JP2003008161A - 導電体、および回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の反りを防止する。 【解決手段】配線パターンを形成するための導電体の内
部に空隙を設ける。また、絶縁材の両面に配線パターン
が形成されている回路基板において、各配線パターンの
熱伸縮量を、パターン密度の相違に応じて互いに異なる
値に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回路基板の配線パタ
ーンを形成するための導電体、およびそれを用いた回路
基板に関わるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、回路基板上の配線パターンの
形成方法では、サブトラクティブ法が一般的である。つ
まり絶縁材と金属箔（主に銅箔）を張り合わせた後に、
銅箔を所望の配線にパターニングし、エッチング法等を
用いて絶縁材上に配線パターンを形成する方法である。
この様な方法を用いて製造される回路基板の一例として
は、ＩＶＨを介しての層間接続が実施された全層ＩＶＨ
樹脂多層回路基板がある（特許第２６０１１２８号）。

【０００３】この回路基板は、複数枚の絶縁材それぞれ
の表面上に被着された配線パターン同士が絶縁材の貫通
孔内に充填された金属粉と接触することによって導通接
続された構成となっている。この様な回路基板を製造す
る際には被圧縮性を有する絶縁材に貫通孔を形成してお
き、金属粉を含有した樹脂組成物を絶縁材の貫通孔に充
填した後、絶縁材の表面に銅箔を積層した上で絶縁材及
び銅箔を厚み方向に沿って圧縮しながら加熱することが
行われる。更に引き続き、加圧及び加熱されて絶縁材の
表面に被着した銅箔を上記サブトラクティブ法により配
線パターンを形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、回路基板で
は、基板材料と配線材料という、異種材料を貼着するこ
とが構成されているために、両者の熱伸縮力の相違によ
り基板に反りが生じる。すなわち、回路基板では配線材
料と基板材料の熱膨張係数が大きく異なる（配線材料が
小さく、基板材料が大きい）ため、両者の熱伸縮量に大
きな差が生じて基板に反りを生じさせる。

【０００５】また、基板両面に配線パターンを設けた場
合においては、両面の配線パターンの熱伸縮力の不均衡
によっても基板に反りが生じる。すなわち、基板両面に
形成される配線パターンは、一般にその形状が両面で互
いに異なるため、回路基板の両面に配置される配線パタ
ーンのパターン密度が相違するのはある程度避けられな
い。しかしながら、このようなパターン密度の違いは、
基板両面の配線パターンの熱伸縮力に不均衡をもたら
し、このことにより基板に反りを生じさせる。

【０００６】このような基板の反りによって、回路基板
を多層化する際や回路基板上に電子部品を実装する際に
余分な応力がかかることになり、多層化するためのプロ
セス上の問題や電子部品との接続信頼性を低下させる原
因となっている。

【０００７】本発明はこの様な課題を鑑みて創案された
ものであり、基板の反りを低減することを目的としてい
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の導電体は、導電
体内部に空隙を有することを特徴としている。これによ
り、両者の熱伸縮量の差が小さくなって、その分だけ、
基板に生じる反りが小さくなる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に関わる導電体
は、導電体内部に空隙を有することを特徴としている。

【００１０】このように内部に空隙を有する導電体は内
部に空隙を持たない通常の導電体と比較しても熱膨張係
数が大きくなる。このためこのような導電体を回路基板
の配線パターンに用いた場合、配線パターンの熱膨張係
数が回路基板の基板材料である絶縁材（一般的に熱膨張
係数が大きい）に近づくことになる。そのため、両者の
熱伸縮量の差が小さくなり、その分、基板に反りが生じ
にくくなる。

【００１１】本発明の請求項２に関わる導電体は上記請
求項１に記載の導電体の一例であり、導電体が金属箔の
表面を粗化処理し、メッキを施すことにより内部に空隙
を形成したものであることを特徴としている。

【００１２】このような金属箔を形成することによっ
て、上記と同様の理由で回路基板の反りを減少させるこ
とができる。

【００１３】本発明の請求項３に関わる導電体は、内部
に有機樹脂層を有することを特徴としている。

【００１４】内部に有機樹脂層を有する導電体は、内部
に有機樹脂層を持たない通常の導電体と比較しても熱膨
張係数が大きくなる。このためこのような導電体を回路
基板の配線パターンに用いた場合、配線パターンの熱膨
張係数が回路基板の基板材料である絶縁材（一般的に熱
膨張係数が大きい）に近づくことになる。そのため、両
者の熱伸縮量の差が小さくなり、その分、基板に反りが
生じにくくなる。

