JPH02283084A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02283084A JPH02283084A JP10505989A JP10505989A JPH02283084A JP H02283084 A JPH02283084 A JP H02283084A JP 10505989 A JP10505989 A JP 10505989A JP 10505989 A JP10505989 A JP 10505989A JP H02283084 A JPH02283084 A JP H02283084A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 25
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000029052 metamorphosis Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 9
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- INAICWLVUAKEPB-QSTFCLMHSA-N PFI-3 Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)\C=C\N1[C@@H](CN2C=3N=CC=CC=3)C[C@@H]2C1 INAICWLVUAKEPB-QSTFCLMHSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BLJHFCVPKWOHJX-UHFFFAOYSA-N ethylgallium Chemical compound CC[Ga] BLJHFCVPKWOHJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＤＰＢ型の半導体レーザに関し
基板に設けられた凸状の回折格子上に光ガイド層を形成
する際における該回折格子の熱変成を回避可能なＨＯＶ
ＰＥ方法を提供することを目的とし。
する際における該回折格子の熱変成を回避可能なＨＯＶ
ＰＥ方法を提供することを目的とし。
−導電型の第１半導体から成り凸状の回折格子が設けら
れた一表面を有する基板をＭＯＶＰＥ装置内に設置して
、該回折格子が熱変成を生じない温度（Ｔ１）に加熱し
、−導電型の第２半導体を構成するカチオン成分および
アニオン成分をそれぞれ含有する２種の原料ガスを該Ｍ
ＯＶＰＥ装置内に交互に導入し、前記温度（ＴＯに加熱
された該基板表面上に該第２半導体から成る層を該回折
格子を覆うように形成し、該第２半導体層により覆われ
た該回折格子を有する該基板を該ＭＯＶＰＥ装置内にお
いて該温度（Ｔ１）より高い温度（Ｔ２）に加熱し、該
ＭＯＶＰＥ装置内に該２種の原料ガスを同時に導入し２
前記部度（Ｔ２）に加熱された該基板表面上に該第２半
導体から成る光ガイド層を形成し、第３半導体から成る
活性層を該光ガイド層上に形成し１反対導電型の第４半
導体から成るクラッド層を該活性層上に形成する諸工程
を含むことから構成される。
れた一表面を有する基板をＭＯＶＰＥ装置内に設置して
、該回折格子が熱変成を生じない温度（Ｔ１）に加熱し
、−導電型の第２半導体を構成するカチオン成分および
アニオン成分をそれぞれ含有する２種の原料ガスを該Ｍ
ＯＶＰＥ装置内に交互に導入し、前記温度（ＴＯに加熱
された該基板表面上に該第２半導体から成る層を該回折
格子を覆うように形成し、該第２半導体層により覆われ
た該回折格子を有する該基板を該ＭＯＶＰＥ装置内にお
いて該温度（Ｔ１）より高い温度（Ｔ２）に加熱し、該
ＭＯＶＰＥ装置内に該２種の原料ガスを同時に導入し２
前記部度（Ｔ２）に加熱された該基板表面上に該第２半
導体から成る光ガイド層を形成し、第３半導体から成る
活性層を該光ガイド層上に形成し１反対導電型の第４半
導体から成るクラッド層を該活性層上に形成する諸工程
を含むことから構成される。
本発明は、光フアイバ通信における光源として期待され
ている叶Ｂ型の半導体レーザの製造方法。
ている叶Ｂ型の半導体レーザの製造方法。
