JP2002071381A - 磁場方向検出センサ - Google Patents

磁場方向検出センサ

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JP2002071381A JP2000356684A JP2000356684A JP2002071381A JP 2002071381 A JP2002071381 A JP 2002071381A JP 2000356684 A JP2000356684 A JP 2000356684A JP 2000356684 A JP2000356684 A JP 2000356684A JP 2002071381 A JP2002071381 A JP 2002071381A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁場の方向を３次元で決定することができる
磁場方向検出センサを提供することである。 【解決手段】 平らな形状を有する１個の磁場コンセン
トレータ（３）と、少なくとも第１のホール効果素子
（２．１）及び第２のホール効果素子（２．２）、又
は、少なくともホール効果素子の第１のグループ（１
４）及び第２のグループ（１５）とを備え、ホール効果
素子が磁場コンセントレータ（３）の端部（４）領域に
配置していることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項１の前提部
で指定したタイプの磁場の方向を検出するセンサに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】このようなセンサは、例えば、複数のコ
イルを備えたステーターを有するブラシレス電気モータ
の制御用の角度センサとして適している。電気モータの
ローターはコイルの位相適合性制御に対する回転依存信
号の角度を生成するセンサと結びつく永久磁石を有す
る。このような構成は欧州特許出願ＥＰ９５４０８５に
よって周知である。複数のアームを有する垂直ホール効
果素子はセンサとして作用し、それによって、永久磁石
の回転位置に依存するホール電圧が各アームに生成され
る。垂直ホール効果素子は、チップの表面に平行に走る
永久磁石が生成した磁場の成分に敏感である。垂直ホー
ル効果素子は特別な半導体技術を基礎にしているので、
同じチップ上で処理エレクトロニクスと共に実現するこ
とができないという欠点を有する。
【０００３】チップの表面上に垂直に入射する永久磁場
によって生成された磁場の成分に敏感な水平ホール効果
素子を使用することも周知である。これらのホール効果
素子は同じチップ上の処理エレクトロニクスに集積する
ことができる。しかしながら、この解決策には、磁場の
垂直成分が最大の永久磁場の端部領域にホール効果素子
を配置しなければならないという欠点がある。回転軸の
領域では垂直成分は小さい。より大きな永久磁石を用い
ると、ホール効果素子を一つの半導体チップ上にホール
効果素子を集積することはもはや経済的とは言えない。
【０００４】磁気抵抗効果に基づく磁場センサ素子を有
する角度センサが欧州特許出願ＥＰ８９３６６８によっ
て周知である。測定可能角度範囲を１８０°以上に増加
するために、別のホール効果素子がある。しかしなが
ら、磁場センサ素子が回転永久磁石の磁場の水平成分を
測定しなければならないし、一方、ホール効果素子磁場
の垂直成分を測定しなければならないので、ホール効果
素子は磁場センサ素子に対して異なる位置に位置させな
ければならない。さらに、磁気抵抗効果をもとにしたセ
ンサは解像度を制限するヒステリシス効果を示す。
【０００５】チップの表面に平行にそろった磁場に敏感
でかつ半導体チップ上でエレクトロニクスと共に実現可
能な磁場センサが、欧州特許出願ＥＰ７７２０４６によ
って周知である。しかしながら、このような磁場センサ
を用いると、磁場の単一成分しか測定できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、始め
に述べた欠点を有さないセンサを提案することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は請求項１に記載
した特徴を備えている。有利な構成が従属項にクレーム
されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を用いてさらに詳細に説明する。