【００１５】本発明の請求項４に関わる導電体は上記請
求項３に記載の導電体の一例であり、導電体が導電性ペ
ーストで形成されていることを特徴としている。

【００１６】導電性ペーストは一般に金属粉と有機樹脂
との混合物である。従って導電性ペーストによって形成
された導電体は内部に有機樹脂層を有することになる。

【００１７】なお、請求項３、４に関わる導電体は、請
求項５に記載したように、前記導電体が支持材料上に形
成されているのが好ましく、そうすれば、この導電体に
よって配線パターンを回路基板上に転写形成することが
可能となる。

【００１８】本発明の請求項６に関わる回路基板は、絶
縁材の少なくとも一面に配線パターンが形成されている
回路基板において、前記配線パターンを、請求項１ない
し５のいずれに記載の導電体により構成することを特徴
としている。

【００１９】この回路基板は、請求項１〜５に記載した
発明で説明したのと同様の理由により基板の反りを低減
することができる。

【００２０】本発明の請求項７に関わる回路基板は、絶
縁材の両面に配線パターンが形成されている回路基板に
おいて、各配線パターンの熱伸縮量を、パターン密度の
相違に応じて互いに異なる値に設定することを特徴とし
ている。

【００２１】このような構造にすることによって絶縁材
の両面の配線パターンにおいて、そのパターン密度が異
なる場合であっても、パターン密度に応じて配線パター
ンの熱伸縮量を調整することで、その回路基板の反りを
減少させることができる。

【００２２】すなわち、パターン密度が低い配線パター
ンに比べて、パターン密度が高い配線パターンは、基板
が熱伸張しようとする際において、基板を押さえ込んで
そのままの状態を維持して基板を伸張させないようとす
る力（以下、基板保持力という）が大きい。回路基板の
両面に配線パターンが存在する場合においては、両面の
配線パターンの基板保持力が均衡化すれば、基板に反り
が生じなくなる。一方、基板両面の配線パターンにパタ
ーン密度の違いがあると、その分だけ、両面の基板保持
力に不均衡が生じて基板に反りが生じてしまう。具体的
には、パターン密度の低い基板面の基板保持力よりパタ
ーン密度の高い基板面の基板保持力の方が高くなり、両
面の基板保持力に不均衡が生じて基板に反りが生じてし
まう。

【００２３】そこで、本発明では、パターン密度が低い
配線パターンに比べて、パターン密度が高い配線パター
ンの熱伸張量を大きくすることで、パターン密度の高い
配線パターンの基板保持力を小さくし、これによってパ
ターン密度の異なる両面の配線パターンの基板保持力を
できるだけ均衡化させて、基板の反りを防止している。

【００２４】なお、配線パターンの熱伸縮量の設定は、
請求項８に記載したように、その熱膨張係数の調整によ
り行うことができる。

【００２５】ここで、配線パターンの熱膨張係数の設定
は、請求項９に記載したように、配線パターンを構成す
る導電体の密度の設定により行うことができる。

【００２６】また、配線パターンの熱膨張係数の設定
は、請求項１０に記載したように、前記配線パターンは
その内部に空隙を有するものであってその空隙の量の調
整により行うことができる。

【００２７】また、配線パターンの熱膨張係数の設定
は、請求項１１に記載したように、前記配線パターン
を、金属粉を含有する導電性ペーストの焼結体により構
成し、この金属粉の含有量の調整により行うことができ
る。

【００２８】また、配線パターンの熱膨張係数の設定
は、請求項１２に記載したように、前記配線パターン
を、金属粉を含有する導電性ペーストの焼結体により構
成し、この金属粉を構成する金属の種類を選択すること
により行うことができる。

【００２９】また、配線パターンの熱膨張係数の設定
は、請求項１３に記載したように、前記配線パターン
を、金属粉と有機樹脂とを含有する導電性ペーストの焼
結体により構成し、前記有機樹脂の種類を選択すること
により行なうことができる。

【００３０】さらには、配線パターンの熱伸縮量を設定
する場合には、請求項１４に記載したように、配線パタ
ーンの厚みの調整により、熱伸縮量を設定することがで
きる。

【００３１】本発明において対象となる回路基板は、請
求項１５に記載したように、絶縁材に形成された貫通孔
に導電体を充填し、絶縁材の両面に配置された配線パタ
ーンが前記導電体によって電気的に接続されたものであ
るのが好ましい。

