JP2002148656A - Tft液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
ルー電圧の変動を抑制し、分割露光で作製したTFT液
晶パネルの表示ムラの発生を防止する。 【解決手段】 薄膜トランジスタを用いたTFTアクテ
ィブマトリクス基板の画素電極PIの周縁の全周に沿っ
て前記画素電極と同電位のリング状の金属導体Rをドレ
イン層に形成することにより、ドレイン層の信号線d及
び電極D、ゲート層の走査線g及び電極G、共通線や拡
大部等のパターン変換変動及び重ねずれによる寄生容量
の影響を抑制する。
Description
置に関し、特に、画素電極と信号線及び走査線との間の
寄生容量(浮遊容量)のばらつきの影響を解消させるこ
とができるTFT液晶表示装置に関する。
して液晶表示装置が注目されている。特に、マトリクス
状に配置された画素電極に対する駆動電圧をスイッチン
グ用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:「T
FT」という。)を介して印加する構成のアクティブマ
トリクス基板を使用するアクティブマトリクス型液晶表
示装置(TFT−LCD)は、駆動電圧に階調電圧を印
加することにより多階調表示が可能であるとともに、表
示画素間のクロストークが少なく、精細度の高い表示を
実現することが可能であることから、各種のOA機器、
映像機器等に使用されている。
て、図面を参照して以下説明する。
用するアクティブマトリクス液晶表示装置(TFT−L
CD)の一画素分の電極配置の構成を示す図である。
ラス基板上に能動素子としてドレイン電極D、ソース電
極S及びゲート電極GからなるTFTが形成され、前記
TFTの前記ゲート電極Gが形成されるゲート層におい
て行方向の一部拡大部Cを備える走査線g、及び隣接す
る表示画素間の遮光用の遮光部Lが形成され、ドレイ
ン、ソース電極D、Sが形成されるドレイン層(ソース
層)において列方向の信号線dが形成され、前記信号線
dと走査線gとの間のゲート層及びドレイン層と異なる
層に形成された画素電極PIが形成されて構成されてい
る。また、前記アクティブマトリクス基板の電極等の形
成面の上側には、全面に単一電極(対向電極)を形成し
たガラス基板(図示せず)を対向配置し、前記画素電極
PIとガラス基板間に液晶層を挟持する構成でなる。
極PIは前記対向電極との間で液晶層を介する容量(液
晶容量)を形成するとともに、前記走査線の拡大部との
間に当該容量を補助する補助容量(蓄積容量、ストレー
ジ容量)が形成される。
液晶表示装置における他のアクティブマトリクス基板の
一画素分の電極配置の構成を示す図である。この従来例
では、走査線gに前記蓄積容量を形成する拡大部を形成
する代わりに、独立した共通線cを配置して蓄積容量を
形成する拡大部(コモンストレージ)Cstを設けた電
極配置を有する構成とすることを特徴とし、他の構成は
図13に示す電極配置と同様である。
前記画素電極PIと前記対向電極(及び共通電極)の間
に階調電圧を印加し前記液晶容量及び蓄積容量への電荷
を蓄積し、画素電極の電位Vpiと対向電極の電位との
間の電位差を与えることにより、前記電極間の液晶層の
電気化学的特性を制御し、画素電極単位での液晶の透過
度を制御することにより行う。
隣接する前述のようなアクティブマトリクス基板の構造
から分かるように、前記液晶容量及び蓄積容量の他に電
極及び配線間には複数の寄生容量が生じるので、この寄
生容量が画素単位でバラツキや変動が生じると表示ムラ
の発生等、表示特性に影響する。
層及び画素電極層の相互配置関係を示す走査線方向の断
面であり、各層間の寄生容量の発生及び変化の様子を示
す概念図である。
る信号線dと画素電極PI間、ゲート電極Gと接続され
る走査線gと画素電極PI間等に発生する。特に、画素
間の遮光を行うために設けられる遮光パターンをゲート
層で作製するように構成したアクティブマトリクス基板
では前記寄生容量は複数のレイヤの信号線、電極等の導
体部に発生する寄生容量の組合せになる。
との間の前記組合せ容量Cdpi(L)と左側の信号線
dと画素電極PIとの間の前記組合せ容量Cdpi
(R)の容量が各層の導体の重ねずれ、つまり、各層形
成時の相対的なずれの影響を示している。
制するように構成したTFT液晶表示装置が特開200
0−98427号公報及び特開平6−222392号公
報に提案されている。
成及び動作について説明する。液晶表示装置において
