CN117518658A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括多条沿第一方向延伸的扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，扫描线和数据线交叉限定出多个像素区，每个像素区设置有一个子像素，多个子像素沿第一方向排布成多列，沿第二方向排布成多行，每个子像素包括像素电极和晶体管，每个像素电极的竖直正投影覆盖对应的扫描线的竖直正投影的至少部分，以使像素电极向扫描线的方向外扩，从而可增大每个子像素的开口率，进而提高穿透率，以缓解现有三栅极式液晶显示面板存在穿透率较低的技术问题；同时，每个子像素的晶体管与相邻行的一个子像素的像素电极电连接，可降低像素电极与扫描线重叠产生的耦合电容对本行子像素的影响。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
随着液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术的发展，为了降低液晶显示面板的成本，行业内出现了一种三栅极(Tri-gate)式液晶显示面板。三栅极式液晶显示面板具有多个呈行列排列的像素单元，并且利用相邻的三条扫描线(scan line)来驱动一个像素单元。每个像素单元是由三个颜色不同且呈纵向排列的子像素单元所组成，比如每个像素单元包括一红色子像素单元、一绿色子像素单元以及一蓝色子像素单元，而同一行的各个子像素单元电性连接一条扫描线。此外，任一行的子像素单元的颜色都相同，例如排列成其中一行的这些子像素单元皆为红色子像素单元、绿色子像素单元或蓝色子像素单元。
然而，传统的三栅极式液晶显示面板中，由于薄膜晶体管、扫描线以及像素电极的主干(trunk)等对应的区域均不透光，使得三栅极式液晶显示面板的开口率较小，穿透率较低。
发明内容
本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有三栅极式液晶显示面板存在穿透率较低的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种阵列基板，其包括多条沿第一方向延伸的扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，多个所述子像素沿所述第一方向排布成多列，沿所述第二方向排布成多行；每个所述子像素包括像素电极和晶体管，每个所述像素电极的竖直正投影覆盖对应的所述扫描线的竖直正投影的至少部分，在同一列所述子像素中，每个所述子像素的所述晶体管与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接。
在本申请实施例提供的阵列基板中，每个所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与对应行的所述扫描线电连接，所述源极和所述漏极中的一个与对应的所述数据线电连接，另一个与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接。
在本申请实施例提供的阵列基板中，每个所述像素电极包括沿所述第一方向延伸的主干电极以及自所述主干电极朝不同方向延伸的分支电极；所述像素电极还包括围绕所述主干电极和所述分支电极的边框电极以及凸出于所述边框电极的延伸电极，所述边框电极在远离所述延伸电极的一侧设置有第一开口，所述延伸电极穿过相邻行的所述子像素的所述第一开口，并与相邻行的所述子像素的所述漏极电连接。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述延伸电极沿所述第二方向延伸，所述像素电极关于所述延伸电极的延长线呈轴对称。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括多条沿所述第一方向延伸的第一连接走线，所述源极通过所述第一连接走线与所述数据线电连接。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一连接走线与所述主干电极重合。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述主干电极把所述像素电极划分为第一显示畴和第二显示畴，所述第一显示畴位于所述主干电极的一侧，所述第二显示畴位于所述主干电极的另一侧，所述第一显示畴包括第一子显示畴和第二子显示畴，所述第一子显示畴和所述第二子显示畴内的所述分支电极的延伸方向不同，且所述第一子显示畴和所述第二子显示畴之间具有第一间隙；所述第二显示畴包括第三子显示畴和第四子显示畴，所述第三子显示畴和所述第四子显示畴内的所述分支电极的延伸方向不同，且所述第三子显示畴和所述第四子显示畴之间具有第二间隙；所述晶体管位于所述像素电极的下方，并对应所述第一间隙和/或所述第二间隙设置。
