JP2000068620A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
回路基板及びその製造方法Info
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- JP2000068620A JP2000068620A JP10238580A JP23858098A JP2000068620A JP 2000068620 A JP2000068620 A JP 2000068620A JP 10238580 A JP10238580 A JP 10238580A JP 23858098 A JP23858098 A JP 23858098A JP 2000068620 A JP2000068620 A JP 2000068620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーバイヤーホール（ＩＶＨ）接続され
た回路基板の接続信頼性の向上と配線パターンのファイ
ンパターン化を図る。 【解決手段】 絶縁体層１の貫通孔に充填された導電性
組成物２と電気的に接続された配線パターン３の、導電
性組成物３との界面を絶縁体層１との界面に比べて粗化
する。
た回路基板の接続信頼性の向上と配線パターンのファイ
ンパターン化を図る。 【解決手段】 絶縁体層１の貫通孔に充填された導電性
組成物２と電気的に接続された配線パターン３の、導電
性組成物３との界面を絶縁体層１との界面に比べて粗化
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板及びその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。
ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できる基板の層間接続
方式としてインナーバイヤーホール（ＩＶＨ）接続によ
って高密度化が図られている。
い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。
ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できる基板の層間接続
方式としてインナーバイヤーホール（ＩＶＨ）接続によ
って高密度化が図られている。
【０００３】ＩＶＨ接続の多層基板は、導電性樹脂組成
物（例えば、ペースト状のもの、すなわち、導電性ペー
スト）をバイヤに充填したプリプレグ等の回路基板接続
材を、パターン形成の為の銅箔、或いは、あらかじめパ
ターン形成されたコア材に積層し、熱プレス等の方法で
加熱／加圧することにより製造される。
物（例えば、ペースト状のもの、すなわち、導電性ペー
スト）をバイヤに充填したプリプレグ等の回路基板接続
材を、パターン形成の為の銅箔、或いは、あらかじめパ
ターン形成されたコア材に積層し、熱プレス等の方法で
加熱／加圧することにより製造される。
【０００４】導電性ペーストは、エポキシ樹脂等の合成
樹脂バインダーに、銅粉等の導電性フィラーを分散させ
たものが用いられ、離型性フィルムを両面に備えたプリ
プレグの所望の位置に形成した貫通孔に印刷等の方法で
充填される。
樹脂バインダーに、銅粉等の導電性フィラーを分散させ
たものが用いられ、離型性フィルムを両面に備えたプリ
プレグの所望の位置に形成した貫通孔に印刷等の方法で
充填される。
【０００５】前記、加熱／加圧工程で、導電性ペースト
中のバインダーが導電性フィラーと回路形成用の銅箔を
接着し、機械的強度を発現させ、導電性フィラーと銅箔
の機械的接触によりＩＶＨ接続を得ている。
中のバインダーが導電性フィラーと回路形成用の銅箔を
接着し、機械的強度を発現させ、導電性フィラーと銅箔
の機械的接触によりＩＶＨ接続を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のＩＶＨ接続技術では、導電性フィラーと銅箔
は、単に点接触しているだけなので、電気的な接続に関
する信頼性の点で不十分であった。具体的には、ＬＳＩ
等の半導体パッケージ或いは、モジュール用途（ＭＣ
Ｍ，ＣＳＰなど）の回路基板に要求される信頼性、例え
ば、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行うと、
バイヤ中の導電性組成物／銅箔の界面で、接続抵抗が高
くなり、最悪の場合には断線が発生するといった問題点
があった。
た従来のＩＶＨ接続技術では、導電性フィラーと銅箔
は、単に点接触しているだけなので、電気的な接続に関
する信頼性の点で不十分であった。具体的には、ＬＳＩ
等の半導体パッケージ或いは、モジュール用途（ＭＣ
Ｍ，ＣＳＰなど）の回路基板に要求される信頼性、例え
ば、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行うと、
バイヤ中の導電性組成物／銅箔の界面で、接続抵抗が高
くなり、最悪の場合には断線が発生するといった問題点
があった。
【０００７】ＩＶＨ接続の信頼性は、多層基板の性能の
中で最も重要なものであり、高密度化が図れ、しかも軽
量化できるＩＶＨ接続樹脂多層基板を半導体パッケージ
或いはモジュール用途に用いる為に、その向上が強く求
められていた。
中で最も重要なものであり、高密度化が図れ、しかも軽
量化できるＩＶＨ接続樹脂多層基板を半導体パッケージ
或いはモジュール用途に用いる為に、その向上が強く求
められていた。
【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、ＩＶＨ接続において高い信頼性を有する回路基板を
実現するための回路基板とその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
で、ＩＶＨ接続において高い信頼性を有する回路基板を
実現するための回路基板とその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために以下の構成とする。
達成するために以下の構成とする。
【００１０】本発明の第１の構成に係る回路基板は、貫
通孔が形成された絶縁体層と、前記貫通孔に充填された
導電性組成物と、前記絶縁体層の両面に形成された配線
パターンとを有し、前記絶縁体層の両面に形成された配
線パターンは前記導電性組成物を介して電気的に接続さ
れており、前記配線パターンの前記導電性組成物との界
面のうちの少なくとも一つは、前記絶縁体層との界面に
比べて粗化されていることを特徴とする。
通孔が形成された絶縁体層と、前記貫通孔に充填された
導電性組成物と、前記絶縁体層の両面に形成された配線
パターンとを有し、前記絶縁体層の両面に形成された配
線パターンは前記導電性組成物を介して電気的に接続さ
れており、前記配線パターンの前記導電性組成物との界
面のうちの少なくとも一つは、前記絶縁体層との界面に
比べて粗化されていることを特徴とする。