【００３２】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて詳細に説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。

【００３３】（実施の形態１）図１には本発明の実施の
形態１に関わる導電体１０１の断面図を示している。

【００３４】この導電体１０１は配線パターンを形成す
ることを目的としており、特に内部に空隙１０２を有す
ることを特徴としている。このような導電体１０１は次
のような方法を用いることによって製造することができ
る。

【００３５】従来から、回路基板の配線層に用いられて
いる導電体として銅箔がある。これらの銅箔は絶縁基材
との密着性を向上させるために表面に亜鉛やニッケルと
いった金属を電解メッキ処理し表面にこぶ状の突起を付
与しているものが一般的である。この際の電解メッキ処
理工程において電流密度を過剰に高める等の製造条件を
変化させることによってこぶ状の突起同士が連結し、内
部に空隙を有するものが製造することができる。またこ
の際の製造条件を変化させることによって内部の空隙率
は変化させることができる。この場合に用いる銅箔は特
に銅箔に限られるわけではなく、任意の金属箔を用いる
ことができる。また金属箔表面にメッキされる金属は上
記亜鉛及びニッケルに限られるわけでなく、通常メッキ
処理で用いられる金、銀、パラジウム、白金、カドミウ
ム等の任意の金属種を用いることができる。

【００３６】またこのような導電体１０１は次のような
方法を用いることによっても製造することができる。金
属粉と揮発性の溶剤等の混合物を用意する。支持基材上
にこれらの混合物を塗布し、高温環境下で焼成すること
によって金属粉同士は溶着し、また同時に揮発性の溶剤
は揮発し導電体が形成される。溶剤が揮発するため導電
体内部に空隙を有するものが形成できる。この際の溶剤
の比率を変化させることによって導電体内部の空隙率は
変化させることができる。この際の金属粉としては金、
銀、銅、ニッケル、鉛及び錫などやこれらの合金、もし
くはこれらの金属上に他の金属がメッキされた粉の内か
ら選択された少なくとも１種類、もしくは数種類を組み
合わせたものなどが使用できる。また揮発性の溶剤とし
ては任意の有機溶剤を用いることができる。

【００３７】（実施の形態２）図２には本発明の実施の
形態２に関わる導電体２０１の断面図を示す。

【００３８】この導電体２０１は配線パターンを形成す
ることを目的としており、特に導電体内部２０１に有機
樹脂層２０２を有することに特徴を有している。

【００３９】このような導電体２０１は次のような方法
を用いることによって製造することができる。金属粉と
有機樹脂の混合物である導電性ペーストを用意する。支
持基材２０３に電性ペーストを塗布し、熱硬化すること
によって図２に示す導電体２０１が形成される。この際
の導電性ペーストとしては例えば金属粉と熱硬化性樹脂
の複合材が使用できる。金属粉としては例えば金、銀、
銅、ニッケル、鉛及び錫などやこれらの合金、もしくは
これらの金属上に他の金属がメッキされた粉の内から選
択された少なくとも１種類、もしくは数種類を組み合わ
せたものなどが使用できる。また熱硬化性樹脂としては
例えばフェノール系樹脂、ナフタレン樹脂、ユリア樹
脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂等の公知の熱硬化性樹脂が挙げられ、これら
を適宜組み合わせることができる。またこの際の金属粉
の含有率を適宜調整することによって導電体２０１内部
の有機樹脂層の体積比率は適宜調整することが可能であ
る。

【００４０】（実施の形態３）図３には本実施の形態３
に関わる４層回路基板の断面図を示す。

【００４１】この回路基板は絶縁材３０１の両面に被着
された配線パターン３０２の間に貫通孔３０３を形成
し、さらには、この貫通孔３０３内に導電性ペースト３
０４を充填している。そして、この導電性ペースト３０
４を介して両面の配線パターン３０２を電気的に接続し
た構成となっている。なお、図３中、符号、導電性ペー
スト３０４を構成する金属粉である。

