JP2002214788A

JP2002214788A - ポジ型レジスト組成物

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Publication number: JP2002214788A
Application number: JP2001254106A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Hashimoto; 和彦橋本; Yasunori Kamiya; 保則上谷; Yoshiko Miya; 芳子宮
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2000-09-11
Filing date: 2001-08-24
Publication date: 2002-07-31
Anticipated expiration: 2021-08-24
Also published as: JP4586318B2

Abstract

(57)【要約】【課題】露光時の解像度および１７０ｎｍ以下の波長の
光に対する透過率に優れたポジ型レジスト組成物を提供
する。【解決手段】［１］バインダー樹脂及び感放射線化合物
を含有してなり、該バインダー樹脂が、ヒドロキシフル
オロアルキル化スチレン誘導体由来の重合単位と、アク
リル酸エステル誘導体由来の重合単位とを含み、放射線
照射後の該感放射線化合物の作用によりアルカリ可溶性
となるポジ型レジスト組成物。［２］バインダー樹脂が、さらにニトリル基を有する重
合単位を含む［１］記載のポジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バインダー樹脂及
び感放射線化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の微細加工には通常、レジスト組
成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されている。
リソグラフィ用露光光源としては、波長１５７ｎｍのＦ
₂エキシマレーザーが次世代の露光光源として有望視さ
れている。

【０００３】しかしながら、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザー露光用や波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザー露光用のレジストに用いられている樹脂は、
１７０nm以下の波長の光、例えば、波長１５７nmのＦ₂
エキシマレーザーに対して、充分な透過率を有していな
いため、露光時の解像度が十分満足できるレベルにない
という問題があった。

【０００４】例えば、Proc. SPIE vol. 1672 500 (199
2)、ドイツ国特許４２０７２６１号には、下式の重合
単位を含む樹脂を用いたレジスト組成物が開示されてい
る。しかしながら、得られるレジストは、露光時の解像
度が十分満足できるものではなかった。

【０００５】また、J. Photopolym. Sci. Technol. , V
ol.13, No.3, 459, (2000)、１９９６年秋季第５７回応
用物理学会学術講演会公演予稿集４７４ページ、Pro
c. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (1998) 3333、特開平６
−１６７３０号公報、特開平７−２３４５１１号公報、
特開平１０−３０１２８５号公報、特開平１１−２５８
８０９号公報、特開平１１−３５２６９４号公報には、
ニトリル基を有する重合単位を含む樹脂を用いたレジス
ト組成物が開示されている。さらに、特開平９−７３１
７３号公報には、メタクリル酸２−メチルー２−アダマ
ンチルおよびアクリロニトリルを重合単位として有する
樹脂を用いたレジスト組成物が開示されている。しかし
ながら、これらの重合単位を含む樹脂を用いた組成物か
ら得られるレジストは、波長１５７nmのＦ₂エキシマレ
ーザーに対して、充分な透過率を有していないという問
題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
時の解像度および１７０ｎｍ以下の波長の光に対する透
過率に優れたポジ型レジスト組成物を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
ような問題点がないポジ型レジスト組成物を見出すべく
鋭意検討を重ねた結果、レジスト組成物を構成する樹脂
として、ヒドロキシフルオロアルキル化スチレン誘導体
由来の重合単位と、アクリル酸エステル誘導体由来の重
合単位とを有する樹脂を含有するレジスト組成物が、露
光時の解像度および１７０ｎｍ以下の波長の光に対する
透過率に優れていることを見出し、本発明を完成するに
至った。

【０００８】即ち、本発明は、バインダー樹脂及び感放
射線化合物を含有してなり、該バインダー樹脂が、下式
（Ｉ）で表される重合単位と下式(ＩＩ)で表される重合
単位を含み、放射線照射後の該感放射線化合物の作用に
よりアルカリ可溶性となることを特徴とするポジ型レジ
スト組成物を提供するものである。（式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に少なくとも１個のフ
ッ素原子を有する炭素数１〜１２のフルオロアルキル基
を表し、Ｒ³は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数１〜３のアルキル基、又は少なくとも１個のフッ素
原子を有する炭素数１〜３のフルオロアルキル基を表
す）（式中、Ｒ⁴は酸の作用で解裂する基を表し、Ｒ⁵は水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアル
キル基、又は少なくとも１個のフッ素原子を有する炭素
数１〜３のフルオロアルキル基を表す）

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においては、バインダー樹脂としては、上記の式
（Ｉ）で表される重合単位および式（ＩＩ）で表される
重合単位を含む樹脂を用いる。式（Ｉ）で表される重合
単位は、下式（ＩＩＩ）で表される重合単位であること
が好ましい。

【００１０】式（Ｉ）及び式（ＩＩＩ）中のＲ¹、Ｒ
²は、それぞれ少なくとも１個のフッ素原子を有する炭
素数１〜１２のフルオロアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²と
しては、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル
基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエ
チル基などが挙げられる。Ｒ¹、Ｒ²で表されるフルオロ
アルキル基は、炭素数３以上の場合は分岐していてもよ
い。なかでも、Ｒ¹及びＲ²が共にトリフルオロメチル基
であることが好ましい。Ｒ³は、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シアノ
基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基などの炭素数
１〜３のアルキル基、又はトリフルオロメチル基などの
少なくとも１個のフッ素原子を有する炭素数１〜３のフ
ルオロアルキル基を表す。