【０００９】図１は、例えば、３個のコイルを有するブ
ラシレス電気モータの制御用の角度センサとして適した
発明に対応するセンサの平面図を示している。センサは
２．１から２．６の６個の水平ホール効果素子を有する
半導体チップ１と１個の磁場センサ集線装置（コンセン
トレータ）３とを備えている。この最初の例を用いる
と、磁場コンセントレータ３がディスク上に形成され、
かつ、６個のホール効果素子２は磁場コンセントレータ
３の端部４に沿って等距離で分散して配置している。
【００１０】ホール効果素子２．１から２．６は、ｐド
ープ基板７（図２）におけるｎドープ井戸６（図２）と
して、一般に周知の技術、好適にはＣＭＯＳ技術を用い
て実現されている。水平ホール効果素子は、半導体チッ
プ１の表面８上に垂直に入射する磁場の成分に敏感であ
る。例では、ホール効果素子２．１から２．６は、好ま
しくは［１００］結晶軸に平行に並んだ十字型構造を有
し、そのため、ホール信号上での機械的応力を変化させ
る影響をできる限り小さく維持する。
【００１１】磁場コンセントレータ３は強磁性材料から
成り、好適には、例えば約１５μｍから３０μｍの膜厚
のテープとして使用可能な、パーマロイ又はミューメタ
ル又はメタルグラスから成る。比較的低い保持力を有す
る金属ガラスが好適であり、そのため、ヒステリシス効
果は生じない。さらに、それらの磁化は非常に等方的で
ある。
【００１２】磁場コンセントレータ３は平面９に延びて
おり、平たい形状を有し、すなわち、その厚さは面上で
の広がりに比べてかなり小さい。磁場コンセントレータ
３は等しい厚さを有することが好ましい。しかしなが
ら、端部より中央部で厚く形成することもできる。従っ
て、磁場コンセントレータ３は、面上に存在する磁場の
成分に対してコンセントレータとして作用する。磁場コ
ンセントレータ３の機能を図２をもとに詳細を説明す
る。この例では、磁場コンセントレータ３は対称中心５
を有する。すなわち、それは回転対称である。
【００１３】図２は、図１の線Ｉ−Ｉに沿ったセンサの
断面図であって、例えば、３個のコイルを有するブラシ
レス電気モータ１２の回転軸１１上に載置された磁場を
生成する永久磁石１０を示している。その環境内では、
磁場コンセントレータ３は、磁力線１３のコースを変
え、特に、磁場コンセントレータ３がない場合に半導体
チップ１の表面８にほとんど垂直に走る磁力線が、表面
８に対してほとんど垂直にホール効果素子２．１を貫く
という効果を有する。磁場コンセントレータ３の材料の
相対透磁率は１０００より大きく、一方、空気及び半導
体基板７の相対透磁率は約１である。従って、磁力線は
実際はいつも磁場コンセントレータ３の表面に対して垂
直に並んでいる。ホール効果素子２．１から２．６は、
磁場の垂直成分が最大なので、磁場コンセントレータ３
の面方向端部４領域に配置している。
【００１４】回転中心に対して径方向に反対に位置する
ホール効果素子は、出力信号の各生成に対して一対形成
し、それによって一つのホール効果素子のホール電圧が
他のホール効果素子のホール電圧から引かれる。磁力線
が垂直方向に反対の一対のホール効果素子の両方を貫く
ので、磁場の“再方向付け”によって生成した電圧が蓄
積し、一方、例えば、垂直にホール効果素子を貫く外側
干渉磁場のために、生成したホール電圧が互いにキャン
セルする。さらに、技術依存オフセット電圧は少なくと
も部分的に補償される。従って、ホール効果素子２．１
と２．４とは信号Ｓ１を生成し、ホール効果素子２．２
と２．５とは信号Ｓ２を生成し、ホール効果素子２．３
と２．６とは信号Ｓ３を生成する。出力信号Ｓ１、Ｓ２
及びＳ３の強さは面９における磁場の方向に依存する。
【００１５】永久磁石１０が回転軸１１の回りを回転す
ると、磁場はそれと共に回転し、１２０°だけ位相シフ
トした正弦波出力信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３を生成する。
永久磁石１０の磁場の方向が２つのホール効果素子２．
１及び２．４を結合する軸に対して平行であるときに
は、出力信号Ｓ１は常に最大であり、また、永久磁石１
０の磁場の方向が２つのホール効果素子２．３及び２．
５を結合する軸に対して平行であるときには、出力信号
Ｓ２が常に最大であり、…。欧州特許出願ＥＰ９５４０
８５に記載されているように、出力信号Ｓ１、Ｓ２及び