は、液晶容量に印加される電界の方向を同一極性とし長
時間同一表示を行うような画素電極の駆動を行うと、い
わゆる「焼けつき」を生じ表示品位が悪化するので、画
素電極の極性を表示更新周期ごとに反転駆動することが
行われている。この駆動方法には、信号線長手方向の画
素電極を同じ極性とし、表示更新周期ごとにそれらの極
性を反転させるドレインライン反転駆動及び走査線長手
方向及び信号線長手方向ともに隣り合う画素電極同士が
すべて逆極性となるように表示更新周期ごとに各々の画
素電極の極性を反転させるドット反転駆動等がある。
が反転する時に最も大きくなるから、その際に、画素電
位が最も大きく影響を受けて輝度が変動するが、前記反
転駆動方法を採用することにより隣り合う信号線を常に
逆極性とすることができ、極性の反転による影響を相殺
し画素の輝度変動を少なくすることができる。
の間の2つの寄生容量が大きく異なるとこの効果は減少
する。特に、TFTは信号線と走査線との交差部付近に
形成されることが多く、この場合、画素電極はTFTと
の干渉を避けるため、信号線の方向に一定長さだけ切り
欠いて形成されるから、画素電極とTFT側の信号線と
が隣接する長さと、画素電極と他の信号線とが隣接する
長さとは異なったものとなる。この結果、画素電極とT
FT側の信号線との間に形成される寄生容量が、画素電
極と他の信号線との間に形成される寄生容量よりも大き
くなり、信号線の電位変動に対する前記相殺動作が行わ
れず、画素電位が影響を受けることとなる。
のような信号線の電位変動による輝度変動を最小限に抑
えるために、各ドレインと画素電極間の長さ及び間隔が
等しくなるように、ドレイン配線側の突起と、ドレイン
配線と同時に露光され形成された、前記突起に対応する
形状を有する画素電極の端部を画定する画素周縁部を有
する構造のTFT液晶表示装置が記載されている。
た構造の能動素子を有する液晶ディスプレイ駆動用のア
クティブマトリクス基板に関し、高精度なマスク合わせ
を行うことなしに、能動素子間での寄生容量のバラツキ
をなくすようにしたものが、前記特開平6−22239
2号公報に記載されている。
駆動用アクティブマトリクス基板の一例を示す図であ
る。同図に示す液晶ディスプレイ駆動用アクティブマト
リクス基板は、能動素子としてMIM素子が使用され、
図16(a)に示すように、正方形の表示電極1を縦横
に配列し、各列毎に梯子状の走査電極2が表示電極1を
取り囲む構造を有し、さらに図16(b)に示すよう
に、走査電極2と表示電極1との間に、額縁状の枠状電
極3(破線)が、走査電極2に対しては絶縁膜4を介し
てその上方に形成され、表示電極1に対しては下方に滑
り込むような構造に配置されている。
1の周囲を取り囲むように形成されているので、それぞ
れの膜のパターンニング工程において、マスク合わせ誤
差によりパターンずれが生じることにより、金属膜/絶
縁膜/金属膜というMIM素子の積層構造部分の面積が
一部で減少しても、これを補うだけの面積の増加が別な
部分で必ず生じるから、1つのMIM素子についての積
層構造部分の全面積の変化は生じないことになり、寄生
容量のバラツキが生じない。(同公報、段落0020)
従来のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置
においては、遮光パターンをゲート層で作製することか
ら、図15に示すように、ゲート層、ドレイン層及び画
素電極層の各電極、配線等の間に寄生容量が生じる。こ
のうち容量変動により表示品質に影響を与える寄生容量
としては、ゲート/ソース間寄生容量CGS、液晶容量
CLC、ストレージ容量CSC、ゲート/画素電極間寄
生容量Cgpi及びドレイン/画素電極間寄生容量C
dpiである。つまり、フィードスルー電圧Vfdに影
響する容量は複数のレイヤの組合せである。
画素電極PIの電位Vpiと対向電極の電位との間の電
位差によって決まるため、表示領域全体で均一な表示状
態を得るためにはVpiも均一に保つ必要がある。ま
た、画素電極PIのVpiはTFTのオン状態の時に信
号線の電位が書き込まれることにより決定し、書き込ま
れた後のVpiは次の書き込み(1フレーム後)まで一
定に保たれることが望ましい。
レイン線、ゲート線等が存在し、これらとの間に寄生容
量が生じ、この寄生容量の存在によりドレイン線、ゲー
ト線の電圧の変動に伴ってVpiは変動する。特に、V
piに大きな変動を与える要因は、画素電極PIへデー
タを書き込んだ直後のゲート電圧(走査信号)がローレ
ベルとなりTFTがオフになる際に発生するフィードス