【００１１】式(ＩＩ)中、Ｒ⁴はアルカリ現像液に対し
溶解抑止能を有するが、酸に対して不安定な酸開裂基で
ある。該酸開裂基としては、例えば、tert−ブチル基、
tert−ブトキシカルボニル基又はtert−ブトキシカルボ
ニルメチル基などの４級炭素が酸素原子に結合した基；
テトラヒドロ−２−ピラニル基、テトラヒドロ−２−フ
リル基、１−エトキシエチル基、１−（２−メチルプロ
ポキシ）エチル基、１−（２−メトキシエトキシ）エチ
ル基、１−（２−アセトキシエトキシ）エチル基、１−
〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチル基
又は１−〔２−（１−アダマンタンカルボニルオキシ）
エトキシ〕エチル基などのアセタール型の基；３−オキ
ソシクロヘキシル基、４−メチルテトラヒドロ−２−ピ
ロン−４−イル基（メバロニックラクトンから導かれ
る）、１−アダマンチル−１−アルキルアルキル基又は
２−アルキル−２−アダマンチル基などの非芳香族環状
化合物の基などが挙げられる。中でも、２−アルキル−
２−アダマンチル基が好ましい。

【００１２】Ｒ⁵は、水素原子、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子、シアノ基、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基などの炭素数１〜３のア
ルキル基、又はトリフルオロメチル基などの少なくとも
１個のフッ素原子を有する炭素数１〜３のフルオロアル
キル基を表す。

【００１３】バインダー樹脂は、例えば、下式（ＶＩ）
で表されるモノマーとアクリル酸エステルモノマーＣ
Ｈ₂＝ＣＲ⁵ＣＯＯＲ⁴（式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵は式（ＩＩ）
における定義と同じである）とを重合することにより得
られる。式（ＶＩ）の化合物は、例えば、J. Macromol.
Sci. Chem., A21, 1181 (1984)に記載の方法により製
造することができる。（Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、前記と同じ意味を表す。）式（ＶＩ）において、Ｒ¹及びＲ²が共にトリフルオロメ
チル基である化合物は、市場から容易に入手できるヘキ
サフルオロアセトンより誘導できるため、工業生産の観
点から好ましい。

【００１４】また、アクリル酸エステルモノマーの
Ｒ⁴、Ｒ⁵は、式（ＩＩ）と同じ意味を表すアクリル酸エ
ステルモノマーとしては、アクリル酸２−アルキル−２
−アダマンチルが好ましい。アクリル酸２−アルキル−
２−アダマンチルは、下式(ＶＩＩ)で表され、下式(Ｖ
ＩＩａ)の重合単位を形成することができる。

【００１５】

【００１６】式(ＶＩＩ)、式(ＶＩＩａ)中、Ｒ⁹はアル
キル基を表し、該アルキル基としては、炭素数１〜８で
あることが好ましく、通常は直鎖が有利であるが、炭素
数３以上の場合は分岐していてもよい。具体的なＲ⁹と
しては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ブチル基などが挙げられる。

【００１７】本発明に用いるバインダー樹脂は、それ自
身アルカリ不溶性であるが、放射線照射後に感放射線化
合物の作用により化学変化を起こしてアルカリ可溶性と
なるものである。当該バインダー樹脂を含むレジスト膜
の放射線照射部がアルカリ可溶性になっているのでアル
カリによって除去されて（以後、アルカリ現像と呼ぶ場
合がある）、ポジ型レジストとなる。すなわち、化学増
幅型のポジ型レジストは、放射線照射部で感放射線化合
物から発生した酸が、その後の熱処理（post exposure
bake）によって拡散し、樹脂等の保護基を解裂させて、
その放射線照射部をアルカリ可溶化する。

【００１８】例えば、式（ＶＩＩａ）で示されるメタク
リル酸２−アルキル−２−アダマンチルの重合単位を有
する樹脂は、感放射線化合物から発生した酸により２−
アルキル−２−アダマンチル基が解裂して、アルカリ可
溶性となるのでポジ型レジストとして好ましい。

【００１９】また、本発明のバインダー樹脂には、式
（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位に加えて、さらに下式
（ＩＶ）で表されるアクリロニトリルから導かれる重合
単位を含む樹脂を使用することもできる。式中、Ｒ⁶は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素
数１〜３のアルキル基、又は少なくとも１個のフッ素原
子を有する炭素数１〜３のフルオロアルキル基を表す。
炭素数１〜３のアルキル基としては、例えばメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられ
るが、重合の容易さからメチル基が好ましい。炭素数１
〜３のフルオロアルキル基としては、例えば、フルオロ
メチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基、１−トリフルオロメチル
−２，２，２−トリフルオロエチル基などが挙げられ
る。具体的には、式（ＩＶ）で表される重合単位として
は、アクリロニトリル、メタクリロニトリルに由来する
重合単位がなど挙げられる。