在本申请实施例提供的阵列基板中，在同一列所述子像素中，任意相邻的三个所述子像素构成一个像素，每个所述像素的三个所述子像素的颜色不同，同一行的所述子像素颜色相同；每条所述数据线连接同一列中奇数行的所述像素以及相邻列中偶数行的所述像素，每条所述扫描线连接同一行的所述子像素。
在本申请实施例提供的阵列基板中，在同一行所述子像素中，每个所述子像素的所述像素电极的竖直正投影覆盖对应行的所述扫描线的竖直正投影的部分，且覆盖相邻行的所述扫描线的竖直正投影的部分。
本申请实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。
本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板和显示面板中，阵列基板包括多条沿第一方向延伸的扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，多个所述子像素沿所述第一方向排布成多列，沿所述第二方向排布成多行，每个所述子像素包括像素电极和晶体管，每个所述像素电极的竖直正投影覆盖对应的所述扫描线的竖直正投影的至少部分，以使像素电极向扫描线的方向外扩，从而可增大每个子像素的开口率，进而提高穿透率，解决了现有三栅极式液晶显示面板存在穿透率较低的技术问题；同时，在同一列所述子像素中，每个所述子像素的所述晶体管与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接，可降低像素电极与扫描线重叠产生的耦合电容对本行子像素的影响。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中三栅极式液晶显示面板的部分俯视结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的一种俯视结构示意图。
图3为图2中部分子像素的细节结构示意图。
图4为图3中部分子像素的放大结构示意图。
图5为图4中沿M-M’方向的剖面结构示意图。
图6为图4中沿N-N’方向的剖面结构示意图。
图7为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
针对相关技术中三栅极式液晶显示面板存在的穿透率较低的问题，本申请的发明人在研究中发现：参照图1，图1为相关技术中三栅极式液晶显示面板的的部分俯视结构示意图，在三栅极式液晶显示面板中，由于薄膜晶体管TFT、扫描线GL以及像素电极PE的主干(trunk)等对应的区域均不透光，使得三栅极式液晶显示面板的开口率较小，穿透率较低。而且扫描线GL的上方设置有GBS走线，数据线DL的上方设置有DBS走线，从而进一步降低了三栅极式液晶显示面板的开口率。
为此，本申请提供一种阵列基板和显示面板以解决上述视角比较差的问题。
请参照图2至图6，图2为本申请实施例提供的阵列基板的一种俯视结构示意图，图3为图2中部分子像素的细节结构示意图，图4为图3中部分子像素的放大结构示意图，图5为图4中沿M-M’方向的剖面结构示意图，图6为图4中沿N-N’方向的剖面结构示意图。参照图2，阵列基板100包括衬底10以及排布在所述衬底10上的多条扫描线(如图2示意性示出的扫描线G(n-3)、G(n-2)、G(n-1)、Gn、G(n+1)、G(n+2)、G(n+3))和多条数据线(如图2示意性示出的数据线D(n-3)、D(n-2)、D(n-1)、Dn、D(n+1)、D(n+2)、D(n+3))，其中n大于或者等于3。多条所述扫描线沿第一方向X延伸且沿所述第二方向Y间隔排布。多条所述数据线DL沿第二方向Y延伸且沿所述第一方向X间隔排布。所述第一方向X和所述第二方向Y不同，比如所述第一方向X为行方向，所述第二方向Y为列方向。
所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区PD，每个所述像素区PD设置有一个子像素SP，使得所述阵列基板100包括多个所述子像素SP，多个所述子像素SP阵列排布在所述阵列基板100上。多个所述子像素SP沿所述第一方向X排布成多列(如图2示意性示出的子像素列L(n-3)、L(n-2)、L(n-1)、Ln、L(n+1)、L(n+2))，多个所述子像素SP沿所述第二方向Y排布成多行(如图2示意性示出的子像素行H(n-3)、H(n-2)、H(n-1)、Hn、H(n+1)、H(n+2))。