【００４２】絶縁材３０１の材料としては被圧縮性を有
する多孔質材を用いることが可能である。この絶縁材の
好適例としては、基材に熱硬化性樹脂を含浸して半硬化
状態にした被圧縮性を有し、内部に多数の空孔部を分散
したプリプレグを挙げることができる。この基材の好適
例としては、芳香族ポリアミド繊維の基材、ガラス布基
材、ガラス不織布基材、アラミド布基材、アラミド不織
布基材、液晶ポリマー不織布基材等を挙げることができ
る。また基材に含浸する熱硬化性樹脂の好適例として
は、フェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ユリア樹
脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン樹脂等の公知の熱硬化性樹脂を挙げることがで
き、更にこれらの内から任意に選択された１つまたは複
数のものを組み合わせたものであっても良い。

【００４３】また絶縁材３０１は有機材料を主体とする
フィルムと前記フィルムの表層に多孔質の有機樹脂接着
層を備えた複合材料を用いることも可能である。この場
合、有機材料を主体とするフィルムとしては、ポリイミ
ドフィルムやアラミドフィルム、液晶ポリマーフィルム
等が挙げられる。また有機樹脂接着層としてはエポキシ
系接着剤やイミド系接着剤が使用できる。

【００４４】この際の回路基板はフィルムの両面に設け
られた有機樹脂接着剤層に埋没された配線パターン３０
２が貫通孔３０３内に充填された導電性ペースト３０４
を介して電気的に接続された構成となる。

【００４５】導電性ペースト３０４としては例えば金属
粉３０５と熱硬化性樹脂との複合材が使用できる。金属
粉３０５としては例えば金、銀、銅、ニッケル、鉛及び
錫などやこれらの合金、もしくはこれらの金属上に他の
金属がメッキされた粉の内から選択された少なくとも１
種類、もしくは数種類を組み合わせたものなどが使用で
きる。また熱硬化性樹脂としては例えばフェノール系樹
脂、ナフタレン樹脂、ユリア樹脂、アミノ樹脂、アルキ
ッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の公知の熱
硬化性樹脂が挙げられ、これらを適宜組み合わせること
ができる。以上がこの回路基板の基本構成である。

【００４６】本実施の形態はこの様な構成の回路基板
に、更に配線パターン３０２を形成している導電体３０
６が内部に空隙３０７を有していることを特徴としてい
る。

【００４７】このような導電体３０６は内部に空隙３０
７を有していない通常の導電体と比較して、導電体自身
の熱膨張係数は大きい。従ってこのような構成の回路基
板では通常の回路基板と比較して、絶縁材との間の熱膨
張係数の差が小さくなり、基板に反りが生じにくくなっ
ている。

【００４８】このような回路基板は例えば以下のように
して製造することができる。図４には本実施の形態３に
関わる４層回路基板の製造方法を順次に示す工程説明断
面図である。

【００４９】まず図４（a）に示すように、両面の表面
上に離型性フィルム４０１が接着された被圧縮性を有す
る絶縁材４０２を用意する。なお離型性フィルム４０１
としてはポリエチレンテレフタレートやポリエステル等
を用いることが可能である。次に絶縁材４０２に対して
レーザー加工法等を用いて所定の位置ごとに貫通孔４０
３を形成する。

【００５０】次に図４（b）に示すように、スキージ等
を用いて絶縁材４０２の貫通孔４０３内に導電性ペース
ト４０４を充填する。

【００５１】次に図４（c）に示すように、絶縁材４０
２に接着されていた離型性フィルム４０１を剥離して除
去する。このようにしてできた半製品を４Aと呼ぶ。

【００５２】次に図４（d）に示すように、絶縁材４０
２の上下両方の表面上に導電体４０５を積層する。この
際に用いる導電体４０５は実施の形態１で記載した内部
に空隙４０６を有した導電体である。そして絶縁材４０
２及び導電体４０５を厚み方向に沿って加熱しながら加
圧する。

【００５３】次に図４（e）に示すように、絶縁材４０
２の表面上に被着されている導電体４０５に対してエッ
チング法等の方法を施すことで所望の配線パターンを形
成する。この様にして両面回路基板４Bが形成できる。

【００５４】次に図４（f）に示すように、両面回路基
板４Bの両側から上述した半製品４Aを積層し、更に空隙
４０６を有する導電体４０５を積層して厚み方向に沿っ
て加熱しながら加圧する。

【００５５】次に図４（g）に示すように、絶縁材４０
２の表面上に被着されている導電体４０５をエッチング
法等の方法を用いて所望の配線パターンを形成する。こ
の様にして４層回路基板が形成できる。