【００２０】また、本発明のバインダー樹脂には、式
（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位に加えて、さらに下式
(Ｖ)で表されるビニルフェノールから導かれる重合単位
を含む樹脂を使用することもできる。式中、Ｒ⁷は前記Ｒ⁴と同じ意味を表し、Ｒ⁸は水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアルキル
基、又は少なくとも１個のフッ素原子を有する炭素数１
〜３のフルオロアルキル基を表す。炭素数１〜３のアル
キル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基などが挙げられる。炭素数１〜３の
フルオロアルキル基としては、例えば、フルオロメチル
基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペン
タフルオロエチル基、１−トリフルオロメチル−２，
２，２−トリフルオロエチル基などが挙げられる。

【００２１】さらに、本発明のバインダー樹脂には、式
（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位に加えて、さらに上記
の式（ＩＶ）及び式(Ｖ)で表される重合単位を含む樹脂
を使用することもできる。

【００２２】本発明で用いるバインダー樹脂において、
式（Ｉ）で表される重合単位はアルカリ可溶性部位とし
て機能するが、他のアルカリ可溶性の重合単位を加えて
もよく、該重合単位としては、例えば、フェノール骨格
を有する重合単位、（メタ）アクリル酸エステル骨格を
有し、エステルのアルコール側に脂環式環及びカルボキ
シル基を有する重合単位、不飽和カルボン酸の重合単
位、式（Ｉ）で表される以外の−Ｃ（ＣＦ₃）₂ＯＨを有
する重合単位などが挙げられる。

【００２３】具体的には、ビニルフェノール単位、イソ
プロペニルフェノール単位、（メタ）アクリル酸単位、
Ｊ．ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．
Ｖｏｌ１３ｐ４５１に記載の−ＣＨ₂−Ｃ（ＣＦ₃）Ｏ
Ｈ−で表される重合単位、同書ｐ６５７に記載の３−
（５−ビシクロ〔２．２.１〕ヘプテン−２−イル）−
１，１，１−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチ
ル）−２−プロパノールから導かれる重合単位などが挙
げられる。

【００２４】また、上記で示されるアルカリ可溶性部位
のうち、その一部が酸の作用で解裂する基で保護されて
いるものを使用してもよい。アルカリ可溶性部位を保護
する基としては、前記Ｒ⁴と同じものが挙げられる。

【００２５】さらに、バインダー樹脂全体として放射線
照射後に感放射線化合物の作用による化学変化によりア
ルカリ可溶性となってさえいれば、アルカリ不溶性の重
合単位が存在していてもよい。バインダー樹脂中のアル
カリ不溶性の重合単位は、それ自体は放射線照射後に感
放射線化合物の作用により化学変化を起こさないもので
あるが、放射線照射後のバインダー樹脂全体のアルカリ
可溶性を損なわないものであれば特に限定されない。具
体例としては、例えば、ビニルフェノール単位又はイソ
プロペニルフェノール単位の水酸基の一部がアルキルエ
ーテル化された重合単位、（メタ）アクリル酸の脂環式
エステルによって得られる重合単位、ノルボルネン等の
シクロオレフィンまたはその誘導体の重合単位（メタ）
アクリル酸のアルキルエステルのうち一部もしくは全部
の水素原子がフッ素に置換された重合単位、アルケンの
一部もしくは全部の水素原子がフッ素で置換された重合
単位などが挙げられる。

【００２６】本発明では、バインダー樹脂中に、前記式
（Ｉ）で示される重合単位、式（ＩＩ）で示される重合
単位に加えて、式（ＩＶ）で示される重合単位、式
（Ｖ）で示される重合単位、及び前記のアルカリ可溶性
基を有する重合単位、該アルカリ可溶性部位の一部が酸
の作用で開裂する基で保護されている重合単位、アルカ
リ不溶性の重合単位を存在させることができる。該バイ
ンダー樹脂は、例えば、通常、式（Ｉ）で表される重合
単位と、式（ＩＩ）で示される重合単位を有する重合性
不飽和化合物を含み、更に、必要に応じて、式（ＩＶ）
で示される重合単位を導く重合性不飽和化合物、式
（Ｖ）で示される重合単位を導く重合性不飽和化合物、
アルカリ可溶性基、該アルカリ可溶性部位の一部が酸の
作用で開裂する基で保護されている重合単位、アルカリ
不溶性基などを含む重合単位を導く重合性不飽和化合物
と共重合を行うことにより製造することができる。共重
合反応は、常法に従って行うことができ、例えば、適当
な溶媒中に各モノマーを溶解し、重合開始剤の存在下に
重合を開始して、反応を開始する方法などが挙げられ
る。

【００２７】式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位をバイ
ンダー樹脂中に組み込むことにより、バインダー樹脂
は、１７０ｎｍ以下の波長の光、例えば、波長１５７ｎ
ｍのＦ₂エキシマレーザーに対する透過率に優れたもの
となる。式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位の割合は、
バインダー樹脂自身はアルカリ現像液に不溶または難溶
であるが、放射線照射後に感放射線化合物の作用により
アルカリ可溶性となる範囲とすることが好ましい。