ルー電圧Vfdである。
量が存在する場合は次式で表される。
SC+Cdpi+Cgpi)×|VGon−VGof f| VGon:TFTがオン時のゲート電圧 VGoff:TFTがオフ時のゲート電圧 なお、VGon−VGoffの値は、TFTの特性が画素面内で
全て同じであることから、電圧VGonとVGoffは
常に一定であり、寄生容量自体が表示領域内で一定であ
ればVfdも一定である。また、Vfdの画素電極PI
に与える影響は、画素電極PIへの書き込み電位が正方
向でも負方向でも同一極性に電位をシフトし直流成分が
生じるように影響することから、前記の場合は、対向電
極の電位を同方向にシフトさせる調整を行うことにより
Vfdの影響をなくすることも可能である。
でばらつくとVfdの大きさが表示領域内でばらつくこ
とになり、対向電極PIの電位を調整しても液晶に印加
する実効的な電圧はばらつくことになる。このため全体
としてみたときに表示状態にムラが生じる等、表示品質
が劣化する。
周辺に存在する導電体(信号線、走査線等)との間に生
じるため、これらのサイズが面内でばらつくと、両者の
距離がばらつき、結果として寄生容量の大きさ自体がば
らつくことになる。その結果、Vfdの大きさがばらつ
き、表示品質を劣化させる。
各層の配線等パターンの重ねずれが生じたり、リソグラ
フィによる導体パターン形成時の画素単位の電極形状、
面積及び導体幅のパターン化の誤差の変動(「パターン
変換変動」という。)が生じると、フィードスルー電圧
Vfd大きさが表示領域内でばらつき、表示品質に大き
な影響を及ぼすことになる。
の液晶ディスプレイ駆動用アクティブマトリクス基板
は、画素電極に影響を与える画素電極の両側の信号線間
の寄生容量を互いに同一にしようとするものであり、画
素電極と信号配線間及び電極間の総合的な寄生容量の影
響、特に、電極及び配線等のパターン形成時の前記パタ
ーン変換変動については何ら考慮されていない。また、
同公報のアクティブマトリクス基板は、左右の信号線と
対向する画素電極との間隔及び長さを単に同一とするた
め配線と画素電極に凹凸形状を形成することから、液晶
表示の開口率が劣化するという問題もある。
用アクティブマトリクス基板は、重ねずれの影響を防止
するものであるが、縦横に配列した表示電極1に対し
て、各列毎に梯子状の走査電極2で前記表示電極1を取
り囲む必要がり、MIM素子でなる能動素子が走査電極
2、絶縁膜4、額縁状の枠状電極3及び表示電極1によ
り開口部全周に形成される特殊な構造を有するものであ
り、基本的構造及び原理を異にするTFT−LCDの画
素電極に対する信号線、走査線、遮光配線、ゲートスト
レージ等の重ねずれ及びパターン変換変動に関しては何
ら考慮されていない。
ツキによるフィールドスルー電圧の変動を抑制すること
が可能なTFT液晶表示装置を提供することにある。
した液晶パネルの表示ムラの発生を防ぐことを可能とし
たTFT液晶表示装置を提供することにある。
装置は、複数の走査線とこれらと交差するようにして形
成された複数の信号線と、前記走査線に接続されたゲー
ト電極と、前記信号線に接続されたドレイン電極と、ソ
ース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体
層との間に形成されたゲート絶縁膜とを有する薄膜トラ
ンジスタと、前記ソース電極に接続された画素電極とを
有する液晶表示装置において、前記画素電極の周縁の全
周に沿って形成され、前記画素電極と電気的に接続さ
れ、信号線/画素電極間寄生容量、走査線/画素電極間
寄生容量、ゲート/ソース間寄生容量、液晶容量、補助
容量を構成した導体を有することを特徴とする。また、
前記導体は金属からなり、前記画素電極は前記導体の一
箇所又は複数の箇所で電気的に接続されていることを特
徴とする。
一部は、前記導体の一部と絶縁膜を介して重なってお
り、前記絶縁膜はゲート絶縁膜であること又は前記走査
線は前記導体側に拡大された部分を有することを特徴と
する。
との間に絶縁膜を介して容量電極が形成されていること
を特徴とする。
マトリクス基板の画素電極の周縁の全周に沿って前記画
素電極と同電位のリング状の導体を形成したことによ
り、ドレイン層の信号線及び電極、ゲート層の走査線及
び電極、共通線や拡大部等の重ねずれ及びパターン変換
変動による寄生容量の影響を抑制する。
置の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。
置のアクティブマトリクス基板の一画素分の電極配置の