【００５６】また上記の様な回路基板の構成及び製造方
法は上記４層回路基板に限定されるわけでなく、両面回
路基板及び任意の多層回路基板にも適用できる。

【００５７】本実施の形態では、一例として絶縁材に形
成された貫通孔に導電性ペーストを充填して配線層間の
電気的接続をしている構造の回路基板とその製造方法に
ついて言及したが、これに限定されるわけではなく、絶
縁材両面の配線パターンをサブトラクティブ法で形成し
ている他の回路基板に適用することも可能である。

【００５８】（実施の形態４）図５には本実施の形態４
に関わる４層回路基板の断面図を示す。

【００５９】本実施の形態に関わる回路基板は上記実施
の形態３に類似の形態である。ここで絶縁材５０１両面
に形成された配線パターン５０２を構成する導電体５０
６の内部に空隙５０７を形成するとともに、両面の配線
パターン５０２の空隙率が互いに異なることに特徴があ
る。なお、図５中、符号５０３は、絶縁材５０１に形成
された貫通孔であり、５０４は、貫通孔５０３に充填さ
れた導電性ペーストであり、５０５は、導電性ペースト
５０３を構成する金属粉である。

【００６０】本発明では、回路基板両面の配線パターン
５０２のパターン密度の違いに応じて配線パターン５０
２内部の空隙率を変化させ、これによって両配線パター
ン５０２のパターン密度の相違に起因する回路基板の反
りを減少させるものである。このような回路基板の製造
方法についても上記実施の形態３に記載したのと同様の
方法が用いられるのでここでは省略する。

【００６１】（実施の形態５）図６には本実施の形態５
に関わる４層回路基板の断面図を示す。

【００６２】この回路基板は絶縁材６０１の両面に配置
された配線パターン６０２間が絶縁材６０１に形成され
た貫通孔６０３内に充填された導電性ペースト６０４に
よって電気的に接続された構成になっている。なお、図
６中、符号６０５は、導電性ペースト６０４を構成する
金属粉であり、６０６は、絶縁材６０１を接着する有機
樹脂接着剤であり、６０８は、配線パターン６０２を構
成する導電性ペーストであり、６０７は、導電性ペース
ト６０８を構成する金属粉である。

【００６３】絶縁材６０１及び貫通孔６０３内に充填さ
れた導電性ペースト６０４に関しては上記実施の形態３
に記載のものと同様のものが用いられる。ここで本実施
の形態５に記載の回路基板は絶縁材６０１両面に形成さ
れた配線パターン６０２が金属粉６０７を含有する導電
性ペースト６０８によって形成されており、この導電性
ペースト６０８内の金属粉６０７の含有量が絶縁材両面
の配線パターン６０２で異なっていることに特徴があ
る。そして、金属粉６０７の含有量を変化させることに
よって、両配線パターン６０２のパターン密度の相違に
起因する回路基板の反りを減少させるものである。

【００６４】この際に配線パターン６０２を形成する導
電性ペースト６０８は例えば金属粉６０７と熱硬化性樹
脂の複合材が使用できる。金属粉６０７としては例えば
金、銀、銅、ニッケル、鉛及び錫などやこれらの合金、
もしくはこれらの金属に他の金属がメッキされた粉の内
から選択された少なくとも１種類、もしくは数種類を組
み合わせたものなどが使用できる。また熱硬化性樹脂と
しては例えばフェノール系樹脂、ナフタレン樹脂、ユリ
ア樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フ
ラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン樹脂等の公知の熱硬化性樹脂が挙げられ、こ
れらを適宜組み合わせることができる。

【００６５】このような回路基板は以下に示す製造方法
を用いることによって形成することができる。図７には
実施の形態５に関わる４層回路基板の製造方法を順次に
示す工程説明断面図である。

【００６６】まず図７（a）に示すように、支持材料７
０１上に導電性ペースト７０２をスクリーン印刷法等に
よって塗布して配線パターン７０３を形成し、加熱する
ことによって導電性ペースト７０２を硬化させる。この
ようにして支持材料７０１上に配線パターン７０３を形
成したものを２枚用意する。この際に配線パターン７０
３の支持材料７０１に対する面積率が大きい（パターン
密度の大きい）ものには導電性ペースト７０２中の金属
粉７０４の含有量が小さいものを用いて配線パターン７
０３を形成する。

【００６７】次に図７（b）に示すように、両面の表面
上に離型性フィルム７０５が接着された絶縁材を用意す
る。絶縁材としては有機フィルム７０６上に有機接着剤
７０７が形成されたものを用いることができる。なお、
離型性フィルム７０５としてはポリエチレンテレフタレ
ートやポリエステル等を用いることが可能である。この
ようにして用意した絶縁材に対してレーザー加工法等を
用いて所定の位置ごとに貫通孔７０８を形成する。