【００２８】レジストの種類やタイプにもよるが、一般
的には、式（Ｉ）で表される重合単位と式(ＩＩ)で表さ
れる重合単位とを５／９５〜９５／５の割合で含むこと
が好ましく、より好ましくは５０／５０〜９０／１０、
さらに好ましくは６０／４０〜８５／１５である。式
（Ｉ）で表される重合単位が、式（ＩＩＩ）で表される
重合単位である場合も、式（ＩＩＩ）と式（ＩＩ）との
割合は、上記と同じであることが好ましい。また、バイ
ンダー樹脂は、式（ＩＶ）で表される重合単位、式
（Ｖ）であらわされる重合単位、前記した式（Ｉ）以外
のアルカリ可溶性の重合単位、アルカリ不溶性の重合単
位を含有してもよく、これらの重合単位の割合は、バイ
ンダー樹脂全体のうち、合計で０〜５０モル％が好まし
く、より好ましくは０〜４０モル％である。

【００２９】式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の重合単位が組み
込まれ、放射線照射後の感放射線化合物の作用により化
学変化を起こしてアルカリ可溶性となるバインダー樹脂
としては、具体例として以下のものなどが挙げられる。

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【００４７】

【００４８】

【００４９】

【００５０】本発明のポジ型レジストは、上記のアルカ
リ可溶性となりうる樹脂をバインダー樹脂、及び放射線
の作用により分解する感放射線化合物を含有してなる。
バインダー樹脂は、酸の作用により解裂する基を有し、
それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用
により解裂する基が解裂した後はアルカリ可溶性とな
る。感放射線化合物としては、放射線の作用により酸を
発生する酸発生剤が用いられる。

【００５１】感放射線化合物としては、例えば、オニウ
ム塩、ハロゲン化アルキルトリアジン系化合物、ジスル
ホン系化合物、ジアゾメタンスルホニル骨格を有する化
合物、スルホン酸エステル系化合物などが挙げられる。

【００５２】具体的には、オニウム塩としては、例え
ば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニ
ルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム
テトラフルオロボレート、ビス（４−tert−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、ビス（４−tert−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−
メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−
トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジ
フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェ
ニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイ
ルメチル）チオラニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ
−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネートなどが挙げられる。

【００５３】ハロゲン化アルキルトリアジン系化合物と
しては、例えば、２−メチル−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−ト
リス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，
３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリ
アジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス
(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−
（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベン
ゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６
−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジ
ン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(ト
リクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−
（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−
（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリ
クロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，
４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキ
シスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，
３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−
４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリア
ジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−
ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンな
どが挙げられる。

【００５４】ジスルホン系化合物としては、例えば、ジ
フェニルジスルホン、ジ−ｐ−トリルジスルホン、フェ
ニルｐ−トリルジスルホン、フェニルｐ−メトキシフェ
ニルジスルホンなどが挙げられる。

【００５５】ジアゾメタンスルホニル骨格を有する化合
物としては、例えば、ビス（フェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタ
ンなどが挙げられる。

【００５６】スルホン酸エステル系化合物としては、例
えば、１−ベンゾイル−１−フェニルメチルｐ−トル
エンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、２−
ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチルｐ
−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイ
ントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイルトリ
スメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ
−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジルｐ−ト
ルエンスルホネート、４−ニトロベンジルｐ−トルエ
ンスルホネート、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｐ−トリルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（イソプロピルスルホニル
オキシ）スクシンイミドＮ−（ｎ−ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（ｎ−ヘキシルスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）
ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオ
キシ）ナフタルイミドなどが挙げられる。

【００５７】また、本願のポジ型レジスト組成物には、
塩基性化合物、特にアミン類などの塩基性含窒素有機化
合物をクェンチャーとして添加することが好ましい。該
塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で表さ
れる化合物が挙げられる。

【００５８】

【００５９】式中、Ｒ¹¹及びＲ¹²は互いに独立に、水素
原子、水酸基で置換されていてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ
¹⁵は互いに独立に、水素原子、水酸基で置換されていて
もよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は
アルコキシ基を表し、Ｒ¹⁶は水酸基で置換されていても
よいアルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ａはアル
キレン基、カルボニル基又はイミノ基を表す。Ｒ¹¹〜Ｒ
¹⁶で表されるアルキル基及びＲ¹¹〜Ｒ¹⁵で表されるアル
コキシ基は、それぞれ炭素数１〜６、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁶で表さ
れるシクロアルキル基は、炭素数５〜１０、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁵
で表されるアリール基は、炭素数６〜１０であることが
好ましい。また、Ａで表されるアルキレン基は、炭素数
１〜６であることが好ましく、直鎖であっても分岐して
いてもよい。

【００６０】さらに、本願のポジ型レジスト組成物に
は、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物を
クエンチャーとして添加してもよい。該ヒンダードアミ
ン化合物としては、特開平１１−５２５７５号公報に開
示されている化合物などが挙げられる。