【００１１】上記の第１の構成によれば、配線パターン
の導電性組成物との接触界面が粗化されているので、接
触面積が増加して、導電性組成物中の導電性フィラーと
配線パターンの金属箔との接触点数が増えたり、導電性
組成物に含まれる樹脂と配線パターンとの接着力を高め
たりする作用により接続の信頼性が向上する。
の導電性組成物との接触界面が粗化されているので、接
触面積が増加して、導電性組成物中の導電性フィラーと
配線パターンの金属箔との接触点数が増えたり、導電性
組成物に含まれる樹脂と配線パターンとの接着力を高め
たりする作用により接続の信頼性が向上する。
【００１２】また、上記第１の構成によれば、配線パタ
ーンの粗化領域が、導電性組成物との接続界面に限定さ
れているので、全面を粗化した場合と比べて、配線パタ
ーンのファインパターン形成が容易になる。全面が粗化
された金属箔を絶縁体層に積層して得られた回路基板で
は、その後、回路パターン形成のための金属箔のエッチ
ング時に、粗化部分が絶縁体層に深く埋め込まれた状態
になっている為、オーバーエッチングを行う必要があ
り、パターン精度を高めることが難しいからである。
ーンの粗化領域が、導電性組成物との接続界面に限定さ
れているので、全面を粗化した場合と比べて、配線パタ
ーンのファインパターン形成が容易になる。全面が粗化
された金属箔を絶縁体層に積層して得られた回路基板で
は、その後、回路パターン形成のための金属箔のエッチ
ング時に、粗化部分が絶縁体層に深く埋め込まれた状態
になっている為、オーバーエッチングを行う必要があ
り、パターン精度を高めることが難しいからである。
【００１３】また、本発明の第２の構成に係る回路基板
の製造方法は、絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記孔部に導電性組成物を充填する工程と
を有することを特徴とする。
の製造方法は、絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記孔部に導電性組成物を充填する工程と
を有することを特徴とする。
【００１４】また、本発明の第３の構成に係る回路基板
の製造方法は、金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記孔部に導
電性組成物を充填する工程とを有することを特徴とす
る。
の製造方法は、金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記孔部に導
電性組成物を充填する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１５】かかる第２又は第３の構成によれば、上記
第１の構成に係る回路基板を効率良く製造することがで
きる。
第１の構成に係る回路基板を効率良く製造することがで
きる。
【００１６】更に、本発明の第４の構成に係る回路基板
は、貫通孔が形成された絶縁体層と、前記貫通孔に充填
された導電性組成物と、前記絶縁体層の両面に形成され
た配線パターンと、前記配線パターンと前記導電性組成
物との間に設けられた導電性バッファー層とを有し、前
記絶縁体層の両面に形成された配線パターンは前記導電
性組成物及び前記導電性バッファー層を介して電気的に
接続されており、前記配線パターンの前記導電性バッフ
ァー層との界面のうちの少なくとも一つは、前記絶縁体
層との界面に比べて粗化されていることを特徴とする。
は、貫通孔が形成された絶縁体層と、前記貫通孔に充填
された導電性組成物と、前記絶縁体層の両面に形成され
た配線パターンと、前記配線パターンと前記導電性組成
物との間に設けられた導電性バッファー層とを有し、前
記絶縁体層の両面に形成された配線パターンは前記導電
性組成物及び前記導電性バッファー層を介して電気的に
接続されており、前記配線パターンの前記導電性バッフ
ァー層との界面のうちの少なくとも一つは、前記絶縁体
層との界面に比べて粗化されていることを特徴とする。
【００１７】上記第４の構成によれば、配線パターンと
導電性組成物との間に導電性バッファー層が形成されて
おり、配線パターンの導電性バッファー層との接触界面
が粗化されているので、接触面積が増加するとともに、
導電性バッファー層が配線パターンの表面凹凸に追随し
て変形して密着性が増加したり、配線パターンを構成す
る金属成分との間で合金または金属間化合物を形成した
りしやすくなる。また、導電性バッファー層を極めて薄
く形成することにより、導電性バッファー層表面に配線
パターンの粗化による凹凸パターンがそのまま形成され
る。このため、導電性バッファー層と導電性組成物との
接触界面も粗化され、接触面積が増加するとともに、導
電性バッファー層が導電性組成物中の導電性フィラーの
表面凹凸に追随して変形して密着性が増加したり、導電
性フィラーを構成する金属成分との間で合金または金属
間化合物を形成したり、更に導電性組成物に含まれる樹
脂と導電性バッファー層との接着力を高めたりしやすく
なる。以上の結果、配線パターンと導電性組成物との接
続の信頼性が向上する。
導電性組成物との間に導電性バッファー層が形成されて
おり、配線パターンの導電性バッファー層との接触界面
が粗化されているので、接触面積が増加するとともに、
導電性バッファー層が配線パターンの表面凹凸に追随し
て変形して密着性が増加したり、配線パターンを構成す
る金属成分との間で合金または金属間化合物を形成した
りしやすくなる。また、導電性バッファー層を極めて薄
く形成することにより、導電性バッファー層表面に配線
パターンの粗化による凹凸パターンがそのまま形成され
る。このため、導電性バッファー層と導電性組成物との
接触界面も粗化され、接触面積が増加するとともに、導
電性バッファー層が導電性組成物中の導電性フィラーの
表面凹凸に追随して変形して密着性が増加したり、導電
性フィラーを構成する金属成分との間で合金または金属
間化合物を形成したり、更に導電性組成物に含まれる樹
脂と導電性バッファー層との接着力を高めたりしやすく
なる。以上の結果、配線パターンと導電性組成物との接
続の信頼性が向上する。
【００１８】また、上記第４の構成によれば、配線パタ
ーンの粗化領域が、導電性バッファー層との接続界面に
限定されているので、第１の構成に係る回路基板と同様
に、全面を粗化した場合と比べて、配線パターンのファ
インパターン形成が容易になる。
ーンの粗化領域が、導電性バッファー層との接続界面に
限定されているので、第１の構成に係る回路基板と同様
に、全面を粗化した場合と比べて、配線パターンのファ
インパターン形成が容易になる。
【００１９】また、本発明の第５の構成に係る回路基板
の製造方法は、絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記粗化された前記孔底面に導電性バッフ
ァー層を形成する工程と、前記孔部に導電性組成物を充
填する工程とを有することを特徴とする。
