線状ヒータ２５を配置し、この線状ヒータ２５
により、レーザ共振器端面近傍領域３を加熱して、レー
ザ共振器端面近傍領域３に形成される活性層の成長温度
をレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に対して高く
するようにしてもよく、このような場合においても上記
実施例１と同様の効果を奏する。なお、図１６(a) はウ
エハ１２ａの上方にウエハ１２ａに接しないよう線状ヒ
ータ２５を配置した状態を示す斜視図であり、図１６
(b) は該ウエハ１２ａ及び線状ヒータ２５の主要部のレ
ーザ共振器長方向における断面図であり、図において１
００ａは半導体レーザ素子形成領域を示している。
【００９９】また、本発明においては、図１７に示すよ
うに、ウエハ１２ａの隣接する複数の半導体レーザ素子
形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域３に所定
の深さまで拡散，イオン注入等により不純物を導入して
ウエハ１２ａの導電型と導電型が反対の帯状の導電型反
転領域２７を形成しておき、該反転領域２７の両端に電
極（図示せず）を取り付け、該反転領域２７を電流を流
すことにより発熱させて、活性層１０を形成する際のこ
の反転領域２７上の成長温度をレーザ共振器端面近傍領
域以外の領域の活性層１０の成長温度より高くできるよ
うにしてもよい。このような場合においても上記実施例
１と同様の効果を奏するとともに、このような製造方法
により形成された反転領域２７を有する半導体レーザ１
００の共振器長方向の断面図は図１８のようになり、レ
ーザ共振器端面近傍において、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層９ａとｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１とｎ−
ＧａＡｓ基板１２の導電型反転領域２７とｎ−ＧａＡｓ
基板１２との間にｐｎｐｎ接合が形成されるため、レー
ザ共振器端面近傍の発光に寄与しない窓構造部１０ａが
形成された領域を流れるリーク電流を確実に防ぐことが
でき、半導体レーザの性能を向上させることができる。
なお、図１８において、図２と同一符号は同一または相
当する部分を示している。
うに、ウエハ１２ａの隣接する複数の半導体レーザ素子
形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域３に所定
の深さまで拡散，イオン注入等により不純物を導入して
ウエハ１２ａの導電型と導電型が反対の帯状の導電型反
転領域２７を形成しておき、該反転領域２７の両端に電
極（図示せず）を取り付け、該反転領域２７を電流を流
すことにより発熱させて、活性層１０を形成する際のこ
の反転領域２７上の成長温度をレーザ共振器端面近傍領
域以外の領域の活性層１０の成長温度より高くできるよ
うにしてもよい。このような場合においても上記実施例
１と同様の効果を奏するとともに、このような製造方法
により形成された反転領域２７を有する半導体レーザ１
００の共振器長方向の断面図は図１８のようになり、レ
ーザ共振器端面近傍において、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層９ａとｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１とｎ−
ＧａＡｓ基板１２の導電型反転領域２７とｎ−ＧａＡｓ
基板１２との間にｐｎｐｎ接合が形成されるため、レー
ザ共振器端面近傍の発光に寄与しない窓構造部１０ａが
形成された領域を流れるリーク電流を確実に防ぐことが
でき、半導体レーザの性能を向上させることができる。
なお、図１８において、図２と同一符号は同一または相
当する部分を示している。
【０１００】また、上記実施例１においては、半導体レ
ーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
３を加熱して、窓構造部１０ａを形成するようにした
が、本発明においては、窓構造部は半導体レーザの導波
路上のレーザ共振器端面近傍に形成されればよいので、
活性層１０を形成する際に、レーザ共振器端面近傍領域
３のリッジストライプが形成されるリッジストライプ形
成領域７近傍のみを加熱する。この領域の活性層１０に
窓構造部を形成するようにしてもよい。例えば、加熱手
段として照射領域３１ａが円形や矩形のレーザ光１５ｂ
を出射するレーザ装置１４ｂを用い、このレーザ装置か
ら出射されるレーザ光１５ｂを照射することにより図１
９に示すようにレーザ共振器端面近傍領域３のリッジス
トライプ形成領域７近傍を加熱するようにしても良く、
このような場合においても、上記実施例１と同様の効果
を奏する。
ーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
３を加熱して、窓構造部１０ａを形成するようにした
が、本発明においては、窓構造部は半導体レーザの導波
路上のレーザ共振器端面近傍に形成されればよいので、
活性層１０を形成する際に、レーザ共振器端面近傍領域
３のリッジストライプが形成されるリッジストライプ形
成領域７近傍のみを加熱する。この領域の活性層１０に
窓構造部を形成するようにしてもよい。例えば、加熱手
段として照射領域３１ａが円形や矩形のレーザ光１５ｂ
を出射するレーザ装置１４ｂを用い、このレーザ装置か
ら出射されるレーザ光１５ｂを照射することにより図１
９に示すようにレーザ共振器端面近傍領域３のリッジス
トライプ形成領域７近傍を加熱するようにしても良く、
このような場合においても、上記実施例１と同様の効果
を奏する。
【０１０１】実施例２．図７は本発明の第２の実施例に
よる半導体レーザの構造を示す斜視図であり、図におい
て図１と同一符号は同一または相当する部分を示してお
り、１０ｂは活性層１０内のレーザ光１５が照射された
レーザ光被照射領域である。
よる半導体レーザの構造を示す斜視図であり、図におい
て図１と同一符号は同一または相当する部分を示してお
り、１０ｂは活性層１０内のレーザ光１５が照射された
レーザ光被照射領域である。
【０１０２】また、図８は本発明の第２の実施例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図であ
り、図において図３と同一符号は同一又は相当する部分
を示しており、５は半導体レーザ１００ａのレーザ共振
器端面近傍領域以外の領域である。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図であ
り、図において図３と同一符号は同一又は相当する部分
を示しており、５は半導体レーザ１００ａのレーザ共振
器端面近傍領域以外の領域である。
【０１０３】通常、半導体レーザの連続的な結晶成長工
程は、ほぼ一定の温度で行なわれることが多いが、Ａｌ
ＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の半導体レーザにおいては、
成長温度が高いと、例えば活性層としてＧａＩｎＰを用
いる場合には、活性層の成長時にＩｎが脱離しやすいた
め成長温度が高いとＩｎの脱離により組成の面内均一性
が損なわれ基板と格子整合しなくなり，またバンドギャ
ップの面内均一性が確保しにくくなるという問題があっ
た。
程は、ほぼ一定の温度で行なわれることが多いが、Ａｌ
ＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の半導体レーザにおいては、
成長温度が高いと、例えば活性層としてＧａＩｎＰを用
いる場合には、活性層の成長時にＩｎが脱離しやすいた
め成長温度が高いとＩｎの脱離により組成の面内均一性
が損なわれ基板と格子整合しなくなり，またバンドギャ
ップの面内均一性が確保しにくくなるという問題があっ
た。
【０１０４】一方、成長温度が低いと、クラッド層とし
て、例えばＡｌＧａＩｎＰを用いると成長温度が低いと
酸素を取り込みやすくなり、特にｐ型クラッド層ではド
ーパント濃度に対してキャリア濃度が低くなるという問
題があった。このような問題を解決する手段として活性
層成長時の成長温度をクラッド層成長時より下げる半導
体レーザの製造方法が試みられている。
て、例えばＡｌＧａＩｎＰを用いると成長温度が低いと
酸素を取り込みやすくなり、特にｐ型クラッド層ではド
ーパント濃度に対してキャリア濃度が低くなるという問
題があった。このような問題を解決する手段として活性
層成長時の成長温度をクラッド層成長時より下げる半導
体レーザの製造方法が試みられている。
【０１０５】上記実施例１は、このような活性層の成長
温度をクラッド層の成長温度よりも下げた半導体レーザ
の製造方法においても適用可能なもので、この半導体レ
ーザの製造方法に上記実施例１の製造方法を適用するこ
とにより、容易に歩留り良く窓構造を備えた半導体レー
ザを得ることも可能である。しかし、上記実施例１にお
いては、活性層の結晶成長温度を活性層のＰＬ波長が最
も大きくなる成長温度より高い温度とし、さらにレーザ
共振器端面近傍領域をレーザ光により加熱する必要があ
るため、活性層の成長温度を活性層のＰＬ波長が最も大
きくなる成長温度より低くすることができないという問
題があった。
温度をクラッド層の成長温度よりも下げた半導体レーザ
の製造方法においても適用可能なもので、この半導体レ
ーザの製造方法に上記実施例１の製造方法を適用するこ
とにより、容易に歩留り良く窓構造を備えた半導体レー
ザを得ることも可能である。しかし、上記実施例１にお
いては、活性層の結晶成長温度を活性層のＰＬ波長が最
も大きくなる成長温度より高い温度とし、さらにレーザ
共振器端面近傍領域をレーザ光により加熱する必要があ
るため、活性層の成長温度を活性層のＰＬ波長が最も大
きくなる成長温度より低くすることができないという問
題があった。
【０１０６】本実施例２はこのような問題を解消するた
めになされたものであり、活性層の成長温度を活性層の
ＰＬ波長が最も大きくなる成長温度より低くした場合に
おいて、容易に歩留り良く窓構造を備えた半導体レーザ
を得ることが可能なものであり、活性層の結晶成長温度
を該活性層を構成する材料のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度より低い温度とし、さらにレーザ共振器端面近
傍領域以外の領域をレーザ光により、該領域の成長温度
が活性層を構成する材料のＰＬ波長が最も大きくなる成
長温度よりも低くなるよう加熱することにより、窓構造
を得るものである。
めになされたものであり、活性層の成長温度を活性層の
ＰＬ波長が最も大きくなる成長温度より低くした場合に
おいて、容易に歩留り良く窓構造を備えた半導体レーザ
を得ることが可能なものであり、活性層の結晶成長温度
を該活性層を構成する材料のＰＬ波長が最も大きくなる
成長温度より低い温度とし、さらにレーザ共振器端面近
傍領域以外の領域をレーザ光により、該領域の成長温度
が活性層を構成する材料のＰＬ波長が最も大きくなる成
長温度よりも低くなるよう加熱することにより、窓構造
を得るものである。
【０１０７】次に製造方法について図７を用いて説明す
る。まず、上記実施例１と同様にウエハ１２ａ上にｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１を結晶成長させた後、Ｇ
ａＩｎＰ活性層１０を結晶成長により形成する。この
時、活性層１０の成長温度は、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長
が最も大きくなる成長温度より低い温度とするととも
に、図８に示すようにウエハ１２ａのレーザ共振器端面
近傍領域以外の領域５上にレーザ光１５を走査させて、
この領域上の活性層１０を、レーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５よりも高い温度で、かつＧａＩｎＰ層のＰ
Ｌ波長が最も大きくなる成長温度より低い温度以下の温
度で加熱する。このレーザ光を照射する領域の共振器長
方向の長さ，及びレーザ共振器端面近傍領域３のレーザ
共振器長方向の長さは、例えば、上記実施例１と同様に
６１０μｍ，４０μｍとする。
る。まず、上記実施例１と同様にウエハ１２ａ上にｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１を結晶成長させた後、Ｇ