Ｓ３を電気モータ１２の３個のコイルを制御するのに用
いることができる。
【００１６】しかしながら、出力信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ
３は電気モータ１２が静止しているときに回転軸１１の
回転角φを決定するためにも用いることができる。ここ
で、可能な限り、永久磁石１０の磁場に起因しない出力
信号Ｓ１、Ｓ２及びＳ３上に信号が重ならないことが重
要である。ペアとして結合した各ホール効果素子を使っ
た提案例はこれに対して特に適している。というのは、
外部干渉場の影響が主に除去されかつ技術依存オフセッ
ト電圧がほとんど補償されるからである。個々のホール
効果素子２．１から２．６の代わりに、２個又は３個以
上のホール効果素子を備えたホール効果素子のグループ
を用いるとき、これによって電流方向が１グループの様
々なホール効果素子で異なるので、技術依存オフセット
電圧はさらに低減することができる。
【００１７】このような例を、４つのグループ１４から
１７がそれぞれ２つのホール効果素子２．１から２．８
と共に利用可能な図３で示す。ホール効果素子の径方向
に反対に位置するグループが結合してペアとなり、その
ため、センサが２つの出力信号Ｓ１とＳ２とを出す。従
って、これは、出力信号Ｓ１がホール効果素子２．１、
２．２、２．５及び２．６のホール電圧から形成され、
かつ、出力信号Ｓ２がホール効果素子２．３、２．４、
２．７及び２．８のホール電圧から形成される。図３で
は、ホール効果素子は十字形状であり、各ホール効果素
子は、ホール効果素子内の電流方向を示す矢印によって
指定される。この例を用いると、磁場コンセントレータ
３も、前の例で示したような円状構造に向かい合うよう
に、ホール効果素子の位置での磁場をより大きくするこ
とにつながる十字構造を有する。必要ならば、出力信号
Ｓ１及びＳ２の値を回転角φの関数として格納すること
が可能である。出力信号Ｓ１及びＳ２は位相シフトして
いるので、出力信号Ｓ１及びＳ２をもとに、回転角φを
容易に明瞭にかつ唯一つ決定することができる。
【００１８】図４は、第１の例のセンサを参照して倍率
表示でなく概略図として、回転軸１１（図１も参照）に
対して面の径方向反対側に位置した２つの集積ホール効
果素子２．１と２．４とを備えた半導体チップ１と円状
磁場コンセントレータ３とを示している。２つのホール
効果素子２．１及び２．４の領域における永久磁石１０
（図２）によって生成された場の強さ及び方向は垂直軸
で示している。ｘ軸の正方向における磁場コンセントレ
ータ３の理想位置からのシフトは、ホール効果素子２．
１のホール電圧の低下とホール効果素子２．４のホール
電圧の増加との原因となる。好適には、磁場コンセント
レータ３の直径は２つのホール効果素子２．１と２．４
との間の距離に適用され、そのため、ホール効果素子
２．１及び２．４に対する磁場コンセントレータ３の理
想位置付けと共に、２つのホール効果素子２．１及び
２．４は磁場の強さが最大に達するゾーン内に位置して
いない：ホール効果素子２．１及び２．４は図４で示し
た中心により近接しているか、または、中心からさらに
離れて位置しているかいずれかである。このように、２
つのホール効果素子２．１及び２．４はに対する磁場コ
ンセントレータ３の様々な位置変動の影響は最小化され
ている。
【００１９】センサは電気モータの制御だけを行い、そ
してモータが静止しているときの回転角は重要でないな
らば、一対のホール効果素子が使用可能なときにだけで
十分である。第１の実施形態では、これらはホール効果
素子２．１及び２．４である。
【００２０】円状磁場コンセントレータの代わりに、例
えば多角形の形状の磁場コンセントレータを使用するこ
とができる。特に、フォトリソグラフィのために、ポリ
ゴンによって円形に近づくことが賢明である。同様に、
ホール効果素子の数を増やすことができる。
【００２１】図５は、垂直ホール効果素子２を有する実
施形態を示している。垂直ホール効果素子は、ホール効
果素子を貫通する磁場の半導体チップ１の表面８に平行
な成分に敏感である。エレクトロニクスで集積すること
ができる垂直ホール効果素子は例えば米国特許５５７２
０５８に記載されている。垂直ホール効果素子２は磁場
コンセントレータ３の端部４に対して接線方向に並んで
いる。それらは、磁場コンセントレータ３の端部４の領
域に位置するが、磁場コンセントレータ３や水平ホール