【００６１】本発明のポジ型レジスト組成物は、その全
固形分量を基準として、バインダー成分を好ましくは６
０〜９９.９重量％、より好ましくは８０〜９９．９重
量％、感放射線化合物を好ましくは０．１〜４０重量
％、より好ましくは０.1〜２０重量％程度含有してな
る。

【００６２】また、本願のように感放射線化合物が酸発
生剤で、クェンチャーとして塩基性化合物を用いる場合
には、同じくレジスト組成物の全固形分重量を基準とし
て、塩基性化合物を０.０１〜１重量％程度含有するこ
とが好ましい。該レジスト組成物はまた、必要に応じ
て、増感剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料な
ど、各種の添加物を本願の目的を損ねない範囲で少量含
有してもよい。

【００６３】本発明のレジスト組成物は、通常、上記の
各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液となり、シ
リコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングな
どの常法に従って塗布される。ここで用いられる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で一般に用いられている溶剤を使用し得
る。

【００６４】該溶剤としては、例えば、エチルセロソル
ブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグ
リコールエーテルエステル類、ジエチレングリコールジ
メチルエーテルなどのエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸アミル、ピルビン酸エチルなどのエステル
類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノ
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、γ−ブチロラク
トンなどの環状エステル類などを挙げることができる。
これらの溶剤は、それぞれ単独でも、又は２種以上組み
合わせて用いることもできる。

【００６５】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像される。アルカリ現像液は、この分
野で通常用いられる各種のアルカリ性水溶液を用いるこ
とができる。アルカリ現像液としては、例えば、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエ
チル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリ
ン）などの水溶液が好ましく使用される。このようにし
て得られたレジスト膜は、露光時の解像度および１７０
ｎｍ以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ₂エ
キシマレーザーリソグラフィに適している。

【００６６】

【実施例】次に実施例に基いて本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明が実施例により限定されるものでは
ないことは言うまでもない。実施例中に記載の「部」
は、特記しないかぎり重量基準である。また重量平均分
子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミェー
ションクロマトグラフィーにより求めた値である。

【００６７】単量体製造例１磁気攪拌子、ドライアイス／アセトン冷却管、温度計、
窒素導入管を備えた３００ｍＬ三つ口フラスコに、マグ
ネシウム６．８ｇ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５
ｍｌを加え窒素雰囲気下にした。この溶液を攪拌しなが
ら、ｐ−ブロモスチレン６．８ｇを溶解したＴＨＦ２０
ｍｌをゆっくり滴下した。続いてｐ−ブロモスチレン２
９．８ｇを溶解したＴＨＦ９０ｍｌを反応温度３５℃を
保つようにゆっくり滴下した。滴下終了後１時間還流
し、次に反応溶液にヘキサフルオロアセトンガス６６ｇ
を６時間かけてゆっくり通じた。反応終了後大量の氷水
にあけ、得られた個景物を５％塩酸水溶液で洗い、５％
水酸化ナトリウム水溶液に抽出し、５％塩酸水溶液で中
和し、乾燥後減圧蒸留によりｐ−（１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシプロピル）ス
チレンを得た。得量３５．２ｇ。この化合物を単量体Ａ
とする。

【００６８】単量体製造例2 磁気攪拌子、単蒸留装置を備えた１００ｍL三ツ口フラ
スコに、α-トリフルオロメチルアクリル酸16.0g、フタ
ル酸クロリド34.8gを加え、130℃〜150℃に加熱しなが
ら蒸留を行ない、溜出液を乾燥THF１０ｍLで希釈した。
別の磁気攪拌子、冷却管、滴下漏斗を備えた２００ｍL
三ツ口フラスコに、2-エチル-2-アダマンタノール18.0
g、乾燥THF１００ｍL、ピリジン７．９ｇを仕込み-40℃
に冷却し、先の反応で得られた溜出液のTHF溶液を3分間
掛けて滴下した。その後2時間かけて5℃まで昇温した。
反応液をヘキサンで希釈し、水洗、濃縮を行い、カラム
精製により2-エチルアダマンチル α-トリフルオロメ
チルアクリル酸を得た。得量9.5g この化合物を単量体
Bとする。

【００６９】樹脂製造例１磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、単量体Ａ４．４ｇ、スチレン
０．５ｇ、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチ
ル２．１ｇ、１，４−ジオキサン７ｇを加え７５℃に昇
温し、アゾビスイソブチロニトリル０．２ｇを１，４−
ジオキサン２ｇに溶解した溶液を３０分かけて滴下し
た。その後７５℃に保ったまま８時間保温した。その後
メタノール１００ｇ、水３５０ｇの混合溶液に反応液を
注ぎ、析出した樹脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂を得
た。得量５．１ｇ。重量平均分子量４００００。この樹
脂を樹脂１とする。