ａＩｎＰ活性層１０を結晶成長により形成する。この
時、活性層１０の成長温度は、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長
が最も大きくなる成長温度より低い温度とするととも
に、図８に示すようにウエハ１２ａのレーザ共振器端面
近傍領域以外の領域５上にレーザ光１５を走査させて、
この領域上の活性層１０を、レーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５よりも高い温度で、かつＧａＩｎＰ層のＰ
Ｌ波長が最も大きくなる成長温度より低い温度以下の温
度で加熱する。このレーザ光を照射する領域の共振器長
方向の長さ，及びレーザ共振器端面近傍領域３のレーザ
共振器長方向の長さは、例えば、上記実施例１と同様に
６１０μｍ，４０μｍとする。
【０１０８】ここで、図４に示したＧａＡｓ基板に格子
整合するＧａＩｎＰ層の成長温度とＰＬ波長との相関関
係より、ＰＬ波長が最も大きくなる温度以下の成長温
度、例えば６５５℃以上の成長温度では成長温度が高い
ほどＰＬ波長は長くなり、成長温度の高い領域において
はバンドギャップが小さくなることがわかる。従って、
この性質から、上述したように、ＧａＩｎＰ活性層１０
を成長させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大き
くなる成長温度よりも低い成長温度、例えば６５５℃以
上の温度で活性層１０を成長させるとともに、図８に示
すように、ウエハ１のレーザ共振器端近傍領域３以外の
領域上の活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
と、レーザ光１５が照射された被照射領域１０ｂにおい
てＧａＩｎＰが他の領域のＧａＩｎＰよりも加熱されな
がら結晶成長され、該加熱された領域のＧａＩｎＰ層の
バンドギャップはその他のレーザ共振器端面近傍領域３
のＧａＩｎＰ層よりもバンドギャップが小さくなる。例
えば、レーザ光１５の走査領域の成長温度を約６３０℃
とし、上記レーザ光の走査領域と他の領域との温度差が
約２０℃となるように活性層１０を結晶成長させると、
バンドギャップ差は約１７ｍｅＶとなる。したがって、
レーザ光により照射された領域のバンドギャップは活性
層１０の他の領域，即ち、レーザ共振器端面近傍領域３
のバンドギャップよりも大きくなり、このレーザ光が照
射されていないレーザ共振器端面近傍領域３内の活性層
１０が窓構造部となる。
整合するＧａＩｎＰ層の成長温度とＰＬ波長との相関関
係より、ＰＬ波長が最も大きくなる温度以下の成長温
度、例えば６５５℃以上の成長温度では成長温度が高い
ほどＰＬ波長は長くなり、成長温度の高い領域において
はバンドギャップが小さくなることがわかる。従って、
この性質から、上述したように、ＧａＩｎＰ活性層１０
を成長させる際に、ＧａＩｎＰ層のＰＬ波長が最も大き
くなる成長温度よりも低い成長温度、例えば６５５℃以
上の温度で活性層１０を成長させるとともに、図８に示
すように、ウエハ１のレーザ共振器端近傍領域３以外の
領域上の活性層１０に点状のレーザ光１５を走査させる
と、レーザ光１５が照射された被照射領域１０ｂにおい
てＧａＩｎＰが他の領域のＧａＩｎＰよりも加熱されな
がら結晶成長され、該加熱された領域のＧａＩｎＰ層の
バンドギャップはその他のレーザ共振器端面近傍領域３
のＧａＩｎＰ層よりもバンドギャップが小さくなる。例
えば、レーザ光１５の走査領域の成長温度を約６３０℃
とし、上記レーザ光の走査領域と他の領域との温度差が
約２０℃となるように活性層１０を結晶成長させると、
バンドギャップ差は約１７ｍｅＶとなる。したがって、
レーザ光により照射された領域のバンドギャップは活性
層１０の他の領域，即ち、レーザ共振器端面近傍領域３
のバンドギャップよりも大きくなり、このレーザ光が照
射されていないレーザ共振器端面近傍領域３内の活性層
１０が窓構造部となる。
【０１０９】その後、上記実施例１の活性層１０形成工
程以降と同様の製造工程により、図７に示すリッジスト
ライプを備えた半導体レーザ１００を得る。
程以降と同様の製造工程により、図７に示すリッジスト
ライプを備えた半導体レーザ１００を得る。
【０１１０】このような実施例２においても、上記実施
例１と同様に、活性層１０の成長工程において、レーザ
端面近傍領域以外の領域５にレーザ光１５を照射するこ
とにより、活性層１０のレーザ共振器端面近傍３のバン
ドギャップを、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
のレーザ光１３を照射した領域１０ｂのバンドギャップ
よりも大きくして、このレーザ共振器端面３ａ近傍の活
性層１０にレーザ光を吸収しない窓構造を形成すること
ができるから、再現性よく所望の特性を備えた半導体レ
ーザを容易に形成することができる。
例１と同様に、活性層１０の成長工程において、レーザ
端面近傍領域以外の領域５にレーザ光１５を照射するこ
とにより、活性層１０のレーザ共振器端面近傍３のバン
ドギャップを、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
のレーザ光１３を照射した領域１０ｂのバンドギャップ
よりも大きくして、このレーザ共振器端面３ａ近傍の活
性層１０にレーザ光を吸収しない窓構造を形成すること
ができるから、再現性よく所望の特性を備えた半導体レ
ーザを容易に形成することができる。
【０１１１】さらに、活性層１０を構成する材料のＰＬ
波長が最も大きくなる成長温度よりも低い温度で活性層
１０を成長させるから、上記実施例１の半導体レーザの
製造方法よりも低い温度で活性層を形成させることがで
き、より特性に優れた半導体レーザを得ることができ
る。
波長が最も大きくなる成長温度よりも低い温度で活性層
１０を成長させるから、上記実施例１の半導体レーザの
製造方法よりも低い温度で活性層を形成させることがで
き、より特性に優れた半導体レーザを得ることができ
る。
【０１１２】なお、上記実施例２においては、活性層１
０のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５を加熱する
際に、照射領域が点状のレーザ光１５を出射するレーザ
装置１４を用いるようにしたが、本発明においてはその
他の形状の照射領域を有するレーザ装置を用いるように
してもよい。例えば、図２０に示すように、照射領域３
１ｂがレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に沿って
帯状に広がるレーザ光１５ｃを出射するアレイ状の半導
体レーザを備えたレーザ装置１４ｃを用い、レーザ光照
射領域３１ｂをレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
に重ね合わせるようにレーザ光１５ｃを照射するように
してもよく、このような場合においても上記実施例２と
同様の効果を奏するとともに、レーザ装置１４ｃに上記
実施例２のレーザ装置１４のように走査系が不要となる
ため、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レ
ーザを形成することができる。この時、図２０において
図８と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。
０のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５を加熱する
際に、照射領域が点状のレーザ光１５を出射するレーザ
装置１４を用いるようにしたが、本発明においてはその
他の形状の照射領域を有するレーザ装置を用いるように
してもよい。例えば、図２０に示すように、照射領域３
１ｂがレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に沿って
帯状に広がるレーザ光１５ｃを出射するアレイ状の半導
体レーザを備えたレーザ装置１４ｃを用い、レーザ光照
射領域３１ｂをレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
に重ね合わせるようにレーザ光１５ｃを照射するように
してもよく、このような場合においても上記実施例２と
同様の効果を奏するとともに、レーザ装置１４ｃに上記
実施例２のレーザ装置１４のように走査系が不要となる
ため、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レ
ーザを形成することができる。この時、図２０において
図８と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。
【０１１３】また、上記実施例２において、活性層１０
を結晶成長させる際の点状のレーザ光１５を走査させる
サイクルを、活性層１０が１モノレイヤー成長する時間
と同程度，あるいはそれ以下とすることにより、１モノ
レイヤー単位で成長面を均一に加熱しながらレーザ共振
器端面近傍領域以外の領域５の活性層１０を形成するこ
とができ、活性層１０のレーザ光被照射領域１０ｂのバ
ンドギャップを均一にすることができ、より特性に優れ
た半導体レーザを得ることができる。
を結晶成長させる際の点状のレーザ光１５を走査させる
サイクルを、活性層１０が１モノレイヤー成長する時間
と同程度，あるいはそれ以下とすることにより、１モノ
レイヤー単位で成長面を均一に加熱しながらレーザ共振
器端面近傍領域以外の領域５の活性層１０を形成するこ
とができ、活性層１０のレーザ光被照射領域１０ｂのバ
ンドギャップを均一にすることができ、より特性に優れ
た半導体レーザを得ることができる。
【０１１４】また、通常の半導体レーザの製造方法にお
いては、リッジストライプ形成の前後にリッジストライ
プの位置とへき開位置等との位置合わせのためのマーカ
をウエハ上に形成することが多いが、上記実施例２にお
いては、活性層１０のレーザ光１５において加熱した領
域とリッジストライプ等との位置をあわせる必要がある
ため、上記実施例１において、図１０を用いて説明した
ように、活性層１０形成前のウエハ１２ａ上にエッチン
グ等により位置合わせのためのマーカを形成するように
してもよく、このようなマーカを設けることによりレー
ザ光１５において加熱した領域とリッジストライプ等と
の位置合わせ精度を向上させて、半導体レーザの歩留り
を向上させることができる。
いては、リッジストライプ形成の前後にリッジストライ
プの位置とへき開位置等との位置合わせのためのマーカ
をウエハ上に形成することが多いが、上記実施例２にお
いては、活性層１０のレーザ光１５において加熱した領
域とリッジストライプ等との位置をあわせる必要がある
ため、上記実施例１において、図１０を用いて説明した
ように、活性層１０形成前のウエハ１２ａ上にエッチン
グ等により位置合わせのためのマーカを形成するように
してもよく、このようなマーカを設けることによりレー
ザ光１５において加熱した領域とリッジストライプ等と
の位置合わせ精度を向上させて、半導体レーザの歩留り
を向上させることができる。
【０１１５】また、上記実施例２においては活性層１０
のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５をレーザ光に
より加熱するようにしたが、加熱手段として、ＩＲラン
プやハロゲンランプ等の光をレンズにより点状に絞り込
んだ光を、上記実施例のレーザ光の代わりに用いて、レ
ーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に照射して加熱す
るようにしてもよく、このような場合においても上記実
施例２と同様の効果を奏する。
のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５をレーザ光に
より加熱するようにしたが、加熱手段として、ＩＲラン
プやハロゲンランプ等の光をレンズにより点状に絞り込
んだ光を、上記実施例のレーザ光の代わりに用いて、レ
ーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に照射して加熱す
るようにしてもよく、このような場合においても上記実
施例２と同様の効果を奏する。