効果素子の下ではなく、半導体チップ１の表面８に平行
に走る磁場の磁力線１３（図２）が最大である磁場コン
セントレータ３が最大のところである磁場コンセントレ
ータ３のそとへ面方向にはずれたしたところである。
【００２２】図６では、矢印は垂直ホール効果素子２の
領域の磁場の平行に走る磁力線（図２）の強さを示して
いる。ここで、矢印の長さは磁場の強さに比例する。
【００２３】従来技術で周知の解決策と比較してこの解
決策は以下のような利点を有する： ａ）ホール効果素子は磁場の垂直成分が最大である永久
磁石の端部領域に位置せず、水平成分が最大である回転
軸領域に位置するので、永久磁石に対するホール効果素
子の位置は決定的に重要ではなく、そのため、ホール効
果素子を集積するホール効果素子の配置は永久磁石の端
部の位置に独立して行うことができる。 ｂ）磁場コンセントレータはさらにホール効果素子の領
域の磁場を増幅する。 ｃ）ホール効果素子の処理エレクトロニクスは同じチッ
プ上に集積することができる。 ｄ）通常の処理許容範囲内の設定位置からの磁場の実際
の位置のずれは生成される信号上にほとんど影響を与え
ない。
【００２４】記載したセンサも、始めに引用した欧州特
許出願８９３６６８に記載した応用についての角度セン
サとして適している。
【００２５】図７ａは、磁場コンセントレータ３がリン
グ形状を有する発明に対応したセンサの第３の例を示し
ている。これは、リングの中心において、ホール効果素
子２’上への垂直入射を測定することができる磁場の成
分を有するさらなる水平ホール効果素子の配置を可能に
する。このようなセンサは例えば、それが３つの次元で
外側磁場の方向の決定を可能にするように、ジョイステ
ィックにおいて使用するのにも適している。
【００２６】磁場コンセントレータ３は非常に薄いの
で、ホール効果素子２’に垂直に入射する磁場の成分に
実際には何の影響もない。図７ｂで示したセンサも、そ
れが３つの次元で外側磁場の方向の決定を可能にする。
しかしながら、ここで、始めに磁場コンセントレータ３
が水平成分を増幅し、次に設定位置からの磁場コンセン
トレータ３のずれを伴って、磁場の水平成分も垂直方向
にホール効果素子２’を貫通することができるので、垂
直成分が水平成分に重なってしまうという意見が存在す
る。
【００２７】しかしながら、図７ａによる例と共に、強
磁性リングの幅が厚さと同程度であるときに、磁場コン
セントレータ３も磁場の垂直成に対してコンセントレー
タとして作用することができる。２つのホール効果素子
２．１及び２．３の信号の和又は２つのホール効果素子
２．２及び２．４の信号の和から、磁場の垂直成分に比
例する信号を得ることができ、一方、上述で証明したよ
うに、差から磁場の水平成分を得ることができる。ホー
ル効果素子２’は省略することができる。
【００２８】個々のホール効果素子は通常に数１０μｍ
×数１０μｍの比較的小さな面積を必要とする。円状磁
場コンセントレータの直径は約０．２ｍｍから０．５ｍ
ｍの値である。理想的な場合には、磁場コンセントレー
タの直径は、通常１．３ｍｍ又はそれ以上の値である永
久磁石の直径より小さい。
【００２９】２０ｍＴ以上では、外側磁場は通常磁場コ
ンセントレータにおいて飽和効果につながる。磁場コン
セントレータが少なくとも部分的に磁場が飽和するよう
に、永久磁石とセンサとの間の設定距離を選択したと
き、これは、出力信号Ｓ１、Ｓ２等がセンサからの永久
磁石の距離揺らぎに依存しないか又はわずかだけ依存す
るという利点を有する。
【００３０】ホール効果素子をパルス発生器として作動
し、それによって、回転永久磁石が使用されるホール効
果素子の数と同じ数だけ回転あたりのパルスを生成す
る。
【００３１】図８は、第１の例におけるセンサと、角度
規定素子として作用する永久磁石と共に、角度センサと
して、３個のコイルを有する電気モータの制御に対して
適している、３個の磁場コンセントレータ１８．１、１
８．２と１８．３を有する角度センサを示している。磁
場コンセントレータ１８は、対称点１９に対して対称
に、すなわち、１２０°の回転対称性を有して配置して
いる。水平ホール効果素子２．１、２．２、又は２．３
が、対称点１９に向いた各磁場コンセントレータの端部
４の領域に配置している。磁場コンセントレータの端部
４は２つの範囲に分割される、すなわち、磁場の磁力線
の密度が２つのへり２０の間のギャップにおいて可能な