【００７０】樹脂製造例２磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、単量体Ａ４．７ｇ、メタクリ
ル酸２−メチル−２−アダマンチル１．８ｇ、１，４
−ジオキサン７ｇを加え７５℃に昇温し、アゾビスイソ
ブチロニトリル０．１６ｇを１，４−ジオキサン２ｇに
溶解した溶液を３０分かけて滴下した。その後７５℃に
保ったまま８時間保温した。その後メタノール１００
ｇ、水３５０ｇの混合溶液に反応液を注ぎ、析出した樹
脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂を得た。得量５．１ｇ。
重量平均分子量２００００。この樹脂を樹脂２とする。

【００７１】樹脂製造例３磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、単量体Ａ５．４ｇ、メタクリ
ル酸２−メチル−２−アダマンチル１．２ｇ、１，４
−ジオキサン７ｇを加え７５℃に昇温し、アゾビスイソ
ブチロニトリル０．１６ｇを１，４−ジオキサン２ｇに
溶解した溶液を３０分かけて滴下した。その後７５℃に
保ったまま８時間保温した。その後メタノール１００
ｇ、水３５０ｇの混合溶液に反応液を注ぎ、析出した樹
脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂を得た。得量５．１ｇ。
重量平均分子量１５０００。この樹脂を樹脂３とする。

【００７２】樹脂製造例４磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、メチルイソブチルケトン５．
３ｇを仕込み７５℃に昇温し、単量体Ａ３．４ｇ、メタ
クリロニトリル０．４ｇ、メタクリル酸２−メチル−
２−アダマンチル１．５ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル０．２５ｇ、メチルイソブチルケトン５．３ｇを混合
した溶液を３０分かけて滴下した。その後７５℃に保っ
たまま８時間保温した。その後ヘキサン５００ｍＬに反
応液を注ぎ、析出した樹脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂
を得た。得量３．８ｇ。重量平均分子量６９００。この
樹脂を樹脂４とする。

【００７３】樹脂製造例５磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、メチルイソブチルケトン６．
４ｇを仕込み７５℃に昇温し、単量体Ａ４．１ｇ、メタ
クリロニトリル０．５ｇ、メタクリル酸２−エチル−
２−アダマンチル１．９ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル０．３０ｇ、メチルイソブチルケトン６．４ｇを混合
した溶液を３０分かけて滴下した。その後７５℃に保っ
たまま８時間保温した。その後ヘキサン５００ｍＬに反
応液を注ぎ、析出した樹脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂
を得た。得量４．９ｇ。重量平均分子量９４００。この
樹脂を樹脂５とする。

【００７４】樹脂製造例６磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、２−プロパノール５．３ｇを
仕込み７５℃に昇温し、単量体Ａ６．５ｇ、メタクリル
酸２−エチル−２−アダマンチル１．５ｇ、アゾビス
イソブチロニトリル０．１２ｇ、２−プロパノール２．
７ｇを混合した溶液を３０分かけて滴下した。その後７
５℃に保ったまま８時間保温した。その後水５００ｍＬ
に反応液を注ぎ、析出した樹脂を濾別、減圧乾燥を行い
樹脂を得た。得量７．７ｇ。重量平均分子量２６４０
０。この樹脂を樹脂６とする。

【００７５】樹脂製造例７磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、メチルイソブチルケトン８．
０ｇを仕込み７５℃に昇温し、単量体Ａ５．７ｇ、メタ
クリル酸２−エチル−２−アダマンチル２．３ｇ、ア
ゾビスイソブチロニトリル０．３ｇ、メチルイソブチル
ケトン８．０ｇを混合した溶液を３０分かけて滴下し
た。その後７５℃に保ったまま８時間保温した。その後
ヘキサン５００ｍＬに反応液を注ぎ、析出した樹脂を濾
別、減圧乾燥を行い樹脂を得た。得量７．０ｇ。重量平
均分子量８８００。この樹脂を樹脂７とする。

【００７６】樹脂製造例8 磁気攪拌子、冷却管、温度計、窒素導入管を備えた１０
０ｍＬ三つ口フラスコに、メチルイソブチルケトン7.8
ｇを仕込み７５℃に昇温し、単量体Ａ５．０ｇ、単量体
B２．２ｇ、アゾビスイソブチロニトリル０．４ｇ、メ
チルイソブチルケトン７．８ｇを混合した溶液を３０分
かけて滴下した。その後７５℃に保ったまま８時間保温
した。その後ヘキサン５００ｍＬに反応液を注ぎ、析出
した樹脂を濾別、減圧乾燥を行い樹脂を得た。得量６．
０ｇ。重量平均分子量70００。この樹脂を樹脂8とす
る。

【００７７】樹脂Ｘの製造（１）フラスコに、メタクリル酸２−アダマンチル
−２−メチル２４．６ｇ（０．１０５モル）とｐ−アセ
トキシスチレン３９．７ｇ（０．２４５モル）とイソプ
ロパノール１２８．６ｇを仕込んで窒素置換をし、７５
℃まで昇温した。その溶液に、ジメチル２、２−アゾビ
ス（２−メチルプロピオネート）４．８４ｇ（０．０２
１モル）をイソプロパノール９．７ｇに溶かしてから滴
下した。７５℃で約０．５時間、還流下で約１１時間熟
成した後、アセトンで希釈し、ヘプタンにチャージし、
晶析させ、濾過により結晶を取り出し、得られた結晶を
乾燥した。得られたメタクリル酸２−アダマンチル−２
−メチルとｐ−アセトキシスチレン共重合体の結晶は５
４．１ｇであった。