と（に、基板表面に設けられたＥａ回折格子に熱変成を
生じることなく所定厚さの光ガイド層を間νＰＥ法によ
り形成する工程を含む製造方法に関する。
生じることなく所定厚さの光ガイド層を間νＰＥ法によ
り形成する工程を含む製造方法に関する。
〔従来の技術］
長距離化、大容量化する光フアイバ通信システムにおけ
る光源装置として、単一波長の出力光が得られる叶Ｂ（
分散帰還型）型の半導体レーザが用いられている。ＤＦ
Ｂ型半導体レーザの共振器内部には、共振光波長の周期
を有する回折格子が設けられる。この回折格子は１通常
、基板表面に高さ５０ｎｍ程度の高さを有する複数の凸
状のストライプとして形成される。そして、この凸状回
折格子を埋め込むように、光ガイド層が形成される。
る光源装置として、単一波長の出力光が得られる叶Ｂ（
分散帰還型）型の半導体レーザが用いられている。ＤＦ
Ｂ型半導体レーザの共振器内部には、共振光波長の周期
を有する回折格子が設けられる。この回折格子は１通常
、基板表面に高さ５０ｎｍ程度の高さを有する複数の凸
状のストライプとして形成される。そして、この凸状回
折格子を埋め込むように、光ガイド層が形成される。
現在のところ、上記のような叶Ｂ型半導体レーザを量産
性よく製造可能な方法として、有機金属気相エピタキシ
ャル成長（ＭＯＶＰＥ）法が不可欠とされている。
性よく製造可能な方法として、有機金属気相エピタキシ
ャル成長（ＭＯＶＰＥ）法が不可欠とされている。
従来の叶Ｂ型半導体レーザの製造方法の概要を第４図（
ａ）ないしくＣ）を参照して説明する。
ａ）ないしくＣ）を参照して説明する。
第４図（ａ）を参照して２例えばｎ型のＩｎＰ（禁制帯
幅Ｅ９・１．３５ｅＶ）から成る基板１をエツチングし
て。
幅Ｅ９・１．３５ｅＶ）から成る基板１をエツチングし
て。
断面が三角形または台形の複数の凸状の回折格子２を形
成する。回折格子２の高さ（ｇ）は１例えば５０ｎｍ、
格子ピッチは２４０ｎｍである。次いで、 ＭＯＶＰＥ
法により、第４図（１））に示すように、ｎ型のＩｎＧ
ａＡｓｐ （ｅ、・１．１ｅＶ）から成る光ガイド層３
を基板ｌ上に形成する。回折格子２は光ガイド層３によ
り埋め込まれた構造となる。次いで、同じ（ＭＯＶＰＥ
法により、光ガイド層３上に、ＩｎＧａＡｓＰ（Ｅ、
＝０．８ ｅＶ）から成る活性層４およびｐ型ｒｎＰか
ら成るクラッド層５を順次形成する。
成する。回折格子２の高さ（ｇ）は１例えば５０ｎｍ、
格子ピッチは２４０ｎｍである。次いで、 ＭＯＶＰＥ
法により、第４図（１））に示すように、ｎ型のＩｎＧ
ａＡｓｐ （ｅ、・１．１ｅＶ）から成る光ガイド層３
を基板ｌ上に形成する。回折格子２は光ガイド層３によ
り埋め込まれた構造となる。次いで、同じ（ＭＯＶＰＥ
法により、光ガイド層３上に、ＩｎＧａＡｓＰ（Ｅ、
＝０．８ ｅＶ）から成る活性層４およびｐ型ｒｎＰか
ら成るクラッド層５を順次形成する。
上記において、 ＭＯＶＰＥ法による光ガイド層３ない
しクラッド層５の形成は９通常６００ないし６５０°Ｃ
で行われる。これは、 ＩｎＰ系の化合物半導体層を形
成する際に用いられる原料ガスの一つであるＰＨ３（ホ
スフィン）の分解効率が６００℃以下の低温領域では低
下するためである。しかしながら、上記温度に達するま
での昇温過程において９回折格子２に、第４図（Ｃ）に
示すような熱変成が生じ、高さ軸）が減少する。甚だし
い場合には１回折格子２がまったく消滅してしまう。
しクラッド層５の形成は９通常６００ないし６５０°Ｃ
で行われる。これは、 ＩｎＰ系の化合物半導体層を形
成する際に用いられる原料ガスの一つであるＰＨ３（ホ
スフィン）の分解効率が６００℃以下の低温領域では低
下するためである。しかしながら、上記温度に達するま
での昇温過程において９回折格子２に、第４図（Ｃ）に
示すような熱変成が生じ、高さ軸）が減少する。甚だし
い場合には１回折格子２がまったく消滅してしまう。
上記のような回折格子２の熱変成の発生は次のように推
測されている。すなわち１回折格子２が設けられたＩｎ
Ｐ基板１表面は１光ガイド層３が形成されるまでは露出
した状態にあるが１ このようなＩｎＰ基板１が６００
’Ｃ程度の高温に曝されると。
測されている。すなわち１回折格子２が設けられたＩｎ
Ｐ基板１表面は１光ガイド層３が形成されるまでは露出