の製造方法は、絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記粗化された前記孔底面に導電性バッフ
ァー層を形成する工程と、前記孔部に導電性組成物を充
填する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】また、本発明の第６の構成に係る回路基板
の製造方法は、金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記粗化され
た前記孔底面に導電性バッファー層を形成する工程と、
前記孔部に導電性組成物を充填する工程とを有すること
を特徴とする。
の製造方法は、金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記粗化され
た前記孔底面に導電性バッファー層を形成する工程と、
前記孔部に導電性組成物を充填する工程とを有すること
を特徴とする。
【００２１】かかる第５又は第６の構成によれば、上記
第４の構成に係る回路基板を効率良く製造することがで
きる。
第４の構成に係る回路基板を効率良く製造することがで
きる。
【００２２】また、上記の回路基板の製造方法に関する
各構成において、配線パターンを構成する金属箔の表面
を粗化する方法が、砥粒加工、あるいは、金属箔の一部
を除去又は塑性変形させる工程を含むことが好ましい。
かかる好ましい構成によれば、金属箔表面の粗化を効率
良く行うことができる。
各構成において、配線パターンを構成する金属箔の表面
を粗化する方法が、砥粒加工、あるいは、金属箔の一部
を除去又は塑性変形させる工程を含むことが好ましい。
かかる好ましい構成によれば、金属箔表面の粗化を効率
良く行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板及びその
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００２４】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態における回路基板の構成を模式的に示し
たものであり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ部の拡大断面図である。
１の実施の形態における回路基板の構成を模式的に示し
たものであり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ部の拡大断面図である。
【００２５】図１において、１は絶縁体層としてアラミ
ド不織布にエポキシ樹脂を含浸した基材（プリプレグシ
ート）であり、２は絶縁体層１の貫通孔に充填された導
電性組成物としてエポキシ樹脂に銅粉を混ぜた導電性ペ
ーストであり、３は配線パターンを構成する金属箔とし
ての銅箔である。
ド不織布にエポキシ樹脂を含浸した基材（プリプレグシ
ート）であり、２は絶縁体層１の貫通孔に充填された導
電性組成物としてエポキシ樹脂に銅粉を混ぜた導電性ペ
ーストであり、３は配線パターンを構成する金属箔とし
ての銅箔である。
【００２６】また、最外層の絶縁体層１ａ，１ｂの外側
表面に積層された銅箔３の導電性ペースト２との界面
は、（ｂ）に示すように粗化された構造になっている。
図では、ランド強度が必要な最外層の銅箔の接続界面の
みを粗化してあるが、内層部の接続界面にも同様の粗化
処理を行ってもよい。特に内層に用いる銅箔のシャーニ
ー面に用いるとその効果が大きい。
表面に積層された銅箔３の導電性ペースト２との界面
は、（ｂ）に示すように粗化された構造になっている。
図では、ランド強度が必要な最外層の銅箔の接続界面の
みを粗化してあるが、内層部の接続界面にも同様の粗化
処理を行ってもよい。特に内層に用いる銅箔のシャーニ
ー面に用いるとその効果が大きい。
【００２７】導電性組成物は、一般にバイヤホールに充
填される組成物であり、例えば、平均粒径が、０．５〜
２０μｍの金、銀、銅、ニッケル、パラジウム及びこれ
らの合金から選ばれる少なくとも１つの金属粉末（フィ
ラー）８０〜９５重量％と、バインダー（主成分として
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂及びア
クリル樹脂から選ばれる少なくとも１つの合成樹脂）５
〜２０重量％を含むものを用いることができる。但し、
導電性組成物としては、そのような特定の導電性樹脂組
成物に限らず、バイアホールに充填可能なものであれ
ば、所定の電気特性を具備したいかなる導電性組成物を
用いることができる。また、導電性組成物に限らず、例
えば抵抗体組成物、或いは熱伝導性組成物なども必要に
応じて用いることができる。
填される組成物であり、例えば、平均粒径が、０．５〜
２０μｍの金、銀、銅、ニッケル、パラジウム及びこれ
らの合金から選ばれる少なくとも１つの金属粉末（フィ
ラー）８０〜９５重量％と、バインダー（主成分として
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂及びア
クリル樹脂から選ばれる少なくとも１つの合成樹脂）５
〜２０重量％を含むものを用いることができる。但し、
導電性組成物としては、そのような特定の導電性樹脂組
成物に限らず、バイアホールに充填可能なものであれ
ば、所定の電気特性を具備したいかなる導電性組成物を
用いることができる。また、導電性組成物に限らず、例
えば抵抗体組成物、或いは熱伝導性組成物なども必要に
応じて用いることができる。
【００２８】また、回路基板の絶縁体として用いられる
プリプレグは、一般に用いられているものを使用するこ
とができる。具体的には、芳香族ポリアミド（アラミ
ド）繊維、ポリイミド繊維、または、芳香族ポリエステ
ル繊維等の高耐熱性有機合成繊維に、或いは、ガラス繊
維等の高耐熱無機繊維の織布又は不織布に、未硬化状態
の熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリブタジェン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を１種または複数組み合わせた樹脂を含浸させ
たものを乾燥、熱処理することにより、前記樹脂を半硬
化状態にさせたものをプリプレグとして用いることがで
きる。また、ポリイミドシート等の合成樹脂シート、或
いはセラミック基板、紙フェノールシートのように、単
独では回路基板の層間に用いることができない場合は、
シートの表面に熱可塑性樹脂或いは熱硬化性樹脂を塗布
することにより、本発明の回路基板接続用部材として用
いることができる。プリプレグの厚さは通常２０〜６０
０μｍであり、好ましくは４０〜１５０μｍである。
プリプレグは、一般に用いられているものを使用するこ
とができる。具体的には、芳香族ポリアミド（アラミ
ド）繊維、ポリイミド繊維、または、芳香族ポリエステ
ル繊維等の高耐熱性有機合成繊維に、或いは、ガラス繊
維等の高耐熱無機繊維の織布又は不織布に、未硬化状態
の熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリブタジェン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を１種または複数組み合わせた樹脂を含浸させ
たものを乾燥、熱処理することにより、前記樹脂を半硬
化状態にさせたものをプリプレグとして用いることがで
きる。また、ポリイミドシート等の合成樹脂シート、或
いはセラミック基板、紙フェノールシートのように、単
独では回路基板の層間に用いることができない場合は、
シートの表面に熱可塑性樹脂或いは熱硬化性樹脂を塗布
することにより、本発明の回路基板接続用部材として用
いることができる。プリプレグの厚さは通常２０〜６０
０μｍであり、好ましくは４０〜１５０μｍである。
【００２９】配線パターンを形成する為に用いられる金
属箔は、通常、銅又は銅を主成分とした合金を箔状にし
た状態のものを使用する。銅箔の厚さは、９〜７０μｍ
のものが汎用的であり、電解銅箔が一般的であるが、特
に限定されるものではない。また、配線パターンの形成
はフォトリソグラフィー法等の公知の方法で形成してよ
い。
属箔は、通常、銅又は銅を主成分とした合金を箔状にし
た状態のものを使用する。銅箔の厚さは、９〜７０μｍ
のものが汎用的であり、電解銅箔が一般的であるが、特
に限定されるものではない。また、配線パターンの形成
はフォトリソグラフィー法等の公知の方法で形成してよ
い。
【００３０】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態における回路基板の構成を模式的に示し
たものであり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ部の拡大断面図である。
２の実施の形態における回路基板の構成を模式的に示し
たものであり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ部の拡大断面図である。
【００３１】図２において、１は絶縁体層としてアラミ
ド不織布にエポキシ樹脂を含浸した基材であり、２は絶
縁体層１の貫通孔に充填された導電性組成物としてエポ
キシ樹脂に銅粉を混ぜた導電性ペーストであり、３は配
線パターンを構成する金属箔としての銅箔、４は導電性
バッファ層としての銀の膜である。
ド不織布にエポキシ樹脂を含浸した基材であり、２は絶
縁体層１の貫通孔に充填された導電性組成物としてエポ
キシ樹脂に銅粉を混ぜた導電性ペーストであり、３は配
線パターンを構成する金属箔としての銅箔、４は導電性
バッファ層としての銀の膜である。
【００３２】また、最外層の絶縁体層１ａ，１ｂの外側
表面に積層された銅箔３の導電性バッファ層４との界面
は、（ｂ）に示すように粗化された構造になっている。
図では、ランド強度が必要な最外層の銅箔の接続界面の
みを粗化してあるが、内層部の接続界面にも同様の処理
を行ってもよい。特に内層に用いる銅箔のシャーニー面
に用いるとその効果が大きい。
表面に積層された銅箔３の導電性バッファ層４との界面
は、（ｂ）に示すように粗化された構造になっている。
図では、ランド強度が必要な最外層の銅箔の接続界面の
みを粗化してあるが、内層部の接続界面にも同様の処理
を行ってもよい。特に内層に用いる銅箔のシャーニー面
に用いるとその効果が大きい。
【００３３】導電性バッファー層は、金、銀、錫、鉛、
インジウム及びパラジウムのうちの少なくとも１種類の
金属、もしくはこれらの合金、あるいはこれらの金属化
合物にすることによって、前述した導電性組成物に含有
される金属フィラー及び前述した配線パターンのいずれ
か一方または両方と合金、または金属化合物を形成す
る。
インジウム及びパラジウムのうちの少なくとも１種類の
金属、もしくはこれらの合金、あるいはこれらの金属化
合物にすることによって、前述した導電性組成物に含有
される金属フィラー及び前述した配線パターンのいずれ
か一方または両方と合金、または金属化合物を形成す
る。
【００３４】また、導電性バッファー層は配線パターン
及び導電性組成物の凹凸に追随して変形し、大きな接触
面積と多数の接触点数で接触するような材質のものであ
っても、優れた信頼性を有する回路基板を実現できる。
及び導電性組成物の凹凸に追随して変形し、大きな接触
面積と多数の接触点数で接触するような材質のものであ
っても、優れた信頼性を有する回路基板を実現できる。
【００３５】本発明において、導電性バッファー層の厚
みは、好ましくは、０．０１〜２０μｍの範囲であり、
更に好ましくは０．１μｍ〜５μｍである。導電性バッ
ファー層の厚みが０．０１μｍより薄いとその機能を果
たさない場合が多く、また、逆に２０μｍより厚いとコ
ストが多くかかる等の問題がある。
みは、好ましくは、０．０１〜２０μｍの範囲であり、
更に好ましくは０．１μｍ〜５μｍである。導電性バッ
ファー層の厚みが０．０１μｍより薄いとその機能を果
たさない場合が多く、また、逆に２０μｍより厚いとコ
ストが多くかかる等の問題がある。
【００３６】（第３の実施の形態）以下に、本発明の第
３の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
３の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
【００３７】図３及び図４は、本実施の形態の回路基板
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
【００３８】まず、絶縁体層としてのアラミド不織布に
エポキシ樹脂を含浸したプリプレグ１の片側の面に銅箔
３を、もう一方の面にプラスチックフィルム（ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）５をラミネー
ターもしくはプレスによって貼り合わせる（図３
（ａ））。
エポキシ樹脂を含浸したプリプレグ１の片側の面に銅箔
３を、もう一方の面にプラスチックフィルム（ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）５をラミネー
ターもしくはプレスによって貼り合わせる（図３
（ａ））。
【００３９】次に、ＰＥＴフィルム５の貼り付け面から
レーザー等によって銅箔３までプリプレグ１に孔を開
け、孔底面の銅箔３の表面をサンドブラスト、ジェット
スクラブ等の砥粒加工を行い、粗化した後、孔に導電性
ペースト２を印刷法によって充填する（図３（ｂ））。
図３（ｂ−１）は（ｂ）のＣ部の拡大断面図である。図
示したように、銅箔３の導電性ペースト２との界面は粗
化された構造になっている。
レーザー等によって銅箔３までプリプレグ１に孔を開
け、孔底面の銅箔３の表面をサンドブラスト、ジェット
スクラブ等の砥粒加工を行い、粗化した後、孔に導電性
ペースト２を印刷法によって充填する（図３（ｂ））。
図３（ｂ−１）は（ｂ）のＣ部の拡大断面図である。図
示したように、銅箔３の導電性ペースト２との界面は粗