【００６８】次に図７（c）に示すように、スキージ等
を用いて絶縁材に形成された貫通孔７０８内に導電性ペ
ースト７０９を充填する。この際の導電性ペースト７０
９は配線パターン７０３を形成した際の導電性ペースト
７０２を用いることも可能であるが、別の種類の導電性
ペーストを用いることも可能である。

【００６９】次に図７（d）に示すように、絶縁材に接
着されていた離型性フィルム７０５を剥離して除去す
る。このようにして形成された半製品を７Aと呼ぶ。

【００７０】次に図７（e）に示すように、絶縁材の上
下両方の表面上に図７（a）で製造した配線パターン７
０３を積層する。そして絶縁材及び配線パターン７０３
を厚み方向に沿って加熱しながら加圧する。

【００７１】次に図７（f）に示すように、配線パター
ン７０３の表面上に被着されている支持材料７０１をエ
ッチング法や研磨法により除去し、両面回路基板７Bが
形成できる。この際の両面回路基板７Bの反りがどちら
の配線パターン側であるのかを観察する。

【００７２】次に図７（g）に示すように、図７（d）に
示すように形成した半製品７Aを２枚用意し、両面回路
基板７B上の両面に積層する。またこの両面に図７（a）
で形成した配線パターン７０３を両側から積層する。こ
の際に図７（f）までに形成した両面回路基板７Bが内側
に反っている側の配線パターン７０３には導電性ペース
ト７０２内の金属粉７０４の含有率が小さいものを用い
る。そしてこの積層体を厚み方向に沿って加熱しながら
加圧する。

【００７３】次に図７（h）に示すように、配線パター
ン７０３の表面上に被着されている支持材料７０１をエ
ッチング法や研磨法により除去し、４層回路基板を形成
する。

【００７４】この場合、上記の様な回路基板の構成及び
製造方法は上記４層回路基板に限定されるわけでなく、
任意の多層回路基板にも適用できる。

【００７５】ここで配線パターン７０３を形成する際
に、導電性ペースト７０２内の金属粉７０４の含有率は
回路基板の反りに大きく影響を与えるが、絶縁材両面の
配線パターン７０３の支持材料７０１に対する面積率
（パターン密度）Ｌと導電性ペースト７０２内の金属粉
７０４の含有率Fを考えると（L×F）の値が絶縁材両面
の配線パターン７０３で近いものであればあるほど回路
基板の反りは小さいものになる。

【００７６】このことを考慮に入れて導電性ペースト７
０２内の金属粉７０４の充填率を変化させると回路基板
の反りをより効果的に減少させることができる。

【００７７】本実施の形態では、一例として絶縁材に形
成された貫通孔７０８に導電性ペースト７０９を充填し
て配線パターン７０２間の電気的接続をしている構造の
回路基板とその製造方法について言及したが、これに限
定されるわけではなく、絶縁材両面に配線パターンを転
写形成する他の回路基板に適用することも可能である。

【００７８】（実施の形態６）図８には本実施の形態６
に関わる４層回路基板の断面図を示す。

【００７９】本実施の形態に関わる回路基板は実施の形
態５に類似した形態である。ここで絶縁材両面に形成さ
れた配線パターン８０２の厚みが異なることに特徴があ
る。

【００８０】上記実施の形態５では回路基板両面の配線
パターン６０２（７０３）を形成する導電性ペースト６
０８（７０２）内の金属粉６０７（７０４）の含有率
を、両配線パターン６０２（７０３）で変化させて回路
基板の反りを低減させたが、本実施の形態では配線パタ
ーン８０２の厚みを変化させることによって、両面の配
線パターン８０２のパターン密度の相違に起因する回路
基板の反りを減少させるものである。このような回路基
板の製造方法についても上記実施の形態５に記載したの
と同様の方法が用いられるのでここでは省略する。な
お、符号８０１は絶縁材を構成する有機フィルムであ
り、８０３は有機フィルム８０１に形成された貫通孔で
あり、８０４は貫通孔８０３に充填される導電性ペース
トであり、８０５は導電性ペースト８０３を構成する金
属粉である。