した状態にあるが１ このようなＩｎＰ基板１が６００
’Ｃ程度の高温に曝されると。
その表面から成分元素の燐（Ｐ）の離脱が生じ、これに
ともなってインジウム（Ｉｎ）原子のマイグレーション
が生じる。このＩｎ原子に雰囲気中のＰ原子が再結合し
、再びＩｎＰとなる。この機構により。
ともなってインジウム（Ｉｎ）原子のマイグレーション
が生じる。このＩｎ原子に雰囲気中のＰ原子が再結合し
、再びＩｎＰとなる。この機構により。
見掛は上１回折格子２の頂上部近傍のＩｎＰが回折格子
２間の谷部を埋めるように移動し１回折格子２の高さ（
ｇ）が減少する。
２間の谷部を埋めるように移動し１回折格子２の高さ（
ｇ）が減少する。
回折格子２の高さ軸）が所定値より小さくなると発光領
域、すなわち、活性層４とその両側の層における屈折率
分布差が小さくなる。このため。
域、すなわち、活性層４とその両側の層における屈折率
分布差が小さくなる。このため。
屈折率分布による光の反射量が減少し１発振光のスペク
トル幅が広がる。その結果、光フアイバ通信、とくにコ
ヒーレント光通信に適用可能な単一波長特性を有する叶
Ｂ型半導体レーザを得ることができない。このように、
単一波長特性を有するＤＦＢ半導体レーザを得るために
は、その製造において回折格子の高さ軸）を厳しく制御
しなければならない。
トル幅が広がる。その結果、光フアイバ通信、とくにコ
ヒーレント光通信に適用可能な単一波長特性を有する叶
Ｂ型半導体レーザを得ることができない。このように、
単一波長特性を有するＤＦＢ半導体レーザを得るために
は、その製造において回折格子の高さ軸）を厳しく制御
しなければならない。
本発明は、上記熱変成を回避し、基板に設けられた凸状
の回折格子の高さを所定値に維持しつつこの上に光ガイ
ド層を形成可能なＭＯＶＰＥ法を提供することを目的と
する。
の回折格子の高さを所定値に維持しつつこの上に光ガイ
ド層を形成可能なＭＯＶＰＥ法を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段］
上記目的は、−導電型の第１半導体から成り凸状の回折
格子が設けられた一表面を有する基板をＭＯＶＰＥ装置
内に設置して１該回折格子が熱変成を生じない温度（’
ｒ＋）に加熱する工程と１−導電型の第２半導体を構成
するカチオン成分およびアニオン成分をそれぞれ含有す
る２種の原料ガスを該問ＶＰＥ装置内に交互に導入し、
前記温度（Ｔ、）に加熱された該基板表面上に該第２半
導体から成る層を該回折格子を覆うように形成する工程
と、該第２半導体層により覆われた該回折格子を有する
該基板を該ＭＯＶＰＥ装置内において該温度（Ｔ、）よ
り高い温度（Ｔ２）に加熱する工程と、該ＭＯＶＰＥ装
置内に該２種の原料ガスを同時に導入し、前記温度（Ｔ
２）に加熱された該基板表面上に該第２半導体から成る
光ガイド層を形成する工程と、第３半導体から成る活性
層を該光ガイド層上に形成する工程と１反対導電型の第
４半導体から成るクラッド層を該活性層上に形成する工
程を含むことを特徴とする本発明に係る半導体レーザの
製造方法によって達成される。
格子が設けられた一表面を有する基板をＭＯＶＰＥ装置
内に設置して１該回折格子が熱変成を生じない温度（’
ｒ＋）に加熱する工程と１−導電型の第２半導体を構成
するカチオン成分およびアニオン成分をそれぞれ含有す
る２種の原料ガスを該問ＶＰＥ装置内に交互に導入し、
前記温度（Ｔ、）に加熱された該基板表面上に該第２半
導体から成る層を該回折格子を覆うように形成する工程
と、該第２半導体層により覆われた該回折格子を有する
該基板を該ＭＯＶＰＥ装置内において該温度（Ｔ、）よ
り高い温度（Ｔ２）に加熱する工程と、該ＭＯＶＰＥ装
置内に該２種の原料ガスを同時に導入し、前記温度（Ｔ
２）に加熱された該基板表面上に該第２半導体から成る
光ガイド層を形成する工程と、第３半導体から成る活性
層を該光ガイド層上に形成する工程と１反対導電型の第
４半導体から成るクラッド層を該活性層上に形成する工
程を含むことを特徴とする本発明に係る半導体レーザの
製造方法によって達成される。
本発明者等は、 ＩｎＰ基板に形成された凸状回折格子
における上記熱変成が温度に大きく依存し。