限り一様でありかつピークの飽和が回避されるように磁
場コンセントレータ１８の反対のへり２０が平行に走る
内部範囲と、ここで磁場が“短絡”することを回避する
ために近傍の磁場コンセントレータの間の距離がはるか
に大きい外側範囲とに分割される。磁場コンセントレー
タ１８．１、１８．２と１８．３の外側端部２１が、ホ
ール効果素子２．１、２．２及び２．３の領域において
できるだけ効率的に外側磁場を集中するため、かつ、信
号の角度依存性に影響を与える飽和ピークを回避するた
めに、できるだけ大きな角度範囲に拡がっている。この
例によって、各ホール効果素子２．１、２．２及び２．
３は出力信号Ｓ１、Ｓ２，及びＳ３を出す。
【００３２】各ホール効果素子２．１、２．２及び２．
３の代わりに、ホール効果素子のグループもそれらの間
ですでにオフセット補正されたことを予め知ることが可
能である。
【００３３】図９及び図１０は、磁場の方向を２次元に
おいて決めることが可能なさらに２つのセンサを示して
いる。ここで、対称点１９に関して互いに径方向で反対
に位置した２個のホール効果素子が一対に結合してい
る。ホール効果素子２．１と２．３とで出力信号Ｓ１を
生成し、ホール効果素子２．２と２．４とで出力信号Ｓ
２を生成する。出力信号Ｓ１及びＳ２から、センサの面
９における磁場の方向を決定することができる。
【００３４】図８から図１０に示したセンサを用いて、
磁場コンセントレータは平坦に形成する必要はない。そ
れらは、ホール効果素子の領域にできるだけ効果的に磁
場を集中するために、端部へいくほど厚くすること、あ
るいはさらなる外部磁場コンセントレータに結合するこ
とができる。
【００３５】図１１は、３個の磁場コンセントレータ１
８．１、１８．２及び１８．３と、隣接する磁場コンセ
ントレータ１８．１、１８．２及び１８．３の平行に延
びるへり２０の間の中心に各々配置する３個の垂直ホー
ル効果素子２．１、２．２及び２．３とを有する実施形
態を示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 水平ホール効果素子を有する本発明に係る
センサの一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】 図１のＩ−Ｉに沿ったセンサの断面図であ
る。
【図３】 本発明に係るセンサの第２の実施形態を示
す概略構成図である。
【図４】 本発明に係るセンサの詳細図である。
【図５】 垂直ホール効果素子を有する本発明に係る
センサの一実施形態を示す概略構成図である。
【図６】 垂直ホール効果素子を有する本発明に係る
センサの一実施形態を示す概略構成図である。
【図７】 （ａ）外側磁場の方向を３方向で決定する
ことができる本発明に係るセンサの概略構成図である。
（ｂ）外側磁場の方向を３方向で決定することができる
本発明に係るセンサの概略構成図である。
【図８】 本発明に係る他のセンサの概略構成図であ
る。
【図９】 本発明に係る他のセンサの概略構成図であ
る。
【図１０】 本発明に係る他のセンサの概略構成図で
ある。
【図１１】 本発明に係る他のセンサの概略構成図で
ある。
【符号の説明】
２．１、２．２、２．４、２．５ ホール効果素子 ３、１８．１、１８．２，１８．３、１８．４ 磁場コ
ンセントレータ ４ 端部 ５、１９ 対称中心 １０ 永久磁石 １１ 回転軸 １４、１５、１６、１７ ホール効果素子 ２０ へり
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｒ 33/07 Ｈ０２Ｋ 29/08 Ｈ０２Ｋ 29/08 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｈ (72)発明者 クリスチャン・ショット スイス・ＣＨ−1110・モルジュ・アヴニ ュ・デュ・ドゥレ・４ Ｆターム(参考） 2F063 AA35 BA30 DA05 DD06 EA03 GA52 GA67 KA02 2F077 CC02 NN02 NN24 PP12 QQ02 VV01 2G017 AC09 AD53 AD55 5H019 AA00 BB01 BB05 BB12 BB18

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 −平らな形状を有する１個の磁場コン
    セントレータ（３）と、 −少なくとも第１のホール効果素子（２．１）及び第２