【００７８】（２）フラスコに、上記で得られたメタ
クリル酸２−アダマンチル−２−メチルとｐ−アセトキ
シスチレン共重合体（３０：７０）５３．２ｇ（モノマ
ー単位として０．２９モル）と４−ジメチルアミノピリ
ジン５．３ｇ（０．０４３モル）とメタノール１５
９．５ｇを仕込んで、還流下、２０時間熟成した。冷却
後、氷酢酸３．９２ｇ（０．０６５モル）で中和し、水
にチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出し
た。その後、結晶をアセトンに溶かし、水にチャージ
し、晶析させ、濾過により結晶を取り出し、この一連の
操作を計3回繰り返した後、得られた結晶を乾燥した。
得られたメタクリル酸２−アダマンチル−２−メチルと
ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体の結晶は４１．２ｇで
あった。また、重量平均分子量は約８１００、分散度
１．６８（ＧＰＣ法：ポリスチレン換算）であり、共重
合比は核磁気共鳴（¹³Ｃ−ＮＭＲ）分光計により、約３
０：７０と求められた。この樹脂を樹脂Ｘとする。

【００７９】樹脂Ｙの製造（１）フラスコに、メタクリル酸２−アダマンチル−
２−メチル１６．４ｇ（０．０７モル）とｐ−アセトキ
シスチレン４５．４ｇ（０．２８モル）とイソプロパノ
ール１２３．６ｇを仕込んで窒素置換をし、７５℃まで
昇温した。その溶液に、ジメチル２‘２−アゾビス（２
−メチルプロピオネート）４．８４ｇ（０．０２１モ
ル）をイソプロパノール９．７ｇに溶かしてから滴下し
た。７５℃で約０．５時間、還流下で約１１時間熟成し
た後、アセトンで希釈し、ヘプタンにチャージし、晶析
させ、濾過により結晶を取り出し、得られた結晶を乾燥
した。得られたメタクリル酸２−アダマンチル−２−メ
チルとｐ−アセトキシスチレン共重合体の結晶は５４．
２ｇであった。

【００８０】（２）フラスコに、上記で得られたメタク
リル酸２−アダマンチル−２−メチルとｐ−アセトキシ
スチレン共重合体（２０：８０）５３．０ｇ（モノマー
単位として０．３０モル）と４−ジメチルアミノピリジ
ン５．３ｇ（０．０４３モル）とメタノール１５９．
０ｇを仕込んで、還流下、２０時間熟成した。冷却後、
氷酢酸３．１３ｇ（０．０５２モル）で中和し、水にチ
ャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出した。そ
の後、結晶をアセトンに溶かし、水にチャージし、晶析
させ、濾過により結晶を取り出し、この一連の操作を計
3回繰り返した後、得られた結晶を乾燥した。得られた
メタクリル酸２−アダマンチル−２−メチルとｐ−ヒド
ロキシスチレン共重合体の結晶は３７．８ｇであった。
また、重量平均分子量は約７９００、分散度１．７２
（ＧＰＣ法：ポリスチレン換算）であり、共重合比は核
磁気共鳴（¹³Ｃ−ＮＭＲ）分光計により、約２０：８０
と求められた。この樹脂を樹脂Ｙとする。

【００８１】次に、以上の樹脂製造例で得られた各樹脂
のほか、以下に示す酸発生剤及びクェンチャーを用いて
レジスト組成物を調製した。

【００８２】＜酸発生剤＞ B1：ビス（４-ｔ-ブチルフェニルヨードニウムカンフ
ァースルホネート、＜クェンチャー＞ C1：２，６−ジイソプロピルアニリン、

【００８３】実施例１〜７及び比較例１〜３以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径０.２μmの
フッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製
した。

【００８４】樹脂（種類は表１記載）１０重量部酸発生剤（B1）０．５２重量部クェンチャー（C1） (量は表１記載) 溶剤：メチルアミルケトン５０重量部

【００８５】透過率の測定一方、フッ化マグネシウムウエハーに、先に調整したレ
ジスト液を乾燥後の膜厚が０．１μmとなるよう塗布
し、１３０℃６０秒の条件で、ダイレクトホットプレー
ト上にてプリベークして、レジスト膜を形成させた。こ
うして形成されたレジスト膜の波長１５７nmにおける透
過率を、真空紫外分光光度計（（株）日本分光社製）を
用いて測定し、表1に示す結果を得た。