【００８１】（実施の形態７）図９には、本実施の形態
７に関わる４層回路基板の断面図を示す。

【００８２】本実施の形態に関わる回路基板は上記実施
の形態５に類似した形態である。ここで絶縁材両面の配
線パターン９０２を形成する導電性ペースト９０８に含
まれる金属粉９０７の種類が異なることに特徴がある。

【００８３】上記実施の形態５では回路基板両面の配線
パターン６０２を形成する導電性ペースト６０８内の金
属粉６０７の含有率を、両配線パターン６０２で変化さ
せて回路基板の反りを低減させたが、本実施の形態で
は、配線パターン９０２を形成する導電性ペースト９０
８を構成する金属粉９０７の種類を変化させることによ
って、両面の配線パターン９０２のパターン密度の相違
に起因する回路基板の反りを減少させるものである。こ
こで金属粉９０７の種類というのは金属種だけを言及し
ているものではない。例えば配線パターン９０２を形成
している金属粉９０７の金属種が同じ（例えば銅粉や銀
粉）場合でもその平均粒径を相違させることによって、
同様の効果を得ることができる。また２種類以上の金属
粉を混合したものを用いる場合にはこの金属粉の混合比
を変えることによって同様な効果が得られる。このよう
な回路基板の製造方法についても上記実施の形態５に記
載したのと同様の方法が用いられるのでここでは省略す
る。なお、図９において、符号９０１は、絶縁材を構成
する有機フィルムであり、９０３は、有機フィルム９０
１に形成された貫通孔であり、９０４は、貫通孔９０３
に充填された導電性ペーストであり、９０５は、導電性
ペースト９０４を構成する金属粉であり、９０６は、有
機フィルム９０１どうしを接着する有機樹脂接着剤であ
る。

【００８４】なお、本発明は、上述した実施の形態の
他、次のように構成することもできる。すなわち、絶縁
材両面に形成された配線パターンを形成する導電性ペー
ストを構成する有機樹脂の種類が異ならせることで、基
板の反りを低減することもできる。

【００８５】上記実施の形態５では回路基板両面の配線
パターン６０２を形成する導電性ペースト６０８内の金
属粉６０７の含有率を、両配線パターン８０２で変化さ
せて回路基板の反りを低減させたが、この変形例では配
線パターンを形成する導電性ペーストの有機樹脂の種類
を変化させることによって、両面の配線パターンのパタ
ーン密度の相違に起因する回路基板の反りを減少させる
ものである。

【００８６】ここで有機樹脂の種類というのは単に種類
だけを言及しているものではない。例えば配線パターン
を形成している有機樹脂が２種類以上の有機樹脂を混合
したものを用いる場合にはこの有機樹脂の混合比を変え
ることによって同様な効果が得られる。このような回路
基板の製造方法についても上記実施の形態５に記載した
のと同様の方法が用いられるのでその説明は省略する。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、導電体
の熱膨張係数を回路基板（絶縁材）に近づけることで、
回路基板の反りを低減させることができた。さらには、
基板両面の配線パターンにおいて、そのパターン密度が
異なる場合であっても、パターン密度に応じて配線パタ
ーンの熱伸縮量を調整することで、その回路基板の反り
を減少させることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る４層回路基板の断
面図である。