在所述第二方向Y上，同一列的所述子像素SP中，任意相邻的三个所述子像素SP构成一个像素P，每个所述像素P的三个所述子像素SP的颜色不同，也即，任意相邻的两个所述子像素SP的颜色不同，任意相邻的三个不同颜色的所述子像素SP组成一个像素P。具体而言，每个像素P包括三个在所述第二方向Y上依次排布的所述子像素SP，依次排布的三个所述子像素SP的颜色不同，比如可包括一个红色子像素R、一个绿色子像素G以及一个蓝色子像素B。每个所述像素P的三个不同颜色的所述子像素SP连接于同一所述数据线。每条所述数据线连接同一列中奇数行的所述像素P以及相邻列中偶数行的所述像素P。以数据线Dn为例，数据线Dn与子像素列Ln中奇数行的所述像素P电连接，且数据线Dn还与子像素列L(n-1)中偶数行的所述像素P电连接。
在所述第一方向X上，同一行的所述子像素SP中，各个所述子像素SP的颜色全部相同，且颜色相同的各个所述子像素SP连接于同一条扫描线。以子像素行Hn为例，子像素行Hn的各个所述子像素SP均为红色子像素R，各个所述红色子像素R均与扫描线Gn电连接。当然地，同一行的所述子像素SP中，各个所述子像素SP的颜色也可以不同。当每一行中所述子像素SP的颜色不同时，可以改善显示二混色画面时出现的色偏。本申请实施例以每一行的所述子像素SP的颜色全部相同为例说明，且为了方便描述，下文提及的所述扫描线均以Gn为例说明、所述数据线均以Dn为例说明。
参照图3，每个所述子像素SP包括像素电极20和晶体管30。每个所述像素电极20包括沿所述第一方向X延伸的主干电极21以及自所述主干电极21朝不同方向延伸的分支电极22，所述像素电极20还包括围绕所述主干电极21和所述分支电极22的边框电极23。每个所述像素电极20的竖直正投影覆盖对应的所述扫描线的竖直正投影的至少部分，也即，所述像素电极20在所述衬底10上的正投影与对应的所述扫描线在所述衬底10上的正投影存在重叠部分，如此，所述像素电极20可向对应的所述扫描线的方向外扩，从而可增大每个子像素SP的开口率，进而提高穿透率，解决了现有三栅极式液晶显示面板存在穿透率较低的技术问题。
具体而言，结合参照图3、图4和图5，所述像素电极20的所述边框电极23在所述衬底10上的正投影与对应的所述扫描线在所述衬底10上的正投影存在重叠部分，以位于子像素行Hn以及子像素列L(n-1)的子像素SP的像素电极20为例，所述像素电极20的所述边框电极23在所述衬底10上的正投影与对应的所述扫描线Gn在所述衬底10上的正投影存在重叠部分。如此，所述像素电极20可向所述扫描线Gn的方向外扩，从而可增大所述子像素SP的开口率，进而提高穿透率。
可选地，在同一行所述子像素SP中，每个所述子像素SP的所述像素电极20的竖直正投影覆盖对应行的所述扫描线的竖直正投影的部分，且覆盖相邻行的所述扫描线的竖直正投影的部分，以进一步增大每个所述子像素SP的开口率，提高穿透率。同样地，以位于子像素行Hn以及子像素列L(n-1)的子像素SP的像素电极20为例，所述像素电极20的所述边框电极23在所述衬底10上的正投影与子像素行Hn对应的的所述扫描线Gn在所述衬底10上的正投影存在重叠部分，且所述边框电极23在所述衬底10上的正投影还与相邻子像素行H(n+1)对应的所述扫描线G(n+1)在所述衬底10上的正投影存在重叠部分。如此，所述像素电极20可向所述扫描线Gn以及所述扫描线G(n+1)的方向外扩，从而可进一步增大所述子像素SP的开口率，以进一步提高穿透率。
然而，所述像素电极20与所述扫描线Gn存在重叠，虽然提高了穿透率，但却会导致所述像素电极20与所述扫描线Gn之间产生耦合电容，当对所述子像素SP进行充电时，所述像素电极20与所述扫描线Gn之间产生的较大耦合电容，会影响所述像素电极20上的电压，进而影响所述子像素SP的充电率和显示品味。为此，本申请的发明人经过深入研究，找到了解决所述像素电极20与所述扫描线Gn存在重叠，影响所述子像素SP的充电率和显示品味的方法：在同一列所述子像素SP中，每个所述子像素SP的所述晶体管30与相邻行的一个所述子像素SP的所述像素电极20电连接。