構成を示す図である。
に、ガラス基板上のTFTの電極及び配線として、最下
層のゲート層にゲート電極G、該ゲート電極と接続され
た行方向の走査線g及び該走査線gから下部側の画素毎
の拡大部Cからなる蓄積容量(ゲートストレージ)Gs
t、ドレイン層のドレイン、ソース電極D、S、該ドレ
イン電極Dと接続された列方向の信号線d、前記信号線
dと走査線gとの間に設けられた、ITO(酸化インジ
ウムスズ)等の透明導電膜でなる画素電極PI、ソース
電極Sと接続された画素電極PIの周縁部全辺に沿い、
前記画素電極PIと接続された隣接する表示画素間の遮
光用のリング状の導体、具体的には金属の導体パターン
(リング状パターン)Rとから構成されている。
ドレイン電極Dとソース電極Sはその電流通路が走査線
と平行方向になるように配置され、ゲート電極が走査線
gに対し直角方向に形成された配置構造を有している。
また、リング状パターンRの内周部は前記画素電極PI
の外周の下部に一部重複し、画素電極PIのTFTが形
成された角のリング部に開口方向の屈曲部に一部拡大部
を形成し、スルーホールを形成して画素電極と接続点P
を形成している。更にゲートストレージGstは前記画
素電極PIの上部において画素電極PI及びリング状パ
ターンRと重複するように配置している。
−A’の断面図であり、ゲートストレージGstとリン
グ状パターンRと画素電極PIの配置関係を示してい
る。同図に示すようにゲートストレージGstを構成す
るための絶縁膜には、主に走査線gの拡大部とリング状
パターンRとの間のゲート絶縁膜を使用している。な
お、前記拡大部と画素電極との間に直接蓄積容量を形成
する場合にもゲート絶縁膜が利用できる。
−B’の断面図であり、信号線gとリング状パターンR
と画素電極PIの配置関係を示している。
−C’の断面図であり、ゲートストレージGstとリン
グ状パターンRと画素電極PIの配置関係を示してい
る。
−D’の断面図であり、ゲート電極Gと、アモルファス
シリコン等の半導体層PSに対して形成されたドレイン
電極D、ソース電極SとからなるTFT構造及び電極の
配置関係を示している。
トリクス基板の上部には全面に単一電極を形成したガラ
ス基板を対向配置し、ガラス基板の下部にはバックライ
ト機構を配置し、前記画素電極と前記単一電極間に駆動
電圧を印加して、各画素単位で間の液晶層の電気光学特
性を制御して表示を行うように構成される。
ロセスにおいて、ドレイン層で画素電極の端面全周にリ
ング状パターンを形成し、コンタクトホールにより前記
リング状パターンを画素電極と導通させることにより作
製する。
の駆動動作を説明する。本実施の形態のTFT液晶表示
装置の信号線dには液晶容量に書き込むべき電位に応じ
た信号が印加され、走査線gには信号線dの信号に同期
して上部(前段側)から順次走査信号が印加される。走
査線gの走査期間はTFTのゲート/ドレイン間にチャ
ネルが形成されて導通し、走査期間以外にはドレイン電
極Dとソース電極Gとは絶縁状態となる。ここでTFT
の導通時に信号線dの同期した書込信号が液晶容量Cl
c及びゲートストレージGstに充電され、走査期間以
外のTFTの非導通時には液晶容量PIの充電電圧は保
持され、対向電極と画素電極PIとの間に生じる電界に
よって、液晶の光学的特性が制御されバックライトに対
する透過度が変化して表示が行われる。
査期間以外の期間にドレイン電極Dとソース電極Sの間
のリーク電流があることから、走査期間から次の走査期
間までの間に画素電極と対向電極との間の電位差が減少
しコントラストの低下を招かないように前記電位差の減
少を防ぐものである。
クス基板の作製工程でのパターン変換変動及び重ねずれ
によるバラツキ及び寄生容量への影響の一例を示す概念
図である。図4(a)、(c)はリング状パターンの開
口部を含む走査線g方向の断面を示す図であり、図4
(b)、(d)はリング状パターンの開口部を含む信号
線d方向の断面を示す図である。フィールドスルー電圧
Vfdに影響する容量である、ゲート/ソース間寄生容
量CGS、液晶容量CLC、ストレージ容量CS C、ゲ
ート/画素電極間寄生容量Cgpi及びドレイン/画素
電極間寄生容量C dpiは、画素電極の周縁部全周にド
レイン層の配線と同層で画素電極と同電位のリング状パ
ターンを形成することから全てドレイン層からの組合せ
となる。
ニング精度は、信号線(ドレイン層配線)、走査線(ゲ
ート層配線)、同配線層の各電極等の導体膜に比べて悪
い。特に、透明導電膜として通常使用されるITO(酸