【０１１６】なお、上記実施例２においては、半導体レ
ーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５をレーザ光１５を照射することにより加熱
するようにしたが、半導体レーザの成長装置として、基
板を裏面側から加熱体により加熱する基板加熱型のＭＯ
ＣＶＤ法を用いる場合、半導体レーザ１００を形成する
ウエハ１２ａのレーザ共振器長方向による断面図である
図２１に示すように、予め基板１２ａの半導体レーザ素
子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域以外の
領域５の裏面側をエッチングにより所定の深さまで除去
して凹部１９を形成しておき、該凹部１９に基板１２ａ
よりも熱伝導率のよいＡｌＮ，ＢＮ等からなる高熱伝導
率層３０を埋め込み形成することにより、レーザ共振器
端面近傍領域以外の領域５の成長表面への加熱体１８か
らの熱伝導を良くして、レーザ共振器端面近傍領域以外
の領域５の表面の温度の低下を起こりにくくすることに
より、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の成長表
面の温度をレーザ共振器端面近傍領域３の成長表面の温
度よりも高くして、レーザ共振器端面近傍領域３に形成
される活性層１０の成長温度をレーザ共振器端面近傍領
域以外の領域５の活性層１０の成長温度よりも高くする
ようにしてもよい。このような場合においても上記実施
例２と同様の効果を奏するとともに、半導体装置の製造
装置として、上記実施例２のようにレーザ装置を備えた
成長装置を用いる必要がなく、従来のＭＯＣＶＤ装置を
用いて窓構造を備えた半導体レーザを得ることができる
から、上記実施例１の半導体レーザの製造方法よりも容
易に窓構造を備えた半導体レーザを得ることができる。
ーザ素子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５をレーザ光１５を照射することにより加熱
するようにしたが、半導体レーザの成長装置として、基
板を裏面側から加熱体により加熱する基板加熱型のＭＯ
ＣＶＤ法を用いる場合、半導体レーザ１００を形成する
ウエハ１２ａのレーザ共振器長方向による断面図である
図２１に示すように、予め基板１２ａの半導体レーザ素
子形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域以外の
領域５の裏面側をエッチングにより所定の深さまで除去
して凹部１９を形成しておき、該凹部１９に基板１２ａ
よりも熱伝導率のよいＡｌＮ，ＢＮ等からなる高熱伝導
率層３０を埋め込み形成することにより、レーザ共振器
端面近傍領域以外の領域５の成長表面への加熱体１８か
らの熱伝導を良くして、レーザ共振器端面近傍領域以外
の領域５の表面の温度の低下を起こりにくくすることに
より、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の成長表
面の温度をレーザ共振器端面近傍領域３の成長表面の温
度よりも高くして、レーザ共振器端面近傍領域３に形成
される活性層１０の成長温度をレーザ共振器端面近傍領
域以外の領域５の活性層１０の成長温度よりも高くする
ようにしてもよい。このような場合においても上記実施
例２と同様の効果を奏するとともに、半導体装置の製造
装置として、上記実施例２のようにレーザ装置を備えた
成長装置を用いる必要がなく、従来のＭＯＣＶＤ装置を
用いて窓構造を備えた半導体レーザを得ることができる
から、上記実施例１の半導体レーザの製造方法よりも容
易に窓構造を備えた半導体レーザを得ることができる。
【０１１７】また、図２１と同様に、図２２に示すよう
にレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチングに
より除去して、凹部１７を形成することにより、該レー
ザ共振器端面近傍領域以外の領域５ａと加熱体との熱伝
導率を下げてレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に
形成される活性層の成長温度を、レーザ共振器端面近傍
領域３の活性層の成長温度よりも高くするようにしても
よく、このような場合においても上記実施例１と同様の
効果を奏する。
にレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側をエッチングに
より除去して、凹部１７を形成することにより、該レー
ザ共振器端面近傍領域以外の領域５ａと加熱体との熱伝
導率を下げてレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５に
形成される活性層の成長温度を、レーザ共振器端面近傍
領域３の活性層の成長温度よりも高くするようにしても
よく、このような場合においても上記実施例１と同様の
効果を奏する。
【０１１８】さらに、図２３に示すように、上記図２２
に示したウエハ１２ａの凹部１７にウエハ１２ａよりも
熱伝導率の低いＳｉＯ2 ，ＩｎＧａＡｓ等からなる低熱
伝導率層２０を埋め込み形成するようにし、このウエハ
１２ａを用いて半導体レーザを形成することにより、活
性層１０のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の成
長温度をレーザ共振器端面近傍領域３の成長温度よりも
高くするようにしてもよく、このような場合においても
上記実施例１と同様の効果を奏する。
に示したウエハ１２ａの凹部１７にウエハ１２ａよりも
熱伝導率の低いＳｉＯ2 ，ＩｎＧａＡｓ等からなる低熱
伝導率層２０を埋め込み形成するようにし、このウエハ
１２ａを用いて半導体レーザを形成することにより、活
性層１０のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の成
長温度をレーザ共振器端面近傍領域３の成長温度よりも
高くするようにしてもよく、このような場合においても
上記実施例１と同様の効果を奏する。
【０１１９】なお、半導体レーザの製造に用いる装置と
して、基板を裏面側からＩＲランプ，ハロゲンランプ等
の光源２３から出射される光により加熱する基板加熱型
のＭＯＣＶＤ法を用いる場合、図２４に示すように、予
めウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側
をエッチングにより所定の深さまで除去して凹部１７を
形成しておき、該凹部１７の底面に、厚さにより透過率
が変化するＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等か
らなる単層または多層の薄膜をＩＲランプ，ハロゲンラ
ンプ等の光の反射率がウエハ１２ａより高くなる厚さで
形成してなる高反射率膜２１ａを設け、該高反射率膜２
１ａにより光源２３から出射された光２２を反射させ
て、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３での光
エネルギーの吸収を減少させて、レーザ共振器端面近傍
領域以外の領域５に形成される活性層１０の成長温度
を、レーザ共振器端面近傍領域３の領域の活性層１０の
成長温度よりも高くするようにしてもよい。このような
場合においても上記実施例２と同様の効果を奏するとと
もに、半導体装置の製造装置として、上記実施例２のよ
うにレーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がなく、
従来のＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導体レ
ーザを得ることができるから、上記実施例１の半導体レ
ーザの製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体レー
ザを得ることができる。なお、図２４は半導体レーザ１
００を形成するウエハ１２ａのレーザ共振器長方向によ
る断面図であり、図１４，図１５と同一符号は同一また
は相当する部分を示している。
して、基板を裏面側からＩＲランプ，ハロゲンランプ等
の光源２３から出射される光により加熱する基板加熱型
のＭＯＣＶＤ法を用いる場合、図２４に示すように、予
めウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３の裏面側
をエッチングにより所定の深さまで除去して凹部１７を
形成しておき、該凹部１７の底面に、厚さにより透過率
が変化するＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等か
らなる単層または多層の薄膜をＩＲランプ，ハロゲンラ
ンプ等の光の反射率がウエハ１２ａより高くなる厚さで
形成してなる高反射率膜２１ａを設け、該高反射率膜２
１ａにより光源２３から出射された光２２を反射させ
て、ウエハ１２ａのレーザ共振器端面近傍領域３での光
エネルギーの吸収を減少させて、レーザ共振器端面近傍
領域以外の領域５に形成される活性層１０の成長温度
を、レーザ共振器端面近傍領域３の領域の活性層１０の
成長温度よりも高くするようにしてもよい。このような
場合においても上記実施例２と同様の効果を奏するとと
もに、半導体装置の製造装置として、上記実施例２のよ
うにレーザ装置を備えた成長装置を用いる必要がなく、
従来のＭＯＣＶＤ装置を用いて窓構造を備えた半導体レ
ーザを得ることができるから、上記実施例１の半導体レ
ーザの製造方法よりも容易に窓構造を備えた半導体レー
ザを得ることができる。なお、図２４は半導体レーザ１
００を形成するウエハ１２ａのレーザ共振器長方向によ
る断面図であり、図１４，図１５と同一符号は同一また
は相当する部分を示している。
【０１２０】また、図２５に示すように、ウエハ１２ａ
のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏面側をエ
ッチングにより所定の深さまで除去して凹部１９を形成
し、該凹部１９の底面に、ＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，
Ａｌ2 Ｏ3 等からなる単層または多層の薄膜をＩＲラン
プ，ハロゲンランプ等の光の反射率がウエハ１２ａより
低くなる厚さで蒸着等により形成してなる低反射率膜２
１ｂを設け、該低反射率膜２１ｂにより光源２３から出
射された光２２の反射を抑えて、ウエハ１２ａのレーザ
共振器端面近傍領域以外の領域５での光エネルギーの吸
収を増加させて、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域
５に形成される活性層１０の成長温度をレーザ共振器端
面近傍領域３の活性層１０の成長温度よりも高くするよ
うにしてもよく、このような場合においても上記実施例
２と同様の効果を奏する。なお、図２５は半導体レーザ
１００を形成するウエハ１２ａのレーザ共振器長方向に
よる断面図であり、図１４，図１５と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。
のレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏面側をエ
ッチングにより所定の深さまで除去して凹部１９を形成
し、該凹部１９の底面に、ＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，
Ａｌ2 Ｏ3 等からなる単層または多層の薄膜をＩＲラン
プ，ハロゲンランプ等の光の反射率がウエハ１２ａより
低くなる厚さで蒸着等により形成してなる低反射率膜２
１ｂを設け、該低反射率膜２１ｂにより光源２３から出
射された光２２の反射を抑えて、ウエハ１２ａのレーザ
共振器端面近傍領域以外の領域５での光エネルギーの吸
収を増加させて、レーザ共振器端面近傍領域以外の領域
５に形成される活性層１０の成長温度をレーザ共振器端
面近傍領域３の活性層１０の成長温度よりも高くするよ
うにしてもよく、このような場合においても上記実施例
２と同様の効果を奏する。なお、図２５は半導体レーザ
１００を形成するウエハ１２ａのレーザ共振器長方向に
よる断面図であり、図１４，図１５と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。
【０１２１】さらに、図２６に示すように、予め、ウエ