化された構造になっている。
【００４０】次に、導電性ペーストを充填したプリプレ
グ１に貼り付けてあるＰＥＴフィルム５を剥離し、両表
層に銅箔により配線パターン３が形成されたコア材６
（図では４層板）の両側から位置合わせを行った後、重
ねあわせて（図４（ｃ））、仮止めを行う。図示したコ
ア材６は、プリプレグに、所定位置に貫通孔を形成し、
貫通孔に導電性ペーストを充填し、貫通孔の開口部に銅
箔を積層した後、配線パターンを形成する工程を繰り返
すことにより得たものである。
グ１に貼り付けてあるＰＥＴフィルム５を剥離し、両表
層に銅箔により配線パターン３が形成されたコア材６
（図では４層板）の両側から位置合わせを行った後、重
ねあわせて（図４（ｃ））、仮止めを行う。図示したコ
ア材６は、プリプレグに、所定位置に貫通孔を形成し、
貫通孔に導電性ペーストを充填し、貫通孔の開口部に銅
箔を積層した後、配線パターンを形成する工程を繰り返
すことにより得たものである。
【００４１】最後に、重ね合されたコア材６とその両表
面のプリプレグ１を熱プレス（例えば温度：２００℃、
圧力：５０Kg/cm2）により一体化した後、最外層の銅箔
をパターニングして配線パターン３を形成する（図４
（ｄ））。
面のプリプレグ１を熱プレス（例えば温度：２００℃、
圧力：５０Kg/cm2）により一体化した後、最外層の銅箔
をパターニングして配線パターン３を形成する（図４
（ｄ））。
【００４２】以上により、実施の形態１に示したような
回路基板が得られる。
回路基板が得られる。
【００４３】（第４の実施の形態）以下に、本発明の第
４の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
４の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
【００４４】図５及び図６は、本実施の形態の回路基板
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
【００４５】まず、絶縁体層としてのアラミド不織布に
エポキシ樹脂を含浸したプリプレグ１の片側の面に銅箔
３を、もう一方の面にプラスチックフィルム（ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）５をラミネー
ターもしくはプレスによって貼り合わせる（図５
（ａ））。
エポキシ樹脂を含浸したプリプレグ１の片側の面に銅箔
３を、もう一方の面にプラスチックフィルム（ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）５をラミネー
ターもしくはプレスによって貼り合わせる（図５
（ａ））。
【００４６】次に、ＰＥＴフィルム５の貼り付け面から
レーザー等によって銅箔３までプリプレグ１に孔を開
け、孔底面の銅箔３の表面をサンドブラスト、ジェット
スクラブ等の砥粒加工を行い、粗化した後、例えば銀を
３μｍ成膜（スパッタ法）して導電性バッファ層４を形
成し、更に孔に導電性ペースト２を印刷法によって充填
する（図５（ｂ））。図５（ｂ−１）は（ｂ）のＤ部の
拡大断面図である。図示したように、銅箔３の導電性バ
ッファ層４との界面は粗化された構造になっている。
レーザー等によって銅箔３までプリプレグ１に孔を開
け、孔底面の銅箔３の表面をサンドブラスト、ジェット
スクラブ等の砥粒加工を行い、粗化した後、例えば銀を
３μｍ成膜（スパッタ法）して導電性バッファ層４を形
成し、更に孔に導電性ペースト２を印刷法によって充填
する（図５（ｂ））。図５（ｂ−１）は（ｂ）のＤ部の
拡大断面図である。図示したように、銅箔３の導電性バ
ッファ層４との界面は粗化された構造になっている。
【００４７】次に、導電性ペーストを充填したプリプレ
グ１に貼り付けてあるＰＥＴフィルム５を剥離し、両表
層に銅箔により配線パターン３が形成されたコア材６
（図では４層板）の両側から位置合わせを行った後、重
ねあわせて（図６（ｃ））、仮止めを行う。
グ１に貼り付けてあるＰＥＴフィルム５を剥離し、両表
層に銅箔により配線パターン３が形成されたコア材６
（図では４層板）の両側から位置合わせを行った後、重
ねあわせて（図６（ｃ））、仮止めを行う。
【００４８】最後に、重ね合されたコア材６とその両表
面のプリプレグ１を熱プレス（例えば温度：２００℃、
圧力：５０Kg/cm2）により一体化した後、最外層の銅箔
をパターニングして配線パターン３を形成する（図６
（ｄ））。
面のプリプレグ１を熱プレス（例えば温度：２００℃、
圧力：５０Kg/cm2）により一体化した後、最外層の銅箔
をパターニングして配線パターン３を形成する（図６
（ｄ））。
【００４９】以上により、実施の形態２に示したような
回路基板が得られる。
回路基板が得られる。
【００５０】（第５の実施の形態）以下に、本発明の第
５の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
５の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
【００５１】図７及び図８は、本実施の形態の回路基板
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
【００５２】絶縁体であるアラミド不織布にエポキシ樹
脂を含浸したプリプレグ１に、貫通孔を形成し、導電性
ペースト２を充填して、銅箔３をプレスして積層した
後、銅箔３をパターン形成する工程を繰り返して、４層
板のコア材６を得る（図７（ａ））。
脂を含浸したプリプレグ１に、貫通孔を形成し、導電性
ペースト２を充填して、銅箔３をプレスして積層した
後、銅箔３をパターン形成する工程を繰り返して、４層
板のコア材６を得る（図７（ａ））。
【００５３】次に、４層板のコア材６の両側に、プリプ
レグ１とＰＥＴフィルム５をこの順に積層する。そし
て、ＰＥＴフィルム５面からレーザー等によって銅箔３
までプリプレグ１に孔７を開け、孔底面の銅箔３の表面
をサンドブラスト、ジェットスクラブ等の砥粒加工を行
い、孔底面の表面を粗化する（図７（ｂ））。図７（ｂ
−１）は（ｂ）のＥ部の拡大断面図である。図示したよ
うに、孔７の底面の銅箔３の表面は粗化されている。
レグ１とＰＥＴフィルム５をこの順に積層する。そし
て、ＰＥＴフィルム５面からレーザー等によって銅箔３
までプリプレグ１に孔７を開け、孔底面の銅箔３の表面
をサンドブラスト、ジェットスクラブ等の砥粒加工を行
い、孔底面の表面を粗化する（図７（ｂ））。図７（ｂ
−１）は（ｂ）のＥ部の拡大断面図である。図示したよ
うに、孔７の底面の銅箔３の表面は粗化されている。
【００５４】次に、ＰＥＴフィルム５の上から導電性ペ
ースト２を印刷法によって孔７に充填し、ＰＥＴフィル
ム５を剥離し、両面に銅箔を重ねあわせてプレスを行っ
た後、銅箔をパターン形成して配線パターン３を形成す
る（図８（ｃ））。図８（ｃ−１）は（ｃ）のＦ部の拡
大断面図である。
ースト２を印刷法によって孔７に充填し、ＰＥＴフィル