化インジウム・スズ)は、酸化物のためエッチングされ
難い材料であるのみならず、及びITOを構成する酸
素、インジウム、スズの組成比によってエッチング速度
が変わり、通常酸素プラズマ雰囲気中でITOをターゲ
ット材料としてスパッタリング法で成膜されるため、前
記組成比自体が基準面内でばらつく可能性が高く、その
結果、エッチング速度が基板内でばらつきやすい。
ターニング精度の不良によるパターン変換変動により、
左右のドレイン層配線と画素電極との間に生じる寄生容
量はもちろんのこと、上部(前段)のソース層配線と
間、及びストレージパターンと画素電極との間に生じる
寄生容量の大きさはばらつくから、この寄生容量の大き
さは面内でばらつくことになる。
からも分かるように画素電極は、これと同電位でパター
ンニング精度の高いドレイン層(ソース層)のリング状
パターンで全周が囲まれているから、画素電極とドレイ
ン層配線、画素電極とソース層配線、画素電極とストレ
ージパターン等の間の前述の寄生容量の大きさがばらつ
いたとしても、パターンニング精度の高いドレイン配線
と前記リング状パターンとの間の寄生容量が支配的とな
り、総合的な寄生容量の大きさは殆どばらつかない。
層で画素電極と同電位のリング状パターンRを設けるこ
とにより、信号線d等のドレイン配線とリング状パター
ンとの距離は重ねずれによらず実質上常に一定に保たれ
るから、この間の寄生容量のバラツキも確実に防止さ
れ、この点からも総合的な寄生容量の大きさはばらつか
ない。
Vfdに影響する容量の比率変動の要因が、主にパター
ン形成時の各電極面積、配線幅の増大、減少等のパター
ンニング精度の高いソース層及びドレイン層のパターン
変換変動のみにすることが可能となるから、製作工程の
バラツキによるフィールドスルー電圧Vfdの変動を効
果的に抑制することができ、分割露光で作製したTFT
液晶パネルの表示ムラの発生を防止することができる。
縦置きTFT、TFT近傍のスルーホールPの接続及び
ゲートストレージ構成とした例を説明したが、これらは
各種変更することができる。
実施の形態を示す図である。TFTは走査線gの一部を
ゲート電極Gとするように構成している。信号線gから
L字状に形成したドレイン電極Dとリング状パターンR
側のソース電極Sとを前記ゲート電極の上部に形成した
半導体層PS上に配置した構成を備え、リング状パター
ンRと画素電極PIとはスルーホールPにより接続して
いる。
ルーホールPをゲートストレージの拡大部に形成した例
を示す図である。
実施の形態と比較すると、TFT及びスルーホールPの
配置の変更により画素の開口率を増大することが可能で
ある。
ターンと画素電極との接続は一箇所ないし複数箇所で接
続した構成の実施の形態を示す図である。本実施の形態
では、リング状パターンRと画素電極PIを同図に示す
範囲p’の任意の場所の一箇所又は複数の箇所にスルー
ホールを設けて接続する構成としている。
極構造のE−E’の断面を示す図である。ドレイン層に
おける信号線g及びリング状パターンRと、リング状パ
ターンRの上部に周縁部が接続された画素電極PIの配
置関係が示されている。
極構造のF−F’の断面を示す図である。ゲートストレ
ージGstと、ドレイン層におけるリング状パターンR
と、リング状パターンRの上部に周縁部が接続された画
素電極PIの配置関係が示されている。
素電極との連続的な接続により、特に、リング状パター
ンRと画素電極PI、信号線g及び走査線gとリング状
パターンR又は画素電極PIとの相互の重ねずれがあっ
ても寄生容量の変化はより完全に防止される。
ストレージ容量を形成する拡大部Cを有する実施の形態
を示す図である。図1に示す実施の形態と同様に縦置き
TFTと、その近傍のスルーホールPとを備える。
にストレージ容量を形成する拡大部Cを有する他の実施
の形態を示す図である。横置きTFTと、その近傍のス
ルーホールPとを備える。開口率の高いアクティブマト
リクス基板を構成できる。
トレージを下側に設け、リング状パターンと画素電極と
の接続を下部に構成した実施の形態を示す図である。
トレージを下側に設け、変形のリング状パターンとした
実施の形態を示す図である。本実施の形態では、前記リ
ング状の導体の開口部を走査線gの方向に横切る導体が
形成された8の字の形状とした変形のリング状パターン
8とし、コモンストレージCstをその中間部に前記導
体に沿って形成している。
形態に基づいて説明したが、何れの実施の形態において
も、フィールドスルー電圧Vfdに影響する容量の比率