ハ１２ａの半導体レーザ素子形成領域１００ａのレーザ
共振器端面近傍領域３，及びレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５の裏面側をそれぞれ所定の深さまでエッチ
ング等を用いて除去しておき、このウエハ１２ａのレー
ザ共振器端面近傍領域３の裏面に高反射率膜２１ａを設
け、さらにレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏
面に低反射率膜２１ｂを設けることにより、上記高反射
率膜２１ａにより光源２３から出射された光２２を反射
させるとともに、上記低反射率膜２１ｂにより光源２３
から出射された光２２の反射を抑えて、ウエハ１２ａの
レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５での光エネルギ
ーの吸収を、レーザ共振器端面近傍領域３での光エネル
ギーの吸収よりも増加させて、レーザ共振器端面近傍領
域以外の領域５に形成される活性層１０の成長温度をレ
ーザ共振器端面近傍領域３の活性層１０の成長温度より
も高くするようにしてもよく、このような場合において
も上記実施例２と同様の効果を奏する。
ハ１２ａの半導体レーザ素子形成領域１００ａのレーザ
共振器端面近傍領域３，及びレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５の裏面側をそれぞれ所定の深さまでエッチ
ング等を用いて除去しておき、このウエハ１２ａのレー
ザ共振器端面近傍領域３の裏面に高反射率膜２１ａを設
け、さらにレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５の裏
面に低反射率膜２１ｂを設けることにより、上記高反射
率膜２１ａにより光源２３から出射された光２２を反射
させるとともに、上記低反射率膜２１ｂにより光源２３
から出射された光２２の反射を抑えて、ウエハ１２ａの
レーザ共振器端面近傍領域以外の領域５での光エネルギ
ーの吸収を、レーザ共振器端面近傍領域３での光エネル
ギーの吸収よりも増加させて、レーザ共振器端面近傍領
域以外の領域５に形成される活性層１０の成長温度をレ
ーザ共振器端面近傍領域３の活性層１０の成長温度より
も高くするようにしてもよく、このような場合において
も上記実施例２と同様の効果を奏する。
【０１２２】また、ウエハ１２ａのレーザ共振器長方向
による断面図である図２７に示すように、ウエハ１２ａ
の半導体形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５に沿って、ウエハ１２ａの上方に帯状ヒー
タ２５ａを配置し、この帯状ヒータ２５ａにより、レー
ザ共振器端面近傍領域以外の領域５を加熱して、レーザ
共振器端面近傍領域以外の領域５に形成される活性層１
０の成長温度をレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
に対して高くするようにしてもよく、このような場合に
おいても上記実施例２と同様の効果を奏する。
による断面図である図２７に示すように、ウエハ１２ａ
の半導体形成領域１００ａのレーザ共振器端面近傍領域
以外の領域５に沿って、ウエハ１２ａの上方に帯状ヒー
タ２５ａを配置し、この帯状ヒータ２５ａにより、レー
ザ共振器端面近傍領域以外の領域５を加熱して、レーザ
共振器端面近傍領域以外の領域５に形成される活性層１
０の成長温度をレーザ共振器端面近傍領域以外の領域５
に対して高くするようにしてもよく、このような場合に
おいても上記実施例２と同様の効果を奏する。
【０１２３】また、上記実施例２においては、レーザ共
振器端面近傍領域以外の領域５を加熱するようにした
が、本発明においては、少なくとも半導体レーザの発光
部を含む活性領域，即ち、レーザ共振器端面近傍領域以
外のリッジストライプの下部領域である発光部を含む領
域の活性層が半導体レーザの導波路上のレーザ共振器端
面近傍領域に形成される窓構造部よりもバンドギャップ
が小さくなるように形成されればよいので、レーザ共振
器端面近傍を除いた領域のリッジストライプの下部領域
となる領域近傍の活性層のみを加熱して、この領域の活
性層のバンドギャップをその他の領域の活性層のバンド
ギャップより小さくして活性領域とするようにしてもよ
い。例えば、加熱手段としてレーザ装置を用いる場合、
図２８に示すようにレーザ共振器端面近傍領域３を除い
た領域のリッジストライプ７が形成される領域近傍をレ
ーザ光照射領域３１ｃが円形のレーザ光１５ｄや照射領
域が矩形のレーザ光を出射するレーザ装置１４ｄを用
い、このレーザ光１５ｄにより加熱するようにしても良
く、このような場合においても、上記実施例２と同様の
効果を奏する。なお、図２８において、図１９と同一符
号は同一または相当する部分を示している。
振器端面近傍領域以外の領域５を加熱するようにした
が、本発明においては、少なくとも半導体レーザの発光
部を含む活性領域，即ち、レーザ共振器端面近傍領域以
外のリッジストライプの下部領域である発光部を含む領
域の活性層が半導体レーザの導波路上のレーザ共振器端
面近傍領域に形成される窓構造部よりもバンドギャップ
が小さくなるように形成されればよいので、レーザ共振
器端面近傍を除いた領域のリッジストライプの下部領域
となる領域近傍の活性層のみを加熱して、この領域の活
性層のバンドギャップをその他の領域の活性層のバンド
ギャップより小さくして活性領域とするようにしてもよ
い。例えば、加熱手段としてレーザ装置を用いる場合、
図２８に示すようにレーザ共振器端面近傍領域３を除い
た領域のリッジストライプ７が形成される領域近傍をレ
ーザ光照射領域３１ｃが円形のレーザ光１５ｄや照射領
域が矩形のレーザ光を出射するレーザ装置１４ｄを用
い、このレーザ光１５ｄにより加熱するようにしても良
く、このような場合においても、上記実施例２と同様の
効果を奏する。なお、図２８において、図１９と同一符
号は同一または相当する部分を示している。
【０１２４】なお、上記実施例１及び２においては、活
性層としてＧａＩｎＰ層を用いた場合について説明した
が、本発明は、成長温度が上昇するにしたがって、図４
に示すＧａＩｎＰの成長温度とＰＬ波長との関係と同様
に、所定の温度に達するまでは形成される層のＰＬ波長
が単調増加するとともに、所定の温度以降は単調減少す
る性質，即ちバンドギャップが所定の温度に達するまで
は単調減少し、所定の温度以降は単調増加する性質を有
する化合物半導体材料，例えば２種類以上のIII 族元素
を有するIII-Ｖ族化合物半導体材料等を活性層として用
いた半導体レーザについても適用できるものであり、こ
のような場合においても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
性層としてＧａＩｎＰ層を用いた場合について説明した
が、本発明は、成長温度が上昇するにしたがって、図４
に示すＧａＩｎＰの成長温度とＰＬ波長との関係と同様
に、所定の温度に達するまでは形成される層のＰＬ波長
が単調増加するとともに、所定の温度以降は単調減少す
る性質，即ちバンドギャップが所定の温度に達するまで
は単調減少し、所定の温度以降は単調増加する性質を有
する化合物半導体材料，例えば２種類以上のIII 族元素
を有するIII-Ｖ族化合物半導体材料等を活性層として用
いた半導体レーザについても適用できるものであり、こ
のような場合においても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
【０１２５】また、上記実施例１及び２においては活性
層が単層である場合について説明したが、本発明は活性
層が多重量子井戸構造活性層，歪み多重量子井戸活性層
等のその他の構造の活性層を用いた場合についても適用
できるものであり、このような場合においても上記実施
例と同様の効果を奏する。
層が単層である場合について説明したが、本発明は活性
層が多重量子井戸構造活性層，歪み多重量子井戸活性層
等のその他の構造の活性層を用いた場合についても適用
できるものであり、このような場合においても上記実施
例と同様の効果を奏する。
【０１２６】また、上記実施例１及び２においては材料
系がＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系である半導体レーザ
について説明したが、本発明はその他の材料系からなる
半導体レーザについても適用できるものであり、このよ
うな場合においても上記実施例と同様の効果を奏する。
系がＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系である半導体レーザ
について説明したが、本発明はその他の材料系からなる
半導体レーザについても適用できるものであり、このよ
うな場合においても上記実施例と同様の効果を奏する。
【０１２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、所定の
成長温度以上の温度では成長温度が上昇するにしたがっ
てバンドギャップが単調増加するよう成長する性質を有
する化合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の成
長温度以上の温度で、そのレーザ共振器端面近傍の少な
くとも導波路となる領域を含む窓構造部形成領域が、そ
の該窓構造部形成領域以外の領域よりも高温になるよう
成長させて、その上記窓構造部形成領域のバンドギャッ
プが該窓構造部形成領域以外の領域のバンドギャップよ
りも大きくなるよう形成するようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供できる効果がある。
成長温度以上の温度では成長温度が上昇するにしたがっ
てバンドギャップが単調増加するよう成長する性質を有
する化合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の成
長温度以上の温度で、そのレーザ共振器端面近傍の少な
くとも導波路となる領域を含む窓構造部形成領域が、そ
の該窓構造部形成領域以外の領域よりも高温になるよう
成長させて、その上記窓構造部形成領域のバンドギャッ
プが該窓構造部形成領域以外の領域のバンドギャップよ
りも大きくなるよう形成するようにしたから、歩留りを
低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を
有する半導体レーザを提供できる効果がある。
【０１２８】また、この発明によれば、上記活性層の材
料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レー
ザを提供できる効果がある。
料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レー
ザを提供できる効果がある。
【０１２９】また、この発明によれば、上記活性層を形
成する工程を、該活性層の窓構造部近傍領域を、レーザ
光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供できる効果が
ある。
成する工程を、該活性層の窓構造部近傍領域を、レーザ
光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供できる効果が
ある。
【０１３０】また、この発明によれば、上記レーザ光の
照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記窓構造部形成領域に上記点状のレーザ光を走査
させて行なうようにしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供できる効果がある。
照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記窓構造部形成領域に上記点状のレーザ光を走査
させて行なうようにしたから、歩留りを低下させること
なく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レ
ーザを提供できる効果がある。
【０１３１】また、この発明によれば、上記レーザ光の
走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下の