ム５を剥離し、両面に銅箔を重ねあわせてプレスを行っ
た後、銅箔をパターン形成して配線パターン３を形成す
る（図８（ｃ））。図８（ｃ−１）は（ｃ）のＦ部の拡
大断面図である。
【００５５】かくして６層板の回路基板を得る。
【００５６】（第６の実施の形態）以下に、本発明の第
６の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
６の実施の形態における回路基板の製造方法について説
明する。
【００５７】図９及び図１０は、本実施の形態の回路基
板の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
板の製造方法を工程順に示した模式的断面図である。
【００５８】絶縁体であるアラミド不織布にエポキシ樹
脂を含浸したプリプレグ１に、貫通孔を形成し、導電性
ペースト２を充填して、銅箔３をプレスして積層した
後、銅箔３をパターン形成する工程を繰り返して、４層
板のコア材６を得る（図９（ａ））。
脂を含浸したプリプレグ１に、貫通孔を形成し、導電性
ペースト２を充填して、銅箔３をプレスして積層した
後、銅箔３をパターン形成する工程を繰り返して、４層
板のコア材６を得る（図９（ａ））。
【００５９】次に、４層板のコア材６の両側に、プリプ
レグ１とＰＥＴフィルム５をこの順に積層する。そし
て、ＰＥＴフィルム５面からレーザー等によって銅箔３
までプリプレグ１に孔７を開け、孔底面の銅箔３の表面
をサンドブラスト、ジェットスクラブ等の砥粒加工を行
い、孔底面の表面を粗化する（図７（ｂ））。図７（ｂ
−１）は（ｂ）のＧ部の拡大断面図である。図示したよ
うに、孔７の底面の銅箔３の表面は粗化されている。
レグ１とＰＥＴフィルム５をこの順に積層する。そし
て、ＰＥＴフィルム５面からレーザー等によって銅箔３
までプリプレグ１に孔７を開け、孔底面の銅箔３の表面
をサンドブラスト、ジェットスクラブ等の砥粒加工を行
い、孔底面の表面を粗化する（図７（ｂ））。図７（ｂ
−１）は（ｂ）のＧ部の拡大断面図である。図示したよ
うに、孔７の底面の銅箔３の表面は粗化されている。
【００６０】次に、孔７内の粗化された面に、例えば銀
を３μｍ成膜（スパッタ法）して導電性バッファー層４
を形成した後、ＰＥＴフィルム５の上から導電性ペース
ト２を印刷法によって孔７に充填し、ＰＥＴフィルム５
を剥離し、両面に銅箔を重ねあわせてプレスを行った
後、銅箔をパターン形成して配線パターン３を形成する
（図１０（ｃ））。図１０（ｃ−１）は（ｃ）のＨ部の
拡大断面図である。
を３μｍ成膜（スパッタ法）して導電性バッファー層４
を形成した後、ＰＥＴフィルム５の上から導電性ペース
ト２を印刷法によって孔７に充填し、ＰＥＴフィルム５
を剥離し、両面に銅箔を重ねあわせてプレスを行った
後、銅箔をパターン形成して配線パターン３を形成する
（図１０（ｃ））。図１０（ｃ−１）は（ｃ）のＨ部の
拡大断面図である。
【００６１】導電性バッファー層は金、銀、錫、鉛、イ
ンジウムまたはパラジウムのうちの少なくとも１種類の
金属、もしくはこれらの合金、あるいはこれらの金属化
合物にすることによって、前述した導電性組成物に含有
される金属フィラー及び前述した配線パターンのいずれ
か一方または両方と合金、または金属化合物を形成す
る。
ンジウムまたはパラジウムのうちの少なくとも１種類の
金属、もしくはこれらの合金、あるいはこれらの金属化
合物にすることによって、前述した導電性組成物に含有
される金属フィラー及び前述した配線パターンのいずれ
か一方または両方と合金、または金属化合物を形成す
る。
【００６２】また、導電性バッファー層は配線パターン
及び導電性組成物の凹凸に追随して変形し、大きな接触
面積と多数の接触点数で接触するような材質のものであ
っても、優れた信頼性を有する回路基板を実現できる。
及び導電性組成物の凹凸に追随して変形し、大きな接触
面積と多数の接触点数で接触するような材質のものであ
っても、優れた信頼性を有する回路基板を実現できる。
【００６３】以上の各実施の形態で得られた回路基板
は、ＣＳＰパッケージやＭＣＭの環境試験において良好
な結果が得られ、特に、熱衝撃、ＰＣＴ（プレシャー・
クッカー・テスト）において接続不良の発生がなく、抵
抗の変化率も従来に比べ格段に小さくなった。
は、ＣＳＰパッケージやＭＣＭの環境試験において良好
な結果が得られ、特に、熱衝撃、ＰＣＴ（プレシャー・
クッカー・テスト）において接続不良の発生がなく、抵
抗の変化率も従来に比べ格段に小さくなった。
【００６４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の回路基板に
よれば、配線パターンの導電性組成物との接触界面が粗
化されているので、又は、配線パターンと導電性組成物
との間に導電性バッファー層が形成されており、配線パ
ターンの導電性バッファー層との接触界面が粗化されて
いるので、ＣＳＰパッケージやＭＣＭの環境試験におい
て良好な結果が得られ、特に、熱衝撃、ＰＣＴ（プレシ
ャー・クッカー・テスト）において接続不良の発生がな
く、抵抗の変化率も従来に比べ格段に小さくなった。
よれば、配線パターンの導電性組成物との接触界面が粗
化されているので、又は、配線パターンと導電性組成物
との間に導電性バッファー層が形成されており、配線パ
ターンの導電性バッファー層との接触界面が粗化されて
いるので、ＣＳＰパッケージやＭＣＭの環境試験におい
て良好な結果が得られ、特に、熱衝撃、ＰＣＴ（プレシ
ャー・クッカー・テスト）において接続不良の発生がな
く、抵抗の変化率も従来に比べ格段に小さくなった。
【００６５】また、配線パターンの粗化領域が、導電性
組成物又は導電性バッファー層との接続界面に限定され
ているので、全面を粗化した場合と比べて配線パターン
のファインパターン形成が容易になる。
組成物又は導電性バッファー層との接続界面に限定され
ているので、全面を粗化した場合と比べて配線パターン
のファインパターン形成が容易になる。
【００６６】更に、本発明の回路基板の製造方法によれ
ば、上記の効果を奏する回路基板を効率良く製造するこ
とができる。
ば、上記の効果を奏する回路基板を効率良く製造するこ
とができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態における回路基板
の構成を模式的に示したものであり、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ部の拡大断面図である。
の構成を模式的に示したものであり、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ部の拡大断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態における回路基板
の構成を模式的に示したものであり、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＢ部の拡大断面図である。