    のホール効果素子（２．２）、又は、少なくとも第１の
    グループのホール効果素子の（１４）及び第２のグルー
    プのホール効果素子（１５）とを備え、 ホール効果素子が磁場コンセントレータ（３）の端部
    （４）領域に配置している磁場方向検出センサ。
  2. 【請求項２】 磁場コンセントレータ（３）が対称中
    心（５）を有し、第３のホール効果素子（２．４）及び
    第４のホール効果素子（２．５）、又は、第３のグルー
    プのホール効果素子（１６）あるいは第４のグループの
    ホール効果素子（１７）を備え、ホール効果素子が磁場
    コンセントレータ（３）の端部（４）領域に配置し、第
    １のホール効果素子（２．１）と第３のホール効果素子
    （２．４）とが、又は、第１のグループのホール効果素
    子の（１４）と第３のグループのホール効果素子（１
    ６）とが対称中心（５）に対して対称に配置し、第２の
    ホール効果素子（２．２）と第４のホール効果素子
    （２．５）とが、又は、第２のグループのホール効果素
    子（１５）と第４のグループのホール効果素子（１７）
    とが対称中心（５）に対して対称に配置していることを
    特徴とする請求項１に記載の磁場方向検出センサ。
  3. 【請求項３】 ホール効果素子（２．２）が水平ホー
    ル効果素子であることを特徴とする請求項１又は請求項
    ２のいずれかに記載の磁場方向検出センサ。
  4. 【請求項４】 ホール効果素子（２．２）が磁場コン
    セントレータ（３）の中心を向いて磁場コンセントレー
    タ（３）の端部側に配置していることを特徴とする請求
    項３に記載の磁場方向検出センサ。
  5. 【請求項５】 ホール効果素子（２．２）が水平ホー
    ル効果素子であって、かつ、磁場コンセントレータ
    （３）の外側に配置していることを特徴とする請求項１
    又は請求項２のいずれかに記載の磁場方向検出センサ。
  6. 【請求項６】 −対称中心（１９）の領域において部
    分的に互いに平行に延びた隣接したへり（２０）に対向
    する、一平面において対称中心（１９）に対して対称に
    配置した少なくとも３個の磁場コンセントレータ（１
    ８．１、１８．２，１８．３；１８．１、１８．２，１
    ８．３、１８．４）と、 −１個の磁場コンセントレータ（１８．１、１８．２，
    １８．３；１８．１、１８．２，１８．３、１８．４）
    に対して、１個のホール効果素子（２．１、２．２．
    ２、２．３；２．１、２．２．２、２．３、２．４）又
    は１グループのホール効果素子とを備え、ホール効果素
    子が各磁場コンセントレータ（３）の端部（４）の平行
    に延びるへり（２０）の領域に配置している磁場方向検
    出センサ。
  7. 【請求項７】 ホール効果素子（２．１、２．２．
    ２、２．３；２．１、２．２．２、２．３、２．４）が
    水平ホール効果素子であることを特徴とする請求項６に
    記載の磁場方向検出センサ。
  8. 【請求項８】 ホール効果素子（２．１、２．２．
    ２、２．３；２．１、２．２．２、２．３、２．４）が
    垂直ホール効果素子であることを特徴とする請求項６に
    記載の磁場方向検出センサ。
  9. 【請求項９】 １個の磁場コンセントレータ又は複数
    の磁場コンセントレータ（３；１８．１、１８．２，１
    ８．３）が金属ガラスから成ることを特徴とする請求項
    １から請求項８のいずれか一項に記載の磁場方向検出セ
    ンサ。
  10. 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれか一
    項に記載のセンサについての回転軸（１１）の回りに回
    転可能な物体の回転位置を決定する角度センサとしての
    応用であって、永久磁石（１０）が回転軸（１１）に固
    定されているものにおいて、センサと永久磁石（１０）
    との間の距離が磁場コンセントレータ（３）が磁気的に
    少なくとも部分的に飽和するように選択されていること
    を特徴とする磁場方向検出センサの応用。
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