具体地，结合参照图3、图4和图6，所述晶体管30位于所述像素电极20靠近所述衬底10的一侧，也即所述晶体管30位于所述像素电极20的下方，所述像素电极20位于所述晶体管30远离所述衬底10的一侧。每个所述晶体管30包括栅极31、源极32和漏极33，所述栅极31与对应行的所述扫描线电连接，所述源极32和所述漏极33中的一个与对应的所述数据线电连接，另一个与相邻行的一个所述子像素SP的所述像素电极20电连接，本申请实施例以所述源极32与所述数据线电连接，所述漏极33与相邻行的所述像素电极20电连接为例说明。
所述像素电极20包括沿所述第一方向X延伸的主干电极21以及自所述主干电极21朝不同方向延伸的分支电极22，所述像素电极20还包括围绕所述主干电极21和所述分支电极22的边框电极23以及凸出于所述边框电极23的延伸电极24，所述边框电极23在远离所述延伸电极24的一侧设置有第一开口230，所述延伸电极24穿过相邻行的所述子像素SP的所述第一开口230，并与相邻行的所述子像素SP的所述漏极33电连接。比如，以位于子像素行H(n+1)以及子像素列L(n-1)的子像素SP的像素电极20为例，参照图4，子像素行H(n+1)中的像素电极20的延伸电极24穿过子像素行Hn中的像素电极20的第一开口230，并与子像素行Hn中的晶体管30的漏极33电连接。
进一步地，继续参照图3、图4和图6，每个所述子像素SP还包括存储电容40，所述存储电容40位于所述晶体管30远离所述延伸电极24的一侧，比如所述晶体管30靠近所述延伸电极24设置，所述存储电容40靠近所述第一开口230设置。所述存储电容40包括相对设置的第一极板41和第二极板42，所述第一极板41位于所述第二极板42远离所述衬底10的一侧，所述第一极板41与所述晶体管30的漏极33电连接，且所述第一极板41还与所述延伸电极24电连接。也即，每个所述子像素SP的所述像素电极20通过相邻行的所述子像素SP的存储电容40的第一极板41与该相邻行的所述子像素SP的晶体管30的漏极33电连接。
参照图4和图6，所述存储电容40的所述第一极板41与所述晶体管30的源极32和所述漏极33同层设置，所述第二极板42与所述晶体管30的栅极31同层设置。需要说明的是，本申请中的“同层设置”是指在制备工艺中，将相同材料形成的膜层进行图案化处理得到至少两个不同的结构，则所述至少两个不同的结构同层设置。比如，本实施例的所述第二极板42与所述栅极31由同一导电膜层进行图案化处理后得到，则所述第二极板42与所述栅极31同层设置。
所述晶体管30设置在所述衬底10上，所述像素电极20设置在所述晶体管30远离所述衬底10的一侧。所述衬底10可包括玻璃基板、石英基板或者硅片等硬性基板。所述晶体管30的栅极31设置在所述衬底10上，所述晶体管30的有源层34设置在所述栅极31远离所述衬底10的一侧，所述晶体管30的源极32和漏极33设置在所述有源层34远离所述栅极31的一侧，所述源极32和所述漏极33均与所述有源层34电连接。所述像素电极20设置在所述源极32和所述漏极33远离所述栅极31的一侧，并与所述漏极33电连接。
当然地，所述阵列基板100还包括设置在所述晶体管30的各层之间以及设置在所述晶体管30与所述像素电极20之间的多个绝缘层，比如所述阵列基板100还包括设置在所述栅极31与所述有源层34之间的栅极绝缘层11、设置在所述有源层34和所述源极32、所述漏极33之间的层间绝缘层12、设置在所述源极32、所述漏极33与所述像素电极20之间的钝化层13以及平坦化层14。
可选地，所述栅极31、所述源极32以及所述漏极33的材料均可包括铜、铝、钼、钛等金属导电材料。所述有源层34的材料包括非晶硅、多晶硅等半导体材料。所述栅极绝缘层11、所述层间绝缘层12以及所述钝化层13的材料均可包括氧化硅、氮化硅等无机材料，所述平坦化层14的材料可包括有机光阻等有机材料。
在本实施例中，通过将每个所述子像素SP的所述晶体管30与相邻行的一个所述子像素SP的所述像素电极20电连接，以实现所述子像素SP的跨行充电，进而改善所述像素电极20与所述扫描线之间产生的较大耦合电容对所述子像素SP充电的影响。具体而言，参照图3，以子像素行H(n-1)、Hn、H(n+1)、H(n+2)四行子像素SP为例说明，当子像素行H(n+1)对应的扫描线G(n+1)开启扫描后，扫描线G(n+1)对子像素行H(n+2)的子像素SP充电，此时，扫描线G(n+1)的信号变化会与子像素行H(n+1)以及子像素行Hn的像素电极20产生耦合电容，进而会影响子像素行H(n+1)以及子像素行Hn的像素电压；当子像素行Hn对应的扫描线Gn开启扫描后，扫描线Gn对子像素行H(n+1)的子像素SP充电，如此可以很快消除子像素行H(n+2)充电时导致的子像素行H(n+1)的像素电压变化带来的影响，而且，此时扫描线Gn的信号变化会与子像素行H(n-1)以及子像素行Hn的像素电极20产生耦合电容，进而会影响子像素行H(n-1)以及子像素行Hn的像素电压；当子像素行H(n-1)对应的扫描线G(n-1)开启扫描后，扫描线G(n-1)对子像素行Hn的子像素SP充电，如此可以很快消除子像素行H(n+2)以及子像素行H(n+1)充电时导致的子像素行Hn的像素电压变化带来的影响。如此，每行所述子像素SP的像素电压会由于扫描线的信号变化被影响两次，但是通过跨行充电，能够很快消除像素电极与扫描线重叠产生的耦合电容对本行子像素的影响。