の構成を模式的に示したものであり、（ａ）は概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＢ部の拡大断面図である。
【図３】 第３の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図４】 第３の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図５】 第４の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図６】 第４の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図７】 第５の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図８】 第５の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図９】 第６の実施の形態の回路基板の製造方法を工
程順に示した模式的断面図である。
程順に示した模式的断面図である。
【図１０】 第６の実施の形態の回路基板の製造方法を
工程順に示した模式的断面図である。
工程順に示した模式的断面図である。
１ 絶縁体層（プリプレグシート） ２ 導電性組成物（導電性ペースト） ３ 配線パターン（銅箔） ４ 導電性バッファ層 ５ プラスチックフィルム（ＰＥＴフィルム） ６ コア材 ７ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB30 BB38 BB49 CC11 DD04 DD06 DD52 DD54 DD55 GG02 GG08 5E317 AA21 AA24 AA27 BB02 BB12 BB13 BB14 BB15 BB18 BB19 BB25 CC13 CC25 CD05 CD32 GG09 GG11 GG14 5E343 AA02 AA12 BB15 BB24 BB25 BB44 BB67 BB75 BB78 DD02 DD52 DD62 EE58 GG04 GG08 GG13
Claims (15)
- 【請求項１】 貫通孔が形成された絶縁体層と、前記貫
通孔に充填された導電性組成物と、前記絶縁体層の両面
に形成された配線パターンとを有し、前記絶縁体層の両
面に形成された配線パターンは前記導電性組成物を介し
て電気的に接続されており、前記配線パターンの前記導
電性組成物との界面のうちの少なくとも一つは、前記絶
縁体層との界面に比べて粗化されていることを特徴とす
る回路基板。 - 【請求項２】 絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記孔部に導電性組成物を充填する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記孔部に導
電性組成物を充填する工程とを有することを特徴とする
回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 貫通孔が形成された絶縁体層と、前記貫
通孔に充填された導電性組成物と、前記絶縁体層の両面
に形成された配線パターンと、前記配線パターンと前記
導電性組成物との間に設けられた導電性バッファー層と
を有し、前記絶縁体層の両面に形成された配線パターン
は前記導電性組成物及び前記導電性バッファー層を介し
て電気的に接続されており、前記配線パターンの前記導
電性バッファー層との界面のうちの少なくとも一つは、
前記絶縁体層との界面に比べて粗化されていることを特
徴とする回路基板。 - 【請求項５】 前記導電性バッファー層は、前記導電性
組成物及び／又は前記配線パターンとの界面の凹凸に追
随している請求項４に記載の回路基板。 - 【請求項６】 前記導電性バッファー層は、前記導電性
組成物及び／又は前記配線パターンに含まれる金属成分
との間で合金又は金属間化合物を形成している請求項４
に記載の回路基板。 - 【請求項７】 絶縁体層の一方の面に金属箔を、他方の
面に樹脂フィルムをそれぞれ積層する工程と、前記樹脂
フィルム側から前記金属箔と絶縁体層との界面まで孔加
工を行う工程と、前記孔底面の前記金属箔の表面を粗化
する工程と、前記粗化された前記孔底面に導電性バッフ
ァー層を形成する工程と、前記孔部に導電性組成物を充
填する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造
方法。 - 【請求項８】 金属箔よりなる配線パターンが形成され
たコア層の表面に、絶縁体層及び樹脂フィルムをこの順
に積層する工程と、前記樹脂フィルム側から前記金属箔
と絶縁体層との界面まで孔加工を行う工程と、前記孔底
面の前記金属箔の表面を粗化する工程と、前記粗化され
た前記孔底面に導電性バッファー層を形成する工程と、
前記孔部に導電性組成物を充填する工程とを有すること
を特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記金属箔の表面を粗化する方法が、砥
粒加工を含む請求項２、３、７、又は８に記載の回路基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記金属箔の表面を粗化する方法が、
金属箔の一部を除去又は塑性変形させる工程を含む請求
項２、３、７、又は８に記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記導電性組成物は、金、銀、銅、ニ
ッケル、パラジウム及びこれらの合金から選ばれる少な
くとも１つをフィラーとして含有し、前記配線パターン
は、銅もしくは銅を主成分とした合金である請求項１、
４、５、又は６に記載の回路基板。 - 【請求項１２】 前記導電性バッファー層は、金、銀、
錫、鉛、インジウム及びパラジウムのうちの少なくとも
１種類の金属、もしくはこれらの合金、あるいはこれら
の金属化合物である請求項４〜６のいずれかに記載の回
路基板。 - 【請求項１３】 前記導電性バッファー層の厚みが、
０．０１μｍ以上２０μｍ以下である請求項４〜６のい
ずれかに記載の回路基板。 - 【請求項１４】 前記導電性組成物に代えて、抵抗体組
成物又は熱伝導性組成物を使用する請求項１、４、５、
６、１１、１２、又は１３に記載の回路基板。 - 【請求項１５】 前記導電性組成物に代えて、抵抗体組
成物又は熱伝導性組成物を使用する請求項２、３、７、