周期としたから、窓構造のバンドギャップを均一にする
ことができ、より特性に優れた半導体レーザを提供でき
る効果がある。
走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下の
周期としたから、窓構造のバンドギャップを均一にする
ことができ、より特性に優れた半導体レーザを提供でき
る効果がある。
【０１３２】また、この発明によれば、上記レーザ光の
照射領域の平面形状を、上記窓構造部形成領域の平面形
状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上記窓構造部
形成領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行な
うようにしたから、レーザ光を出射するレーザ装置の走
査系が不要となり、簡単な構造の安価なレーザ装置を用
いて半導体レーザを形成できる効果がある。
照射領域の平面形状を、上記窓構造部形成領域の平面形
状と同形状とし、上記レーザ光の照射を、上記窓構造部
形成領域に上記レーザ光の照射領域を重ね合わせて行な
うようにしたから、レーザ光を出射するレーザ装置の走
査系が不要となり、簡単な構造の安価なレーザ装置を用
いて半導体レーザを形成できる効果がある。
【０１３３】また、この発明によれば、上記活性層を形
成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、これに
光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供できる効果が
ある。
成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、これに
光を照射することにより上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供できる効果が
ある。
【０１３４】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去して
凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上
記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置に
より容易に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効
果がある。
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去して
凹部を形成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の高い高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上
記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置に
より容易に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効
果がある。
【０１３５】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成するようにし、上記活性層の成長
を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を備えた半導体レーザを形成できる効果がある。
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成するようにし、上記活性層の成長
を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加熱する
基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を備えた半導体レーザを形成できる効果がある。
【０１３６】また、この発明によれば、上記凹部を形成
する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を備えた半導体レーザを形成できる効果がある。
する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を備えた半導体レーザを形成できる効果がある。
【０１３７】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去して
凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも
反射率の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性
層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により加
熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうように
したから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易
に窓構造を備えた半導体レーザを形成できる効果があ
る。
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去して
凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも
反射率の低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性
層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により加
熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうように
したから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易
に窓構造を備えた半導体レーザを形成できる効果があ
る。
【０１３８】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体
基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装
置により容易に窓構造を備えた半導体レーザを形成でき
る効果がある。
長させる前に、上記半導体基板の、上記窓構造部形成領
域以外の領域の裏面側を所定の深さまでエッチングによ
り除去して凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体
基板よりも反射率の高い高反射率膜を形成するように
し、上記活性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から
光源により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて
行なうようにしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装
置により容易に窓構造を備えた半導体レーザを形成でき
る効果がある。
【０１３９】また、この発明によれば、上記半導体基板
の窓構造部近傍領域の上部に、該半導体基板に接しない
よう、その平面形状が上記窓構造部形成領域の平面形状
と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性層
を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上
記ヒータから発せられる熱により上記活性層の窓構造部
形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうよ
うにしたから、歩留りを低下させることなく、容易に、
かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供でき
る効果がある。
の窓構造部近傍領域の上部に、該半導体基板に接しない
よう、その平面形状が上記窓構造部形成領域の平面形状
と同形状であるヒータを配置するようにし、上記活性層
を形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上
記ヒータから発せられる熱により上記活性層の窓構造部
形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうよ
うにしたから、歩留りを低下させることなく、容易に、
かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提供でき
る効果がある。
【０１４０】また、この発明によれば、上記半導体基板
の窓構造部形成領域に不純物を所定の深さまで導入する
ことにより、該半導体基板の導電型と反対の導電型を有
する導電型反転領域を形成するようにし、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上記
導電型反転領域に電流を流すことにより上記導電型反転
領域に発生する熱により上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することがで
きるとともに、半導体レーザの窓構造が形成された領域
に流れるリーク電流を低減させることができる効果があ
る。
の窓構造部形成領域に不純物を所定の深さまで導入する
ことにより、該半導体基板の導電型と反対の導電型を有
する導電型反転領域を形成するようにし、上記活性層を
形成する工程を、該活性層の窓構造部形成領域を、上記
導電型反転領域に電流を流すことにより上記導電型反転
領域に発生する熱により上記活性層の窓構造部形成領域
以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうようにした
から、歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現
性よく窓構造を有する半導体レーザを提供することがで
きるとともに、半導体レーザの窓構造が形成された領域
に流れるリーク電流を低減させることができる効果があ
る。
【０１４１】また、この発明によれば、上記半導体基板
はウエハの一部を構成しており、該ウエハの一主面上の
上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのための
マーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する工
程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用い
て行なうようにしたから、半導体レーザの歩留りを向上
させることができる効果がある。
はウエハの一部を構成しており、該ウエハの一主面上の
上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのための
マーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する工
程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用い
て行なうようにしたから、半導体レーザの歩留りを向上
させることができる効果がある。
【０１４２】また、この発明によれば、所定の成長温度
以下の温度では成長温度が上昇するにしたがってバンド
ギャップが単調減少する性質を有する化合物半導体材料
からなる活性層を、上記所定の温度以下の成長温度で、
その少なくとも発光に寄与する発光部となる領域を含
み、レーザ共振器端面近傍領域の導波路となる領域を含
まない活性領域が、その活性領域以外の領域よりも高温
になるよう成長させて、その活性領域のバンドギャップ
が活性領域以外の領域のバンドギャップよりも小さくな
るよう形成するようにしたから、歩留りを低下させるこ
となく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体
レーザを提供できるとともに、活性層をより低い温度で
成長させることができるから、さらに特性に優れた半導
体レーザを得ることができる効果がある。
以下の温度では成長温度が上昇するにしたがってバンド