における上記熱変成が温度に大きく依存し。
このような熱変成を防止するためには、４５０″Ｃ程度
以下の低温成長が必要であることを見出した。
以下の低温成長が必要であることを見出した。
しかし、前述のように８通常のＭＯＶＰＥ法によれば。
ＩｎＰ系材料の層を成長させるためには６００°Ｃ以上
の高温成長が必要である。
の高温成長が必要である。
したがって１本発明においては、４００″Ｃ以下の低温
で気相成長可能な、原子層エピタキシャル成長（ＡＬＥ
）法と称される方法により１第１図に示すように１回折
格子２が設けられたＩｎＰ基板ｌ上に光ガイド層３を構
成するＩｎＧａＡｓＰ層の一部３１を形成し、これによ
り回折格子２を覆ってしまったのち５通常のＭＯＶＰＥ
法により、光ガイド層３の残部３２、活性層４およびク
ラッド層５を順次形成する。
で気相成長可能な、原子層エピタキシャル成長（ＡＬＥ
）法と称される方法により１第１図に示すように１回折
格子２が設けられたＩｎＰ基板ｌ上に光ガイド層３を構
成するＩｎＧａＡｓＰ層の一部３１を形成し、これによ
り回折格子２を覆ってしまったのち５通常のＭＯＶＰＥ
法により、光ガイド層３の残部３２、活性層４およびク
ラッド層５を順次形成する。
４００″Ｃでは４回折格子２は熱変成を生じず、かつ。
ＩｎＧａＡｓＰ層３１により覆われてしまったのちには
。
。
６００〜６５０°Ｃにおいても熱変成を生じることがな
い。したがって１回折格子は、 ＩｎＰ基板に最初に設
けられた状態の所定の高さを保存することが可能となる
。
い。したがって１回折格子は、 ＩｎＰ基板に最初に設
けられた状態の所定の高さを保存することが可能となる
。
ＡＬＥ法による成長速度はＭＯＶＰＥ法によるそれの数
１０分の１種度であるが、上記本発明の方法においては
、＾ＬＥ法により形成される層はＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層の一部３１のみであり、光ガイド層の残部３２およ
びその他の活性層４．クラッド層５等は通常のＨＯＶＰ
Ｅ法により形成されるため、全体の効率低下にはほとん
ど影響が生じない。
１０分の１種度であるが、上記本発明の方法においては
、＾ＬＥ法により形成される層はＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層の一部３１のみであり、光ガイド層の残部３２およ
びその他の活性層４．クラッド層５等は通常のＨＯＶＰ
Ｅ法により形成されるため、全体の効率低下にはほとん
ど影響が生じない。
また、光ガイド層の残部３２およびそれ以後の層を形成
するためのＭＯＶＰＥ法はＡＬＥ法と同一の気相成長装
置を用いて引続き実施可能である。したがって１個別の
装置を用いる場合に問題となる効率低下ならびに大気中
への取り出しに起因する素子特性の劣化等の障害が生じ
るおそれもな、い。
するためのＭＯＶＰＥ法はＡＬＥ法と同一の気相成長装
置を用いて引続き実施可能である。したがって１個別の
装置を用いる場合に問題となる効率低下ならびに大気中
への取り出しに起因する素子特性の劣化等の障害が生じ
るおそれもな、い。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。
には同一符号を付しである。
第２図は９本発明の工程要部における成長温度（基板温
度）、供給原料ガスの流量および形成される層の累積層
厚のタイムシーケンス、第３図（ａ）および但）は光ガ
イド層等の層が形成される工程における基板の模式的断
面図を示す。
度）、供給原料ガスの流量および形成される層の累積層
厚のタイムシーケンス、第３図（ａ）および但）は光ガ
イド層等の層が形成される工程における基板の模式的断
面図を示す。
第３図（ａ）に示すように、 ＩｎＰ基板ｌに複数の凸
状の回折格子２を形成する。回折格子２は１例えば高さ
（ｇ）が３０〜６０ｎｍ、格子ピッチが２４０ｎｍ程度
である。このような回折格子２の形成は１周知の干渉露
光法とウェットエツチング法を併用して行うことができ
る。なお、第３図（ａ）には断面が三角形の回折格子２
を示したが、より熱変成を受は難くするためには、断面
が台形とするのが望ましい。
状の回折格子２を形成する。回折格子２は１例えば高さ