【図２】本発明の実施の形態２に係る４層回路基板の断
面図である。

【図３】本発明の実施の形態３に係る４層回路基板の断
面図である。

【図４】本発明の実施の形態３に係る４層回路基板の工
程を説明する断面図である。

【図５】本発明の実施の形態４に係る４層回路基板の断
面図である。

【図６】本発明の実施の形態５に係る４層回路基板の断
面図である。

【図７】本発明の実施の形態５に係る４層回路基板の工
程を説明する断面図である。

【図８】本発明の実施の形態６に係る４層回路基板の断
面図である。

【図９】本発明の実施の形態７に係る４層回路基板の断
面図である。

【符号の説明】 １０１…導電体、１０２…空隙、２０１…導電体、２０
２…有機樹脂層、２０３…支持材料、３０１…絶縁材、
３０２…配線パターン、３０３…貫通孔、３０４…導電
性ペースト、３０５…金属粉、３０６…導電体、３０７
…空隙、４０１…離型性フィルム、４０２…絶縁材、４
０３…貫通孔、４０４…導電性ペースト、４０５…導電
体、４０６…空隙、４A…半製品、４B…両面回路基板５
０１…絶縁材、５０２…配線パターン、５０３…貫通
孔、５０４…導電性ペースト、５０５…金属粉、５０６
…導電体、５０７…空隙、６０１…有機フィルム、６０
２…配線パターン、６０３…貫通孔、６０４…導電性ペ
ースト、６０５…金属粉、６０６…有機樹脂接着剤、６
０７…金属粉、６０８…導電性ペースト、７０１…支持
材料、７０２…導電性ペースト、７０３…配線パター
ン、７０４…金属粉、７０５…離型性フィルム、７０６
…有機フィルム、７０７…有機樹脂接着剤、７０８…貫
通孔、７０９…導電性ペースト、７A…半製品、７B…両
面回路基板、８０１…有機フィルム、８０２…配線パタ
ーン、８０３…貫通孔、８０４…導電性ペースト、８０
５…金属粉、８０６…金属粉、９０１…有機フィルム、
９０２…配線パターン、９０３…貫通孔、９０４…導電
性ペースト、９０５…金属粉、９０６…有機樹脂接着
剤、９０７…金属粉、９０８…導電性ペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 武 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西山 東作 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 禎志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA02 AA03 AA04 BB01 BB04 BB31 DD04 DD05 DD06 DD12 DD19 DD20 DD52 DD54 DD55 EE01 EE11 EE15 EE16 GG03 GG20 5E317 AA24 BB02 BB03 BB12 BB13 BB14 BB16 CC22 CC25 CC31 CD27 GG20 5E338 EE60 5E343 AA07 AA15 AA16 AA17 AA18 BB24 BB25 BB28 BB48 BB49 BB75 BB76 DD01 GG20

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線パターンを形成するための導電体で
   あって、 前記導電体内部に空隙を有する、 ことを特徴とする導電体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の導電体において、 前記導電体は、金属箔であって、その表面を粗化処理し
   たうえでメッキを施すことでその内部に空隙を形成した
   ものである、 ことを特徴とする導電体。
3. 【請求項３】 配線パターンを形成するための導電体で
   あって、 導電体内部に有機樹脂層を有する、 ことを特徴とする導電体。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の導電体において、 前記導電体が、金属粉を含有する導電性ペーストにより
   形成されている、 ことを特徴とする導電体。
5. 【請求項５】 請求項３または４に記載の導電体であっ
   て、 前記導電体が支持材料上に形成されている、 ことを特徴とする導電体。
6. 【請求項６】 絶縁材の少なくとも一面に配線パターン
   が形成されている回路基板において、 前記配線パターンを、請求項１ないし５のいずれに記載
   の導電体により構成する、 ことを特徴とする回路基板。
7. 【請求項７】 絶縁材の両面に配線パターンが形成され
   ている回路基板において、 各配線パターンの熱伸縮量を、パターン密度の相違に応
   じて互いに異なる値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の回路基板において、 前記配線パターンの熱膨張係数の調整により、前記熱伸
   縮量を所望の値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の回路基板において、 各配線パターンを構成する導電体の密度を調整すること
   により、前記熱膨張係数を所望の値の設定する、 ことを特徴とする回路基板。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の回路基板において、 前記配線パターンはその内部に空隙を有するものであ
    り、この空隙の量の調整により、前記膨張係数を所望の
    値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
11. 【請求項１１】 請求項８に記載の回路基板において、 前記配線パターンを、金属粉を含有する導電性ペースト
    の焼結体により構成し、この金属粉の含有量の調整によ
    り、前記膨張係数を所望の値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
12. 【請求項１２】 請求項８に記載の回路基板において、 前記配線パターンを、金属粉を含有する導電性ペースト
    の焼結体により構成し、この金属粉を構成する金属の種
    類の選択により、前記膨張係数を所望の値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
13. 【請求項１３】 請求項８に記載の回路基板において、 前記配線パターンを、金属粉と有機樹脂とを含有する導
    電性ペーストの焼結体により構成し、前記有機樹脂の種
    類の選択により、前記膨張係数を所望の値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
14. 【請求項１４】 請求項７に記載の回路基板において、 配線パターンの厚みの調整により、前記熱伸縮量を所望
    の値に設定する、 ことを特徴とする回路基板。
15. 【請求項１５】 請求項６ないし請求項１４のいずれか
    に記載の回路基板において、 この回路基板は、絶縁材に形成された貫通孔に導電体を
    充填し、絶縁材の両面に配置された配線パターンが前記
    導電体によって電気的に接続されたものである、ことを
    特徴とする回路基板。