在其他一些实施例中，在同一行所述子像素SP中，每个所述子像素SP的所述像素电极20的竖直正投影覆盖对应行的所述扫描线的竖直正投影的全部，也即所述像素电极20在所述衬底10上的正投影完全覆盖所述扫描线Gn在所述衬底10上的正投影；同时，每个所述子像素SP的所述像素电极20的竖直正投影与相邻行的所述扫描线的竖直正投影不存在重叠部分。如此，同样能够增大所述子像素的开口率，提高穿透率。而且，此时每行所述子像素SP的像素电压会由于扫描线的信号变化被影响一次，同样通过跨行充电，能够很快消除像素电极与扫描线重叠产生的耦合电容对本行子像素的影响。
在一种实施例中，结合参照图3、图4和图5，为了进一步增大所述子像素SP的开口率，在每个所述子像素SP中，所述晶体管30对应所述像素电极20的中间区域设置。具体而言，所述主干电极21把所述像素电极20划分为第一显示畴C1和第二显示畴C2，所述第一显示畴C1位于所述主干电极21的一侧，所述第二显示畴C2位于所述主干电极21的另一侧，所述第一显示畴C1包括第一子显示畴Dm1和第二子显示畴Dm2，所述第一子显示畴Dm1和所述第二子显示畴Dm2内的所述分支电极22的延伸方向不同，且所述第一子显示畴Dm1和所述第二子显示畴Dm2之间具有第一间隙211；所述第二显示畴C2包括第三子显示畴Dm3和第四子显示畴Dm4，所述第三子显示畴Dm3和所述第四子显示畴Dm4内的所述分支电极22的延伸方向不同，且所述第三子显示畴Dm3和所述第四子显示畴Dm4之间具有第二间隙212；所述晶体管30位于所述像素电极20的下方，并对应所述第一间隙211和/或所述第二间隙212设置。如图3示出的，所述晶体管30对应所述第一间隙211设置，所述存储电容40对应所述第二间隙212设置。所述延伸电极24靠近所述第一间隙211，所述第一开口230靠近所述第二间隙212，并于所述第二间隙212贯通。
可以理解的是，为了改善视角，相关技术中子像素的像素电极PE通常包括相互垂直的两条主干电极(Trunk)，两条主干电极(Trunk)均位于所述像素电极PE的中间区域，如图1所示。主干电极(Trunk)对应的区域不能用于显示，而本申请通过将所述晶体管30对应所述像素电极20的中间区域设置，相当于将所述晶体管30设置在所述子像素SP本就不会显示的区域，从而节省了额外设置所述晶体管30的空间，如此可进一步提高所述子像素SP的开口率。
进一步地，所述阵列基板100还包括多条沿所述第一方向X延伸的第一连接走线50，所述源极32通过所述第一连接走线50与对应的所述数据线电连接。所述第一连接走线50与所述主干电极21重合，也即，所述第一连接走线50在所述衬底10上的正投影落在所述主干电极21在所述衬底10上的正投影的范围内，以避免所述第一连接走线50影响所述子像素SP的开口率。
可选地，每个所述子像素SP内的所述延伸电极24沿所述第二方向Y延伸，所述像素电极20关于对应的所述延伸电极24的延长线呈轴对称，而且所述延伸电极24的延长线还穿过所述第一开口230。如此，通过将所述延伸电极24以及所述第一开口230也对应所述像素电极20的中间区域设置，以便于所述延伸电极24与对应的晶体管30电连接。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板，请参照图2至图7，图7为本申请实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。所述显示面板包括前述实施例其中之一的阵列基板100。所述显示面板为液晶显示面板等，本实施例以所述显示面板为液晶显示面板为例说明。具体地，参照图7，所述显示面板1000包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板的中的一个为前述实施例其中之一的阵列基板100。本实施例以所述第一基板为所述阵列基板100为例说明，则所述第二基板为彩膜基板200。所述显示面板1000还包括夹设在所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间的液晶分子300。