（ｇ）が３０〜６０ｎｍ、格子ピッチが２４０ｎｍ程度
である。このような回折格子２の形成は１周知の干渉露
光法とウェットエツチング法を併用して行うことができ
る。なお、第３図（ａ）には断面が三角形の回折格子２
を示したが、より熱変成を受は難くするためには、断面
が台形とするのが望ましい。
ＡＬＥ法を実施可能なＭＯＶＰＥ装置（図示省略）内に
上記１ｎＰ基板１を段重し、第２図に示すように。
上記１ｎＰ基板１を段重し、第２図に示すように。
回折格子２が熱変成を生じない温度（Ｔ１１例えば４０
０°Ｃ）に加熱しながら、前記Ｎ０ＶＰＥ装置内に■族
元素の原料ガス（ＩＩｌ、 ）を所定時間（例えば５秒
）導入する。ＩｎＧａＡｓＰから成る光ガイド層を形成
する場合には８例えばｃｃｕ３）＋ｒｎ （）リメチル
インジウム、ＴＭ１）と（ＣｚＨｓ）Ｇａ （）リエチ
ルガリウム、ＴＥＧ’）の混合ガスを水素ガスで希釈し
て成る■族元素の原料ガスを用いる。
０°Ｃ）に加熱しながら、前記Ｎ０ＶＰＥ装置内に■族
元素の原料ガス（ＩＩｌ、 ）を所定時間（例えば５秒
）導入する。ＩｎＧａＡｓＰから成る光ガイド層を形成
する場合には８例えばｃｃｕ３）＋ｒｎ （）リメチル
インジウム、ＴＭ１）と（ＣｚＨｓ）Ｇａ （）リエチ
ルガリウム、ＴＥＧ’）の混合ガスを水素ガスで希釈し
て成る■族元素の原料ガスを用いる。
次いで、上記■族元素原料ガスの導入を停止し。
ＭＯＶＰＥ装置内から■族元素原料ガスを充分排気した
のち１例えばＡｓｔｌｘ （アルシン）とＰＦＩ３（ホ
スフィン）の混合ガスを水素ガスで希釈して成るＶ族元
素原料ガス（Ｖ、）を所定時間（例えば１０秒）前記Ｍ
ＯＶＰＥ装置内に導入する。これにより、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物の一分子層に相当するＩｎＧａＡｓＰ層が成長す
る。
のち１例えばＡｓｔｌｘ （アルシン）とＰＦＩ３（ホ
スフィン）の混合ガスを水素ガスで希釈して成るＶ族元
素原料ガス（Ｖ、）を所定時間（例えば１０秒）前記Ｍ
ＯＶＰＥ装置内に導入する。これにより、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物の一分子層に相当するＩｎＧａＡｓＰ層が成長す
る。
上記■族元素原料ガスにおけるＴ旧とＴＥＧの混合比お
よびＶ族元素原料ガスにおけるＡＳＨ３とＰ）１１の混
合比、ならびにそれぞれの混合ガスのピーク流量は、
ＩｎＧａＡｓＰ層の所望とする組成に応じて定められた
値に制御される。
よびＶ族元素原料ガスにおけるＡＳＨ３とＰ）１１の混
合比、ならびにそれぞれの混合ガスのピーク流量は、
ＩｎＧａＡｓＰ層の所望とする組成に応じて定められた
値に制御される。
次いで、上記■族元素原料ガスの導入を停止し。
前記ＭＯＶＰＥ装置内からＶ族元素原料ガスを充分排気
したのち、再び上記■族元素原料ガスの導入を行う。こ
のような■族およびＶ族元素原料ガスの交互導入を約１
００サイクル繰り返す。これにより。
したのち、再び上記■族元素原料ガスの導入を行う。こ
のような■族およびＶ族元素原料ガスの交互導入を約１
００サイクル繰り返す。これにより。
第３図（ａ）に示すように、基板１上に１回折格子２の
高さと同程度、すなわち、 ３０ｎｍの厚さを有するＩ
ｎＧａＡｓＰ層３１が形成され１回折格子２は覆われて
しまう。通常１回折格子２の斜面方向における成長速度
が遅いため＋ ＩｎＧａＡｓＰ層３１の表面は平坦とな
る。
高さと同程度、すなわち、 ３０ｎｍの厚さを有するＩ
ｎＧａＡｓＰ層３１が形成され１回折格子２は覆われて
しまう。通常１回折格子２の斜面方向における成長速度
が遅いため＋ ＩｎＧａＡｓＰ層３１の表面は平坦とな
る。
上記ＡＬＥ法によれば、■族およびＶ族元素原料ガスの
導入の１サイクルごとに１分子層が成長するが、原料ガ
スの切り換え、排気等の操作のために、１サイクル当た
り１０〜３０秒を要する。したがって、厚さ数１０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ層３１を形成するために約１時間を要
する。このため、成長温度をできるだけ低い４００°Ｃ
程度に設定するのが望ましい。
導入の１サイクルごとに１分子層が成長するが、原料ガ