８、９、又は１０に記載の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10238580A JP2000068620A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10238580A JP2000068620A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068620A true JP2000068620A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17032330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10238580A Pending JP2000068620A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068620A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1213952A2 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate and manufacturing method thereof |
| EP1357775A1 (en) * | 2001-11-12 | 2003-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and its manufacturing method |
| US7235148B2 (en) * | 2002-04-09 | 2007-06-26 | International Business Machines Corporation | Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards |
| JPWO2007010758A1 (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-29 | パナソニック株式会社 | 配線基板、配線材料、及び銅張積層板、及び配線基板の製造方法 |
| JP2012079768A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujikura Ltd | プリント配線板、その製造方法、多層プリント配線板、及びその製造方法 |
| JP2012079766A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujikura Ltd | プリント配線板、その製造方法、多層プリント配線板、及びその製造方法 |
| US8866027B2 (en) | 2007-01-19 | 2014-10-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| CN110505750A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-26 | 生益电子股份有限公司 | 一种pcb检测方法及pcb |
-
1998
- 1998-08-25 JP JP10238580A patent/JP2000068620A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1213952A2 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate and manufacturing method thereof |
| EP1213952A3 (en) * | 2000-12-05 | 2004-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate and manufacturing method thereof |
| US6930395B2 (en) | 2000-12-05 | 2005-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate having improved connection reliability and a method for manufacturing the same |
| EP1357775A1 (en) * | 2001-11-12 | 2003-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board and its manufacturing method |
| EP1357775A4 (en) * | 2001-11-12 | 2008-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PCB AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7235148B2 (en) * | 2002-04-09 | 2007-06-26 | International Business Machines Corporation | Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards |
| JPWO2007010758A1 (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-29 | パナソニック株式会社 | 配線基板、配線材料、及び銅張積層板、及び配線基板の製造方法 |
| JP4529978B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2010-08-25 | パナソニック株式会社 | 配線基板、配線材料、及び銅張積層板、及び配線基板の製造方法 |
| US7968803B2 (en) | 2005-07-15 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Wiring substrate, wiring material, copper-clad laminate, and method of manufacturing the wiring substrate |
| US8866027B2 (en) | 2007-01-19 | 2014-10-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| JP2012079768A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujikura Ltd | プリント配線板、その製造方法、多層プリント配線板、及びその製造方法 |
| JP2012079766A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujikura Ltd | プリント配線板、その製造方法、多層プリント配線板、及びその製造方法 |
| CN110505750A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-26 | 生益电子股份有限公司 | 一种pcb检测方法及pcb |
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