変動の要因が、主に、パターンニング精度の高いソース
層及びドレイン層等のパターン変換変動のみにすること
が可能となるから、製作工程のバラツキによるフィール
ドスルー電圧Vfdの変動を効果的に抑制することがで
き、分割露光で作製したTFT液晶パネルの表示ムラの
発生を防止することができる。
定されるものではなく、この他にも種々の態様で実施可
能である。即ち、TFTが縦置きか横置きか、リング状
パターンと画素電極との接続を何れの箇所において部分
的又は連続的に設けるか、リング状パターンに横断する
導体パターンを設けるかいなか、ストレージパターンを
ゲートストレージとするかコモンストレージとするか等
は、その任意の組合せ構成とすることが可能である。ま
た、画素電極の形状、走査電極の形状は、設計上適宜変
更しうるものである。
高い導体のリング状パターンを画素電極と同電位として
画素電極の周縁全周を囲むように構成しているから、画
素電極とドレイン層配線、画素電極とソース層配線、画
素電極とストレージパターン、画素電極と各種電極等の
間の寄生容量自体の大きさがばらついたとしても、前記
ドレイン配線と前記リング状パターンとの間の寄生容量
により、綜合的な寄生容量の大きさを面内で一定とする
ことができる。
ング状パターンRを設けることにより、信号線等のドレ
イン層配線とリング状パターンとの距離は重ねずれによ
らず実質上常に一定に保たれるから、この間の寄生容量
のバラツキも確実に防止することができる。
ールドスルー電圧Vfdの変動を効果的に抑制すること
ができ、分割露光で作製したTFT液晶パネルの表示ム
ラの発生を防止することができる。
クティブマトリクス基板の一画素分の電極配置の構成を
示す図である。
断面を示す図である。
断面を示す図である。
作製工程でのパターン変換変動及び重ねずれによるバラ
ツキ及び寄生容量への影響の一例を示す図である。
の形態を示す図である。
に形成した第3の実施の形態を示す図である。
素電極の周囲とを接続した構成の第4の実施の形態を示
す図である。
断面を示す図である。
施の形態を示す図である。
実施の形態を示す図である。
下側に設けて構成した第6の実施の形態を示す図であ
る。
下側に設けた第7に実施の形態を示す図である。
の一画素分の電極配置の構成を示す図である。
置の一画素分の電極配置の構成の他の例を示す図であ
る。
発生及び変化を示す概念図である。
マトリクス基板の一例を示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】複数の走査線とこれらと交差するようにし
て形成された複数の信号線と、前記走査線に接続された
ゲート電極と、前記信号線に接続されたドレイン電極
と、ソース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記
半導体層との間に形成されたゲート絶縁膜とを有する薄
膜トランジスタと、前記ソース電極に接続された画素電
極とを有する液晶表示装置において、前記画素電極の周
縁の全周に沿って形成され、前記画素電極と電気的に接
続され、信号線/画素電極間寄生容量、走査線/画素電
極間寄生容量、ゲート/ソース間寄生容量、液晶容量、
補助容量を構成する導体を有することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項2】前記導体は金属からなることを特徴とする
請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】前記画素電極は、前記導体の一箇所又は複
数の箇所で電気的に接続されていることを特徴とする請
求項1又は2記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】前記走査線の一部は、前記導体の一部と絶
縁膜を介して重なっていることを特徴とする請求項1、
2又は3記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜であることを
特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】前記走査線は、前記導体側に拡大された部
分を有することを特徴とする請求項4記載の液晶表示装
置。 - 【請求項7】前記画素電極との間に絶縁膜を介して容量
電極が形成されていることを特徴とする請求項1、2又
は3記載の液晶表示装置。
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