スの切り換え、排気等の操作のために、１サイクル当た
り１０〜３０秒を要する。したがって、厚さ数１０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓＰ層３１を形成するために約１時間を要
する。このため、成長温度をできるだけ低い４００°Ｃ
程度に設定するのが望ましい。
なお、ｎ型のＴｎＧａＡｓＰ光ガイド層を形成する場合
には、ｎ型ドーパントとして１例えばＳｉＨ，（シラン
）を上記■族元素原料ガスに混合すればよい。
には、ｎ型ドーパントとして１例えばＳｉＨ，（シラン
）を上記■族元素原料ガスに混合すればよい。
次いで、上記■族元素原料ガスの導入を停止し。
通常ノＭＯＶＰＥ法が可能な温度（Ｔ２；例えば６００
’Ｃ）に昇温する。第２図に示すように、この昇温期間
中にも■族元素原料ガスの導入を続けておくのが望まし
い。これにより、 ＩｎＧａＡｓＰ層３１の表面が、い
わゆるペーパーエツチングから保護される。
’Ｃ）に昇温する。第２図に示すように、この昇温期間
中にも■族元素原料ガスの導入を続けておくのが望まし
い。これにより、 ＩｎＧａＡｓＰ層３１の表面が、い
わゆるペーパーエツチングから保護される。
上記温度Ｔ２に到達したのち、■族元素原料ガスの導入
を再開する。このとき、Ｖ族元素原料ガスも並行して導
入する。そして、所定時間９例えば１０分間導入後１ｍ
族元素原料ガスおよびＶ族元素原料ガスともに導入を停
止する。その結果、第３図（ｂ）に示すように、前記ｒ
ｎＧａＡｓＰ層３１上に、厚さ１５０ｎｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ層３２が成長する。ＩｎＧａＡｓＰ層３１および３
２から光ガイド層３が構成される。
を再開する。このとき、Ｖ族元素原料ガスも並行して導
入する。そして、所定時間９例えば１０分間導入後１ｍ
族元素原料ガスおよびＶ族元素原料ガスともに導入を停
止する。その結果、第３図（ｂ）に示すように、前記ｒ
ｎＧａＡｓＰ層３１上に、厚さ１５０ｎｍのＩｎＧａＡ
ｓＰ層３２が成長する。ＩｎＧａＡｓＰ層３１および３
２から光ガイド層３が構成される。
上記のち、第２図に示すように、温度をＴ２に保持した
まま１通常の工程と同様の条件で■族元素原料ガス（Ｉ
［［Ａ）およびＶ族原料ガス（ＶＡ）の導入を行い、第
３図（ｂ）に示すように、 ＩｎＧａＡｓ、またはＩｎ
ＧａＡｓＰ光ガイド層３よりも禁制帯幅（Ｅ、）の小さ
いＩｎＧａＡｓＰから成る厚さ約２００ｎｍの活性層４
を形成し９次いで、■族元素原料ガス（■ｃ）およびＶ
族原料ガス（ＶＣ）の導入を行い、ｐ型のＩｎＰから成
る厚さ約３００ｎｍのクラッド層５を形成する。
まま１通常の工程と同様の条件で■族元素原料ガス（Ｉ
［［Ａ）およびＶ族原料ガス（ＶＡ）の導入を行い、第
３図（ｂ）に示すように、 ＩｎＧａＡｓ、またはＩｎ
ＧａＡｓＰ光ガイド層３よりも禁制帯幅（Ｅ、）の小さ
いＩｎＧａＡｓＰから成る厚さ約２００ｎｍの活性層４
を形成し９次いで、■族元素原料ガス（■ｃ）およびＶ
族原料ガス（ＶＣ）の導入を行い、ｐ型のＩｎＰから成
る厚さ約３００ｎｍのクラッド層５を形成する。
以後、必要に応じてクラッド層５層上にｐ型のＩｎＧａ
ＡｓＰから成るコンタクト層（図示省略）を形成し、さ
らに、光ガイド層３から上記コンタクト層までのメサエ
ッチング、メサ部の高抵抗のＩｎＰ層による埋め込み等
２周知の工程を実施して本発明の半導体レーザが完成さ
れる。
ＡｓＰから成るコンタクト層（図示省略）を形成し、さ
らに、光ガイド層３から上記コンタクト層までのメサエ
ッチング、メサ部の高抵抗のＩｎＰ層による埋め込み等
２周知の工程を実施して本発明の半導体レーザが完成さ
れる。
本発明によれば、 ＤＦＢ型の半導体レーザにおける凸
状の回折格子の高さを所定値に維持することが容易とな
り、コヒーレント光通信に要求される単一波長特性を有
する半導体レーザを高能率かつ高歩留りで製造可能とす
る効果がある。
状の回折格子の高さを所定値に維持することが容易とな
り、コヒーレント光通信に要求される単一波長特性を有
する半導体レーザを高能率かつ高歩留りで製造可能とす
る効果がある。
３１は光ガイド層３の一部
３２は光ガイド層３の残部
である。
第１図は本発明の原理説明図