ギャップが単調減少する性質を有する化合物半導体材料
からなる活性層を、上記所定の温度以下の成長温度で、
その少なくとも発光に寄与する発光部となる領域を含
み、レーザ共振器端面近傍領域の導波路となる領域を含
まない活性領域が、その活性領域以外の領域よりも高温
になるよう成長させて、その活性領域のバンドギャップ
が活性領域以外の領域のバンドギャップよりも小さくな
るよう形成するようにしたから、歩留りを低下させるこ
となく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体
レーザを提供できるとともに、活性層をより低い温度で
成長させることができるから、さらに特性に優れた半導
体レーザを得ることができる効果がある。
【０１４３】また、この発明によれば、上記活性層の材
料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レー
ザを提供できる効果がある。
料をＧａＩｎＰとしたから、歩留りを低下させることな
く、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レー
ザを提供できる効果がある。
【０１４４】また、この発明によれば、上記活性層を形
成する工程を、該活性層の活性領域を、レーザ光を照射
することにより上記活性層の活性領域以外の領域よりも
高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低
下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有
する半導体レーザを提供できる効果がある。
成する工程を、該活性層の活性領域を、レーザ光を照射
することにより上記活性層の活性領域以外の領域よりも
高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低
下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有
する半導体レーザを提供できる効果がある。
【０１４５】また、この発明によれば、上記レーザ光の
照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記活性領域に上記点状のレーザ光を走査させて行
なうようにしたから、歩留りを低下させることなく、容
易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提
供できる効果がある。
照射領域の平面形状を点状とし、上記レーザ光の照射
を、上記活性領域に上記点状のレーザ光を走査させて行
なうようにしたから、歩留りを低下させることなく、容
易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを提
供できる効果がある。
【０１４６】また、この発明によれば、上記レーザ光の
走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下の
周期としたから、窓構造のバンドギャップを均一にする
ことができ、より特性に優れた半導体レーザを提供でき
る効果がある。
走査周期を活性層が１モノレイヤー成長する周期以下の
周期としたから、窓構造のバンドギャップを均一にする
ことができ、より特性に優れた半導体レーザを提供でき
る効果がある。
【０１４７】また、この発明によれば、上記レーザ光の
照射領域の平面形状を、上記活性領域の平面形状と同形
状とし、上記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記レ
ーザ光の照射領域を重ね合わせて行なうようにしたか
ら、レーザ光を出射するレーザ装置の走査系が不要とな
り、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レー
ザを形成できる効果がある。
照射領域の平面形状を、上記活性領域の平面形状と同形
状とし、上記レーザ光の照射を、上記活性領域に上記レ
ーザ光の照射領域を重ね合わせて行なうようにしたか
ら、レーザ光を出射するレーザ装置の走査系が不要とな
り、簡単な構造の安価なレーザ装置を用いて半導体レー
ザを形成できる効果がある。
【０１４８】また、この発明によれば、上記活性層を形
成する工程を、該活性層の活性領域を、これに光を照射
することにより上記活性層の活性領域以外の領域よりも
高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低
下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有
する半導体レーザを提供できる効果がある。
成する工程を、該活性層の活性領域を、これに光を照射
することにより上記活性層の活性領域以外の領域よりも
高温に加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低
下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有
する半導体レーザを提供できる効果がある。
【０１４９】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏面
側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を形
成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導率の高い
高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上記活性層
の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加
熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうように
したから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易
に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効果があ
る。
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏面
側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を形
成し、この凹部を上記半導体基板よりも熱伝導率の高い
高熱伝導率層を埋め込み形成するようにし、上記活性層
の成長を、上記半導体基板を裏面側から加熱体により加
熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうように
したから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易
に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効果があ
る。
【０１５０】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外の
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成するようにし、上記活性層の成長を、加熱
体により上記半導体基板を加熱する基板加熱型ＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて行なうようにしたから、従来の基板加熱
型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構造を有する半導体レ
ーザを形成できる効果がある。
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外の
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成するようにし、上記活性層の成長を、加熱
体により上記半導体基板を加熱する基板加熱型ＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて行なうようにしたから、従来の基板加熱
型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構造を有する半導体レ
ーザを形成できる効果がある。
【０１５１】また、この発明によれば、上記凹部を形成
する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を有する半導体レーザを形成できる効果がある。
する工程の後、上記凹部を上記半導体基板よりも熱伝導
率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成するようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を有する半導体レーザを形成できる効果がある。
【０１５２】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏面
側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を形
成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率の
低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性層の成長
を、上記半導体基板を裏面側から光源により加熱する基
板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を有する半導体レーザを形成できる効果がある。
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域の裏面
側を所定の深さまでエッチングにより除去して凹部を形
成し、この凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率の
低い低反射率膜を形成するようにし、上記活性層の成長
を、上記半導体基板を裏面側から光源により加熱する基
板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうようにしたか
ら、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容易に窓構
造を有する半導体レーザを形成できる効果がある。
【０１５３】また、この発明によれば、上記活性層を成
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外の
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板より
も反射率の高い高反射率膜を形成するようにし、上記活
性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容
易に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効果があ
る。
長させる前に、上記半導体基板の、上記活性領域以外の
領域の裏面側を所定の深さまでエッチングにより除去し
て凹部を形成し、この凹部の底面に上記半導体基板より
も反射率の高い高反射率膜を形成するようにし、上記活
性層の成長を、上記半導体基板を裏面側から光源により
加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうよう
にしたから、従来の基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置により容
易に窓構造を有する半導体レーザを形成できる効果があ
る。
【０１５４】また、この発明によれば、上記半導体基板
の活性領域の上部に、該半導体基板に接しないよう、そ
の平面形状が上記活性領域の平面形状と同形状であるヒ
ータを配置するようにし、上記活性層を形成する工程
を、該活性層の活性領域を、上記ヒータから発せられる
熱により上記活性層の活性領域以外の領域よりも高温に
加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低下させ
ることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半
導体レーザを提供できる効果がある。
の活性領域の上部に、該半導体基板に接しないよう、そ
の平面形状が上記活性領域の平面形状と同形状であるヒ
ータを配置するようにし、上記活性層を形成する工程
を、該活性層の活性領域を、上記ヒータから発せられる
熱により上記活性層の活性領域以外の領域よりも高温に
加熱しながら行なうようにしたから、歩留りを低下させ
ることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半
導体レーザを提供できる効果がある。
【０１５５】また、この発明によれば、上記半導体基板
はウエハの一部を構成しており、このウエハの一主面上
の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのため
のマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する
工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用
いて行なうようにしたから、半導体レーザの歩留りを向
上させることができる効果がある。
はウエハの一部を構成しており、このウエハの一主面上
の上記半導体基板を含まない領域に、位置合わせのため
のマーカを形成する工程を含み、上記活性層を形成する
工程以降の工程における位置合わせを、上記マーカを用
いて行なうようにしたから、半導体レーザの歩留りを向
上させることができる効果がある。
【図１】 本発明の第１の実施例による半導体レーザの
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図２】 本発明の第１の実施例による半導体レーザの
構造を示すレーザ共振器長方向の断面図（図２(a))，及
びその活性層のバンドギャップを示す図（図２(b))であ
る。
構造を示すレーザ共振器長方向の断面図（図２(a))，及
びその活性層のバンドギャップを示す図（図２(b))であ
る。
【図３】 本発明の第１の実施例による半導体レーザの
製造方法を示す工程図である。
製造方法を示す工程図である。
【図４】 本発明の第１の実施例によるＧａＩｎＰ層の
成長温度とＰＬ波長との関係を示す図である。
成長温度とＰＬ波長との関係を示す図である。
【図５】 本発明の第１の実施例による半導体レーザの
製造方法に用いられるウエハを摸式的に示した図であ
る。
製造方法に用いられるウエハを摸式的に示した図であ
る。
【図６】 本発明の第１の実施例による半導体レーザの
製造方法の主要工程を示す図である。
製造方法の主要工程を示す図である。
【図７】 本発明の第２の実施例による半導体レーザの
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図８】 本発明の第２の実施例による半導体レーザの
製造方法の主要工程を示す図である。
製造方法の主要工程を示す図である。
【図９】 本発明の第１の実施例の変形例による半導体
レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
【図１０】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
【図１１】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図１２】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図１３】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図１４】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図１５】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図１６】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図（図１
６(a))，及び断面図（図１６(b))である。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図（図１
６(a))，及び断面図（図１６(b))である。
【図１７】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図であ
る。
【図１８】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの構造を示す断面図である。
半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図１９】 本発明の第１の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
【図２０】 本発明の第２の実施例の変形例による半導
体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
【図２１】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２２】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２３】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２４】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２５】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２６】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２７】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であ
る。
【図２８】 本発明の第２の実施例の他の変形例による
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
半導体レーザの製造方法の主要工程を示す図である。
【図２９】 従来の半導体レーザの構造を示す斜視図
（図２９(a))，及び断面図（図２９(b))である。
（図２９(a))，及び断面図（図２９(b))である。
【図３０】 従来の半導体レーザの製造方法を示す工程
図である。
図である。
【図３１】 従来の他の半導体レーザの構造を示す斜視
図（図３１(a))，レーザ共振器長方向の断面図（図３１
(b))，及びレーザ共振器幅方向の断面図（図３１(c))で
ある。
図（図３１(a))，レーザ共振器長方向の断面図（図３１
(b))，及びレーザ共振器幅方向の断面図（図３１(c))で
ある。
３ レーザ共振器端面近傍領域、３ａ，３ｂ，３ｃ レ
ーザ共振器端面、５ レーザ共振器端面近傍領域以外の
領域、６ａ ｎ側電極、６ｂ ｐ側電極、７ リッジス
トライプ形成領域、７ａ ｐ−ＧａＡｓキャップ層、７
ｂ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８ ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐバンド不連続層、９ａ，９ｂ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層、１０ ＧａＩｎＰ活性層、１０ａ 窓構造
部、１０ｂ レーザ光被照射領域、１１ ｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、３５ マーカ、１２ ｎ−ＧａＡｓ
基板、１２ａ ウエハ、１４，１４ａ，１４ｂ，１４
ｃ，１４ｄ レーザ装置、１５，１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄ レーザ光、１７，１９ 凹部、１８ 加熱
体、２０ 低熱伝導率層、２１ａ 高反射率膜、２１ｂ
低反射率膜、２２ 光、２３ 光源、２５ 線状ヒー
タ、２５ａ帯状ヒータ、２７ 導電型反転領域、３０
高熱伝導率層、３１ レーザ光照射領域、３１ａ レー
ザ光照射領域、３１ｂ レーザ光照射領域、３１ｃ レ
ーザ光照射領域、４１ ｐ−ＧａＩｎＰエッチングスト
ッパ層、４０ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、４２ 絶
縁膜マスク、５０ 第１の絶縁膜、５１ 第２の絶縁
膜、５２ ＡｌＧａＩｎＰ窓構造層、５５ Ｚｎ拡散領
域、１００ａ 半導体レーザ素子形成領域、１００，３
００ 半導体レーザ。
ーザ共振器端面、５ レーザ共振器端面近傍領域以外の
領域、６ａ ｎ側電極、６ｂ ｐ側電極、７ リッジス
トライプ形成領域、７ａ ｐ−ＧａＡｓキャップ層、７
ｂ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８ ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐバンド不連続層、９ａ，９ｂ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層、１０ ＧａＩｎＰ活性層、１０ａ 窓構造
部、１０ｂ レーザ光被照射領域、１１ ｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、３５ マーカ、１２ ｎ−ＧａＡｓ
基板、１２ａ ウエハ、１４，１４ａ，１４ｂ，１４
ｃ，１４ｄ レーザ装置、１５，１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄ レーザ光、１７，１９ 凹部、１８ 加熱
体、２０ 低熱伝導率層、２１ａ 高反射率膜、２１ｂ
低反射率膜、２２ 光、２３ 光源、２５ 線状ヒー
タ、２５ａ帯状ヒータ、２７ 導電型反転領域、３０
高熱伝導率層、３１ レーザ光照射領域、３１ａ レー
ザ光照射領域、３１ｂ レーザ光照射領域、３１ｃ レ
ーザ光照射領域、４１ ｐ−ＧａＩｎＰエッチングスト
ッパ層、４０ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、４２ 絶
縁膜マスク、５０ 第１の絶縁膜、５１ 第２の絶縁
膜、５２ ＡｌＧａＩｎＰ窓構造層、５５ Ｚｎ拡散領
域、１００ａ 半導体レーザ素子形成領域、１００，３
００ 半導体レーザ。
Claims (29)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面上に、所定の成長温
度以上の温度では成長温度が上昇するにしたがってバン
ドギャップが単調増加するよう成長する性質を有する化
合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の成長温度
以上の温度で、そのレーザ共振器端面近傍の少なくとも
導波路となる領域を含む窓構造部形成領域が、その該窓
構造部形成領域以外の領域よりも高温になるよう成長さ
せて、その上記窓構造部形成領域のバンドギャップが該
窓構造部形成領域以外の領域のバンドギャップよりも大
きくなるよう形成する工程を含むことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記活性層の材料はＧａＩｎＰであることを特徴とする
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の窓構造部近傍
領域を、レーザ光を照射することにより上記活性層の窓
構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行
なうことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記レーザ光の照射領域の平面形状は点状であり、 上記レーザ光の照射は、上記窓構造部形成領域に上記点
状のレーザ光を走査させて行なうことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長