【００８６】ＫｒＦ露光膜抜け感度の測定Ｂｒｅｗｅｒ社製の有機反射防止膜用組成物である“Ｄ
ＵＶ−４２”を塗布して２１５℃、６０秒の条件でベー
クしてすることによって厚さ６００Åの有機反射防止膜
を形成させたシリコンウェハーに、上で調製したレジス
ト液を乾燥後の膜厚が０．５２３μｍとなるようにスピ
ンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホット
プレート上にて、表１に記載の温度で６０秒間プリベー
ク（ＰＢ）した。こうしてレジスト膜を形成したウェハ
ーに、ＫｒＦエキシマステッパー〔（株）ニコン製の
“ＮＳＲ２２０５ＥＸ−１２Ｂ”、ＮＡ＝０．５５、
σ＝０．８〕を用い、露光量を段階的に変化させてライ
ンアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホッ
トプレート上にて表１に記載の温度で６０秒間ポストエ
キスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
６０秒間のパドル現像を行った。現像後のウェハーを目
視観察して、レジストが膜抜けする最少露光量（膜抜け
感度）を求め、表１の結果を得た。

【００８７】Ｆ２露光膜抜け感度、γ値の測定ヘキサメチルジシラザンを用いて２３℃で２０秒間処理
したシリコンウェハーに、上で調製したレジスト液を乾
燥後の膜厚が０．１μｍとなるよう塗布した。表１に記
載の温度で６０秒間のプリベークを、ダイレクトホット
プレート上にて行った。こうしてレジスト膜を形成した
ウェハーに、簡易型Ｆ₂ エキシマレーザー露光機〔リ
ソテックジャパン（株）から入手した“ＶＵＶＥＳ−４
５００”〕を用い、露光量を段階的に変化させてオープ
ンフレーム露光した。露光後は、ダイレクトホットプレ
ート上にて、表１の温度で６０秒間のポストエキスポジ
ャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８重量％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間
のパドル現像を行った。現像後のウェハーを目視観察し
て、レジストが膜抜けする最少露光量（膜抜け感度）を
求めた。結果を表１示す。

【００８８】また、露光量に対する残膜厚をラムダエー
ス膜厚測定計（大日本スクリーン製造（株）社製）にて
測定し、横軸を露光量の対数、縦軸をＰＥＢ後の膜厚に
対して規格化した値をプロットした。得られた感度曲線
の斜面部の傾き（ｔａｎθ）をγ値とする。γ値は、解
像度の指標となり、値が大きいほど未露光部と露光部の
コントラストが高く、解像度が良いことを意味する。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【発明の効果】本発明によれば、露光時の解像度および
１７０ｎｍ以下の波長の光、例えば波長１５７ｎｍのＦ
₂エキシマレーザーに対する透過率に優れたポジ型レジ
スト組成物を提供することが可能となる

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮芳子大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98 号住友化学工業株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA02 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BG00 FA03 FA12 FA17 4J100 AB07P AB07S AL08Q AM02R BA02S BA03P BA40P BB00P BB07P BB17P BB18P BC09Q CA04 CA05 CA06 JA38

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バインダー樹脂及び感放射線化合物を含有
してなり、該バインダー樹脂が、下式（Ｉ）で表される
重合単位と下式(ＩＩ)で表される重合単位を含み、放射
線照射後の該感放射線化合物の作用によりアルカリ可溶
性となることを特徴とするポジ型レジスト組成物。（式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に少なくとも１個のフ
ッ素原子を有する炭素数１〜１２のフルオロアルキル基
を表し、Ｒ³は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数１〜３のアルキル基、又は少なくとも１個のフッ素
原子を有する炭素数１〜３のフルオロアルキル基を表
す）（式中、Ｒ⁴は酸の作用で解裂する基を表し、Ｒ⁵は水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアル
キル基、又は少なくとも１個のフッ素原子を有する炭素
数１〜３のフルオロアルキル基を表す）
【請求項２】バインダー樹脂が、式（Ｉ）で表される重
合単位と式(ＩＩ)で表される重合単位とを５／９５〜９
５／５の割合で含む請求項１記載の組成物。
【請求項３】式（Ｉ）で表される重合単位が、下式（Ｉ
ＩＩ）で表される重合単位である請求項１記載の組成
物。（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は前記と同じものを表す）
【請求項４】バインダー樹脂が、式（ＩＩＩ）で表され
る重合単位と式(ＩＩ)で表される重合単位とを５／９５
〜９５／５の割合で含む請求項３記載の組成物。
【請求項５】Ｒ¹、Ｒ²がいずれもトリフルオロメチル基
である請求項１または３記載の組成物。
【請求項６】感放射線化合物が、放射線の作用により酸
を発生する活性化合物であって、ポジ型に作用する請求
項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】Ｒ⁴が２−アルキル−２−アダマンチル基
である請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】バインダー樹脂が、さらに下式(ＩＶ)で表
される重合単位を含む請求項１〜７のいずれかに記載の
組成物。（式中、Ｒ⁶は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数１〜３のアルキル基、又は少なくとも１個のフッ素
原子を有する炭素数１〜３のフルオロアルキル基を表
す）
【請求項９】バインダー樹脂が、さらに下式(Ｖ)で表さ
れる重合単位を含む請求項１〜８のいずれかに記載の組
成物。（式中、Ｒ⁷は酸の作用で解裂する基又は水素原子を表
し、Ｒ⁸は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数
１〜３のアルキル基、又は少なくとも１個のフッ素原子
を有する炭素数１〜３のフルオロアルキル基を表す）