第２図は本発明の製造工程のタイムシーケンス図。
第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の製造工程における
要部断面図。 第４図（ａ）ないしＣＣ）は従来の問題点説明図である
。 図において。 ■は基板。 ２は回折格子。 ３は光ガイド層。 ４は活性層。 ５はクラッド層。
要部断面図。 第４図（ａ）ないしＣＣ）は従来の問題点説明図である
。 図において。 ■は基板。 ２は回折格子。 ３は光ガイド層。 ４は活性層。 ５はクラッド層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型の第１半導体から成り凸状の回折格子が設けら
れた一表面を有する基板を有機金属気相エピタキシャル
成長（ＭＯＶＰＥ）装置内に設置して、該回折格子が熱
変成を生じない温度（Ｔ＿１）に加熱する工程と、 一導電型の第２半導体を構成するカチオン成分およびア
ニオン成分をそれぞれ含有する２種の原料ガスを該ＭＯ
ＶＰＥ装置内に交互に導入し、前記温度（Ｔ＿１）に加
熱された該基板表面上に該第２半導体から成る層を該回
折格子を覆うように形成する工程と、 該第２半導体層により覆われた該回折格子を有する該基
板を該ＭＯＶＰＥ装置内において該温度（Ｔ＿１）より
高い温度（Ｔ＿２）に加熱する工程と、該ＭＯＶＰＥ装
置内に該２種の原料ガスを同時に導入し、前記温度（Ｔ
＿２）に加熱された該基板表面上に該第２半導体から成
る光ガイド層を形成する工程と、 第３半導体から成る活性層を該光ガイド層上に形成する
工程と、 反対導電型の第４半導体から成るクラッド層を該活性層
上に形成する工程 を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10505989A JPH02283084A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10505989A JPH02283084A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283084A true JPH02283084A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14397404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10505989A Pending JPH02283084A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283084A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204601A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回折格子の形成方法 |
| US7294360B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-11-13 | Planar Systems, Inc. | Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10505989A patent/JPH02283084A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204601A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 回折格子の形成方法 |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7294360B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-11-13 | Planar Systems, Inc. | Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same |
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