する周期以下の周期としたことを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項６】 請求項３に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記レーザ光の照射領域の平面形状は、上記窓構造部形
成領域の平面形状と同形状であり、 上記レーザ光の照射は、上記窓構造部形成領域に上記レ
ーザ光の照射領域を重ね合わせて行なうものであること
を特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の窓構造部形成
領域を、これに光を照射することにより上記活性層の窓
構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行
なうことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程として、上記半導
体基板の、上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さ
までエッチングにより除去して凹部を形成する工程と、
該凹部を上記半導体基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導
率層を埋め込み形成する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から加熱
体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ(metal organic
chemical vapor deposition) 装置を用いて行なうこと
を特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定
の深さまでエッチングにより除去して凹部を形成する工
程を含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から加熱
体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行
なうことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導体基
板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記窓構造部形成領域の裏面側を所定の深さまで
エッチングにより除去して凹部を形成する工程と、該凹
部の底面に上記半導体基板よりも反射率の低い低反射率
膜を形成する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から光源
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記窓構造部形成領域以外の領域の裏面側を所定
の深さまでエッチングにより除去して凹部を形成する工
程と、該凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率の高
い高反射率膜を形成する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から光源
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記半導体基板の窓構造部近傍領域の上部に、該半導体
基板に接しないよう、その平面形状が上記窓構造部形成
領域の平面形状と同形状であるヒータを配置する工程を
含み、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の窓構造部形成
領域を、上記ヒータから発せられる熱により上記活性層
の窓構造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しなが
ら行なうことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記半導体基板の窓構造部形成領域に不純物を所定の深
さまで導入することにより、該半導体基板の導電型と反
対の導電型を有する導電型反転領域を形成する工程を含
み、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の窓構造部形成
領域を、上記導電型反転領域に電流を流すことにより上
記導電型反転領域に発生する熱により上記活性層の窓構
造部形成領域以外の領域よりも高温に加熱しながら行な
うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１に記載の半導体レーザの製造
方法において、 上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、 該ウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域
に、位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、 上記活性層を形成する工程以降の工程における位置合わ
せは、上記マーカを用いて行なうことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項１６】 半導体基板の一主面上に、所定の成長
温度以下の温度では成長温度が上昇するにしたがってバ
ンドギャップが単調減少する性質を有する化合物半導体
材料からなる活性層を、上記所定の温度以下の成長温度
で、その少なくとも発光に寄与する発光部となる領域を
含み、レーザ共振器端面近傍領域の導波路となる領域を
含まない活性領域が、その活性領域以外の領域よりも高
温になるよう成長させて、その活性領域のバンドギャッ
プが活性領域以外の領域のバンドギャップよりも小さく
なるよう形成する工程を含むことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層の材料はＧａＩｎＰであることを特徴とする
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の活性領域を、
レーザ光を照射することにより上記活性層の活性領域以
外の領域よりも高温に加熱しながら行なうことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記レーザ光の照射領域の平面形状は点状であり、 上記レーザ光の照射は、上記活性領域に上記点状のレー
ザ光を走査させて行なうことを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記レーザ光の走査周期を活性層が１モノレイヤー成長
する周期以下の周期としたことを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１８に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記レーザ光の照射領域の平面形状は、上記活性領域の
平面形状と同形状であり、 上記レーザ光の照射は、上記活性領域に上記レーザ光の
照射領域を重ね合わせて行なうことを特徴とする半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の活性領域を、
これに光を照射することにより上記活性層の活性領域以
外の領域よりも高温に加熱しながら行なうことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程として、上記半導
体基板の、上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッ
チングにより除去して凹部を形成する工程と、該凹部を
上記半導体基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導率層を埋
め込み形成する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から加熱
体により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行
なうことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さま
でエッチングにより除去して凹部を形成する工程を含
み、 上記活性層の成長は、加熱体により上記半導体基板を加
熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行なうことを
特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記凹部を形成する工程の後、上記凹部を上記半導体基
板よりも熱伝導率の低い低熱伝導率層を埋め込み形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項２６】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記活性領域の裏面側を所定の深さまでエッチン
グにより除去して凹部を形成する工程と、該凹部の底面
に上記半導体基板よりも反射率の低い低反射率膜を形成
する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から光源
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２７】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記活性層を成長させる工程の前工程に、上記半導体基
板の、上記活性領域以外の領域の裏面側を所定の深さま
でエッチングにより除去して凹部を形成する工程と、該
凹部の底面に上記半導体基板よりも反射率の高い高反射
率膜を形成する工程とを含み、 上記活性層の成長は、上記半導体基板を裏面側から光源
により加熱する基板加熱型ＭＯＣＶＤ装置を用いて行な
うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２８】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記半導体基板の活性領域の上部に、該半導体基板に接
しないよう、その平面形状が上記活性領域の平面形状と
同形状であるヒータを配置する工程を含み、 上記活性層を形成する工程は、該活性層の活性領域を、
上記ヒータから発せられる熱により上記活性層の活性領
域以外の領域よりも高温に加熱しながら行なうことを特
徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２９】 請求項１６に記載の半導体レーザの製
造方法において、 上記半導体基板はウエハの一部を構成しており、 該ウエハの一主面上の上記半導体基板を含まない領域
に、位置合わせのためのマーカを形成する工程を含み、 上記活性層を形成する工程以降の工程における位置合わ
せは、上記マーカを用いて行なうことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28181694A JP3115775B2 (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | 半導体レーザの製造方法 |
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| GB9521891A GB2295273B (en) | 1994-11-16 | 1995-10-25 | Fabricating method of semiconductor laser |
| US08/555,417 US5573976A (en) | 1994-11-16 | 1995-11-09 | Method of fabricating semiconductor laser |
| KR1019950041732A KR960019886A (ko) | 1994-11-16 | 1995-11-16 | 반도체 레이저의 제조방법 |
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|---|---|---|---|
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