根据上述实施例可知：
本申请提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括多条沿第一方向延伸的扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，多个所述子像素沿所述第一方向排布成多列，沿所述第二方向排布成多行，每个所述子像素包括像素电极和晶体管，每个所述像素电极的竖直正投影覆盖对应的所述扫描线的竖直正投影的至少部分，以使像素电极向扫描线的方向外扩，从而可增大每个子像素的开口率，进而提高穿透率，解决了现有三栅极式液晶显示面板存在穿透率较低的技术问题；同时，在同一列所述子像素中，每个所述子像素的所述晶体管与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接，可降低像素电极与扫描线重叠产生的耦合电容对本行子像素的影响。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多条沿第一方向延伸的扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，多个所述子像素沿所述第一方向排布成多列，沿所述第二方向排布成多行；
每个所述子像素包括像素电极和晶体管，每个所述像素电极的竖直正投影覆盖对应的所述扫描线的竖直正投影的至少部分，在同一列所述子像素中，每个所述子像素的所述晶体管与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与对应行的所述扫描线电连接，所述源极和所述漏极中的一个与对应的所述数据线电连接，另一个与相邻行的一个所述子像素的所述像素电极电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素电极包括沿所述第一方向延伸的主干电极以及自所述主干电极朝不同方向延伸的分支电极；所述像素电极还包括围绕所述主干电极和所述分支电极的边框电极以及凸出于所述边框电极的延伸电极，所述边框电极在远离所述延伸电极的一侧设置有第一开口，所述延伸电极穿过相邻行的所述子像素的所述第一开口，并与相邻行的所述子像素的所述漏极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述延伸电极沿所述第二方向延伸，所述像素电极关于所述延伸电极的延长线呈轴对称。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多条沿所述第一方向延伸的第一连接走线，所述源极通过所述第一连接走线与所述数据线电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接走线与所述主干电极重合。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述主干电极把所述像素电极划分为第一显示畴和第二显示畴，所述第一显示畴位于所述主干电极的一侧，所述第二显示畴位于所述主干电极的另一侧，所述第一显示畴包括第一子显示畴和第二子显示畴，所述第一子显示畴和所述第二子显示畴内的所述分支电极的延伸方向不同，且所述第一子显示畴和所述第二子显示畴之间具有第一间隙；所述第二显示畴包括第三子显示畴和第四子显示畴，所述第三子显示畴和所述第四子显示畴内的所述分支电极的延伸方向不同，且所述第三子显示畴和所述第四子显示畴之间具有第二间隙；所述晶体管位于所述像素电极的下方，并对应所述第一间隙和/或所述第二间隙设置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，在同一列所述子像素中，任意相邻的三个所述子像素构成一个像素，每个所述像素的三个所述子像素的颜色不同，同一行的所述子像素颜色相同；每条所述数据线连接同一列中奇数行的所述像素以及相邻列中偶数行的所述像素，每条所述扫描线连接同一行的所述子像素。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在同一行所述子像素中，每个所述子像素的所述像素电极的竖直正投影覆盖对应行的所述扫描线的竖直正投影的部分，且覆盖相邻行的所述扫描线的竖直正投影的部分。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
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